专利名称：对存储单元编程的方法
技术领域：
本发明涉及一种对半导体存储单元编程的方法，且特别涉及一种控制一个或多个双端半导体存储单元之存储器临界电压分布的编程方法。
背景技术：
一个半导体存储单元，或是一个存储单元(例如氮只读存储单元，NROM)，通常通过提供一个编程脉冲来编程，从而导致电荷陷入此存储单元的存储层内，而在此存储单元之存储层内的陷入电荷会感应增加此存储单元的临界电压。
为了验证是否此编程存储单元增加的临界电压达到其目标编程电压，将提供一个跟随在编程脉冲后的验证脉冲给此编程存储单元，假如此验证脉冲显示此编程存储单元未达到此目标编程电压，则将提供一个额外的编程脉冲，并伴随着一个随后的验证脉冲。通常，在编程过程中，此编程脉冲会以电压电平来增加，并由一个相对低电压电平开始，而结束在一个高电压电平，此编程及验证过程将会持续至达到目标编程电压为止。
对于一个多电平双端的存储单元而言，存储单元的每一端可能存在不同的目标编程电压，而一个双端存储单元的编程方法通常包含编程及验证存储器的一端直至其临界电压达到此端的目标编程电压为止，然后再编程及验证此存储单元的另一端直至其临界电压达到此端的目标编程电压为止。
图1为一个多电平双端存储单元之传统编程方法的流程图100，此编程操作开始于选择一个编程的正确端(步骤110)，步骤120中，提供一个编程脉冲给此选择端，而接着在步骤130中，提供一个验证脉冲给此选择端，在步骤140中，需要此验证结果来判断是否此选择端的临界电压到达其目标编程电压，假如此选择端未达到其目标编程电压，则此选择端不能通过验证，而通常此编程脉冲会调整至一个较高的电压电平(步骤170)，且编程(步骤120)及验证(步骤130)步骤将在此选择端中再次被执行；假如此选择端通过了验证过程(如其临界电压达到其目标编程电压)，则此存储单元的两端将被检验是否皆达到其在步骤150中的目标编程电压。假如另一端需要被编程，则选择左边重置步骤160中的编程状态，而开始新选择端的编程及验证过程(左边)。
此多电平双端存储单元的传统编程方法具有以下的缺点，首先，由于第二位的影响，此存储单元一端之临界电压将会被储存在存储单元另一端的电荷所影响，其次，在存储器阵列中，阵列效应将会影响存储单元的临界电压分布(即一个选择存储单元的临界电压将会被周围存储单元的泄漏电流所影响，其中的周围存储单元是与此选择存储单元分享同一位线)，因此造成缩减临界电压分布的困难。一个具有宽临界电压分布的存储器阵列将减少介于编程状态及消除状态之间的存储器阵列的读取限度窗口。
图2为由传统编程方法所编程的9单元体NROM阵列的临界电压Vt分布图，其中此NROM阵列的每个NROM单元体皆能够双端操作。在此NROM阵列之NROM单元体两端的目标编程电压PV为4V，而此NROM阵列的编程包含三个步骤201、202，以及203。
在步骤201中，没有电荷储存在此NROM阵列之NORM单元体的左端及右端，而临界电压分布210及220为当没有电荷储存在两端时，NROM阵列之NROM单元体的左端及右端之临界电压分布。
在步骤202中，NROM阵列之NROM单元体的右端将被编程以达到目标编程电压4V，而临界电压分布240为在NROM阵列的右端被编程后，NROM阵列右端的临界电压分布。如图所示，虽然NROM阵列的左端在步骤202中未被编程，第二位效应将会导致NROM阵列左端的临界电压分布210改变至一个较高临界电压区域，用以产生临界电压分布210’，其中在临界电压分布210及210’间变化的低联结的临界电压为231mV；而在临界电压分布210及210’间变化的高联结的临界电压为152mV。
在步骤203中，NROM阵列之NROM单元体的左端将被编程以达到目标编程电压4V，而临界电压分布230为在NROM阵列的左端被编程后，NROM阵列左端的临界电压分布。如图所示，由于第二位效应，NROM阵列右端的临界电压分布240将改变至一个较高临界电压区域，用以产生临界电压分布240’，其中在临界电压分布240及240’间变化之低联结的临界电压为168mV；而在临界电压分布240及240’间变化之高联结的临界电压为207mV。此外，在临界电压分布240’中，临界电压分布240的宽度将从86mV增加至125mV。此临界电压分布的误差及增加宽度将使得此NROM单元体的临界电压分布难以控制。
综上所述，有需要针对一个或多个双端存储单元提供一个编程方法，以减少第二位效应的冲击及此存储单元临界电压分布的阵列效应。
发明内容
整体来说，本发明通过提供一个编程方法给一个或多个可双端操作的存储单元，来满足上述需要，其中的一个或多个存储单元可为单一电平或多电平存储单元，且此一个或多个存储单元可为非易失性存储单元或易失性存储单元。
本发明的目的是要提供一种对存储单元编程的方法，通过验证每一个存储单元的两端，来确认编程的存储单元端点，而针对此端点执行编程的动作，并重复此验证及编程步骤直到每一个存储单元的所有端点皆被编程为止，而得以控制存储单元的临界电压分布。
本发明的另一目的是提供一种对存储单元编程的方法，由存储单元的一端读取一个电压，并验证是否达到目标编程电压，而针对此端点执行编程的动作，并重复此读取、验证，以及编程过程，直到每个存储单元之所有端点皆被编程为止，而得以控制存储单元的临界电压分布。
依照本发明的一方面，提供了一种对存储单元编程的方法，此方法包括验证每一个存储单元的两端，以确认编程的存储单元端点，并且编程此确认编程的存储单元的第一端。在对此存储单元之第一端编程后，将在每一个存储单元的两端执行另一个验证过程，以确认编程的存储单元端点，然后，执行一个编程过程以确认此编程的存储单元的第二端。这些验证两端、对第一端编程、再验证两端，以及对第二端编程的步骤将持续直至每一个存储单元的两端皆被编程至目标编程电压为止。
依照本发明的较佳实施例所述对存储单元编程的方法，其中的验证步骤包括由每一个存储单元之每一个第一端及第二端读取一个读取电压，以及验证每一个编程的存储单元之每一个第一端及第二端，判断所读取电压是否未达到目标编程电压。
依照本发明的较佳实施例所述对存储单元编程的方法，其中的编程步骤是通过提供编程电压脉冲给确认编程的存储单元来执行。
依照本发明的较佳实施例所述对存储单元编程的方法，其中存储单元为单一电平/多个电平的存储单元。
依照本发明的较佳实施例所述对存储单元编程的方法，其中存储单元为非易失性存储单元。
依照本发明的较佳实施例所述对存储单元编程的方法，其中存储单元是通过热洞注射氮电子储存(Hot-Hole Injection Nitride ElectronStorage，PHINES)单元来编程。
依照本发明的较佳实施例所述对存储单元编程的方法，其中存储单元局部为纳米晶硅单元。
依照本发明的较佳实施例所述对存储单元编程的方法，其中存储单元为氮只读存储(Nitride Read Only Memory，NROM)单元。
依照本发明的较佳实施例所述对存储单元编程的方法，其中存储单元为易失性存储单元。
依照本发明的较佳实施例所述对存储单元编程的方法，其中的临界电压为当每一个存储单元之第一端及第二端中没有一个被编程时的电压。
依照本发明的较佳实施例所述对存储单元编程的方法，其中临界电压为当每一个存储单元之第一端及第二端皆被编程时的电压。
依照本发明的较佳实施例所述对存储单元编程的方法，其中临界电压具有多个电平。
依照本发明的另一方面，描述了一种对存储单元编程的方法，此编程方法开始于由一个存储单元的一端读取一个电压，并验证此编程端，判断是否由此端读取的电压未达到目标编程电压，此读取及验证过程将持续直到每一个存储单元的两端皆被读取及验证为止。一个编程脉冲将被给至此确认存储单元的第一端，在对此存储单元的第一端编程后，此读取及验证过程将被重复进行直到每一个存储单元的两端皆被读取及验证为止。接着，一个编程脉冲将被给至此确认存储单元的第二端，这些读取及验证两端、对第一端编程、再读取及验证两端，以及对第二端编程的步骤将持续直到每个存储单元的两端皆被编程至目标编程电压为止。
依照本发明的较佳实施例所述对存储单元编程的方法，其中的验证步骤是通过设置一个缓存器给第一端及第二端其中之一端，其中此端之临界电压未达到目标编程电压，而使得每一个存储单元之每一个第一端及第二端都具有一个对应缓存器。
必须了解的是，之前的概括描述及接着的详细描述仅为示范性或解释性的，并不限制权利要求中所述之本发明。
本发明因采用并重复验证及编程的结构，因此可以将存储单元的两端编程至目标编程电压，而达到控制临界电压分布的目的。
为让本发明之上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。
图1为一个多电平双端存储单元之传统编程方法的流程图100。
图2为由传统编程方法所编程之9单元体NROM阵列的临界电压Vt分布图。
图3为本发明较佳实施例之一个存储器群组的示范编程方法流程图300。
图4为本发明较佳实施例之一个NROM群组的示范群组编程方法流程图400。
图5为本发明较佳实施例之一个9单元体NROM阵列的临界电压Vt分布图。
图6为本发明较佳实施例之一个9单元体NROM阵列使用传统编程方法与使用本发明编程方法所得之临界电压分布的比较图。
主要元件标记说明110选择端＝右端120提供编程脉冲给选择端130提供验证脉冲给选择端140判断是否选择端通过验证150判断是否所有端点通过验证160重置编程状态，转换至下一端，选择端＝左端170下一个编程偏压状态210、220、210’、230、240、240’、510、510’、520、530、540、540’、550、560、610、620、620’、临界电压分布310决定存储器群组大小320输入群组数据至缓冲器330决定每个编程状态的Pre-PV及PV电平
340(阶段1编程)对所有端点编程Pre-PV电平350(阶段2编程)对所有端点编程至PV电平405重置状态缓存器及输入群组数据至缓冲器410决定每个编程状态的PV电平415验证所有左端(向前读取)420转换源极和汲极425验证所有右端(反向读取)430编程偏压状态435对NROM群组中所有确认的左端编程440验证所有端点(反向读取)445转换源极和漏极450验证所有左端(向前读取)455判断是否所有端点皆通过验证460编程偏压状态465对NROM群组中所有确认的右端编程具体实施方式
本发明的实施例作为详细的参考之用，当本发明通过相关实施例来描述时，并非限制本发明为这些实施例，相反地，如权利要求中所述，在本发明的精神和范围内，本发明涵括所有的替代物、变型物，以及相等物。此外，在以下本发明的详细描述中，提出许多特定细节用以提供本发明一个完整的认识，然而，明显对于所属技术领域的技术人员来说，本发明可不通过这些特定细节来实行。在其他例子中，并没有被详细说明熟知的方法、过程、元件，以及电路等，这样本发明的方向才不致于模糊不清。
图3为本发明较佳实施例之一个存储器群组的示范编程方法流程图300，在此存储器群组内的存储单元能够在两端储存电荷，而这些存储单元可为非易失性存储单元或易失性存储单元，且这些存储单元可为单一电平或多电平存储单元，另外，这些存储单元可为氮只读存储器(NROM)单元，并通过热洞注射氮电子储存(PHINES)单元，或者是局部纳米晶硅单元来编程。
在步骤310中，决定了编程的存储器群组大小，而此存储器群组的大小可为单一存储单元，或是分享同一位线的部分或者是全部的存储单元，又或是单一存储单元页。
在步骤320中，预先决定的群组数据被下载至一缓冲区，其中的群组数据是用来指出在存储器群组中之存储单元的编程状态。
在步骤330中，根据在缓冲区内的群组数据，来决定被编程存储单元之每一端的一个预先编程电压Pre-PV及一个目标编程电压PV，而依赖编程存储器的类型，此预先编程电压Pre-PV比目标编程电压稍小或是稍大，且此预先编程电压Pre-PV及目标编程电压可具有多个电平。
在步骤340中，在存储器群组中之每个存储单元的两端皆在预先编程(阶段1编程)过程中，被编程至预先编程电压Pre-PV。此预先编程过程的编程方法可为示范于图1流程图中的传统编程方法、一个群组编程方法、或是任何其他的编程方法。在此步骤中，此阶段1编程的目的为快速编程此存储器群组中之存储单元至一个接近目标编程电压PV的编程电压。
在步骤350中，此存储器群组中之每个存储单元的两端皆在一个群组编程(阶段2编程)过程中，被编程至目标编程电压PV，在此群组编程过程中，一种之后会详细描述的群组编程方法将被采用，在此步骤中，群组编程是为了完美调和出给此存储器群组的临界电压分布。
图4为本发明较佳实施例之一个NROM群组的示范群组编程方法流程图400，在此实施例中，仅使用群组编程方法，而NROM群组的大小可为单一NROM单元、分享同一位线的部分或全部NROM单元、或者是单一NROM单元页，且此目标编程电压为PV。
在步骤405中，状态缓存器被重置，以及预先决定群组数据被输入至缓冲器，一个NROM单元的每一端皆需要一个状态缓存器。假如在一个编程操作后，一个NROM单元的一端不能达到其目标编程电压时，其对应的状态缓存器将会被设置，其中群组数据是通过逻辑状态的方式来指出此NROM群组之NROM单元的编程状态。
在步骤410中，根据在缓冲区内的群组数据，来决定每个存储单元之每一端的一个目标编程电压PV，此目标编程电压PV可为多电平。
从步骤415至步骤425，NROM群组的所有端皆被验证以判断是否其临界电压达到目标编程电压PV，在步骤415中，所有NROM群组的左端皆被读取以验证左端的临界电压，对于那些临界电压未达到目标编程电压的左端来说，其对应的状态缓存器将被设置，以确认这些左端将被编程。在此NROM群组的所有左端被读取及验证后，此NROM群组之NROM单元的源极和漏极将在步骤420中被转换，以节省用来读取此NROM群组之右端的时间。在步骤425中，此NROM群组的所有右端皆被读取，对于那些临界电压未达到目标编程电压PV的右端来说，其对应状态缓存器将会被设置，且这些右端将被验证。
在步骤430中，编程偏压的状态是由编程NROM群组的左端来决定，编程偏压状态是基于存储器类型及存储器群组大小来改变。在一个实施例中，栅极的编程电压Vg约为9V，而漏极的编程电压则使用0.1V的步进电压而介于6V与8.5V之间的范围，另外源极则接地。每个栅极编程电压脉冲与漏极编程电压脉冲的宽度皆约0.5μs。
在步骤435中，所有NROM群组的确认左端皆在步骤430的编程偏压状态下被编程。
从步骤440到步骤450，所有NROM群组的端点皆被验证以判断其临界电压是否达到目标编程电压PV，在步骤440中，所有NROM群组的右端皆被读取以验证右端的临界电压。对于那些临界电压未达到目标编程电压PV的右端来说，其对应状态缓存器将会被设置，而那些右端将被验证。在所有NROM的右端皆被读取及验证后，NROM群组中之NROM单元的源极及漏极端将会在步骤405中被转换，以节省用来读取此NROM群组之左端的时间。在步骤450中，此NROM群组的所有左端皆被读取，以验证左端的临界电压，对于那些临界电压未达到目标编程电压PV的左端来说，其对应状态缓存器将会被设置，且这些左端将被验证。
在步骤455中，NROM群组的状态缓存器皆被检验，以判断是否所有NROM群组的端点皆通过了验证，假如一个或多个端点保持未被编程(即这些端点的临界电压未达到目标编程电压)，则编程过程将会继续进行步骤460。
在步骤460中，编程偏压的状态是由编程NROM群组的右端来决定，编程偏压状态是基于存储器类型及存储器群组大小来改变。在一个实施例中，栅极的编程电压Vg约为9V，而漏极的编程电压则以0.1V的步进电压介于6V与8.5V之间的范围，另外源极则接地。每个栅极编程电压脉冲与漏极编程电压脉冲的宽度皆约0.5μs。
在步骤465中，NROM群组所有被验证的右端皆在步骤460中所决定的编程偏压状态下被编程，此群组编程过程将会持续直到此NROM群组的所有端点皆被编程(即直到NROM中所有端点的临界电压皆达到目标编程电压PV)。
图5为本发明较佳实施例之一个9单元体NROM阵列的临界电压Vt分布图，在此实施例中，NROM阵列是通过在图3流程图300中说明的编程方法来编程。
此编程过程可分为两个部份，阶段1编程是用以快速提升NROM阵列的临界电压至预先编程电压Pre-PV，其中此预先编程电压接近最终目标编程电压PV。阶段2编程是用以完美调和出此存储器群组的临界电压分布，以致于NROM阵列的临界电压分布可被控制(即此NROM阵列之临界电压分布的误差及宽度被缩减)。
对于此实施例来说，在阶段1编程中的预先编程电压Pre-PV为4V，而在阶段2编程中的目标编程电压为4.5V，阶段1编程将被如图1流程图100所示之传统编程方法所采用，而阶段2编程将被如图4流程图400所说明之群组编程方法所采用。
在步骤501中，没有一个NROM阵列之NRMO单元被编程，结果是NROM阵列之左端及右端的临界电压变低，临界电压分布510是当NROM阵列没有任何一个左端被编程时，NROM阵列之左端的临界电压分布，而临界电压分布520是当NROM阵列没有任何一个右端被编程时，NROM阵列之右端的临界电压分布。
阶段1编程包含两个步骤步骤502及步骤503，在步骤502中，NROM阵列的右端将被编程至Pre-PV(4V)，而结果得到临界电压分布540，NROM阵列左端的临界电压分布510会被第二位效应所影响，然而，NROM阵列左端的临界电压会增加，而产生一个新的临界电压分布510’，在临界电压分布510及510’间变化之高联结的临界电压为153mV；而在临界电压分布510及510’间变化之低联结的临界电压为174mV。
在步骤503中，NROM阵列的左端会被编程至Pre-PV(4V)，以形成临界电压分布530，由于第二位效应，此NROM阵列右端的临界电压会被影响，产生临界电压分布540’，在临界电压分布540及540’间变化之高联结的临界电压为252mV；而在临界电压分布540及540’间变化之低联结的临界电压为173mV。
在步骤504中，阶段2编程会由图4流程图400所说明之群组编程方法所采用，如图所示，NROM阵列的最终临界电压分布非常接近目标编程电压PV(4.5)，再者，临界电压分布550及560的宽度远小于临界电压分布530及540的宽度，其中临界电压分布550是NROM阵列左端之临界电压分布，而临界电压分布560是NROM阵列右端之临界电压分布。
图6为本发明较佳实施例之一个9单元体NROM阵列使用传统编程方法与使用本发明编程方法所得之临界电压分布的比较图，其中左图显示9单元体NROM阵列使用传统编程方法所得之临界电压分布，而右图则为图5之步骤504所示之最终临界电压分布，传统编程方法仅具有一个编程状态。由传统编程方法与本发明编程方法所得之编程状态则于图6中示出，其中目标编程电压PV为4.5V。
临界电压分布610为NROM阵列之左端的临界电压分布，而临界电压分布620’为NROM阵列之右端的临界电压分布，另外，临界电压分布620为当NROM阵列之左端未被编程时，原本NROM阵列之右端的临界电压分布。使用传统编程方法所得之9单元体NROM阵列的总分布宽度为353mV，而此总分布宽度是介于临界电压分布620’的高联结与临界电压分布610的低联结间之差值。
临界电压分布550与临界电压分布560分别为NROM阵列之左端及右端的临界电压分布。使用本发明编程方法所得之9单元体NROM阵列的总分布宽度为55Mv，而此总分布宽度是介于临界电压分布560的高联结与临界电压分布550的低联结间之差值。
如图所示，通过本发明编程方法所得之NROM阵列的临界电压分布具有较少的误差，而与通过传统编程方法所得之NROM阵列的临界电压分布的总分布宽度比较时，NROM阵列之临界电压分布的总分布宽度显得非常小，因为本发明的编程方法将双端验证过程期间的第二位效应及阵列效应考虑进去，而使得此双端存储单元达到更正确及更窄的临界电压分布，一般来说，通过本发明编程方法，一个存储器群组的总分布宽度可控制在小于200mV。
上述本发明的特定实施例仅以说明及描述的目的来呈现，并不彻底限制本发明为所揭露的精确类型。很明显地，按照上述讲授，可能存在许多的更改及变化，在此选用及描述的实施例是用来解释本发明的原理及应用，从而使得其他所属技术领域的技术人员得以根据其所考虑的特定目的，在本发明不同的实施例或变型中使用本发明，而本发明的范围是由权利要求及其相等物所定义。
综上所述，在本发明之对存储单元编程的方法，因采用读取及验证两端、对第一端编程、再读取及验证两端，以及对第二端编程的步骤，并重复上述步骤直到每个存储单元的两端皆被编程至目标编程电压为止，因此可以改进公知技术中，因为第二位效应的冲击及此存储单元临界电压分布的阵列效应，而造成临界电压分布改变的缺点。
虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明之精神和范围一位线内，当可作些许之更动与改进，因此本发明之保护范围当视权利要求所界定者为准。
权利要求
1.一种编程存储单元的方法，其特征是包括(a)提供至少一个存储单元，其中每一个上述这些存储单元具有第一端及第二端，而每一个上述这些存储单元之每一个上述这些第一端及第二端具有临界电压；(b)验证上述这些存储单元之上述这些第一端及第二端两者，用以确认编程的存储单元端；以及(c)仅对每一个被确认编程的上述这些存储单元的上述这些第一端编程。
2.根据权利要求1所述之对存储单元编程的方法，其特征是还包括(d)重复步骤(b)之验证；以及(e)重复步骤(c)的仅对每一个被确认编程的上述这些存储单元的上述这些第二端编程。
3.根据权利要求2所述之对存储单元编程的方法，其特征是还包括重复步骤(b)、(c)、(d)，以及(e)，直到每一上述这些存储单元之每一个上述这些第一端及第二端皆被编程至目标编程电压。
4.根据权利要求3所述之对存储单元编程的方法，其特征是该目标编程电压具有多个电平。
5.根据权利要求3所述之对存储单元编程的方法，其特征是该临界电压在该目标编程电压之下/上。
6.根据权利要求1所述之对存储单元编程的方法，其特征是验证步骤包括由每一个上述这些存储单元之每一个上述这些第一端及第二端读取一个读取电压；以及验证每一个编程的上述这些存储单元之每一个上述这些第一端及第二端，判断该读取电压是否未达到该目标编程电压。
7.根据权利要求1所述之对存储单元编程的方法，其特征是步骤(c)的编程是通过提供编程电压脉冲给确认编程的上述这些存储单元来执行。
8.根据权利要求1所述之对存储单元编程的方法，其特征是上述这些存储单元为单一电平/多个电平的存储单元。
9.根据权利要求1所述之对存储单元编程的方法，其特征是上述这些存储单元为非易失性存储单元。
10.根据权利要求9所述之对存储单元编程的方法，其特征是上述这些存储单元是通过热洞注射氮电子储存单元来编程。
11.根据权利要求9所述之对存储单元编程的方法，其特征是上述这些存储单元局部为纳米晶硅单元。
12.根据权利要求9所述之对存储单元编程的方法，其特征是上述这些存储单元为氮只读存储单元。
13.根据权利要求1所述之对存储单元编程的方法，其特征是上述这些存储单元为易失性存储单元。
14.根据权利要求1所述之对存储单元编程的方法，其特征是该临界电压为当每一个上述这些存储单元之上述这些第一端及第二端中没有一个被编程时的电压。
15.根据权利要求1所述之对存储单元编程的方法，其特征是该临界电压为当每一个上述这些存储单元之上述这些第一端及第二端皆被编程的电压。
16.根据权利要求1所述之对存储单元编程的方法，其特征是该临界电压具有多个电平。
17.一种对存储单元编程的方法，其特征是包括(a)提供至少一个存储单元，其中每一个上述这些存储单元具有第一端及第二端，而每一个上述这些存储单元之每一个上述这些第一端及第二端具有临界电压；(b)由存储单元之该第一端及该第二端其中的一个存储单元端读取一个读取电压；(c)验证被编程的该存储单元端，判断由该存储单元端读取的该读取电压是否未达到目标编程电压；(d)重复步骤(b)及(c)，直到每一个上述这些存储单元之每一个上述这些第一端及第二端皆被读取及验证；(e)仅对每一个确认编程的上述这些存储单元之上述这些第一端编程；(f)重复步骤(b)的读取及步骤(c)的验证，直到每一个上述这些存储单元之每一个上述这些第一端及第二端皆被读取及验证；(g)仅对每一个确认编程的上述这些存储单元之上述这些第二端编程；(h)重复步骤(b)、(c)、(d)、(e)、(f)，以及(g)，直到每一个上述这些存储单元之每一个上述这些第一端及第二端皆被编程至该目标编程电压。
18.根据权利要求17所述之对存储单元编程的方法，其特征是步骤(e)及(g)的编程是通过提供编程电压脉冲给确认编程的上述这些存储单元来执行。
19.根据权利要求17所述之对存储单元编程的方法，其特征是步骤(c)的验证是通过设置一个缓存器给上述这些第一端及上述这些第二端其中之一端，其中该端之临界电压未达到该目标编程电压，而使得每一个上述这些存储单元之每一个上述这些第一端及第二端具有对应缓存器。
20.根据权利要求17所述之对存储单元编程的方法，其特征是上述这些存储单元为非易失性存储单元。
21.根据权利要求20所述之对存储单元编程的方法，其特征是上述这些存储单元是通过热洞注射氮电子储存单元来编程。
22.根据权利要求20所述之对存储单元编程的方法，其特征是上述这些存储单元局部为纳米晶硅单元。
23.根据权利要求20所述之对存储单元编程的方法，其特征是上述这些存储单元为氮只读存储单元。
24.根据权利要求17所述之对存储单元编程的方法，其特征是上述这些存储单元为易失性存储单元。
25.根据权利要求17所述之对存储单元编程的方法，其特征是该目标编程电压具有多个电平。
26.根据权利要求17所述之对存储单元编程的方法，其特征是该临界电压在该目标编程电压之下/上。
27.根据权利要求17所述之对存储单元编程的方法，其特征是该临界电压为当每一个上述这些存储单元之上述这些第一端及第二端中没有一个被编程时的电压。
28.根据权利要求17所述之对存储单元编程的方法，其特征是该临界电压为当每一个上述这些存储单元之上述这些第一端及第二端皆被编程时的电压。
29.根据权利要求17所述之对存储单元编程的方法，其特征是该临界电压具有多个电平。
30.根据权利要求17所述之对存储单元编程的方法，其特征是上述这些存储单元分享同一位线。
31.根据权利要求17所述之对存储单元编程的方法，其特征是上述这些存储单元为单一电平/多个电平的存储单元。
全文摘要
一种对一个或多个存储单元编程的方法，这些存储单元需要由两端来操作，在验证每个存储单元的两端，以确认编程的存储单元端后，将一个编程电压提供给这些确认编程的存储单元的第一端；另一个验证过程则是通过每个存储单元的两端确认编程的存储单元端来执行，接着，将一个编程电压提供给这些确认编程的存储单元的第二端。这些验证两端、对第一端编程、再验证两端，以及对第二端编程的步骤将持续直到每个存储单元的两端皆被编程至目标编程电压为止，其中此目标编程电压具有多个电压电平。
文档编号G11C16/06GK1797607SQ20051011556
公开日2006年7月5日 申请日期2005年11月4日 优先权日2004年12月30日
发明者李明修, 吴昭谊, 徐子轩 申请人:旺宏电子股份有限公司