专利名称：：检测非易失性存储单元的阈值电压位移的方法
技术领域：
：本发明一般涉及数据处理系统，并且尤其涉及存储装置的使用，如数据处理系统中的非易失性存储系统。
背景技术：
：最近，使用非易失性存储器的装置数量增加。例如，MP3播放器，数码相机，移动电话，可携式摄像放像机，闪存卡，和固态盘(SSD)都是使用非易失性存储器作为存储装置的装置的例子。随着更多的装置使用非易失性存储器作为存储装置，非易失性存储器的容量普遍增加。一种用于增加存储器容量的方法是使用所谓的多层单元(multilevelcell，MLC)方法，其中多个位^皮存储在一个存储单元中。根据阈值电压的分布，两位(two-bit)MLC可编程为具有四个状态11、01、10和00中的任何一个。例如，如图l所示，两位MLC净皮编程为具有四个状态11(E1)、Ol(Pl)、10(P2)和00(P3)中的一个。非易失性存储器，例如闪存，可以以页为单位进行编程。存储控制器可以以页单位通过緩冲存储器传送数据到闪存。闪存中的页緩沖器临时存储从緩冲存储器载入的数据，并且将载入的数据编程到所选择的页中。在完成编程操作后，执行程序校验(program-verifying)操作以确定数据是否已被正确地编程。然而，如图2所示，由于诸如电荷损失、温度、程序干扰等因素导致的用于编程数据的阈值电压Vth中的位移，在读取操作期间可能产生比特误差。图3示出了特别编程状态中温度对单元分布的影响。典型地，温度上每改变20°C，阈值电压Vth可位移大约50mV。
发明内容根据本发明的一些实施例，通过以下步骤来操作非易失性存储装置使用从与特定温度范围有关的理想校验电压Vv得出的校验电压电平在存储装置中编程釆样数据；使用与温度范围有关的校验电压Vv对釆样数据执行读取校验操作；以及基于读取校验操作的结果来确定温度S卜偿参数Nc。在其它实施例中，通过以下步骤来操作非易失性存储系统从主机发送采样页读取指令到存储装置；使用从与特定温度范围有关的理想校验电压Vv得出的校验电压电平在存储装置中编程采样数据用于校验；使用与存储装置中的温度范围有关的校验电压Vv对采样数据执行读取校验操作；将读取校验操作的结果提供给主机；以及在主机基于读取校验操作的结果来确定温度补偿参数Nc。在其它实施例中，通过以下步骤来操作存储系统从主机发送用于温度补偿的指令到非易失性存储装置；以及检索用于在存储装置中执行编程、读取、和/或校验操作的温度补偿电压值。通过研读以下附图和详细说明，根据本发明的实施例的其它系统和方法将对本领域技术人员来说变得更加清楚。本发明旨在所有这些附加的系统和方法都包含在此说明书中，落入本发明的范围之内，并且通过附随的权利要求被保护。通过结合附图对以下本发明特定实施例的详细说明，将更容易地理解本发明的其它特征，其中图1是示出两位多级存储单元编程状态的图2是示出由于阈值电压中的位移在图1所示的多级存储单元中可发生的比特误差的图3是示出对于特定编程状态温度对单元分布的影响的图形；图4示出了根据本发明的一些实施例的检测非易失性存储单元的阈值电压的位移的操作；图5示出了基于对图4的采样数据执行读取校验操作生成的温度补偿转换表；图6描绘了使用图5的温度补偿参数可生成的温度补偿电压值；图7示出了根据本发明的一些实施例的具有片上温度4卜偿功能的闪存；图8是示出根据本发明的一些实施例、在诸如闪存的非易失性存储装置中提供阈值电压温度#卜偿时的编程操作的流程图9是示出根据本发明的一些实施例、在诸如闪存的非易失性存储装置中提供阈值电压温度^卜偿时的读取操作的流程图10示出了根据本发明的一些实施例的具有片上温度补偿功能和误差控制功能的闪存；图11是示出根据本发明的一些实施例的图10的闪存的操作的流程图12是示出根据本发明的一些实施例的存储系统的框图，在该存储系统中是主机或存储器控制器，而不是闪存，包括误差控制电路；图13示出了根据本发明的一些实施例的存储系统的框图，在该存储系统中是闪存，而不是主机或存储器控制器，包括误差控制电路；图14示出了根据本发明的一些实施例，在主机或存储器控制器为存储系统执行阈值电压温度补偿时的程序操作；图15示出了根据本发明的一些实施例，在主机或存储器控制器为存储系统执行阈值电压温度#卜偿时的读取操作；图16示出了根据本发明的一些实施例，在主机或存储器控制器执行误差校正和/或阈值电压温度补偿时的读取操作；图17示出了闪存，例如图10所示的闪存，其进一步包括可用作闪存和主机之间的緩沖存储器的数据緩沖器；图18示出了根据本发明的一些实施例的存储系统，其包括主机和具有存储在闪存的存储单元中的温度补偿电压值的闪存；图19示出了根据本发明的一些实施例的存储系统，其包括主机和具有存图20是示出根据本发明的一些实施例的结合阈值电压温度补偿的存储系统的操作的流程图21和图22示出了根据本发明的更多实施例的用于检测非易失性存储单元的阈值电压中的位移的操作；图23和图24示出了根据本发明的更多实施例的用于检测非易失性存储单元的阈值电压中的位移的方法；图25是示出根据本发明的一些实施例的包括非易失性存储器的存储卡的框图；以及图26是示出根据本发明的一些实施例的包括非易失性存储器的存储系统的框图。具体实施例方式虽然本发明允许进行各种修改和替代形式，本发明的特定实施例作为示例示出在附图中并将在此进行详细描述。然而，应当理解的是，并不意图将本发明局限于所公开的特定形式，相反的是，本发明将包括落入权利要求定义的本发明的精神和范围之内的所有的修改、等效、和代替。贯穿附图的说明，相同的参考标记表示相同的元件。在此使用的，单数形式"一，，和"该，，意思是同时包括复数形式，除非另外明确現定。进一步应当理解的是，说明书中使用的术语"包含"和/或"包括"是指所述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或部分的存在，而不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部分和/或其组合。应当理解的是，当元件涉及被"连接"或"耦合，，到另一元件，它可以直接连接或耦合到其它元件，或者还存在居间的元件。而且，此处使用的"连接"或"耦合"可包括无线连接或无线耦合。在此使用的术语"和/或"包括一个或多个相关列出的项的任何组合和全部组合。除非另外定义，此处使用的所有术语(包括技术和科技术语)具有与本发明所属领域技术人员普遍理解的相同意义。更应理解的是，例如字典使用的普遍定义的术语，可解释为具有与相关技术和说明书上下文意义一致的意义，而且除非此处如此定义，否则不能以理想化或过于形式意义来解释。为了说明，此处描述了关于包括闪存数据存储装置，例如NAND、NOR、或One—NAND型闪存存储装置的非易失性存储系统的本发明的各种实施例。应当理解的是，数据存储装置并不局限于实现为闪存装置，但是一般也可实现为写前4察除型存4诸装置(erasebeforewritememorydevice)。因此，数据存储装置可以是存储卡装置、固态驱动(SSD)装置、ATA总线装置、串行ATA(SATA)总线装置、多媒体卡(MMC)装置、安全数字(SD)装置、记忆棒装置、硬盘驱动(HDD)装置、混合硬盘驱动(HHD)装置、和/或通用串行总线(USB)闪存驱动装置。根据本发明的一些实施例，可通过编程存储装置中的采样数据、对采样9数据执行读取校验操作、以及基于读取校验操作的结果来确定温度补偿参数来操作非易失性存储系统。可在存储装置中和/或主机系统或与存储装置进行通信的控制器中执行温度补偿参数的确定。一旦确定了温度补偿参数，补偿电压值，例如，可存储在存储装置内用于编程数据，读取数据，和/或校验数据。图4示出了根据本发明的一些实施例的检测非易失性存储单元的阈值电压中的位移的操作。如图4所示，使用从理想校验电压Vv得出的校验电压电平在例如闪存装置的非易失性存储装置中编程采样数据用于校验。在所示的例子中，数据以电平Vv至Vv-6Vd进行编程用于校验，其中Vd是每单位温度在阔值电压Vth中的典型位移，在这个例子中位20。C。而且，在图4例子中，才交^^电压Vv与90-70。C范围相关。图5示出了基于对图4的采样数据执行读取校验操作而生成的温度补偿转换表。因为校验电压Vv基于90-70。C范围，如果实际温度落在该范围内，则只有采样数据的第一间隔(基于校验电平Vv编程)可通过(pass),而釆样数据的其它间隔(基于校验电平Vv-*Vd编程)会失败(fail)。然而，如果实际温度低于90-7(TC范围，则图4的程序分布移动到右侧，如图3所示，导致其它温度范围中的一个只有采样数据的一个间隔可通过，而其他所有间隔为失败。以这种方式，温度补偿参数Nc可如图5所示进行计算。图6描绘了可使用图5的温度补偿参数生成的温度补偿电压值。温度补偿电压值可以以Vtemp=Vorg+Nc*Vd生成，其中Vorg是初始的(original)、未补偿的电压值。根据本发明的各个实施例，温度补偿电压可以用在编程、读取和校验操作中。图7示出了根据本发明的一些实施例的具有片上温度补偿功能的闪存700。如图7所示，温度检测器705可以配置为基于对以上参考图4和图5讨论的那样编程的采样数据页执行的校验操作，来确定温度补偿参数Nc。基于温度补偿参数Nc，DC电平补偿器^^莫块710可生成用于编程、读取、和/或校验操作的温度补偿DC电压电平。图8是示出根据本发明的一些实施例、在例如闪存的非易失性存储装置中提供阔值电压温度补偿时的编程操作的流程图。操作开始于块805,其中采样数据被编程到存储装置中。在块810，如以上参考图4和图5讨论的那样，确定温度补偿参数Nc。在块815，温度补偿参数Nc被用来生成用于编10程、读取、和/或校验操作的温度补偿DC电压电平。在块820，可使用温度补偿DC电压电平来编程目标页。图9是示出根据本发明的一些实施例、在例如闪存的非易失性存储装置中提供阈值电压温度补偿时的读取操作的流程图。操作开始于块905，其中采样数据被编程到存储装置中。在块910，如以上参考图4和图5讨论的那样，确定温度补偿参数Nc。在块915，温度补偿参数Nc被用来生成用于编程、读取、和/或校验操作的温度补偿DC电压电平。在块920,可使用温度补偿DC电压电平来读耳又目标页。根据本发明的一些实施例，温度补偿可与误差控制(errorcontrol)功能组合。如图10所示，如图7的闪存700的闪存1000可以进一步包括误差控制电路1020，该误差控制电路1020可确定从目标页读取的误差是否可才交正(correctable)。温度检测器1005和DC电平补偿器模块1010与如上参考图7讨论的相同模块相似，除了下述响应误差控制电路1020。图11是示出根据本发明的一些实施例的闪存1000的操作的流程图。操作开始于块1105,其中读取目标页。在块lllO,图10的误差控制电^各1020确定目标页误差是否可校正。如果可校正，则误差控制电路1020校正误差，并且操作终止。然而，如果误差不是可校正的，则在块1115继续操作，其中采样数据被编程到存储装置中。在块1120,如以上参考图4和图5讨论的那样确定温度补偿参数Nc。在块1125,温度补偿参数Nc被用来生成用于编程、读取、和/或校验操作的温度补偿DC电压电平。在块1130,使用温度补偿DC电压电平来重读(re-read)目标页。图12是示出根据本发明的一些实施例的存储系统1200的框图，在该存储系统1200中是主机或存储器控制器1205,而不是闪存1210，包括误差控制电路。图13是示出根据本发明的一些实施例的存储系统1300的框图，在该存储系统1300中主机或存储器控制器1305不包括误差控制电路。相反，误差控制电路被结合到闪存1310中。根据本发明的各种实施例，可在主机或存储控制器和/或在闪存中执行温度检测和补偿。图14示出了根据本发明的一些实施例、在主机或存储器控制器为存储系统执行阈值电压温度补偿时的程序操作。操作开始于块1405，其中主机发送采样页读取指令到闪存装置。在块1410,闪存装置执行读取指令，并且在块1415传送数据到主机。在块1420,如以上参考图4和图5讨论的那样在主机确定温度补偿参数Nc。在块1425,温度补偿参数Nc被用来生成用于编程、读取、和/或校验操作的温度补偿DC电压电平。这些温度补偿DC电压电平净皮通知症合(communicatedto)闪存。在块1430,则主才几发送目才示页编程指令到闪存，并在块1435由闪存执行。图15示出了根据本发明的一些实施例、在主机或存储器控制器为存储系统执行阈值电压温度补偿时的读取操作。操作开始于块1505，其中主机发送采样页读取指令到闪存装置。在块1510，闪存装置执行读取指令，并且在块1515传送数据到主机。在块1520，如以上参考图4和图5讨论的那样在主机确定温度补偿参数Nc。在块1525,温度补偿参数Nc被用来生成用于编程、读取、和/或校验操作的温度补偿DC电压电平。这些温度补偿DC电压电平被通知给闪存。在块1530，则主机发送目标页读取指令到闪存，并在块1535由闪存执行。在块1540传送目标页数据到主机。类似于以上讨论的实施例，其中在执行温度补偿操作之前可以首先执行误差校正，图16示出了根据本发明的一些实施例、在主机或存储器控制器执行误差校正和/或阈值电压温度补偿时的读取操作。操作开始于块1605,其中主机发送采样页读取指令到闪存装置。在块1610，闪存装置执行读取指令。在块1615，图10的误差控制电路1020确定目标页误差是否可校正。如果可校正，则误差控制电路1020校正误差，并且操作终止。然而，如果误差不可校正，则在块1620继续操作，其中主机发送采样页读取指令到闪存装置。在块1625,闪存装置执行读取指令，并且在块1630传送数据到主机。在块1635，如以上参考图4和图5讨论的那样，在主机确定温度补偿参数Nc。在块1640,温度补偿参数Nc被用来生成用于编程、读取、和/或校验操作的温度补偿DC电压电平。这些温度补偿DC电压电平被通知给闪存。在块1645，则主机发送目标页读取指令到闪存，并在块1650由闪存执行。在块1655,传送目标页数据到主机。图17示出了如图10的闪存1000的闪存1700，该闪存1700进一步包括数据缓冲器1720,该数据緩冲器1720可用作闪存和主机之间的緩沖存储器。温度^f企测器1705、DC电平补偿器模块1710、和误差控制电路1715与以上参考图7和图IO讨论的相同模块相似。根据本发明的各种实施例，可在不同位置存储温度补偿电压值。如图18所示，存储系统1800包括主机1805和闪存1810,该存储系统1800具有存储在闪存的存储单元中的温度补偿电压值。如图19所示，存储系统1900包括主机1905和闪存1910，该存储系统1900具有存储在闪存1910中的寄存器中和/或在闪存1910内熔线编程的温度补偿电压值。图20是示出根据本发明的一些实施例的集合阔值电压温度补偿的存储系统的操作的流程图。操作开始于块2005,其中主机发送用于温度补偿的指令到非易失性存储装置，例如闪存。在块2010，闪存检索用于执行编程、读取、和/或校验操作的温度补偿电压值。图21和图22示出了根据本发明的更多实施例的用于检测非易失性存储单元的阈值电压中的位移的操作。类似于以上参考图4讨论的方法，使用在Vv到Vv+(N-l)Vd范围内的电压电平在存储装置内编程N组采样数据用于校验，其中Vd是常数。使用校验电压(Vv+(N-l)Vd)/2对N组采样数据执行读取校验操作。基于读取校验操作的通过/失败结果来确定温度补偿参数Nc。图23和图24示出了根据本发明的更多实施例的用于检测非易失性存储单元的阈值电压中的位移的方法。类似于以上参考图4、图21和图22讨论的方法，使用在Vv到Vv+(N-l)Vd范围内的校验电压电平在存储装置内编程N组采样数据用于校验，其中Vd是常数。使用校验电压Vv+Vm对N组采样数据执行读取校验操作，其中Vm是实验确定的常数。基于为N组中每一组确定的失败位(failbits)的数量来确定温度补偿参数Nc。图25是示出根据本发明的一些实施例的包括如闪存310的非易失性存储器的存储卡300的框图。存储卡包括存储控制器，其包括通过地址/数据总线通信地耦合的SRAM321、CPU322、主机接口313、纠错码(ECC)模块314、和存储器接口315。存储控制器320与闪存310经由存储接口315进行通信。闪存310可如以上参考图4-图24讨论的那样体现。图26是示出根据本发明的一些实施例的包括诸如闪存的非易失性存储器的存储系统200。如图26所示，存储系统200包括存储卡210,该存储卡210包括耦合到闪存211的存储控制器212，例如该存储卡210可以实现为图25的存储卡300。存储系统200进一步包括通过地址/数据总线彼此耦合并与存储卡210耦合的CPU230、RAM240、用户接口250、和电源220。闪存211可如以参考图4-图24讨论的那样体现。图4-图26的存储装置、存储卡、和/或存储系统可体现为，例如，存储卡装置，固态驱动(SSD)装置、ATA总线装置、串行ATA(SATA)总线装置、小型计算机系统接口(SCSI)装置、串行附属SCSI(SAS)装置、多媒体卡(MMC)装置、安全数字(SD)装置、记忆棒装置、硬盘驱动器(HDD)装置、混合硬盘驱动(HHD)装置、和/或通用串行总线(USB)闪存装置。而且，图4-图26的存储装置、存储卡、和/或存储系统可体现为，例如，图形卡、计算机、移动终端、个人数字助理(PDA)、照相机、游戏控制台、MP3播放器、电视机、DVD播放器、路由器、GPS系统、和/或相机图像处理器(CIS)和应用芯片集。根据本发明的一些实施例，存储装置、存储卡、和/或存储系统可通过多种封装形式安置于计算机系统上，其中包括层叠封装(PoP)、球栅阵列(BGAs)、芯片尺寸封装(CSPs)、带引线的塑料芯片载体(PLCC)、双列直插式塑料封装(PDIP)、窝伏尔组件芯片、晶圆形式芯片、板上芯片(COB)、双列直插式陶瓷封装(CERDIP)、塑料公制方型扁平式封装(MQFP)、薄型四方扁平封装(TQFP)、小外型(SOIC)、缩小外型封装(SSOP)、薄型小尺寸封装(TSOP)、薄型四方扁平封装(TQFP)、系统级封装(SIP)、多芯片封装(MCP)、晶圆级制造封装(WFP)、晶圆级堆叠封装(WSP)、和/或晶圆级封装(WSP)等其他的。在本发明的一些实施例中，闪存装置的存储单元可以各种具有电荷存储层的形式构成。闪存装置的电荷存储结构可通过其中包括电荷陷捕层、其中多个单元阵列堆叠的堆叠单元阵列，没有源区和漏区的闪速结构、和/或针形闪速结构的结构实现。可对实施例进行各种变化和修改，而实质上不脱离本发明的原理。所有这种变化和修改此处意图为包括在下述权利要求提出的本发明的范围之内。1权利要求1.一种操作非易失性存储装置的方法，包括使用从与特定温度范围相关的理想校验电压Vv得出的校验电压电平，在存储装置中编程采样数据用于校验；使用与所述温度范围相关的所述校验电压Vv执行对所述采样数据的读取校验操作；基于所述读取校验操作的结果来确定温度补偿参数Nc。2.如权利要求l所述的方法，其中编程所述采样数据包括在对应Vv到Vv-(N-l)Vd的N个间隔编程所述采样数据，其中Vd对应于每单位温度在用于编程的采样数据的阈值电压Vth中的位移。3.如权利要求2所述的方法，其中确定所述温度补偿参数Nc包括基于在对所述采样数据执行所述读取校l会操作时通过和失败的所述N间隔的数量来确定所述温度补偿参数Nc。4.如权利要求2所述的方法，进一步包括使用温度补偿电压Vtemp=Vorg+Nc*Vd作为所述非易失性存储装置中的编程电压、读取电压、和/或校验电压，其中Vorg没有与将被编程、读取、和/或校验的数据相关的温度补偿的电压。5.如权利要求4所述的方法，其中所述存储器包括闪存，所述方法进一步包括使用多个所述温度补偿电压Vtemp编程闪存中的目标页。6.如权利要求4所述的方法，其中所述存储器包括闪存，所述方法进一步包括使用多个所述温度补偿电压Vtemp读取闪存中的目标页。7.如权利要求l所述的方法，其中所述存储器包括闪存，所述方法进一步包括读取所述闪存中的目标页；确定所述目标页中的误差是否可校正；和其中当所述目标页中的误差不可校正时，执行编程所述采样数据，执行对所述采样数据的所述读取校验操作，以及确定所述温度补偿参数。8.如权利要求l所述的方法，其中所述存储器包括闪存。9.如权利要求8所述的方法，其中所述闪存包括NAND、NOR、或One_NAND型闪存。10.如权利要求l所述的方法，其中所述存储装置体现为存储卡装置、固态驱动(SSD)装置、ATA总线装置、串行ATA(SATA)总线装置、小型计算机系统接口(SCSI)装置、串行附属SCSI(SAS)装置、多媒体卡(MMC)装置、安全数字(SD)装置、记忆棒装置、硬盘驱动(HDD)装置、混合硬盘驱动(HHD)装置、或通用串行总线(USB)闪存驱动装置。11.如权利要求l所述的系统，其中所述存储装置体现为图形卡、计算才几、移动终端、个人^字助理(PDA)、照相才几、游戏控制台、MP3播》欠器、电视机、DVD播放器、路由器、或GPS系统。12.—种操作非易失性存储系统的方法，包括从主机发送采样页读取指令到存储装置；使用从与特定温度范围相关的理想校验电压Vv得出的校验电压电平，在所述存储装置中编程采样数据用于校验；使用与所述存储装置中所述温度范围相关的所述校验电压Vv对所述采样数据执行读取校验操作；将所述读取校验操作的结果提供给所述主机；和在所述主机基于所述读取校验操作的结果来确定温度补偿参数Nc。13.如权利要求12所述的方法，其中编程所述采样数据包括在对应Vv到Vv-(N-l)Vd的N个间隔编程所述采样数据，其中Vd对应于每单位温度在用于编程的采样数据的阈值电压Vth中的位移。14.如权利要求13所述的方法，进一步包括从所述主机通知所述存储装置至少一个温度补偿电压Vtemp=Vorg+Nc*Vd以用作非易失性存储装置中的编程电压、读取电压、和/或校验电压，其中Vorg是没有与将被编程、读取、和/或校验的数据相关的温度补偿的电压。15.如权利要求14所述的方法，其中所述存储器包括闪存，所述方法进一步包括使用多个所述温度补偿电压Vtemp编程闪存中的目标页。16.如权利要求14所述的方法，其中所述存储器包括闪存，所述方法进一步包括使用多个所述温度补偿电压Vtemp读取闪存中的目标页。17.如权利要求14所述的方法，其中所述至少一个温度补偿电压值存储在所述存储装置中的单元中。18.如权利要求14所述的方法，其中所述至少一个温度补偿电压值存储在所述存储装置中的寄存器中。19.如权利要求12所述的方法，其中所述存储器包括闪存，所述方法进一步包括从所述主机发送目标页读取指令到所述存储装置；读取所述闪存中的所述目标页；确定所述目标页中的误差是否可^f交正；和其中当所述目标页中的误差可校正时，执行编程所述采样数据，对所述采样数据执行所述读取校验操作，将所述读取校验操作的所述结果提供给所述主机，以及确定所述温度补偿参数。20.如权利要求12所述的方法，其中所述存储器包括闪存。21.如权利要求20所述的方法，其中所述闪存包括NAND、NOR、或One一NAND型闪存。22.如权利要求12所述的方法，其中所述存储装置体现为存储卡装置、固态驱动(SSD)装置、ATA总线装置、串行ATA(SATA)总线装置、小型计算机系统接口(SCSI)装置、串行附属SCSI(SAS)装置、多媒体卡(MMC)装置、安全数字(SD)装置、记忆棒装置、硬盘驱动(HDD)装置、混合硬盘驱动(HHD)装置、或通用串行总线(USB)闪存驱动装置。23.如权利要求12所述的方法，其中所述存储装置体现为图形卡、计算机、移动终端、个人数字助理(PDA)、照相机、游戏控制台、MP3播放器、电视机、DVD播放器、路由器、或GPS系统。24.—种操作存储系统的方法，包括从主机发送用于温度补偿的指令到非易失性存储装置；和检索用于在所述存储装置中执行编程、读取、和/或校验操作的温度补偿电压值。25.如权利要求24所述的方法，其中所述温度补偿电压值存储在所述存储装置中的单元中。26.如权利要求24所述的方法，其中所述温度补偿电压值存储在所述存储装置中的寄存器中。27.—种操作非易失性存储装置的方法，包括使用在Vv到Vv+(N-l)Vd范围内的校验电压电平在所述存储装置中编程N组采样数据用于校验，其中Vd是常数；使用校验电压(Vv+(N-l)Vd)/2对所述N组采样数据执行读取校验操作；和基于所述读取校验操作的结果来确定温度补偿参数Nc。28.—种操作非易失性存储装置的方法，包括使用在Vv到Vv+(N-l)Vd范围内的校验电压电平在所述存储装置中编程N组采样数据用于校验，其中Vd是常数；是常数；和基于为N组中每一组确定的失败位的数量来确定温度补偿参数Nc。全文摘要通过以下步骤来操作非易失性存储装置使用从与特定温度范围相关的理想校验电压Vv得出的校验电压电平，在存储装置中编程采样数据用于校验；使用与所述温度范围相关的所述校验电压Vv执行对所述采样数据的读取校验操作；以及基于所述读取校验操作的结果来确定温度补偿参数Nc。文档编号G11C16/10GK101673580SQ20091020571公开日2010年3月17日申请日期2009年7月9日优先权日2008年7月9日发明者黄相元申请人:三星电子株式会社