专利名称：信息存储介质、信息记录装置和信息记录方法
技术领域：
本发明涉及具有存储缺陷管理信息的缺陷管理区域的信息记录介质。另外，本发明涉及对信息存储介质记录缺陷信息的信息记录装置。而且，本发明还涉及对信息存储介质记录缺陷信息的信息记录方法。
背景技术：
光盘等信息存储介质具有用于存储用户数据的用户区，具有用于补偿在该用户区中产生的缺陷的结构。这样的结构被称作替换处理。有关该替换处理的信息即管理缺陷管理信息的区被称作DMA(Defect Management Area)。
在信息存储介质中，DVD-RAM能进行10万次以上的重写。对对这种重写的耐久性极高的介质具有的DMA即使执行数万次重写，DMA的可靠性也不会动摇。
在特开平9-213011中公开了具有多个DMA的光盘。通过配置多个DMA，来谋求DMA的可靠性的提高。
但是，当为信息存储介质中允许重写的次数比较少(数十到数千)的介质时，对这样的介质具有DMA的重写成为问题。即伴随着重写，这样的介质具有的DMA容易受到损害。
即使具有特开平9-213011中描述的技术也无法解决该问题。即，即使配置多个DMA，因为各个DMA统一接受重写，所以当一个DMA由于重写而受到损害时，其他DMA也同样会受到损害。
如上所述，在DMA中存储了缺陷管理信息，如果DMA受到损害，则无法从DMA读出缺陷管理信息。结果，介质自身变得无法使用。因此，期待着努力提高对DMA重写的耐久性。
发明内容
鉴于以上所述问题的存在，本发明的目的在于提供即使是对重写的耐久性比较低的介质，也能进行可靠性高的缺陷管理的信息存储介质、信息记录装置和信息记录方法。
为了解决所述问题、实现所述目的，本发明的信息存储介质、信息记录装置和信息记录方法采用以下结构。
(1)本发明的信息存储介质包括用于存储用户数据的用户区；用于存储有关所述用户区上的缺陷的缺陷信息的缺陷管理区；用于存储有关对所述缺陷管理区的重写次数的重写信息的重写管理区。
(2)本发明是一种信息记录装置，对具有用于存储用户数据的用户区、用于存储有关所述用户区上的缺陷的缺陷信息的缺陷管理区、以及用于存储有关对所述缺陷管理区的重写次数的重写信息的重写管理区的信息存储介质，记录信息，包括用于记录所述用户数据、所述缺陷信息以及所述重写信息的记录部件；通过所述记录部件，在所述缺陷管理区中记录所述缺陷信息，并且对应于该记录动作，用于在所述重写管理区中记录所述重写信息的记录控制部件。
(3)本发明是一种信息记录方法，对具有用于存储用户数据的用户区、用于存储有关所述用户区上的缺陷的缺陷信息的缺陷管理区、以及用于存储有关对所述缺陷管理区的重写次数的重写信息的重写管理区的信息存储介质，记录信息，其中在所述缺陷管理区中记录所述缺陷信息，并且对应于该记录动作，在所述重写管理区中记录所述重写信息。
在随后的描述中将提出本发明的其他目的和利益，一部分从该描述中是显而易见的，或者可以通过实施本发明而得知。通过在下文中特别指出的手段和组合，可以实现和获得本发明的目的和利益。
下面简要说明附图。
合并进来的附图构成说明书的一部分，与以上进行的概括描述和以下进行的对优选实施例的具体描述一起来共同描述本发明的优选实施例，用以说明本发明的原理。
图1是表示本发明一个例子的信息存储介质(光盘)的数据构造概略的图。
图2是表示替换处理的一个例子的程序框图。
图3是表示配置在信息存储介质中的DMA数据构造概略的一个例子的图。
图4是表示DMA中包含的DDS/PDL块的开始段内描述的内容一个例子的图。
图5是表示DMA中包含的SDL块中记述的内容一个例子的图。
图6是表示SDL中包含的多个SDL记录中一个SDL记录的数据构造的一个例子的图。
图7是用于说明DMA系列的使用方法一个例子的状态转变图。
图8是表示DMA中配置的各计数器状态和DMA推移的关系1的图。
图9是表示DMA中配置的各计数器状态和DMA推移的关系2的图。
图10是表示检索现在正在使用的DAM的步骤一个例子的程序框图。
图11是用于说明DMA的登记和更新处理一个例子的程序框图。
图12是用于说明多个DMA系列的使用方法一个例子的状态转变图。
图13是用于说明配置多个DMA系列的输入区和开始区一个例子的图。
图14是表示配置了多个DMA系列的介质再现处理一个例子的程序框图。
图15是表示本发明一个例子的信息记录再现装置的概略结构的图。
具体实施例方式
下面，参照
本发明的实施例。
图1是表示本发明一个实施例的信息存储介质(光盘)数据构造概略的图。如图1所示，信息存储介质具有在DMA之间设置了备用区SA和用户区UA的数据构造。须指出的是，图1所示的数据构造在本发明信息存储介质的数据构造中不过是一个例子，本发明信息存储介质的数据构造并不局限于此。
用户区UA是用于存储用户数据的区。备用区SA是替换记录应该记录在用户区上存在的缺陷区中的数据的区。缺陷区是ECC(Error Correction Code)块单位的区。即ECC块单位的数据替换记录在备用区SA中。如后所述，DMA具有DMA计数器(重写管理区)。在DMA计数器的计数值中反映了对DMA的重写次数。
图2是表示替换处理的程序框图。如图2所示，用户区中产生的应该记录在缺陷区中的数据被替换记录在备用区SA中(ST1)。并且，替换源(缺陷区)和替换目标(备用区SA的给定区)的开始地址登记在DMA内的SDL(Secondly Defect List)中。DMA如图1所示，配置在信息存储介质的内周和外周，在两DMA的SDL中登记同一数据。如果对SDL登记了信息，则SDL的更新计数器增加(+1)(ST2)。
以往，DMA配置在介质上的固定物理地址区中。为了提高对DMA的耐故障性，存储了同一内容的DMA配置在介质上的多个地方。例如，当为DVD-RAM时，在最内周两个地方、最外周两个地方，合计在四个地方配置有DMA，四个DMA中记录着同一内容。
图3是表示本发明的信息存储介质中配置的DMA数据构造的概略的图。如图3所示，信息存储介质具有多个DMA，各DMA由DDS/PDL块和SDL块构成。PDL是Primarily Defect List的缩写。DDS/PDL块和SDL块都是1ECC块(＝32KB)。
本发明的信息存储介质为了提高DMA的耐故障性，定义为在正在使用的DMA变弱的时刻，把存储在该DMA中的缺陷管理信息推移到新的DMA中。DMA变弱时是指对该DMA的重写次数接近具有该DMA的介质的重写允许次数时，或在该DMA上缺陷增加，出现无法进行纠错的可能性时。
各DMA由驱动内的真的记录单位即ECC块的整数倍尺寸构成。在DVD-RAM中，1ECC块的尺寸由16扇区构成，1ECC块的尺寸是32KB。PDL是初始缺陷登记用的列表，SDL是2次缺陷登记用的列表。在PDL中登记了把介质格式化时执行的证明中发现的缺陷即有关2次缺陷的缺陷管理信息。而在SDL中，登记了在通常的记录时(例如，登记用户数据时)发现的缺陷即有关2次缺陷的缺陷管理信息。在缺陷管理信息中包含有替换源的地址和较低目标的地址。如果增大这些列表的尺寸，可登记的缺陷数就增加。按顺序配置DMA0～DMAn，从DMA0开始按顺序使用。
图4是表示DMA中包含的DDS/PDL块的开始扇区内记述的内容一个例子的图。在DDS/PDL块的给定区中，配置有4字节的DDS/PDL块的update counter、4字节的DMA rec-counter1等。
每次更新DDS/PDL块时，DDS/PDLupdate counter增加(+1)。DMA rec-counter1是改写了DDS/PDL块时进行增加计数的计数器。在介质的初始化(初次)时刻，在所有的DMA rec-counter1中设置0。后面，将描述该counter的使用方法。
图5是表示DMA中包含的SDL块中记述的内容一个例子的图。在SDL块的给定区中配置有4字节的SDL update counter、4字节的DMA rec-counter2、SDL记录等。
SDL块也与DDS/PDL块同样，每次更新SDL块的内容时，SDL update counter增加(+1)。DMA rec-counter2是改写了SDL块时进行增加计数的计数器。在SDL中记述着有关2次缺陷的管理信息。在介质的初始化(初次)时刻，在所有的DMA rec-counter2中设置0。后面，将描述该counter的使用方法。
图6是表示SDL中包含的多个SDL记录中的一个SDL记录的数据构造一个例子的图。一个SDL记录例如由8字节构成。在一个SDL记录中配置有用于描述替换源地址的地址的3字节字段和用于描述替换目标地址的地址的3字节字段。例如以ECC块单位进行替换。在替换源地址的字段和替换目标地址的字段中登记着隔ECC块中包含的开始扇区的地址。在图6所示的数据构造的例子中，为指定地址分配有3字节的字段，但是，如果介质变为更大容量(如果地址空间增大)，则用于指定地址用的字段的尺寸也增大。
图7是用于说明DMA系列的使用方法的状态转变图。DMA系列具有DMA0～n等(n+1)个DMA。如果DMA0是现在正在使用的DMA，就可以说DMA1～n的DMA是预备的DMA。
从DMA0开始按顺序使用DMA系列中包含的多个DMA。在初始状态下，使用DMA0，DMA1以后是未使用状态。当在DMA0中缺陷增加，或重写数超过了规定数时，DMA0变为使用完记录，存储在DMA0中的缺陷管理信息替换记录到DMA1中。然后，通过同样按顺序使用DMA，在DMA中即使产生缺陷和重写损害，作为系统也不会崩溃，能继续使用介质。
图8是表示配置在DMA中的各计数器状态和DMA的推移的关系1的图。在此表示的DDS/PDL update counter和SDL updatecounter是即使DMA转变(从DMA0转变到DMA1)，也累计计数的累计计数器。
如图8所示，在DMA的给定区域中配置有DMA counter。该DMA counter是改写了DMA时增加的计数器。即DMA中包含的DDS/PDL块的DMA rec-counter1的计数值和DMA中包含SDL块的DMA rec-counter2的计数值中大的一方的值是DMA counter的计数值。
即通过检查该DMA counter的计数值，能知道对现在使用的DMA，执行了几次重写。换言之，该DMA counter的计数值可以说是伴随着对DMA的重写，DMA受到的损害。
对该介质记录信息的信息记录再现装置在不超过按照介质的特性而预先决定的可重写次数(Nov)的范围中，从现在使用的DMA(例如DMA0)转移到预备的DMA(例如DMA1)。当然，为了最大限度有效使用现在使用的DMA，希望使用到DMA计数器的最大值(Nov-1)。信息记录再现装置在DMA计数器还未达到最大值时，如果检测到现在使用的DMA上缺陷增加，就把现在使用的DMA转移到预备的DMA。在各DMA中开始使用，开始输入值。即在未使用的DMA中不输入值。当对信息记录再现装置装填了介质时，信息记录再现装置为了知道现在使用的DMA的位置，寻找DMA rec-counter1、2的计数值都为0的DMA。如果发现DMArec-counter1、2的计数值都为0的DMA(例如DMA2)，则把发现的DMA的前一个DMA(例如DMA1)识别为现在使用的DMA。如果未发现DMA rec-counter1、2的计数值都为0的DMA(例如DMA2)就把最终的DMA(例如DMAn)识别为现在使用的DMA。
图9是表示DMA中配置的各计数器状态和DMA的关系2的图。在所述中，参照图8，说明了即使DMA转移，DDS/PDL updatecounter和SDL update counter也累计计数的例子。而在图9中，如果DMA转变(如果从DMA0转变到DMA1)，DDS/PDL updatecounter和SDL update counter的计数值就复位的例子。
如图9所示，在DMA的给定区配置有DMA counter。该DMAcounter是改写了DMA时增加的计数器。即DMA中包含的DDS/PDL块的DDS/PDL update counter(DMA rec-counter1)的计数值和DMA中包含SDL块的SDL update counter(DMA rec-counter2)的计数值中大的一方的值是DMA counter的计数值。
在图9所示的例子中，每次移动DMA时，DDS/PDL updatecounter和SDL update counter被复位。因此，在该例子中，DDS/PDL update counter进行与DMA rec-counter1同样的工作，SDL update counter进行与DMA rec-counter2同样的工作。因此，在图9所示的例子中，能省略DMA rec-counter1、2。
图10是表示检索现在正在使用的DAM的步骤的程序框图。检索现在正在使用的DAM的检索处理由图15所示的信息记录再现装置的主控制部20执行。如上所述，本发明的信息存储介质被定义为伴随着重写等，DMA推移。因此，当对信息记录再现装置装填了盘时，有必要检索现在使用的DMA。在介质上的各DMA(DMA0～DMAn)中配置有DMA rec-counter1、2。在初始化了介质的时刻，各DMA的DMA rec-counter1、2的计数值被设置为0。如果开始介质的使用，则DMA1的DMA rec-counter1、2的计数值被增加计数，如果再继续使用，则DMA2的DMA rec-counter1、2的计数值被增加计数。预先决定DMA0～DMAn的使用顺序。以DMA0→DMA1→DMA2→…→DMAn的顺序使用。因此，通过调查DMA0～DMAn的DMA rec-counter1、2的计数值，就能发现现在使用的DMA。
如图10所示，当对信息记录再现装置装填了介质时，信息记录再现装置为了知道现在使用的DMA的位置，查找DMA rec-counter1、2的计数值都为0的DMA(ST21)。如果发现了DMA rec-counter1、2的计数值都为0的DMA(例如DMA2)(ST22，YES)，就把发现的DMA之前一个DMA(例如DMA1)识别为现在使用的DMA(ST24)。如果未发现DMA rec-counter1、2的计数值都为0的DMA(例如DMA2)(ST22，NO)，就把最终的DMA(例如DMAn)作为现在使用的DMA(ST23)。
图11是用于说明DMA的登记和更新处理一个例子的程序框图。DMA的登记和更新处理由图15所示的信息记录再现装置的主控制部20执行。主控制部20根据DMA的DMA counter的计数值，判断现在使用的DMA的改写次数是否超过了规定数(ST31)。如果判明了超过规定数(ST31，YES)，就确认是否能移动现在使用的DMA中存储的缺陷信息(是否有预备的DMA)。如果能移动(ST34，YES)，就对决定为下一移动目标的DMA移动现在使用的DMA中存储的缺陷信息(ST35)。此时，继承必要的值。例如，在图8所示的例子中，继承了DDS/PDL update counter和SDL updatecounter的值。
即使改写次数是规定数以下时(ST31，NO)，当由主控制部20检测到DMA中有很多缺陷时(ST32，YES)，确认能否移动现在使用的DMA中存储的缺陷信息(是否有预备的DMA)。如果能移动(ST34，YES)，就对确定为下一移动目标的DMA移动现在使用的DMA中存储的缺陷信息(ST35)。如果不能移动(ST34，NO)，该处理异常结束。
当现在使用的DMA的重写次数是规定数以下(ST31，NO)，现在使用的DMA中并未多发缺陷时(ST32，NO)，按照必要，更新现在使用的DMA(ST33)。
图12是用于说明多个DMA系列的使用方法的状态转变图。如图7所示，此前说明了单个DMA系列的使用。即说明了一个DMA系列包含DMA0～DMAn的例子。在此，如图12所示，说明多个DMA系列的使用。即多个DMA系列分别包含DMA0～n。
如图12所示，例如，说明具有4个DMA系列的信息存储介质。4个DMA系列分别配置在不同的位置。例如，DMA系列1、2配置在介质的最内周，DMA系列3、4配置在介质的最外周。DMA系列1～4中，例如检测到DMA系列3中产生很多缺陷(图12的初始状态)。图15所示的信息记录再现装置的主控制部检测到缺陷的多发。伴随着该缺陷的检测，所有DMA系列中现在使用的DMA(例如DMA0)的缺陷管理信息转移(替换记录)到下一DMA(例如DMA1)(图12的第二状态)。图15所示的信息记录再现装置的主控制部转移(替换记录)缺陷管理信息。
图13是用于说明配置了多个DMA系列的输入区和开始区的图。如图13所示，介质(光盘)1在最内周具有读入区A1，在最外周具有读出区A3。另外，介质1在读入区A1和读出区A3之间具有数据区A2。数据区A2具有用户区UA和备用区SA。
最内周的读入区A1具有第一DMA系列(DMA系列1、2)，最外周读出区A3具有第二DMA系列(DMA系列3、4)。这样，通过在最内周和最外周配置DMA系列，在物理上分开配置了多个DMA。结果，DMA变得更耐故障。
图14是表示配置了多个DMA系列的介质再现处理的程序框图。如图在图15所示的信息记录再现装置中装填了介质，装置就从所有DMA系列中找出现在使用的DMA，从现在使用的DMA读出缺陷管理信息(ST41)。即如果套用图12所示的例子，就从DMA系列1中找出现在使用的DMA(例如DMA1)，从DMA系列2中也找出现在使用的DMA(例如DMA1)，从DMA系列3中也找出现在使用的DMA(例如DMA1)，从DMA系列4中也找出现在使用的DMA(例如DMA1)。查找现在使用的DMA的处理如图10所示。
当由于故障等的影响，从哪个DMA都无法读出缺陷管理信息时(ST42，NO)，该处理异常结束。当能从DMA读出缺陷管理信息时，检查DMA的DDS/PDL update counter和SDL update counter的计数值。在多个DMA系列的现在使用的各DMA中，应该记录着同一信息。因此，各DMA的DDS/PDL update counter和SDLupdate counter的计数值应该一致。但是，如果对多个DMA系列中的各DMA按顺序记录的中途产生任意故障，就会产生未更新几个DMA的状态。因此，当多个DMA系列中现在正在使用的各DMA的update counter计数值不同时(ST43，NO)，使具有最新计数值的DMA与其它DMA一致(ST44)。就此，记录再现的准备结束。
图15是表示本发明一个实施例的信息记录再现装置的概略结构的图。该信息记录再现装置对所述介质(光盘)1记录用户数据，或再现记录在介质1中的用户数据。另外，该信息记录再现装置按照必要也执行替换处理。
如图15所示，信息记录再现装置包括调制电路2、激光控制电路3、激光4、准直透镜5、偏振光束分光器(以下称作PBS)6、4分之1波长板7、物镜8、聚光透镜9、光检测器10、信号处理电路11、解调电路12、聚焦误差信号生成电路13、跟踪误差信号生成电路14、聚焦控制电路16、跟踪控制电路17、主控制部20。
主控制部20控制驱动部。驱动部包含调制电路2、激光控制电路3、激光4、准直透镜5、偏振光束分光器(以下称作PBS)6、4分之1波长板7、物镜8、聚光透镜9、光检测器10、信号处理电路11、解调电路12、聚焦误差信号生成电路13、跟踪误差信号生成电路14、聚焦控制电路16、跟踪控制电路17。
首先，说明该信息记录再现装置的数据记录。数据的记录由主控制部20控制。记录数据(数据符号)由调制电路2调制为给定信道位系列。与记录数据对应的信道位系列由激光控制电路3转换为激光驱动波形。激光控制电路3脉冲驱动激光4，在介质1上记录与所需位系列对应的数据。从激光4发射的记录用光束由准直透镜5变为平行光，入射PBS6，透射。透射了PBS6的光束透射4分之1波长板7，通过物镜8汇聚到介质1的信息记录面。通过基于聚焦控制电路16的聚焦控制和基于跟踪控制电路17的跟踪控制，以在记录面上获得最佳微小点的状态维持汇聚的光束。
接着，说明该信息记录再现装置的数据再现。数据的再现由主控制部20控制。根据来自主控制部20的数据再现指示，激光4发出再现用的光束。从激光4发出的再现用的光束由准直透镜5变为平行光，入射PBS6，透射。透射了PBS6的光束透射4分之1波长板7，通过物镜8汇聚到介质1的信息记录面。通过基于聚焦控制电路16的聚焦控制和基于跟踪控制电路17的跟踪控制，以在记录面上获得最佳微小点的状态维持汇聚的光束。此时，照射到介质1上的再现用光束由信息即路面内的反射膜或反射性记录膜反射。反射光反向透射物镜8，再度变为平行光。反射光透射4分之1波长板7，具有对入射光垂直的偏振光，由PBS6反射。由PBS6反射的光束由聚光透镜9变为汇聚光，输入到光检测器10。光检测器10例如由4分割的光电探测器构成。输入到光检测器10的光束被光电变换，变为电信号，并放大。放大的信号由信号处理电路11均值化，双值化，发送给解调电路12。在解调电路12中，进行与给定调制方式对应的解调动作，输出再现数据。
另外，根据从光检测器10输出电信号，通过聚焦误差信号生成电路13生成聚焦误差信号。同样，根据从光检测器10输出的电信号的一部分，由跟踪误差信号生成电路14生成跟踪误差信号。聚焦控制电路16根据聚焦误差信号控制光点的聚焦。跟踪控制电路17根据跟踪误差信号，控制光点的跟踪。
在此，说明基于主控制部20的替换处理。当格式化介质时，执行证明。此时，主控制部20检测介质上的缺陷。此时检测的缺陷即有关初始缺陷的缺陷管理信息由主控制部20记录在介质的DMA中的PDL中。缺陷管理信息包含替换源的扇区地址和替换目标的扇区地址。通常的记录时，主控制部20检测介质上的缺陷。此时检测的缺陷即有关2次缺陷的缺陷管理信息由主控制部20记录在介质的DMA中的SDL中。缺陷管理信息包含替换源的ECC块的开始扇区地址和替换目标的ECC块的开始扇区地址。根据PDL和SDL，对替换源的访问被视为对替换目标的访问。另外，主控制部20控制图10所示的现在正在使用的DMA的检索处理、图11所示的DMA的登记和更新处理、图14所示的再现处理等。
对本领域技术人员来说，通过本发明而获得附加利益和对本发明进行修改是很容易的。因此，本发明并不局限于以上所说明和描述的特定细节和代表实施例。在不脱离本发明的精神和范围的前提下所进行各种修改都应属于本发明的保护范围。
权利要求
1.一种信息存储介质，其特征在于包括用于存储用户数据的用户区；用于存储有关所述用户区上的缺陷的缺陷信息的缺陷管理区；用于存储有关对所述缺陷管理区的重写次数的重写信息的重写管理区。
2.根据权利要求1所述的信息存储介质，其特征在于包括用于按照所述重写信息表示的重写次数来替换记录所述缺陷信息的预备的缺陷管理区。
3.根据权利要求1所述的信息存储介质，其特征在于包括用于按照所述缺陷管理区中的缺陷产生状况来替换记录所述缺陷信息的预备的缺陷管理区。
4.根据权利要求1、2或3所述的信息存储介质，其特征在于所述缺陷管理区包含所述重写管理区。
5.根据权利要求1所述的信息存储介质，其特征在于所述缺陷管理区包含用于重复存储多个所述缺陷信息的多个区；该信息存储介质包括用于按照所述所述重写信息表示的重写次数来统一替换记录所述多个区中存储的多个缺陷信息的预备的多个区。
6.根据权利要求1所述的信息存储介质，其特征在于所述缺陷管理区包含用于重复存储多个所述缺陷信息的多个区；该信息存储介质包括用于按照所述缺陷管理区中的缺陷产生状况来统一替换记录所述多个区中存储的多个缺陷信息的预备的多个区。
7.一种信息记录装置，对具有用于存储用户数据的用户区、用于存储有关所述用户区上的缺陷的缺陷信息的缺陷管理区、以及用于存储有关对所述缺陷管理区的重写次数的重写信息的重写管理区的信息存储介质记录信息，包括用于记录所述用户数据、所述缺陷信息、以及所述重写信息的记录部件；用于通过所述记录部件，在所述缺陷管理区中记录所述缺陷信息，并且对应于该记录动作在所述重写管理区中记录所述重写信息的记录控制部件。
8.根据权利要求7所述的信息记录装置，其特征在于包括用于按照所述重写信息表示的重写次数，把所述缺陷信息替换记录到预备的缺陷管理区中的替换记录部件。
9.根据权利要求7所述的信息记录装置，其特征在于包括用于按照所述缺陷管理区中的缺陷产生状况，把所述缺陷信息替换记录到预备的缺陷管理区中的替换记录部件。
10.根据权利要求7、8或9所述的信息记录装置，其特征在于由所述记录控制部件控制的所述记录部件对所述缺陷管理区中包含的所述重写管理区记录所述重写信息。
11.根据权利要求7所述的信息记录装置，其特征在于由所述记录控制部件控制的所述记录部件对所述缺陷管理区中包含的多个区重复记录多个所述缺陷信息；该信息记录装置包括用于按照所述重写信息表示的重写次数，把所述多个区中记录的多个缺陷信息替换记录到预备的缺陷管理区中的替换记录部件。
12.根据权利要求7所述的信息记录装置，其特征在于由所述记录控制部件控制的所述记录部件对所述缺陷管理区中包含的多个区重复记录多个所述缺陷信息；该信息记录装置包括用于按照所述缺陷管理区中的缺陷产生状况，把所述多个区中记录的多个缺陷信息替换记录到预备的缺陷管理区中的替换记录部件。
13.一种信息记录方法，对具有用于存储用户数据的用户区、用于存储有关所述用户区上的缺陷的缺陷信息的缺陷管理区、以及用于存储有关对所述缺陷管理区的重写次数的重写信息的重写管理区的信息存储介质记录信息，其特征在于在所述缺陷管理区中记录所述缺陷信息，并且对应于该记录动作在所述重写管理区中记录所述重写信息。
14.根据权利要求13所述的信息记录方法，其特征在于按照所述重写信息表示的重写次数，把所述缺陷信息替换记录到预备的缺陷管理区中。
15.根据权利要求13所述的信息记录方法，其特征在于按照所述缺陷管理区中的缺陷产生状况，把所述缺陷信息替换记录到预备的缺陷管理区中。
16.根据权利要求13、14或15所述的信息记录方法，其特征在于对所述缺陷管理区中包含的所述重写管理区，记录所述重写信息。
17.根据权利要求13所述的信息记录方法，其特征在于对所述缺陷管理区中包含的多个区，重复记录多个所述缺陷信息；按照所述重写信息表示的重写次数，把所述多个区中记录的多个缺陷信息替换记录到预备的多个区中。
18.根据权利要求13所述的信息记录方法，其特征在于对所述缺陷管理区中包含的多个区，重复记录多个所述缺陷信息；按照所述缺陷管理区中的缺陷产生状况，把所述多个区中记录的多个缺陷信息替换记录到预备的多个区中。
全文摘要
本发明公开了一种信息存储介质，包括用于存储用户数据的用户区(UA)；用于存储有关所述用户区上的缺陷的缺陷信息的缺陷管理区(DMA)；用于存储有关对所述缺陷管理区的重写次数的重写信息的重写管理区(DMA)。
文档编号G11B20/18GK1469371SQ0314508
公开日2004年1月21日 申请日期2003年7月2日 优先权日2002年7月2日
发明者高桥秀树, 安东秀夫, 夫 申请人:株式会社东芝