信息存储介质及用于记录/再现信息的设备的制作方法

专利名称：信息存储介质及用于记录/再现信息的设备的制作方法
技术领域：
下面的描述涉及一种信息存储介质及一种用于记录/再现信息的设备，具体地 说，涉及一种能够在多层记录过程中改善层间串扰(crosstalk)和进行多维重复记录 (multi-dimensional r印etitive recording)的信息存储介质及用于记录/再现信息的设 备。
背景技术：
为了增大信息存储介质的存储容量，已经积极进行了对具有超分辨率近场结构 (Super-RENS)的信息存储介质或具有多层结构的信息存储介质的研究，在Super-RENS中， 使用了短波长激光束和具有高数值孔径(皿merical即erture)的物镜。结果，已经实现了 具有多层结构(每层具有大约25GB的存储容量)并利用蓝紫激光二极管(blue-violet laser diode)和数值孔径为0. 85的物镜的蓝光光盘(BD) 。 BD可记录大约两(2)小时的高 清晰度电视(HDTV)节目或大约十三(13)小时的标准TV节目。 单层BD可记录25GB的信息，双层BD最近能够记录50GB的信息。已经开发出记 录100GB的信息的高密度多层信息存储介质。 多层信息存储介质具有比单层信息存储介质的存储容量大几乎N(N是记录层的 数量)倍的存储容量。 为了构成多层信息存储介质结构，每个间隔层(spacer layer)的厚度和反射率是 确定信息存储介质的信号特性的重要因素，其中，间隔层被定义为相邻的记录层之间的层， 间隔层的厚度必须足以防止记录层之间出现串扰。此外，需要使每个记录层的反射率匹配， 以在光学检测器中检测大于预定尺寸的信号。 为了补偿多层信息存储介质中的球面像差，所有层的总厚度必须在补偿构件(例 如，光束扩展器)的补偿范围内，这使得难以增大期望的记录层的总数。

发明内容
在一个总的方面，提供一种能够在增加期望的记录层数的多层的记录和多维重复
记录过程中改善层间串扰的信息存储介质及用于记录或再现信息的设备和方法。 根据一方面，提供一种信息存储介质，其中，通过利用由能够重复改变光吸收率的
材料形成的纳米棒来执行重复记录。 纳米棒可由相变材料形成，通过非晶体状态和晶体状态下的光吸收率的不同来记
录信息。 不管是非晶体状态还是晶体状态，纳米棒的宽高比可保持恒定。
纳米棒可由硫族化物材料形成。
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信息存储介质可包括至少一个纳米棒取向层，纳米棒在所述至少一个纳米棒取 向层中取向。 至少一个纳米棒取向层可包括多个纳米棒取向层，其中所述多个纳米棒取向层 具有不同的纳米棒取向方向，使得通过利用不同偏振的光来记录或再现信息，所述光具有 与所述多个纳米棒取向层中的每个的纳米棒取向方向平行的偏振方向。 具有单种宽高比的纳米棒可在所述多个纳米棒取向层的每个中取向，利用单种波 长的光来记录或再现信息，或者具有多种宽高比的纳米棒在所述多个纳米棒取向层的每个 中取向，利用多种波长的光来记录或再现信息。 所述多个纳米棒取向层可设置在由物镜聚焦的光束的有效焦深内，使得通过调节 入射光的偏振方向来将信息记录到所述多个纳米棒取向层上或从所述多个纳米棒取向层 再现信息，而不移动物镜。 可以不在相邻的纳米棒取向层之间设置单独的间隔层。 所述多个纳米棒取向层重可复地层叠以形成多个纳米棒取向层；在重复地层叠的 多个纳米棒取向层堆之间可设置间隔层。 每个堆的多个纳米棒取向层可设置在由物镜聚焦的光束的有效焦深内，使得通过
调节入射光的偏振方向来将信息记录到堆中的多个纳米棒取向层上或从堆中的多个纳米
棒取向层再现信息，而不移动物镜，当包括将要记录或再现信息的多个纳米棒取向层的堆
变化时，在光束聚焦在包括将要记录或再现信息的纳米棒取向层的堆上的情况下，信息被
记录在对应堆的纳米棒取向层上或信息从对应堆的纳米棒取向层被再现。 当在堆的多个纳米棒取向层上记录信息或从堆的多个纳米棒取向层再现信息时，
间隔层可被用于确保堆之间的距离，以防止将信息记录在与所述堆相邻的堆的多个纳米棒
取向层上或从所述堆相邻的堆的多个纳米棒取向层再现信息。 所述至少一个纳米棒取向层可包括单个纳米棒取向层，具有单种宽高比的纳米棒 在所述单个纳米棒取向层中取向，利用单种波长的光来记录或再现信息，或者具有多种宽 高比的纳米棒在所述单个纳米棒取向层中取向，利用与所述多种宽高比中的每个对应的波 长的光来记录或再现多重波长信息。 纳米棒可在单个纳米棒取向层中沿多个纳米棒取向方向取向，使得利用具有与所
述多个纳米棒取向方向中的每个平行的偏振方向的光来记录或再现多重偏振信息。 可以重复地层叠所述单个纳米棒取向层。间隔层可设置在重复地层叠的单个纳米
棒取向层之间，其中，当信息被记录在重复地层叠的单个纳米棒取向层中的一个上或从重
复地层叠的单个纳米棒取向层中的一个再现信息时，间隔层用于确保重复地层叠的单个纳
米棒取向层中的所述一个和与所述重复地层叠的单个纳米棒取向层中的所述一个相邻的
重复地层叠的纳米棒取向层中任一个之间的距离，以防止将信息记录到与所述重复地层叠
的单个纳米棒取向层中的所述一个相邻的重复地层叠的单个纳米棒取向层中的任一个或
从与所述重复地层叠的单个纳米棒取向层中的所述一个相邻的重复地层叠的单个纳米棒
取向层中的任一个再现信息。 根据另一方面，提供一种记录和/或再现设备，所述记录和/或再现设备包括光 学拾取器，改变偏振或波长，将光照射到信息存储介质上，并且检测从信息存储介质再现的 光以将信息记录在所述信息存储介质上和/或再现记录在所述信息存储介质上的信息。
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通过下面的详细描述、附图及权利要求书，其它特点和方面将变得清楚。


图1是示出根据示例实施例的关于纳米棒的入射偏振光的光吸收特性的曲线图。
图2示出了根据示例实施例的当分别利用水平偏振光和垂直偏振光在纳米棒取向层的相同区域中记录字符"A"和"B"时，根据入射偏振光的字符"A"和"B"的再现结果。
图3是根据示例实施例的关于纳米棒的宽高比(例如，长度)的光波长吸收特性的曲线图。 图4示出了根据示例实施例的当分别通过利用波长为710nm的光和波长为850nm的光在纳米棒取向层的相同区域记录字符"C"和"D"时，根据入射的不同波长的光的字符"C"和"D"的再现结果。 图5是示出根据示例实施例的纳米棒在未变化状态(原始)、记录状态和初始化状态下的光吸收率的曲线图。 图6A至图6C示出了根据示例实施例的记录由相变材料形成的纳米棒的相变的过程。 图7A和图7B示意性地示出了根据示例实施例的信息存储介质。 图8示意性地示出了根据示例实施例的在图7A和图7B中示出的纳米棒取向层。 图9示意性地示出了根据示例实施例的重复层叠的图8中所示的第一至第四纳米
棒取向层。 图10示出了根据示例实施例的纳米棒取向层上的沿一个方向的具有一种宽高比的纳米棒。 图11示出了根据示例实施例的在纳米棒取向层上的沿一个方向具有两种宽高比的纳米棒。 图12A和图12B示意性地示出了根据另一示例实施例的信息存储介质。 图13A至图13C示意性地示出了根据示例实施例的在图12A和图12B中示出的信
息存储介质的纳米棒取向层中取向的纳米棒。 图14示意性地示出了根据示例实施例的如图12A和图12B所示重复层叠的单个纳米棒取向层。 图15示出了根据示例实施例的用于在信息存储介质上记录信息或从信息存储介质再现信息的设备。 图16和图17示意性地示出了根据示例实施例的可应用到图15中示出的用于记录或再现信息的设备的光学拾取器的主要光学结构。 在全部附图和详细说明中，除非另外说明，否则相同的标号将被理解为表示相同的元件、特征和结构。为了清楚、说明和方便，可夸大这些元件的相对尺寸和绘制。
具体实施例方式
提供下面的详细描述来帮助读者获得对这里描述的方法、设备和/或系统的全面的理解。因此，可向本领域技术人员建议这里描述的系统、设备和/或方法的各种改变、修改和等同物。描述的操作的进程是示例，然而，除了需要以特定顺序进行的操作之外，操作的顺序不限于这里阐述的顺序，并且可按照本领域所公知的方式进行改变。此外，为了清楚和简要，可省略公知的功能和构造的描述。 根据示例实施例的信息存储介质使用由例如硫族化物类材料(chalcogenide-based material)的相变材料(该材料的光吸收率发生变化)形成的纳米棒(nanorod)，来执行至少一次信息记录，例如，重复的信息记录。 例如，当由例如硫族化物类材料的相变材料形成的纳米棒被应用到信息存储介质时，纳米棒在晶体状态和非晶体状态下具有不同的光吸收率，光吸收率的不同使其能够记录信息或再现记录的信息。另外，纳米棒可在晶体状态和非晶体状态之间转变，使其能够重复地改变纳米棒的光吸收率，从而执行重复记录。 这样，由于信息存储介质的纳米棒的宽高比(aspect ratio)在晶体状态和非晶体状态下基本不变，所以能够利用与记录信息时的光的波长相同的光来再现信息。
另外，纳米棒对于沿与纳米棒的取向方向(alignment direction)相同的方向偏振的光具有高吸收特性，并且对于与纳米棒的宽高比对应的特定波长带的光具有高吸收特性。因此，通过利用依赖纳米棒的取向方向的光吸收特性和根据纳米棒的宽高比的特定波长带的光的吸收特性，信息存储介质可实现多层记录或偏振和/或基于波长的多层记录。
另外，如图1的曲线图所示，纳米棒对于与纳米棒的长度方向平行地偏振的偏振光具有高光吸收率，而大多数纳米棒不吸收与纳米棒的长度方向垂直地偏振的偏振光。此外，如图3中的曲线图所示，根据纳米棒的宽高比，纳米棒的吸收波长峰值位置不同。
因此，根据示例实施例的信息存储介质可允许纳米棒具有多种类型的宽高比并执行多波长记录/再现，或允许纳米棒沿多个取向方向取向并执行多偏振记录/再现，使得单个记录层能够获得对应于多个记录层的信息存储容量。另外，信息存储介质可包括具有不同的纳米棒取向方向的多个纳米棒取向层来执行多重记录。 图1是示出根据示例实施例的关于纳米棒的入射偏振光的光吸收特性的曲线图。参照图l，纳米棒对于与纳米棒的长度方向平行地偏振的偏振光具有高光吸收率，而纳米棒不吸收与纳米棒的长度方向垂直地偏振的偏振光。在图1的曲线图中，宽高比为3.5 : 1的金属(例如，金(Au))纳米棒在折射率为1.5的矩阵聚乙烯醇(PVA)中取向。
图2示出了根据示例实施例的当分别利用水平偏振光和垂直偏振光在纳米棒取向层的相同区域中记录字符"A"和"B"时，根据入射偏振光的字符"A"和"B"的再现结果。参照图2，波长为大约850nm并且能量为E " 7nJ/脉冲(nj/pulse)的光利用数值孔径为大约0. 7的物镜聚焦，并以100kHZ的重复频率被记录。 当用于记录字符"A"的水平偏振光被照射时，再现字符"A"。当用于记录字符"B"的垂直偏振光被照射时，再现字符"B"。当照射光接近水平偏振光时，主要出现字符"A"，当照射光接近垂直偏振光时，主要出现字符"B "。 因此，与水平偏振光平行地取向的纳米棒不受垂直偏振光影B向，与垂直偏振光平行地取向的纳米棒不受水平偏振光的影响。 图3是示出根据示例实施例的关于纳米棒的宽高比(例如，长度)的光波长吸收特性的曲线图。参照图3，纳米棒根据宽高比(当纳米棒具有相同的宽度时，宽高比对应于长度)而具有不同的吸收波长峰值位置。纳米棒根据高宽比吸收的特定波长带的光而几乎不吸收超过特定波长带的光。较短的纳米棒是吸收短波长带光的纳米棒，较长的纳米棒是吸收长波长带光的纳米棒。因此，通过使用根据纳米棒的宽高比(例如，长度)确定的选择性的波长吸收特性，例如，通过在纳米棒取向层(具有多种宽高比的纳米棒在纳米棒取向层中取向)的相同的区域中施加不同波长的记录/再现光，可实现多重波长记录，并且可再现多重波长记录的信息。 图4示出了根据示例实施例的当分别通过利用波长为710nm的光和波长为850nm的光在纳米棒取向层的相同区域记录字符"C"和"D"时，根据入射的不同波长的光的字符"C"和"D"的再现结果。参照图4，纳米棒取向层包括宽高比(例如，长度)为指示波长带中大约710nm的吸收峰值的纳米棒以及宽高比(例如，长度)为指示波长带中大约850nm的吸收峰值的纳米棒。利用数值孔径为大约0. 7的物镜来对波长范围在大约710nm和大约850nm之间并且能量为E " 7nJ/脉冲的光聚焦，并且所述光以100kHZ的重复频率被记录。
当用于记录字符"C"的波长为710nm的光被照射时，再现字符"C"。当用于记录字符"D"的波长为850nm的光被照射时，再现字符"D"。当照射的光的波长接近710nm时，主要出现字符"C"，当照射的光的波长接近850nm时，主要出现字符"D"。
因此，宽高比(例如，长度)为指示波长大约710nm的吸收峰值的纳米棒不受波长为850nm的光的影B向，宽高比(例如，长度)为指示波长大约850nm的吸收峰值的纳米棒不受波长为710nm的光的影响。 因此，当具有与纳米棒的长度方向平行的方向的特定偏振并具有与纳米棒的宽高比(例如，长度)对应的特定吸收波长带的光被照射时，纳米棒可吸收该光并实现信息的记录。 基于纳米棒的偏振选择和/或波长选择光吸收特性，可通过为各个纳米棒取向层形成不同的纳米棒的取向方向来实现多重记录。可通过使纳米棒在每个相应的纳米棒取向层中沿多个取向方向取向，并利用偏振选择光吸收特性来实现偏振多重记录，和/或可基于根据纳米棒的宽高比的波长选择光吸收特性实现多重波长记录。 例如，当信息存储介质包括纳米棒沿不同方向取向的多个纳米棒取向层时，通过将照射光的偏振改变为与将要记录信息的纳米棒取向层的纳米棒取向方向平行，可在每个纳米棒取向层上记录信息。在这种情况下，具有不同纳米棒取向方向的每个纳米棒取向层是一个记录层，从而根据需要通过使纳米棒根据每个纳米棒取向层沿不同方向取向来增加记录层的数量。这样，可通过使具有单种宽高比的纳米棒在每个纳米棒取向层中取向并利用单种波长的光来记录或再现信息。另外，可通过在每个纳米棒取向层中使具有多种宽高比的纳米棒取向并利用多种波长的光来以多种波长记录或再现信息。 根据示例实施例的信息存储介质可包括单个纳米棒取向层，并且通过使具有多种宽高比的纳米棒在单个纳米棒取向层中沿单一取向方向取向来执行多重波长记录，或者通过使具有单种宽高比的纳米棒在单个纳米棒取向层中沿多个取向方向取向来执行偏振多重记录，或者通过使具有多种宽高比的纳米棒在单个纳米棒取向层中沿多个取向方向取向来执行多重波长记录和偏振多重记录。 在下文中，现在将进一步描述信息存储介质的各种示例。作为示例且为了方便描述，由例如硫族化物类材料的相变材料形成的纳米棒被应用到信息存储介质，因此，实施例不限于此。即，能够重复地改变光吸收率的任何材料可被用作信息存储介质的纳米棒材料。
由例如硫族化物类材料的相变材料形成的纳米棒可被取向以在信息存储介质的
8纳米棒取向层中具有方向性。在纳米棒取向层中，大部分纳米棒可沿一个方向取向。在多个纳米棒取向层中，纳米棒可被取向为具有不同的纳米棒取向方向，使得每个纳米棒取向层可以是记录层。因此，信息存储介质可以是具有多层记录层的多层信息存储介质。
如上所述，在纳米棒取向层中取向的纳米棒对于与纳米棒的长度方向平行地偏振的偏振光具有高的光吸收率，而纳米棒几乎不吸收与纳米棒的长度方向垂直地偏振的偏振光。因此，可通过将照射到具有不同的纳米棒取向方向的多个纳米棒取向层上的光的偏振方向改变为与将要记录信息的纳米棒取向层的纳米棒取向方向平行，来在每个纳米棒取向层上记录信息。在这种情况下，具有不同纳米棒取向方向的每个纳米棒取向层是记录层，从而根据需要通过使纳米棒根据每个纳米棒取向层沿不同方向取向来增加记录层的数量。
如上所述，在纳米棒取向层中取向的纳米棒根据纳米棒的宽高比具有不同的吸收波长峰值位置。因此，在每个纳米棒取向层中可使具有多种宽高比的纳米棒取向。在这种情况下，利用多种波长的光在单个纳米棒取向层中记录或再现波长多重信息。可在每个纳米棒取向层中使具有单种宽高比的纳米棒取向。在这种情况下，在多个纳米棒取向层中利用单种波长的光来记录/再现信息。在这方面，具有不同的宽高比的纳米棒可在相邻的纳米棒取向层中取向，使得在相邻的纳米棒取向层中可利用具有不同波长的光来记录和再现信息。 如上所述，信息存储介质可以在每个纳米棒取向层中使由相变材料形成的具有单种宽高比或多种宽高比的纳米棒取向，同时多个纳米棒取向层具有不同的纳米棒取向方向。在这种情况下，如果信息存储介质具有N个纳米棒取向层，并且每个纳米棒取向层中取向的纳米棒具有M种宽高比，则信息存储介质可获得与记录到NXM个记录层上的信息对应的信息存储容量。 同时，信息存储介质可包括单个纳米棒取向层，在该纳米棒取向层中，由相变材料形成的纳米棒被取向为具有多个方向性。 例如，当信息存储介质具有单个纳米棒取向层，其中，由相变材料形成的纳米棒被取向为具有多个取向方向性同时具有多种宽高比时，信息存储介质可针对单个纳米棒取向层记录波长多重信息和偏振多重信息。如果取向的纳米棒具有M种宽高比和L种取向方向性，则信息存储介质可在具有单个记录层的情况下获得与记录到MXL个记录层上的信息对应的信息存储容量。 这样，当信息存储介质具有单个纳米棒取向层，其中，由相变材料形成的纳米棒被取向为具有单个取向方向性并同时具有多种宽高比时，信息存储介质可针对单个纳米棒取向层记录波长多重信息。如果取向的纳米棒具有M种宽高比，则信息存储介质可在实际上只具有一个记录层的情况下获得与记录到M个记录层上的信息对应的信息存储容量。
当信息存储介质具有单个纳米棒取向层，其中，由相变材料形成的纳米棒被取向为具有多个取向方向性并同时具有单种宽高比时，信息存储介质可针对单个纳米棒取向层记录偏振多重信息。如果取向的纳米棒具有L种取向方向性，则信息存储介质可在实际上只具有一个记录层的情况下获得与记录到L个记录层上的信息对应的信息存储容量。
在另一示例中，当信息存储介质具有多个纳米棒取向层，其中，由相变材料形成的纳米棒被取向为具有多个取向方向性并且纳米棒在所述多个纳米棒取向层的每个中具有不同的宽高比时，信息存储介质可针对每个纳米棒取向层通过利用具有不同波长的光来记录/再现多层偏振多重信息。如果每个纳米棒取向层具有L种取向方向性和N个纳米棒取 向层，则信息存储介质可获得与记录到LXN个记录层上的信息对应的信息存储容量。
如上所述，信息存储介质可通过形成具有由相变材料形成的纳米棒的纳米棒取向 层来实现重复信息记录，并通过使用依赖纳米棒的取向方向的光吸收特性和/或根据纳米 棒的宽高比的特定波长带的光的吸收特性，来实现多层记录、偏振多重记录和/或波长多 重记录。 这样，纳米棒的偏振选择性光吸收利用表面等离子共振(SPR)。当根据宽高比的吸 收波长带中的具有与纳米棒的长度方向平行的偏振分量的光照射到纳米棒取向层上时，大 量的光通过SPR被吸收。通过SPR吸收进行记录，并且极大地基于偏振方向和光波长带来 进行记录。 同时，由相变材料形成的纳米棒由于在非晶体状态下的大的能量带隙而具有低的 光吸收率，并且在晶体状态下由于相对小的能量带隙而具有高的光吸收率。在晶体状态下 由于小的能量带隙而使大量自由电子聚集在纳米棒的表面上，因此可出现大的SPR。这样， 当纳米棒从非晶体状态变为晶体状态时，由相变材料形成的纳米棒的宽高比基本不变。
图5是示出根据示例实施例的纳米棒在未变化状态(原始)、记录状态和初始化状 态下的光吸收率的曲线图。图6A至图6C示出了根据示例实施例的记录由相变材料形成的 纳米棒的相变的过程。 参照图5，在记录状态下的纳米棒的光吸收率低于未变化状态(原始)下的光吸收 率并且远高于初始化状态下的光吸收率。纳米棒在原始状态和记录状态下是晶体状态，而 纳米棒在初始化状态下是非晶体状态。 参照图6A，为了使纳米棒初始化(非晶体化)，如果光照射到纳米棒，则纳米棒的 温度升高到熔点左右，接着使纳米棒冷却，则纳米棒被非晶体化并具有宽的带隙。当再现光 照射到非晶体状态的纳米棒上时，由于宽的带隙，束缚电子不容易变为自由电子，这减少了 SPR的出现，使得非晶体状态的纳米棒具有低的光吸收率。 参照图6B，如果光照射到非晶体状态的纳米棒上，并且纳米棒的温度升高到结晶 温度左右，纳米棒被逐步冷却并保持晶体状态。当再现光照射到晶体状态的纳米棒上时，由 于窄的带隙，束缚电子更容易变为自由电子，这增大了 SPR的出现，使得晶体状态的纳米棒 具有高的光吸收率。 因此，可通过将再现光照射到纳米棒在其中取向的纳米棒取向层上，来根据光吸 收率的变化再现信息。 参照图6C，如果光照射到晶体状态的纳米棒，纳米棒的温度升高到熔点左右，接 着，使纳米棒冷却，则纳米棒被非晶体化，从而使纳米棒初始化或使纳米棒变为信息擦除状 态。 图7A和图7B示意性地示出根据示例实施例的信息存储介质10。参照图7A和图 7B，一个实施例的信息存储介质10可包括从光束照射的表面顺序地排列的覆盖层11、纳米 棒取向层20和基底15。在这方面，覆盖层11、纳米棒取向层20和基底15可以反向排列。 即，光束可通过基底15入射。参照图7A，在信息再现过程中，检测透射光。参照图7B，与图 7A中示出的信息存储介质IO相比，信息存储介质IO还包括用于反射光的反射层13，反射 层13设置在基底15和纳米棒取向层20之间，并且在信息再现过程中检测反射光。反射层
1013可设置在基底15的外侧上。另外，当光束通过基底15入射时，反射层13可设置在纳米 棒取向层20和覆盖层11之间，或设置在覆盖层11的外侧上。 虽然参照图7A和图7B，信息存储介质10包括覆盖层11、纳米棒取向层20和基底 15或包括覆盖层11、纳米棒取向层20、反射层13和基底15，但是这仅仅是一个示例，信息
存储介质io可包括另外的层。 由反复改变光吸收率的例如相变材料(例如，硫族化物类材料)的材料形成的纳 米棒在纳米棒取向层20中取向。在这方面，在纳米棒取向层20中取向的纳米棒可包含 GexSbyTez、 SbxTey和AgxInySbzTea中的任一个。 纳米棒取向层20包括具有不同的纳米棒取向方向的多个纳米棒取向层以分别形 成记录层，并构成多层记录层。通过利用不同的偏振光将信息记录在纳米棒取向层上或从 纳米棒取向层再现信息。 纳米棒取向层20可具有纳米棒取向方向不同的多个纳米棒取向层，从而利用不 同的偏振光记录或再现信息。在这方面，可以使具有相同或相似的宽高比的纳米棒或者具 有多种宽高比的纳米棒在每个纳米棒取向层中取向。如上所述，当具有多种宽高比的纳米 棒可在每个纳米棒取向层中取向时，如果宽高比的种类为P种，则每个纳米棒取向层可根 据波长多重记录来存储与P个记录层的信息存储容量对应的信息。即，如果纳米棒取向层 的数量为Q，则信息存储介质包括PXQ个有效记录层。当在每个纳米棒取向层中使具有单 种宽高比的纳米棒取向时，如果纳米棒取向层的数量为Q，则信息存储介质包括Q个有效记 录层。 如将在图8中所描述的，多个纳米棒取向层N、N+l、N+2和N+3可设置在由物镜350 聚焦的光束LB的有效焦深(focal d印th)中，使得可通过调节入射光的偏振方向来将信息 记录在纳米棒取向层N、 N+l、 N+2和N+3的每个上或从纳米棒取向层N、 N+l、 N+2和N+3的 每个读取信息，而不移动物镜350。在这方面，纳米棒取向层N、N+l、N+2和N+3的层间纳米 棒取向方向可同样地或不同地改变。另外，在设置在由物镜350聚焦的光束LB的有效焦深 中的纳米棒取向层N、N+l、N+2和N+3中的相邻的纳米棒取向层之间不需要额外的间隔层。 在这方面，由于光束LB以束腰的形式聚焦，所以光强度范围几乎是均匀的，由此可以不移 动物镜350的焦点来实现记录。光强度范围与光束LB的有效焦深对应。
如将在图9中描述的，分别将纳米棒取向层N、N+l、N+2和N+3重复地层叠为纳米 棒取向层堆20'，可在纳米棒取向层堆20'之间设置用于防止纳米棒取向层堆20'之间 的串扰的间隔层25。 当将信息记录到纳米棒取向层堆20'中的一个的纳米棒取向层N、N+l、N+2和N+3 或从所述纳米棒取向层N、N+l、N+2和N+3再现信息时，使用间隔层25来确保纳米棒取向层 堆20'中的所述一个与和纳米棒取向层堆20'中的所述一个相邻的任意纳米棒取向层堆 20'之间的距离，并防止在每个相邻的纳米棒取向层堆20'中的纳米棒取向层N、N+l、N+2 和N+3上记录信息或从所述纳米棒取向层N、N+l、N+2和N+3读取信息。所述纳米棒取向层 堆20'中的一个的纳米棒取向层N、N+l、N+2和N+3设置在由物镜350聚焦的光束LB的有 效焦深中。可通过调节入射光的偏振方向以在相邻的纳米棒取向层堆20'的第一至第四纳 米棒取向层N、 N+l、 N+2和N+3上记录信息或从相邻的纳米棒取向层堆20'的第一至第四 纳米棒取向层N、 N+l、 N+2和N+3再现信息，而不需要移动物镜350。当包括将要在其上记
11录或再现信息的纳米棒取向层N、 N+l、 N+2和N+3的纳米棒取向层堆20'改变时，例如，当 通过沿聚焦方向调节物镜350的位置来使光束LB聚焦到包括将要在其上记录或再现信息 的纳米棒取向层N、N+l、N+2和N+3的纳米棒取向层堆20'时，可在纳米棒取向层堆20'的 纳米棒取向层N、 N+l 、 N+2和N+3上记录信息或从纳米棒取向层堆20'的纳米棒取向层N、 N+l、 N+2和N+3再现信息。在这方面，纳米棒取向层N、 N+l、 N+2和N+3的层间纳米棒取向 方向可同样地或不同地改变。可以不在每个纳米棒取向层堆20'的相邻的纳米棒取向层 N、 N+l、 N+2和N+3之间设置额外的间隔层。 图8示意性地示出了根据示例实施例的在图7A和图7B中示出的纳米棒取向层堆 20'的示例。参照图8，示出了具有4层结构的纳米棒取向层堆20'，其中，第一至第四纳 米棒取向层N、N+l、N+2和N+3分别具有0。 、45° 、90°和135°的纳米棒取向方向。
参照图8，当在第一至第四纳米棒取向层N、 N+l、 N+2和N+3的每个上记录大约 25GB的信息时，可获得100GB的大容量信息存储介质。 第一至第四纳米棒取向层N、N+l、N+2和N+3设置在由物镜350聚焦的光束LB的 有效焦深中，使得可通过调节光的偏振方向来将信息记录在第一至第四纳米棒取向层N、 N+l 、 N+2和N+3上或从第一至第四纳米棒取向层N、 N+l 、 N+2和N+3读取信息，而不移动物 镜350。在这方面，如图8所示，第一至第四纳米棒取向层N、N+l、N+2和N+3的层间纳米棒 取向方向可同样地或不同地改变。在第一至第四纳米棒取向层N、N+l、N+2和N+3中的相邻 的纳米棒取向层之间不需要额外的间隔层。 图9示意性地示出了根据示例实施例的被分别重复层叠为纳米棒取向层堆20' 的图8中的第一至第四纳米棒取向层N、 N+l、 N+2和N+3。参照图9，第一至第四纳米棒取 向层N、 N+l、 N+2和N+3分别被重复地层叠为纳米棒取向层堆20'，可在纳米棒取向层堆 20'之间设置用于防止纳米棒取向层堆20'之间的串扰的间隔层25。每个纳米棒取向层 堆20'的第一至第四纳米棒取向层N、N+l、N+2和N+3设置在由物镜350聚焦的光束LB的 有效焦深中。可通过调节入射光的偏振方向在纳米棒取向层堆20'中的一个的第一至第四 纳米棒取向层N、 N+l、 N+2和N+3上记录信息或从纳米棒取向层堆20'中的一个的第一至 第四纳米棒取向层N、 N+l、 N+2和N+3再现信息，而不移动物镜350。当包括将要在其上记 录或再现信息的第一至第四纳米棒取向层N、N+l、N+2和N+3的纳米棒取向层堆改变时，例 如，当通过沿聚焦方向调节物镜350的位置来将光束LB聚焦到包括将要在其上记录或再现 信息的纳米棒取向层的纳米棒取向层堆上时，可在期望的纳米棒取向层堆的纳米棒取向层 上记录信息或从期望的纳米棒取向层堆的纳米棒取向层再现信息。在这方面，第一至第四 纳米棒取向层N、N+l、N+2和N+3的层间纳米棒取向方向可相同地或不同地改变。不需要在 每个纳米棒取向层堆20'的第一至第四纳米棒取向层N、 N+l、 N+2和N+3中的任何相邻的 纳米棒取向层之间设置额外的间隔层。 下面将在根据参照图7至图9描述的示例实施例的信息存储介质上记录信息或从 该信息存储介质再现信息。 光入射通过包括多个纳米棒取向层的信息存储介质IO，在纳米棒取向层中，由相 变材料形成的纳米棒被取向以具有方向性，具有不同的纳米棒取向方向，并且纳米棒取向 层构成记录层。通过改变入射光的偏振方向，可以在纳米棒取向层的每个或至少一些上记 录信息或从纳米棒取向层的每个或至少一些上再现信息。当具有线偏振的光入射时，在具有与入射光的偏振方向平行的纳米棒取向方向的纳米棒取向层上记录信息或从该纳米棒 取向层再现信息。 具有与入射光的偏振方向平行的纳米棒取向方向的纳米棒取向层的纳米棒吸收 入射光。当纳米棒由相变材料形成时，记录机构根据纳米棒的相变来改变光吸收率。
S卩，通过在纳米棒中产生相变并将具有不同的光吸收率的晶体状态的纳米棒变为 非晶体状态来记录信息。现在将执行记录纳米棒的相变的过程。例如，当通过将光照射到 纳米棒上来使纳米棒的温度升高到熔点(例如，大约60(TC)时，纳米棒被非晶体化，使得 纳米棒初始化或将它们变为信息擦除状态。纳米棒的温度被升高到结晶温度(例如，大约 20(TC)，使得非晶体状态的纳米棒结晶。纳米棒被结晶的状态是记录状态。为了擦除记录 的信息或使纳米棒变为原始状态，纳米棒的温度被升高到熔点并且使纳米棒非晶体化。
如上所述，通过吸收照射的光来升温到熔点或升温到结晶温度的纳米棒具有与入 射光的偏振方向平行的纳米棒取向方向并具有与入射光的波长对应的宽高比。因此，如果 照射的具有特定波长的光的偏振被调节为与将要记录信息的纳米棒取向层的纳米棒取向 方向平行，则在期望的纳米棒取向层中的具有期望的取向方向并具有与照射的光的波长对 应的宽高比的纳米棒可吸收照射的光，从而能够记录信息。 同时，为了记录或擦除信息，当纳米棒变为晶体状态或非晶体状态时，由于纳米棒 保持原始宽高比，所以纳米棒与具有与特定宽高比以及特定纳米棒取向方向对应的波长和 偏振的光反应，因此能够实现多重波长和/或偏振记录/再现。 此外，由于纳米棒的宽高比不变，所以在多重波长记录过程中，能够降低在记录之
后具有特定宽高比和对应于不同波长的其它宽高比的纳米棒之间的串扰。
图10示出了根据示例实施例的纳米棒取向层上沿一个方向具有一种宽高比的纳
米棒。图11示出了根据示例实施例的在纳米棒取向层上沿一个方向具有两种宽高比的纳米棒。 如上所述，参照图10或图11，纳米棒可在如参照图7至图9所描述的具有多个纳 米棒取向层的信息存储介质的每个纳米棒取向层中取向。纳米棒可在纳米棒取向层中具有
不同的取向方向。参照图io，由于可利用具有单种波长的光在每个纳米棒取向层上记录信
息，所以一个纳米棒取向层对应于单个记录层。参照图11 ，由于可利用具有两种不同波长的 光在每个纳米棒取向层上记录信息，所以一个纳米棒取向层可记录与两个记录层对应的信 息。 如果在每个纳米棒取向层中取向的纳米棒具有三种或更多种宽高比，则可在一个 纳米棒取向层上记录与三个或更多个记录层对应的信息。 同时，在再现模式中，入射光穿过纳米棒取向方向与入射光的偏振不平行的纳米 棒取向层，并被纳米棒取向方向与入射光的偏振平行的纳米棒取向层吸收。因此，穿过对应 的纳米棒取向层的光的量根据记录的信息而改变。对光量变化的检测能够再现记录的信 息。如果信息存储介质不包括反射层13 (在7A中所示)，则穿过信息存储介质的光被检测 为再现光。否则，如图7B所示，当信息存储介质包括反射层13时，穿过对应的纳米棒取向 层的光被反射层13反射并返回到物镜350 (这是因为光沿穿过信息存储介质入射的光的相
反方向传播)，从而检测在信息存储介质中被反射的光使其作为再现光。 因此，入射光的偏振方向变为与各个纳米 取向层的取向方向平行，从而在各个纳米棒取向层或至少一些纳米棒取向层上记录信息或者从各个纳米棒取向层或至少一些 纳米棒取向层再现信息。 如上所述，信息存储介质IO可利用记录层的不同的纳米棒取向方向由多个记录 层构成，而不需要间隔层。如果多个纳米棒取向层组(每个组构成一个记录层)被重复层 叠，则能够实现期望数量的记录层。当多个纳米棒取向层为N至N+L层(其中，L是负整数 或正整数)时，例如，由于具有不同的纳米棒取向方向的第N+L(或N-1)层至N+1层不与用 于记录第N层的特定偏振光反应，所以去除了记录串扰。在再现过程中，根据再现光的偏振 方向仅检测对应的纳米棒取向层的透射光或反射光的量的变化，从而去除了再现串扰。
图12A和图12B示意性地示出了根据其它示例实施例的信息存储介质100。参照 图12A和图12B，信息存储介质100可包括从光束入射的表面顺序地排列的覆盖层110、纳 米棒取向层120和基底115。在这方面，覆盖层110、纳米棒取向层120和基底115可以反 向排列。即，光束可通过基底115入射。参照图12A，在信息再现过程中检测透射光。参照 图12B，与图12A中示出的信息存储介质IOO相比，信息存储介质100还包括用于反射光的 反射层113，并且在信息再现过程中检测反射光。参照图12B，反射层113设置在基底115 和纳米棒取向层120之间。反射层113可设置在基底115的外侧上。另外，当光束通过基 底115入射时，反射层113可设置在纳米棒取向层120和覆盖层IIO之间，或设置在覆盖层 110的外侧上。 虽然信息存储介质100包括覆盖层110、纳米棒取向层120和基底115，或包括覆 盖层110、纳米棒取向层120、反射层113和基底115，但是描述的实施例仅仅是示例，信息存 储介质100可包括额外的层。 由反复改变光吸收率的例如相变材料的材料形成的纳米棒在纳米棒取向层120 中取向。在这方面，在纳米棒取向层120中取向的纳米棒可包含Ge,SbyT 、Sb,Tey和 AgxInySbzTea中的任一个。 纳米棒取向层120可以是单层，在所述单层中，纳米棒可沿单个纳米棒取向方向 或多个纳米棒取向方向取向。此外，在纳米棒取向层120中取向的纳米棒可具有单种宽高 比或多种宽高比。 图13A至图13C示意性地示出了根据示例实施例的在图12A和图12B中示出的信 息存储介质100的纳米棒取向层120中取向的纳米棒。 参照图13A，在纳米棒取向层120中，纳米棒沿单个纳米棒取向方向取向，并可具 有多种宽高比。在这种情况下，可对纳米棒取向层120执行多重波长记录，使得与根据宽高 比的种类的数量的记录层的数量对应的信息能够被记录在单个纳米棒取向层上。例如，具 有两种宽高比的纳米棒在纳米棒取向层120中取向。 参照图13B，在纳米棒取向层120中，纳米棒可沿多个纳米棒取向方向取向，并可 具有单种宽高比。在这种情况下，可在纳米棒取向层120上执行与根据纳米棒取向方向的 数量的记录层的数量对应的信息的多重偏振记录。例如，纳米棒在纳米棒取向层120中沿 两个取向方向取向。 参照图13C，在纳米棒取向层120中，纳米棒可沿多个纳米棒取向方向取向，并可 具有多种宽高比。在这种情况下，可在纳米棒取向层120上执行与通过将纳米棒取向方向 的数量乘以宽高比的种类的数量获得的记录层的数量对应的信息的多重波长和偏振记录。
14具有两种宽高比的纳米棒在纳米棒取向层120中沿两个取向方向取向。
同时，纳米棒取向层120的厚度在由物镜350聚焦的光束LB的有效焦深内，使得 能够通过调节入射光的偏振方向和/或波长，在与具有特定波长和特定偏振的光对应的纳 米棒上记录信息，或者从该纳米棒再现信息，而不移动物镜350。在这方面，由于光束LB以 束腰的形式聚焦，所以光强度范围几乎是均匀的，由此可以不移动物镜350的焦点来实现 记录。光强度范围与光束LB的有效焦深对应。 图14示意性地示出了根据示例实施例的如图12A和图12B所示重复层叠的单个 纳米棒取向层。参照图14，纳米棒取向层120(在纳米棒取向层120中，纳米棒如参照图13A 至图13C所描述那样取向)可包括重复地层叠的纳米棒取向层120'和用于防止纳米棒取 向层120'之间的串扰的间隔层125。间隔层可设置在纳米棒取向层120'之间。
当信息被记录在纳米棒取向层上或从纳米棒取向层再现时，间隔层125用于确保 纳米棒取向层120'之间的距离，以防止将信息记录在与该纳米棒取向层相邻的纳米棒取 向层上或从与该纳米棒取向层相邻的纳米棒取向层再现信息。 每个纳米棒取向层120'设置在由物镜350聚焦的光束LB的有效焦深内。可通过 调节入射光的偏振方向来将信息记录在纳米棒取向层上或从纳米棒取向层再现信息，而不 移动物镜350。当将要在其上记录或再现信息的纳米棒取向层改变时，例如，通过沿聚焦方 向调节物镜350的位置来将光束LB聚焦到将要在其上记录或再现信息的纳米棒取向层上 时，可在对应的纳米棒取向层上记录信息或从对应的纳米棒取向层再现信息。可以不需要 在相邻的纳米棒取向层之间设置额外的间隔层。 图15示出了根据示例实施例的用于在信息存储介质10、100上记录信息或从信息 存储介质10、100再现信息的设备。图16和图17示意性地示出了根据示例实施例的可应 用到图15中示出的用于记录和/或再现信息的设备的光学拾取器300的主要光学构件。
参照图15，该设备包括主轴电机312，使信息存储介质IOUOO旋转；光学拾取器 300，被安装为沿信息存储介质10、 100的径向方向移动并在信息存储介质10、 100上记录 信息或从信息存储介质10、 100再现信息；驱动单元307，驱动主轴电机312和光学拾取器 300 ;控制器309，控制光学拾取器300的聚焦、寻轨伺服等。该设备还包括用于夹持信息存 储介质10、 100的转盘352和夹具353。 光学拾取器300通过改变偏振来将光照射到信息存储介质10、 100上，并检测在信 息存储介质10、 100中再现的光。 参照图16，光学拾取器300可包括光源310 ;物镜350，将入射光聚焦在信息存储 介质10、 100上；光电检测器390，检测在信息存储介质10、 100中再现的光学信号；偏振调 节器340，控制照射到信息存储介质10、100上的光的偏振方向。 信息存储介质10、100适于图7A和图12A中示出的结构。在光学拾取器300中， 检测透射穿过信息存储介质10、100的光的光电检测器390设置在物镜350的相对侧。
参照图17，光学拾取器300可包括光源310 ;光路改变器330，改变入射光的传播 路径；物镜350，将入射光聚焦到信息存储介质10、 100上；光电检测器390，检测在信息存 储介质10、 100中再现的光学信号；偏振调节器340，控制照射到信息存储介质IOUOO上的 光的偏振方向。 信息存储介质10、100适于图7B和图12B中示出的结构。设置光电测器390来检测由信息存储介质10、100的反射层130反射的光。当信息存储介质10、100的结构与如图 7B和图12B中示出的结构相同时，需要光路改变器330来允许从光源310发射的光朝信息 存储介质10、 100传播，并允许在信息存储介质10、 100中反射的光朝光电检测器390传播。
图16和图17中示出的最基本的光学系统被用于将信息记录到根据参照图7A、图 7B、图12A和图12B描述的示例实施例的信息存储介质10、100上或从信息存储介质10、100 再现信息，并且整个光学系统可具有各种变形。 光源310可发射激光束。即，光源310可以是被构造为发射具有能够被具有单种 宽高比的纳米棒吸收的特定波长的激光的半导体激光器。 光源310可以是半导体激光器，用于发射具有能够被具有多种宽高比的纳米棒吸 收的多种波长的激光束。例如，光源310可以是发射具有不同波长的激光束的多个半导体 发光元件的组合，或者是发射多种波长的半导体激光器，从而独立地发射具有多种波长的 激光束。在这方面，代替单个封装的光源310，光学拾取器300可包括用于发射具有能够被 具有多种宽高比的纳米棒吸收的多种波长的激光的多个半导体激光器。
光学拾取器300还可包括准直透镜320，用于使从光源310发射的光在光源310和 物镜350之间的光路上准直，以形成无限远光学系统(infinite opticalsystem)。光学拾 取器300还可包括检测透镜370，用于会聚透射穿过信息存储介质10、 100或在信息存储介 质10、 100上反射并传播到光电检测器390的预定尺寸的光。 偏振调节器340将照射到信息存储介质10、100上的光的偏振改变为适于将要记 录信息或再现信息的具有单个纳米棒取向方向的纳米棒取向层或适于单个纳米棒取向层 的多个纳米棒取向方向中的任意一个。例如，偏振调节器340包括半波片。光学拾取器300 还可包括旋转并驱动包括半波片的偏振调节器340的驱动器360。如果调节半波片的旋转 角，则透射穿过半波片的光可具有期望的线偏振方向。 透射穿过信息存储介质10、 100或从信息存储介质10、 100反射的光通过设置在光 学拾取器300中的光电检测器390被检测，对该光进行光电转换，并将其转换为电信号，并 在信号检测电路(未示出)中被操作。由信号检测电路输出的信号通过驱动单元307输入 到控制器309中。驱动单元307控制主轴电机312的旋转速度、放大输入信号并驱动光学 拾取器300。控制器309将基于输入到控制器309的信号调节的聚焦伺服命令和寻轨伺服 命令发送到驱动单元307，以实现光学拾取器300的聚焦操作和寻轨操作。
有效记录层的数量可由纳米棒的宽高比的数量和/或偏振方向性的数量来确定。 这样，有效记录层的总数可以是纳米棒的宽高比的数量与偏振方向性的数量的乘积。这可 允许单个物理记录/再现层具有多个有效记录/再现层。记录和/或再现装置可在具有单 个物理层的存储介质10、100上记录信息或从具有单个物理层的存储介质10、 100再现(例 如，读取)信息，然而，所述存储介质10、 100的有效存储容量可等于具有多个层的存储介质 的容量。这种记录/再现装置可具有以不同的偏振和/或不同的波长照射光的能力。存储 介质10、100的种类可由记录/再现装置通过以下方法来确定，例如，通过访问存储在存储 介质10、 100上的类型信息、访问存储介质10、 100上的代码或其它标识数据、查询存储在记 录/再现装置中的查询表或其它驱动器数据，或者确定偏振和/或波长的其它方法可用于 存储介质10、 100。 能够避免在每个纳米棒取向层20、120之间使用间隔层25。因此，当具有多于一个纳米棒取向层20、120时，每个纳米棒取向层20、120可与至少一个其它纳米棒取向层20、 120接触，在它们之间不需要设置间隔层25。 上面描述的过程、功能、方法和/或软件可被记录、存储或固定在包括由计算机执 行的程序指令的一个或多个计算机可读存储介质中，以使处理器运行或执行该程序指令。 介质还可包括(单独包括或与程序指令组合包括)数据文件、数据结构等。介质和程序指 令可以是特别设计和构造的介质和程序指令，或者也可以是计算机软件领域中的技术人员 公知的和可用的种类。计算机可读介质的示例包括磁介质，例如硬盘、软盘和磁带；光学 介质，例如CD ROM盘和DVD ;磁光介质，例如光盘；特别构造以存储并执行程序指令的硬件 装置，例如只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、闪存等。程序指令的示例包括机器代 码(例如由编译器产生的代码)和包括能够由计算机利用解释器执行的高级代码的文件。 所述硬件装置可被构造为作为一个或多个软件模块，以执行上述操作和方法，反之亦然。另 外，计算机可读存储介质可分布在通过网络连接的计算机系统中，并且可以以分散方式来 存储并执行计算机可读代码或程序指令。 上面已经描述了多个示例。然而，应该理解的是，可进行各种修改。例如，如果描 述的技术以不同的顺序执行和/或如果在描述的系统、构造、装置或电路中的组件以不同 的方式结合和/或由其他组件或它们的等同物替换或补充，则可实现合适的结果。因此，其 它实施方式落在权利要求的范围内。
权利要求
一种信息存储介质，其中，通过利用由能够重复改变光吸收率的材料形成的纳米棒来执行重复记录。
2. 如权利要求1所述的信息存储介质，其中，纳米棒由相变材料形成，通过非晶体状态和晶体状态下的光吸收率的不同来记录信息。
3. 如权利要求2所述的信息存储介质，其中，不管是非晶体状态还是晶体状态，纳米棒的宽高比保持恒定。
4. 如权利要求2所述的信息存储介质，其中，纳米棒由硫族化物材料形成。
5. 如权利要求1所述的信息存储介质，所述信息存储介质包括至少一个纳米棒取向层，纳米棒在所述至少一个纳米棒取向层中取向。
6. 如权利要求5所述的信息存储介质，其中所述至少一个纳米棒取向层包括多个纳米棒取向层；其中，所述多个纳米棒取向层具有不同的纳米棒取向方向，使得通过利用不同偏振的光来记录或再现信息，所述光具有与所述多个纳米棒取向层中的每个的纳米棒取向方向平行的偏振方向。
7. 如权利要求6所述的信息存储介质，其中具有单种宽高比的纳米棒在所述多个纳米棒取向层的每个中取向，利用单种波长的光来记录或再现信息；或者具有多种宽高比的纳米棒在所述多个纳米棒取向层的每个中取向，利用多种波长的光来记录或再现信息。
8. 如权利要求6所述的信息存储介质，其中，所述多个纳米棒取向层设置在由物镜聚焦的光束的有效焦深内，使得通过调节入射光的偏振方向来将信息记录到所述多个纳米棒取向层上或从所述多个纳米棒取向层再现信息，而不移动物镜。
9. 如权利要求8所述的信息存储介质，其中，在相邻的纳米棒取向层之间未设置单独的间隔层。
10. 如权利要求8所述的信息存储介质，其中所述多个纳米棒取向层重复地层叠以形成多个纳米棒取向层堆；在层叠的多个纳米棒取向层堆之间设置间隔层。
11. 如权利要求10所述的信息存储介质，其中每个堆的多个纳米棒取向层设置在由物镜聚焦的光束的有效焦深内，使得通过调节入射光的偏振方向来将信息记录到堆中所述的多个纳米棒取向层上或从堆中的所述多个纳米棒取向层再现信息，而不移动物镜；当包括将要记录或再现信息的所述多个纳米棒取向层的堆变化时，在光束聚焦在包括将要记录或再现信息的纳米棒取向层的堆上的情况下，信息被记录在对应堆的纳米棒取向层上或信息从对应堆的纳米棒取向层被再现。
12. 如权利要求IO所述的信息存储介质，其中，当在堆的所述多个纳米棒取向层上记录信息或从堆的所述多个纳米棒取向层再现信息时，间隔层被用于确保堆之间的距离，以防止将信息记录在与所述堆相邻的堆的多个纳米棒取向层上或从与所述堆相邻的堆的多个纳米棒取向层再现信息。
13. 如权利要求8所述的信息存储介质，其中，所述多个纳米棒取向层中的每个与所述多个纳米棒取向层中的至少另一个接触。
14. 如权利要求5所述的纳米棒取向层，其中所述至少一个纳米棒取向层包括单个纳米棒取向层；并且具有单种宽高比的纳米棒在所述单个纳米棒取向层中取向，利用单种波长的光来记录或再现信息；或者具有多种宽高比的纳米棒在所述单个纳米棒取向层中取向，利用与所述多种宽高比中的每个对应的波长的光来记录或再现多重波长信息。
15. 如权利要求14所述的信息存储介质，其中，纳米棒在单个纳米棒取向层中沿多个纳米棒取向方向取向，使得利用具有与所述多个纳米棒取向方向中的每个平行的偏振方向的光来记录或再现多重偏振信息。
16. 如权利要求14所述的信息存储介质，其中，重复地层叠所述单个纳米棒取向层。
17. 如权利要求16所述的信息存储介质，其中间隔层设置在重复地层叠的单个纳米棒取向层之间；当信息被记录在重复地层叠的单个纳米棒取向层中的一个上或从重复地层叠的单个纳米棒取向层中的一个再现信息时，间隔层用于确保重复地层叠的单个纳米棒取向层中的所述一个和与所述重复地层叠的单个纳米棒取向层中的所述一个相邻的重复地层叠的纳米棒取向层中任一个之间的距离，以防止将信息记录到与所述重复地层叠的单个纳米棒取向层中的所述一个相邻的重复地层叠的单个纳米棒取向层中的所述任一个或从与所述重复地层叠的单个纳米棒取向层中的所述一个相邻的重复地层叠的单个纳米棒取向层中的所述任一个再现信息。
18. —种记录和/或再现设备，所述记录和/或再现设备包括光学拾取器，改变偏振或波长，将光照射到如权利要求1至权利要求17中的任一项所述的信息存储介质上，并且检测从所述信息存储介质再现的光以将信息记录在所述信息存储介质上和/或再现记录在所述信息存储介质上的信息。
全文摘要
提供了一种信息存储介质及用于记录/再现信息的设备。将该信息存储介质提供为通过利用由能够重复改变光吸收率的材料形成的纳米棒来执行重复记录。
文档编号G11B7/24GK101789245SQ201010105318
公开日2010年7月28日 申请日期2010年1月25日 优先权日2009年1月23日
发明者洪涛, 金朱镐 申请人:三星电子株式会社