电路板及应用该电路板的存储器的制作方法

本实用新型涉及一种电路板，还涉及一种应用该电路板的存储器。

背景技术：

现有的PCB内层的散热效率通常较低。以内存条为例，在内存条高频率工作时内存条PCB中大量热量聚集无法迅速排出，内存条温度会迅速上升。当内存条温度上升到临界值时，内存条将无法继续维持高频率工作状态。

技术实现要素：

鉴于此，有必要提供一种可提供迅速散热的电路板及应用该电路板的存储器。

一种电路板，包括平行相对的第一表面及第二表面，所述第一表面及第二表面通过侧表面连接，所述电路板还包括设于第一表面的第一散热层及设于第二表面的第二散热层，所述第一散热层及第二散热层包括若干散热孔。

优选地，所述第一表面包括第一散热区及第一元器件区，所述第一散热层设于所述第一散热区。

优选地，所述第一散热区及第一元器件区之间设有第一隔离槽。

优选地，所述第一散热层为铜箔，当所述电路板进行蚀刻时，所述第一散热层所处区域铜箔未经蚀刻形成所述第一散热层。

优选地，所述若干散热孔包括至少一通孔。

一种存储器，包括一电路板及若干存储芯片，所述电路板包括平行相对的第一表面及第二表面，所述第一表面及第二表面通过侧 表面连接，所述电路板还包括设于第一表面的第一散热层及设于第二表面的第二散热层，所述第一散热层及第二散热层包括若干散热孔。

优选地，所述存储器包括若干散热端，所述若干存储芯片的引脚对应连接所述若干散热端。

优选地，所述第一表面包括第一隔离槽，所述第一散热层设置于所述第一隔离槽的第二侧，所述若干散热端设置于所述第一隔离槽的第一侧，所述若干散热端与所述第一隔离槽的距离不大于第一预设距离。

优选地，所述存储器包括一散热器及一接口，所述接口位于所述存储器的第一端，所述散热器用于可拆卸地套接于所述存储器的第二端。

优选地，所述散热器紧贴连接于所述若干存储芯片、所述第一散热层及所述第二散热层。

通过所述散热层及散热孔，电路板中的热量可以迅速排出以降低电路板温度。

附图说明

图1为本实用新型电路板的较佳实施方式的示意图。

图2为图1中所述电路板的较佳实施方式的剖视图。

图3为本实用新型存储器的较佳实施方式的示意图。

图4为本实用新型存储器的较佳实施方式的另一示意图。

图5为本实用新型存储器的另一较佳实施方式的局部示意图。

主要元件符号说明

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本实用新型。

具体实施方式

请参考图1及图2，本实用新型电路板100的较佳实施方式中，所述电路板100包括平行相对的第一表面11及第二表面12，所述第一表面11及第二表面12通过侧表面13连接。所述电路板100还包括设于第一表面11的第一散热层110及设于第二表面12的第二散热层120。所述第一散热层110包括若干散热孔21。所述第二散热层120包括若干散热孔。

本实施方式中，所述电路板100的第一表面11包括第一散热区 31及第一元器件区41。所述第一散热区31及第一元器件区41之间设有第一隔离槽51。所述第一散热层110设于所述第一散热区31。

本实施方式中，所述电路板100的第二表面12包括第二散热区32(未示出)及第二元器件区42(未示出)。所述第二散热区32及第二元器件区42之间设有第二隔离槽52。所述第二散热层120设于所述第二散热区32。由于在本实施方式中所述第二表面12与所述第一表面11呈对称设计，所述第二散热区32、第二元器件区42及第二隔离槽52未在图中示出。

在其他实施方式中，所述第一散热层110可以呈不规则形状设于所述电路板100的所述第一表面11上，例如第一元器件区41各焊盘周围，而不需要局限于第一散热区31。类似地，所述第二散热层120可以呈不规则形状设于所述电路板100的所述第二表面12上，例如第二元器件区42的各焊盘周围，而不需要局限于第二散热区32。

在其他实施方式中，所述第一散热层110与所述第二散热层120可以为非对称设计。

本实施方式中，所述第一隔离槽51及第二隔离槽52用于防止散热层与焊盘接触。

图2为本实用新型电路板100的截面示意图。本实施方式中，所述电路板100包括第一层61、第二层62及中间层60。

本实施方式中，所述第一层61为铜箔层，所述第二层62为基材层，所述中间层60为内膜层。所述中间层60可由树脂、环氧玻璃纤维等材料制成。

本实施方式中，所述若干散热孔21均为通孔。所述若干散热孔21依次贯穿所述第一散热层110、所述第一层61、所述中间层60、所述第二层62及所述第二散热层120。

在其他实施方式中，所述第一散热层110为铜箔，当对电路板铜箔蚀刻时，所述第一散热层110所处区域铜箔未经蚀刻形成所述第一散热层110，所述第一散热层110与所述第一元器件区41之走 线通过所述第一隔离槽51进行分割，以避免信号干扰。类似地，所述第二散热层120可以由铜箔层未经蚀刻形成，所述第二散热层120与所述第二元器件区42之走线通过所述第二隔离槽52进行分割，以避免信号干扰。

相应地，若所述第一散热层110及第二散热层120由铜箔层未经蚀刻形成，所述第一散热层110及第二散热层120可以应用于多层电路板的内层。

本实施方式中，所述第一元器件区41之走线均有一端位于所述第一隔离槽51附近。类似地，所述第二元器件区42之走线均有一端位于所述第二隔离槽52附近。

在其他实施方式中，所述若干散热孔21可以灌有特定金属以协助散热，所述特定金属包括但不限于铜。

在其他实施方式中，所述若干散热孔21可以部分为通孔，部分为开孔至特定位置。所述若干散热孔21还可全部开孔至特定位置，如全部开孔至中间层60而不贯穿所述中间层60。

请参考图3及图4，本实用新型存储器200包括一多层电路板及若干存储芯片71。所述多层电路板的一种较佳实施方式中所述多层电路板包括所述电路板100。所述存储器200还包括一接口81及一散热器300。所述接口81位于所述存储器200的第一端。

本实施方式中，所述散热器300可拆卸地套接于所述存储器200的第二端。当所述散热器300套接于所述存储器200的第二端时，所述散热器300紧贴连接于所述若干存储芯片71、所述第一散热层110及所述第二散热层120。所述散热器300用于针对第一散热层110、所述第二散热层120及所述若干存储芯片71进行散热。

本实施方式中，所述存储器200的第一端与所述存储器200的第二端平行。

在其他实施方式中，所述散热器300还可以套接于所述存储器200的第三端。所述存储器200的第三端与所述存储器200的第一端垂直。

在其他实施方式中，所述散热器300还可以焊接于所述第一散热层110或第二散热层120上。

所述散热器300可由金属材料或其他拥有良好导热性材料制成。本实施方式中，所述散热器300的制作材料为铝。

本实施方式中，所述存储器200为一内存条。所述接口81为所述电路板100的第一端延伸出的金手指。所述接口81用于连接一内存插槽。

请参考图5，本实用新型所述存储器200的另一较佳实施方式中，所述存储器200包括一多层电路板(未示出)及至少一存储芯片91。所述多层电路板的的第一表面包括第一隔离槽51、接口81、第一散热层110及散热端A1-A8。所述第一隔离槽51处于所述第一散热层110及所述散热端A1-A8之间。所述存储芯片91包括引脚1-8。所述存储芯片91的引脚1连接于所述接口81的引脚1。所述存储芯片91的引脚2连接于所述接口81的引脚2。所述存储芯片91的引脚3连接于所述接口81的引脚3。所述存储芯片91的引脚4连接于所述接口81的引脚4。所述存储芯片91的引脚5连接于所述接口81的引脚5。所述存储芯片91的引脚6连接于所述接口81的引脚6。所述存储芯片91的引脚7连接于所述接口81的引脚7。所述存储芯片91的引脚8连接于所述接口81的引脚8。

本实施方式中，所述存储芯片91的引脚1还连接于所述存储器200的散热端A1。所述存储芯片91的引脚2还连接于所述存储器200的散热端A2。所述存储芯片91的引脚3还连接于所述存储器200的散热端A3。所述存储芯片91的引脚4还连接于所述存储器200的散热端A4。所述存储芯片91的引脚5还连接于所述存储器200的散热端A5。所述存储芯片91的引脚6还连接于所述存储器200的散热端A6。所述存储芯片91的引脚7还连接于所述存储器200的散热端A7。所述存储芯片91的引脚8还连接于所述存储器200的散热端A8。

所述散热端A1-A8均紧贴所述第一隔离槽51设置于所述第一 隔离槽51的第一侧。所述第一散热层110设置于所述第一隔离槽51的第二侧。所述散热端A1-A8到所述第一隔离槽51的距离不大于第一预设距离。本实施方式中，所述第一预设距离为20密尔。

本实施方式中，所述存储芯片91的引脚布线位于所述多层电路板不同信号层。

在其他实施方式中，所述存储芯片91的引脚1-8中至少一引脚对应连接于所述散热端A1-A8。

在另一实施方式中，所述存储芯片91的引脚1及引脚2为数据引脚，所述存储芯片91的引脚1对应连接所述散热端A1，所述存储芯片91的引脚2对应连接所述散热端A2。所述存储芯片91的引脚4-8由于热量产生较少而未被连接至散热端。

本实施方式中，所述存储器200还包括若干存储芯片及若干散热端。所述若干存储芯片的引脚对应连接于所述若干散热端。

在其他实施方式中，所述存储器200还包括位于所述多层电路板内层的若干组内层散热端。在内层走线中，每一内层走线均对应连接至所述若干组内层散热端。

通过所述第一散热层110及第二散热层120及所述若干散热孔21，所述电路板100中积累的热量可以迅速排出以降低所述电路板100的温度。类似地，所述存储器200进一步通过所述散热器300加快所述电路板100的热量排出速度，所述散热器300还可以用于所述若干存储芯片71上进行散热。

最后应说明的是，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的精神和范围。