专利名称：防止静电损坏的薄膜磁头及其磁性记录再生装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种在芯块(core block)中内藏有磁阻效应元件并在台板上安装芯块的薄膜磁头组合体。
背景技术：
对于VTR(录像机)用和磁带存储设备用的磁头，随着记录密度的提高和信号记录形态的数字化，磁道宽度每年都在变窄。在这种背景下，为了实现窄磁道化的目的，由薄膜线圈或磁阻效应元件组成的薄膜磁头正在应用于VTR用等的螺旋扫描方式的磁头。
图12表示基于这一背景的薄膜磁头的一个例子，图13表示其关键部位截面结构。在这个例子的薄膜磁头A中，芯半体101、102通过芯内藏层103和粘接层104粘接在一起，同时处于芯半体101、102之间的芯内藏层103内安置有写入磁头部(感应磁头)108和读出磁头部109。另外，在本例中同时安置有写入磁头部108和读出磁头部109，也有些正在使用的薄膜磁头只有读出磁头部109。
在本例的薄膜磁头A中，芯半体101、102的最上部形成有相对磁带等磁性记录媒体进行擦动的细长的凸面状的磁性媒体擦动面105。
本例的薄膜磁头A的芯部的内部结构如图13所示，在氧化铝碳化钛制的芯半体102上，叠层形成有绝缘层110、下部密封层111、下部间隙层112、磁阻效应元件113、电极层115、上部间隙层116，从而形成读出磁头部109。在其上部叠层形成有上部密封层120A、绝缘层120B、间隙层121、俯视螺旋型的线圈层122、覆盖此线圈层122的绝缘层123、上部芯层125、绝缘层126，从而形成写入磁头部108。
另外，图13中，上部芯层125的上面形成有贯通绝缘层126并延出到绝缘层126的上面侧的导体部128，在绝缘层126的上面形成有与上述导体部128连接的垫片部129。还有，在电极层115侧，导体部137贯通读出磁头部109、写入磁头部108和绝缘层126的部分并引出到绝缘层126的上面侧，在绝缘层126的上面侧的导体部137的前端部形成有垫片部138。
另外，媒体擦动面105侧的磁阻效应元件113所处位置部分作为读出间隙部，媒体擦动部面105侧的上部密封层120A与上部芯层125之间的间隙层121所处位置作为写入间隙部。
具有以上结构的薄膜磁头A固定在例如图14和图15所示的金属制的台板130的前端部，作为薄膜磁头组合体分别安装在VTR等磁性记录再生装置的旋转圆筒的外周部的规定位置上，能够对于环绕在旋转圆筒上进行相对擦动的磁带进行磁性信息的记录或再生。
当薄膜磁头A安装在如图14所示的台板130上时，因为磁性记录再生装置侧的电路必须与薄膜磁头A接触，一般来说，在台板130的一面侧装上环氧树脂等树脂制的过渡基板131，在过渡基板131上形成所需数量的接点部132，这些接点部132与薄膜磁头A的垫片部129、138之间通过连接导线等的配线135、135连接在一起，这些接点部132通过图中没有显示的配线与磁性记录装置的旋转圆筒侧的电路进行连接。
然而，上述结构的薄膜磁头A上，如图13所示，读出磁头部109和写入磁头部108位于绝缘层110与绝缘层126之间，这些磁头部的内部的下部间隙层112、上部间隙层116和间隙层12均为绝缘材料制成，因为读出磁头部109内采用磁阻效应元件113，磁阻效应元件113所处的部分处在被各种绝缘层夹持的状态，从而产生静电电容，即形成电容器的结构。另外，装在金属制的台板130的一面侧的过渡基板131为树脂制成，而且通过配线135与薄膜磁头A实现电气连接，台板130、过渡基板131与配线部分之间也有可能形成静电电容，虽然这些静电电容很小。
考虑到上述情况，对于安装了薄膜磁头A的台板130、过渡基板131和配线135，在制造过程中，如果由于某种原因产生了静电荷而处于带电状态时，当人体接触台板130，或台板130接触到接地部件时，积累的静电荷就会放电，磁阻效应元件113上流过异常电流而发热，从而导致磁阻效应元件113发生静电损坏，或者即使不发生静电损坏，也可能引起磁性能劣化。
发明内容
本发明的目的在于为了解决上述问题，对于安装了磁阻效应元件的薄膜磁头，提供具有不会发生静电损坏、或不会由于静电荷引起磁阻效应元件的性能劣化的结构的薄膜磁头。
为了解决上述问题，本发明的薄膜磁头组合体在芯块上形成媒体擦动面，在该芯块内部，磁阻效应元件与绝缘层处于邻接状态，上述芯块安装在台板上，同时该台板的至少一面上装有绝缘性的过渡基板，该过渡基板上形成的接点部与上述芯块的磁阻效应元件通过配线连接，包括上述磁阻效应元件的芯块的电容量为CMR，包括上述过渡基板与台板的部分的电容量为CPWB时，满足关系CPWB/CMR＜1.5。
设置在芯块的内部的磁阻效应元件与绝缘层相邻配置，处于被芯块夹持的状态，当芯块整体带电时，磁阻效应元件上就可能流过异常电流。
另外，装有芯块的台板上安装有树脂制的过渡基板，由于过渡基板侧与芯块侧分别具有静电电容，出现带电时，芯块侧的电荷和过渡基板侧的电荷所产生的异常电流有可能流过磁阻效应元件。
但是，如果满足前面所述的关系CPWB/CMR＜1.5，包括过渡基板和台板在内的部分的电容量比芯块的电容量大不了多少，所以能够减小由于静电荷引起而可能流过磁阻效应元件的电流量，从而可以防止由于静电荷引起的磁阻效应元件的静电损坏，同时可以减小磁阻效应元件的静电劣化的发生比例，降低故障产生率。
本发明的薄膜磁头组合体中的上述磁阻效应元件在上述芯块的内部处于被多个绝缘层夹持的状态。
如果磁阻效应元件在芯块的内部处于被多个绝缘层夹持的状态，磁阻效应元件与其周围的绝缘层之间容易形成电容。即使在这种结构下也可以确实防止由于静电荷引起的磁阻效应元件的静电劣化或静电损坏。
本发明的薄膜磁头组合体的特征在于，包括上述磁阻效应元件在内的芯块的电容量CMR与包括上述过渡基板和台板在内的部分的电容量CPWB的合计值在5pF以下。
本发明的薄膜磁头组合体的特征在于，包括上述磁阻效应元件在内的芯块的电容量CMR与包括上述过渡基板和台板在内的部分的电容量CPWB的合计值在1pF以上，5pF以下。
如果包括磁阻效应元件在内的芯块的电容量和过渡基板侧的电容量位于上述范围，磁阻效应元件产生静电损坏的可能性就很小，磁阻效应元件基本上不会由于静电荷产生性能劣化。
本发明的磁性记录再生装置中，上述任一项记载的薄膜磁头组合体安装在旋转圆筒的外周部上形成的凹部。
根据本发明的磁性记录再生装置，能够确实防止由于静电荷引起的磁阻效应元件的静电劣化或静电损坏，提供可靠性高的磁性记录再生装置。
本发明中，上述芯块由一对芯半体结合而成，一对芯半体的结合部上形成有芯内藏层，在该芯内藏层中设有磁阻效应元件和与其连接的电极层、夹持磁阻效应元件和电极层的绝缘层、以及密封层，同时上述电极层与在上述芯内藏层的外部形成的垫片部连接，与上述过渡基板的接点部连接的配线与上述垫片部连接，在上述芯块中，上述磁阻效应元件被上述绝缘层夹持，形成电容。
被芯半体夹持的芯内藏层和处于被绝缘层夹持状态的磁阻效应元件之间确实存在电容。另外，台板、树脂制过渡基板和配线也会确实形成电容。根据以上结构，磁阻效应元件上容易积累电荷，带电时容易产生静电损坏或静电劣化，所以利用本发明的结构能够确实消除静电损坏以及静电劣化的可能性。
图1表示芯块安装在台板时的本发明的薄膜磁头的主视图。
图2表示芯块安装在台板时的本发明的薄膜磁头的后视图。
图3表示芯块安装在台板时的本发明的薄膜磁头安装在旋转圆筒时的主视图。
图4表示芯块安装在台板时的本发明的薄膜磁头的其他例的立体图。
图5表示芯块安装在台板时的本发明的薄膜磁头的其他例的后视图。
图6表示薄膜磁头安装在台板时的实施例得到的输出特性的曲线图。
图7表示薄膜磁头安装在台板时的其他实施例得到的输出特性和信号对称性。
图8表示薄膜磁头安装在台板时的比较例得到的输出特性的曲线图。
图9表示薄膜磁头安装在台板时的其他比较例得到的输出特性和信号对称性的曲线图。
图10表示微观磁道信号分布特性故障率与静电电容比(CPWB/CMR)的关系。
图11表示微观磁道信号分布特性故障率与合计静电电容(CPWB+CMR)的关系。
图12为薄膜磁头的一个结构例的立体图。
图13为图12所表示的薄膜磁头的部分界面放大图。
图14为现有的一般薄膜磁头安装在台板时的主视图。
图15为图14所表示的薄膜磁头的后视图。
具体实施例方式
(第1实施方式)以下参照
本发明的第1实施方式。本发明并不局限以下各实施方式。另外，以下各图中为了显示方便起见，对各结构部件的比例进行了适当变更。
图1、2表示本发明的将薄膜磁头B安装在VTR等磁性记录装置的旋转圆筒的台板130时的薄膜磁头组合体。
本实施方式的薄膜磁头组合体中的薄膜磁头B由块状的芯半体101、102的侧端面通过芯内藏层103连接形成一体化的L型的芯块C组成，芯半体101、102的面积较大的一个侧面与凸型台板130的前端部一面侧碰接，芯块C固定连接在台板130上，并使芯半体101、102的一侧从台板130的端部向外侧突出一些。
这些芯半体101、102由CaTiO3(钛酸钙)、Al2O3+TiC(氧化铝碳化钛)等耐磨性好的陶瓷材料或铁氧体等磁性体组成。
突出在台板130的外侧的薄膜磁头B的一面为加工成细长的凸曲面状的媒体擦动面105。
接着，设在媒体擦动面105的中央部的芯内藏层103中内藏有前面根据图12和图13说明过的写入磁头部(感应磁头)108和读出磁头部109。还有，本发明中，也可只包括读出磁头部109而形成读出专用磁头。还有，在根据图13说明的结构中，上述密封层120A和绝缘层120B分别为不同的层，但也可以使上述密封层120A和绝缘层120B一体化形成1个层。
上述读出磁头部109的磁阻效应元件113为具有由强磁性膜和磁阻效应膜夹持非磁性膜的结构的MR元件或者自旋阀型的巨磁阻效应多层膜元件，从电极层115流过检测电流的状态下，从磁带等磁性记录媒体泄漏的磁场作用在磁阻效应元件113上，产生磁阻变化。
上述写入磁头部108中，记录电流通向俯视螺旋状的线圈层122，从夹持线圈层122的上部间隙层116和上部芯层125的磁极前端部侧产生磁场，从而能够在磁带等磁性记录媒体上记录磁性信号，也可以通过磁阻效应元件113的磁阻变化来读取来自磁性记录媒体的磁性信号。
另外，前面说明的芯半体101只有芯半体102的一半大小，在较大的芯半体102的一端部侧的侧面的芯内藏层5的露出部分上，除了根据图13说明的垫片部129、138外，还形成了所需个数、例如3-4个的其他必要的垫片部。
这些垫片部上与连接导线等的配线135、135的一端侧通过焊锡等连接方法实现电气连接。
另外，上述台板130为黄铜等金属板组成，具有由长方形板状的本体部1A和从该处突出的较小板状的安装部1B组成的凸型，安装部1B的前端侧安装有前面所述的芯块C，本体部1A的一面侧上安装有俯视倒コ字状的由环氧树脂基板等组成的过渡基板(印刷电路板)131，在该过渡基板131上，上述安装部1B侧上形成的连接接点部141、141上通过焊锡等连接方法与前述的配线135、135的另一端侧实现电气连接。还有，过渡基板131的上述本体部1A的表面部上，形成有与前述的连接接点部141连接的用于外部连接的接点垫片145。
接着，图3表示在磁性记录再生装置的旋转圆筒20上安装有组装了具有前述芯块C的薄膜磁头B的台板130的状态。还有，图3中省略了图1和图2中记载的配线135、135。
旋转圆筒20的外周部的必要位置上形成有多个凹部21，这些凹部21内可以收容台板130的前端部和芯块C的前端部，同时台板130安装在旋转圆筒20上，从而使得芯块C的媒体擦动面105与旋转圆筒20的周面配置一致。但是图3省略了这一安装结构、例如、穿过在台板130的中央部形成的透孔130A将安装螺拴拧在旋转圆筒20上设置的螺孔内。
如上所述的薄膜磁头B中，设置在芯块C的内部的磁阻效应元件113具有如图13所示的结构，绝缘层110和绝缘层126之间为读出磁头部109和写入磁头部(感应磁头)108，在这些磁头部的里面，下部间隙层112、上部间隙层116和间隙层12均为绝缘材料组成，读出磁头部109采用磁阻效应元件113，磁阻效应元件113的部分周围处于被各种绝缘层夹持的状态，具有静电电容，即形成电容器结构。
本发明中，包括芯块半体101、102、粘接层104、芯内藏层120和薄膜磁头B在内的部分的电容量C为CMR，台板130和过渡基板131的电容量C为CPWB，最好满足关系CPWB/CMR＜1.5。另外，电容量CMR和电容量CPWB的合计值最好为5pF以下，电容量CMR和电容量CPWB的合计值最好在1pF以上和5pF以下的范围内。
为了实现这种电容，芯半体2、3由氧化铝碳化钛组成，绝缘层110为2μm厚的Al2O3或SiO2等，下部密封层111为2.5μm厚的坡莫合金等的软磁材料，下部间隙层112为0.07μm厚的Al2O3或SiO2等，面积约为300μm2，磁阻效应元件113为CoZrNb、NiFeNb等组成的SAL(Softadjacent layer通电偏压发生用软磁性层)层，磁性分离层由Ta等组成，MR层由NiFe组成，整体面积为0.033μm2，电极层115为2-3μm厚的Cu等的导电材料，总面积为78000μm2，上部间隙层116为0.1μm厚的Al2O3或SiO2等，从而能够形成读出磁头部109。
还有，上部密封层120A为2.5μm厚的坡莫合金等的软磁材料，面积为1400μm2，间隙层121为0.2μm厚的Al2O3或SiO2等，俯视螺旋型线圈层122为(2～)3μm厚的Cu等的导电材料，总面积为85000μm2，绝缘层123为0.5～0.8μm厚的Al2O3或SiO2等，上部芯层125为3～4μm厚的坡莫合金等的软磁材料，绝缘层126为10～15μm厚的Al2O3或SiO2等，从而能够形成写入磁头部108。
另外，导体部128由Cu等的导电材料形成，垫片部129为2～3μm厚的Pt、Au、Cu等的导电材料。还有，导体部137由Cu等的导电材料形成，垫片部138为2～3μm厚的Pt、Au、Cu等的导电材料。两个垫片部的总面积为34000μm2。
通过采用上述结构，可以使含有包括磁阻效应元件113的薄膜磁头B的芯块C的电容量CMR为1.5～3pF左右。
接着，台板130由黄铜形成，过渡基板131为厚度为0.2mm的环氧树脂制成，导体部面积约为4.6mm2，通过将其与台板130粘接，包括过渡基板131和台板130在内的部分的电容量CPWB为1.3～1.7pF左右。
但是，作为过渡基板131，例如可以采用聚酰亚胺制的FPC(可挠性配线基板)与玻璃环氧树脂类的基板。作为FPC，例如可以由0.05mm厚的粘接层、0.15mm厚的玻璃环氧树脂层、0.05mm厚的粘接层、0.013mm厚的聚酰亚胺层、0.05mm厚的粘接层、0.018mm厚的铜箔、保护用的防护层组成。作为玻璃环氧树脂类的基板，可以由0.05mm厚的粘接层、0.2～0.3mm厚的玻璃环氧树脂层、0.05mm厚的粘接层、0.018mm厚的铜箔、保护用的防护层组成。这些基板中，可以在适当范围内调整增强材、粘接层或玻璃环氧树脂层的厚度。
以上说明的各个电容量，如果满足本发明规定的关系CPWB/CMR＜1.5，包括过渡基板131和台板130在内的部分的电容量不到芯块电容量的1.5倍，数值并不太大，从而可以使得因静电荷而可能流过磁阻效应元件113的电流较小，能够确实防止由于静电荷引起的磁阻效应元件113的静电劣化或静电损坏。这里所说的静电劣化是指磁阻效应元件113的输出特性发生后述的凹部状歪曲。
另外，通过使电容量CMR和电容量CPWB的合计值在5pF以下，可以尽量减少带电时的静电荷量的绝对值，减小因静电荷而可能流过磁阻效应元件113的电流。另外，磁阻效应元件B侧和过渡基板131侧的合计电容量越小越好，虽然在结构上不可能使其为0，也很难使这合计电容量在1pF以下，所以磁阻效应元件B侧和过渡基板131侧的合计电容量为1pF以上。
通过上述关系，不仅可以防止磁阻效应元件113因静电荷而发生损坏，也可以确实防止发生静电劣化。
图4和图5表示本发明的薄膜磁头组合体的第2实施方式。该形态的薄膜磁头组合体中，薄膜磁头B安装在长方形状的台板130’上，并设有从该台板130’的一面侧向另一面侧折弯的可挠性配线基板150，该结构的薄膜磁头组合体为适用本发明的一例。
不象前述第1实施方式那样分别设置线状的配线135，如本实施方式所述，在可挠性配线基板150上设置的多个配线151的一端151a与薄膜磁头B的垫片部129、138通过焊锡等连接手段连接，多个配线151沿可挠性配线基板150的一部分向台板130’的另一面侧引回，在另一面侧的可挠性基板150的一部上设有的上述多个配线151用的接点152的结构与前述实施方式完全相同，从而可以达到设定相同电容量的目的。即在本方式中，可以认为可挠性配线基板150与台板130侧的电容量为CPWB，芯块C侧的电容量为CMR。
(实施例)首先，根据图12和图13，采用芯半体2、3(氧化铝碳化钛制)、绝缘层110(Al2O3制)、下部密封层111(坡莫合金制)、下部间隙层112(Al2O3制)、磁阻效应元件113(SAL层+磁性分离层+MR层)、电极层115(Cu层)、上部间隙层116(Al2O3制)、上部密封层120A(坡莫合金制)、间隙层121(Al2O3制)、线圈层122(Cu制)、绝缘层123(Al2O3制)、上部芯层125(坡莫合金制)、绝缘层126(Al2O3制)、导体部128(Cu制)、垫片部129(Cu制)、导体部137(Cu制)、垫片部138(Au制)、制造薄膜磁头，然后利用环氧树脂系粘接剂将图1所示形状的黄铜制台板130、环氧树脂制的过渡基板131粘接在一起，制造成多个薄膜磁头组合体试样。
分别测定这些多个薄膜磁头组合体试样的薄膜磁头部分的电容量与台板和过渡基板部分的电容量。另外，测定各薄膜磁头试样的输出。
图6与图7表示利用所得的薄膜磁头试样在磁性记录媒体写入信号时的微观磁道信号分布的输出特性和再生输出信号的信号对称性的测定结果。另外，图8和图9表示对发生了静电劣化的薄膜磁头进行同样测定时所得的信号波形。
图8和图9所示结果中，薄膜磁头虽然没有发生静电损坏，输出波形的峰值附近存在大的缺损部分(峰值输出处产生凹部的区域)。这是在上述薄膜磁头的制造过程中，由于带电而使薄膜磁头受到静电荷作用，异常电流流过磁阻效应元件的结果。
如图6或图7所示，微观磁道信号分布测定值为正常波形，判断薄膜磁头为优质品。如图8或图9所示，微观磁道信号分布测定值为异常波形，信号对称性不好，判断薄膜磁头为劣质品。图10表示微观磁道信号分布特性故障率与各薄膜磁头的电容量CPWB和电容量CMR的比值、即CPWB/CMR的关系。还有，微观磁道信号分布指的是沿着磁性记录媒体的规定宽度的磁道写入磁性信息后，沿横切磁道宽度方向移动其他的读出磁头，测定每个磁道宽度方向位置的输出信号的强度并进行分析的一种众所周知的方法。
图10中，符号◆为薄膜磁头侧的静电电容为3pF的试样的测定结果，符号■为薄膜磁头侧的静电电容为2pF的试样的测定结果。
从图10所示结果，如果CPWB/CMR的值低于1.5，可以确实保证故障率在0.5％以下。因此最好满足关系CPWB/CMR＜1.5。
图11表示先前的薄膜磁头试样的电容量CMR和电容量CPWB的合计值与微观磁道信号分布特性劣质品率的关系。图11中，符号◆为薄膜磁头侧的静电电容为3pF的试样的测定结果，符号■为薄膜磁头侧的静电电容为2pF的试样的测定结果。
从图11所示结果，如果电容量CMR和电容量CPWB的合计值在5pF以下，可以确实保证微观磁道信号分布特性故障率低于0.5％。另外，这些薄膜磁头试样中电容量CMR和电容量CPWB的合计值最低为3pF。
所以，电容量CMR和电容量CPWB的合计值为5pF以下，越低越好。
在以上说明的实施例中，为了改变元件侧的静电电容，采用的方法有将MR元件侧的引线的图形面积从通常的面积减少为1/2，以及在基板侧利用了不同配线面积的可挠性配线基板。
另外，由于过渡基板的面积基本上取决于底座外形和基面尺寸，也可以通过减少面积、增加玻璃环氧树脂层的基板部本身的厚度、在MR元件侧可以增加决定从氧化铝碳化钛制的磁芯半体到下部密封的尺寸的氧化铝制的绝缘层的厚度、减少密封层面积和引线面积、另外增大离开氧化铝碳化钛制的磁芯半体的距离(例如设置隔板)等来调整电容量，通过这些方法调整电容量，实现了前面所述的低的电容量。
根据上述说明，本发明中，薄膜磁头带电时，磁阻效应元件上可能流过异常电流，因为装有芯块的台板上安装有树脂制的过渡基板，过渡基板侧与芯块侧的双方会具有电容，所以带电时异常电流有可能流过磁阻效应元件。
因此，如果满足本发明提出的关系CPWB/CMR＜1.5，包括过渡基板和台板在内的部分的电容量不比芯块侧的电容量大多少，所以可以尽量减小由于静电荷引起的可能流过磁阻效应元件的电流量，防止由于静电荷造成磁阻效应元件的静电劣化或静电损坏。
根据本发明，如果芯块的电容量CMR和包括过渡基板和台板在内的部分的电容量CPWB的合计值为5pF以下，磁阻效应元件由于静电损坏的可能性就很小，基本上不会发生由于静电荷引起的磁阻效应元件的特性劣化，能够确实降低故障率。
另外，本发明的磁性记录再生装置中，如果芯块的电容量CMR和包括过渡基板和台板在内的部分的电容量CPWB的合计值为5pF以下，磁阻效应元件由于静电损坏的可能性就很小，基本上不会发生由于静电荷引起的磁阻效应元件的特性劣化，能够确实降低故障率，提供性能稳定的磁性记录再生装置。
权利要求
1.一种薄膜磁头组合体，其特征在于在芯块上形成媒体擦动面，在该芯块内部，磁阻效应元件与绝缘层处于邻接状态，所述芯块安装在台板上，同时该台板的至少一面上装有绝缘性的过渡基板，该过渡基板上形成的接点部与所述芯块的磁阻效应元件通过配线连接，包括所述磁阻效应元件的芯块的电容量为CMR，包括所述过渡基板与台板的部分的电容量为CPWB时，满足关系CPWB/CMR＜1.5。
2.根据权利要求1所述的薄膜磁头组合体，其特征在于所述磁阻效应元件在所述芯块的内部处于被多个绝缘层夹持的状态。
3.根据权利要求1所述的薄膜磁头组合体，其特征在于包括所述磁阻效应元件在内的芯块的电容量CMR与包括所述过渡基板和台板在内的部分的电容量CPWB的合计值为5pF以下。
4.根据权利要求1所述的薄膜磁头组合体，其特征在于包括所述磁阻效应元件在内的芯块的电容量CMR与包括所述过渡基板和台板在内的部分的电容量CPWB的合计值为1pF以上，5pF以下。
5.一种磁性记录再生装置，其特征在于根据权利要求1所述的薄膜磁头组合体安装在旋转圆筒的外周部上形成的凹部。
6.根据权利要求1所述的磁性记录再生装置，其特征在于所述芯块由一对芯半体结合而成，一对芯半体的结合部上形成有芯内藏层，在该芯内藏层中设有磁阻效应元件和与其连接的电极层，夹持磁阻效应元件和电极层的绝缘层，或密封层，同时所述电极层与在所述芯内藏层的外部形成的垫片部连接，与所述过渡基板的接点部连接的配线与所述垫片部连接，在所述芯块中，所述磁阻效应元件被所述绝缘层或密封层夹持，形成电容。
全文摘要
本发明提供一种防止静电损坏的薄膜磁头及其磁性记录再生装置。通过使磁阻效应元件在芯块(C)内部与绝缘层处于邻接状态，芯块安装在台板上，台板的至少一面上装有绝缘性的过渡基板，过渡基板上形成的接点部与芯块的磁阻效应元件通过配线连接，包括磁阻效应元件的芯块的电容量为C
文档编号G11B5/39GK1482598SQ03143809
公开日2004年3月17日 申请日期2003年7月25日 优先权日2002年7月25日
发明者菊入胜也 申请人:阿尔卑斯电气株式会社