ATE快速获取存储器失效地址的方法与流程

本发明涉及半导体集成电路ate(自动测试设备)存储器测试领域，特别是涉及一种ate快速获取存储器失效地址的方法。

背景技术：

存储器结构简单，对称，在测试过程中，获取存储器失效地址，对于测试程序调试，以及对存储器进行失效分析，都有至关重要的作用。

ate通过alpg(algorithmpatterngeneration算法模型发生器)模式对存储器进行测试,测试的原理见图1：通过对存储器地址，存储器数据，按照一定的算法计算之后，按照一定的对应关系转化成内存地址和数据引脚的状态给到芯片进行测试，然后将测试后的通过/失效结果存储到与存储器地址相同的ram区域当中。图1中，方格部分表示失效位抓取随机存储单元，x表示存储器行地址，y表示存储器列地址，1表示失效地址。

图2是传统获取存储器失效地址的方法流程图：通过读取整块ram区域，把读取失效的地址记录下来。

传统获取存储器失效地址的方法，优点是简单，算法实现容易，缺点也很明显，如果失效地址很少，为了找到失效地址，需要从头到尾读取整块ram，在存储器容量很大的情况下，会增加很多额外的测试时间。

技术实现要素：

本发明要解决的技术问题是提供一种ate快速获取存储器失效地址的方法，能够合理使用ate所存在的硬件资源，优化获取失效地址的方法，减少测试时间。

为解决上述技术问题，本发明的ate快速获取存储器失效地址的方法是采用如下技术方案实现的：

扫瞄整个失效位抓取ram时，先从矢量ram中读取第一个失效周期,获取该失效周期指向的地址引脚状态，构造以字符表示的地址引脚状态与以数值表示的引脚状态的对应关系，然后将第一个失效周期对应的地址引脚状态转换成16进制行地址和列地址，将该行地址和列地址作为扫瞄整个失效位抓取ram的起始地址。

高端ate(比方说t2000，v93k)通常有矢量ram，会将通过/失效信息按照周期存储在该矢量随机存储单元当中，通过读取矢量ram，能快速方便的读取起始的失效周期。

本发明方法的创新点是：充分结合了矢量ram和失效位抓取ram获取失效信息的优势，开发了一种能快速获取存储器失效地址的方法。相比原来的方法，扫瞄整个失效位抓取ram时，不再从起始地址开始读，而是先从矢量ram中读取第一个失效周期,这样能合理使用ate所存在的硬件资源，减少测试时间，有效提高ate获取存储器失效地址的效率。

附图说明

下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1是ate使用alpg模式测试的原理示意图；

图2是ate通常获取存储器失效地址的流程图；

图3是所述ate快速获取存储器失效地址的方法流程图。

具体实施方式

结合图3所示，所述ate快速获取存储器失效地址的方法在下面的实施例中，具体实现的方式如下：

步骤1、将失效信息按照其所在存储器地址，存储在失效位抓取ram(随机存储单元)中的相同的地址；将失效信息按照失效周期存在矢量ram(随机存储单元)当中。

步骤2、从矢量ram中读取第一个失效周期。

步骤3、获取第一个失效周期对应的存储器地址引脚状态。

步骤4、构造以字符表示的地址引脚状态与以数值表示的引脚状态的对应关系。

构造的引脚状态的数据结构对应关系见下表1

表1

步骤5、将第一个失效周期对应的地址引脚状态由字符型转换成数值型输出(二进制输出)。

步骤6、将第一个失效周期对应的地址引脚数值型(二进制)转化成十六进制,包括存储器行初始地址xinitial,存储器列初始地址yinitial。

步骤7、设置失效位抓取ram读取的地址范围:x＝x＝xinitial～xmax，y＝yinitial～ymax。

步骤8、读失效位抓取ram地址x＝x+1，y＝y+1。

步骤9、如果不为0，记录当前地址为失效地址。

步骤10、如果x<xmaxy<ymax，则返回步骤7。

以读取64msram失效地址为例来计算两种方法的读取时间：

64msram地址范围为a0-a19,总共64个io，如果最极端的情况最后一个地址0xfffff失效了：

使用现有方法获取失效地址的时间为(假设读取一次的时间为200ns)：

一个io需要时间2^20x200＝1048576ns＝～1.049ms,64个io需要64x1.049＝～67ms。

如果用本发明的方法获取失效地址：

--先获取失效地址对应的周期,需要时间为2^20x200＝～1.049ms。

--获取该失效周期对应的失效地址0xfffff，需要时间为64x200ns＝12.8μs，基本可以忽略。

--只需要读一次就可以找到失效地址时间为200ns,基本可以忽略。

估算的结果本发明所需时间是现有方法的1/64倍。

以上通过具体实施方式对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。

技术特征：

1.一种ate快速获取存储器失效地址的方法，其特征在于，扫瞄整个失效位抓取ram时，先从矢量ram中读取第一个失效周期,获取该失效周期指向的地址引脚状态，构造以字符表示的地址引脚状态与以数值表示的引脚状态的对应关系，然后将第一个失效周期对应的地址引脚状态转换成16进制行地址和列地址，将该行地址和列地址作为扫瞄整个失效位抓取ram的起始地址。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述构造以字符表示的地址引脚状态与以数值表示的引脚状态的对应关系，采用如下方法：设第n位的地址引脚为an,字符形式引脚状态为‘0’，二进制形式引脚状态为0；字符形式引脚状态为‘1’，二进制形式引脚状态为1，其中n为大于等于0的整数。

3.一种ate快速获取存储器失效地址的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、将失效信息按照其所在存储器地址，存储在失效位抓取ram中的相同的地址；将失效信息按照失效周期存在矢量ram当中；

步骤2、从矢量ram中读取第一个失效周期；

步骤3、获取第一个失效周期对应的存储器地址引脚状态；

步骤4、构造以字符表示的地址引脚状态与以数值表示的引脚状态的对应关系；

步骤5、将第一个失效周期对应的地址引脚状态由字符型转换成数值型输出；

步骤6、将第一个失效周期对应的地址引脚数值型转化成十六进制,包括存储器行初始地址xinitial,存储器列初始地址yinitial；

步骤7、设置失效位抓取ram读取的地址范围:x＝x＝xinitial～xmax，y＝yinitial～ymax；其中，xmax表示行地址最大值，ymax表示列地址最大值；

步骤8、读失效位抓取ram地址x＝x+1，y＝y+1；

步骤9、如果不为0，记录当前地址为失效地址；

步骤10、如果x<xmaxy<ymax，则返回步骤7。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：步骤4所述构造以字符表示的地址引脚状态与以数值表示的引脚状态的对应关系，采用如下方法：设第n位的地址引脚为an,字符形式引脚状态为‘0’，二进制形式引脚状态为0；字符形式引脚状态为‘1’，二进制形式引脚状态为1，其中n为大于等于0的整数。

技术总结
本发明公开了一种ATE快速获取存储器失效地址的方法，扫瞄整个失效位抓取RAM时，不再从起始地址开始读，而是先从矢量RAM中读取第一个失效周期,获取该失效周期指向的地址引脚状态，构造以字符表示的地址引脚状态与以数值表示的引脚状态的对应关系，然后将第一个失效周期对应的地址引脚状态转换成16进制行地址和列地址，将该行地址和列地址作为扫瞄整个失效位抓取RAM的起始地址。本发明能够合理使用ATE所存在的硬件资源，优化获取失效地址的方法，减少测试时间。

技术研发人员：舒颖;代瑞娟;郑鹏飞
受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司
技术研发日：2019.08.26
技术公布日：2019.11.26