一种非易失存储器耐久力物理数据模型测试方法与流程

文档序号:11098140阅读:来源:国知局
技术总结
本发明公开了一种消除高安全智能卡芯片数据加解密对非易失存储器可靠性测试影响的方法。针对数据加密后写入存储器的物理数据与编程预期数据不一致,在测试COS中嵌入预加解密函数,对数据进行预加解密处理,保证写入存储器的物理数据与预期数据一致。本发明提出的非易失存储器物理数据模型测试方法,能够覆盖典型物理失效模式,有效地考核高安全智能卡芯片中非易失存储器的本征可靠性水平。

技术研发人员:蒋玉茜;蒙卡娜
受保护的技术使用者:北京中电华大电子设计有限责任公司
文档号码:201610772489
技术研发日:2016.08.30
技术公布日:2017.05.10

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