技术特征：
1.一种存储设备的操作方法，其特征在于，所述操作方法包括：对目标态范围为第i态至第i+k态的存储单元执行第一编程操作，同时对目标态范围为第i+k+1态至第m态的存储单元执行第一编程禁止操作；其中，i+k+1小于或等于m，i为正整数，k为自然数，m为大于1的正整数；对目标态范围为第i+k+1态至第i+k+j态的存储单元执行第二编程操作，同时对目标态范围为第i+k+j+1态至第m态的存储单元执行第二编程禁止操作；其中，第二编程操作在第一编程操作之后执行，第二编程操作的编程电压大于第一编程操作的编程电压；i+k+j+1小于或等于m，j为正整数。2.根据权利要求1所述的操作方法，其特征在于，在执行所述第一编程操作之后，所述操作方法还包括：执行第一编程验证操作，获得第一验证结果；其中，所述第一验证结果至少包括对目标态为第i态的存储单元进行编程验证的验证子结果；在所述验证子结果指示目标态为第i态的存储单元编程通过时，对目标态范围为第i+1态至第i+k+1态的存储单元执行第三编程操作，同时对第1态至第i态的存储单元执行第三编程禁止操作；其中，所述第三编程操作的编程电压大于所述第一编程操作的编程电压，所述第三编程操作的编程电压小于或等于所述第二编程操作的编程电压。3.根据权利要求2所述的操作方法，其特征在于，在所述验证子结果指示目标态为第i态的存储单元编程未通过时，对目标态范围为第i态至第i+k态的存储单元执行第四编程操作，同时对目标态范围为第i+k+1态至第m态的存储单元执行第四编程禁止操作；其中，所述第四编程操作的编程电压大于所述第一编程操作的编程电压，所述第四编程操作的编程电压小于所述第三编程操作的编程电压。4.根据权利要求2所述的操作方法，其特征在于，所述执行第一编程验证操作，包括：至少对耦合至目标态范围为第i态的存储单元的字线施加第一编程验证电压；在执行所述第二编程操作之后，所述操作方法还包括：执行第二编程验证操作，包括：对耦合至目标态范围为第i+k+1态至第i+k+j态中的至少一个目标态的存储单元的字线施加第二编程验证电压；其中，所述第二编程验证电压大于所述第一编程验证电压。5.根据权利要求1所述的操作方法，其特征在于，所述对目标态范围为第i+k+1态至第i+k+j态的存储单元执行第二编程操作，包括：在施加的编程脉冲数大于或等于第i+1态的第一预设值时，对目标态范围为第i+k+1态至第i+k+j态的存储单元执行所述第二编程操作，同时对目标态范围为第i+k+j+1态至第m态的存储单元执行所述第二编程禁止操作。6.根据权利要求5所述的操作方法，其特征在于，所述对目标态范围为第i态至第i+k态的存储单元执行第一编程操作，包括：在施加的编程脉冲数小于所述第i+1态的第一预设值时，执行所述第一编程操作。7.根据权利要求5所述的操作方法，其特征在于，在施加的编程脉冲数大于或等于所述第i+1态的第一预设值，且小于第i态的第二预设值时，所述操作方法还包括：在对目标态范围为第i+k+1态至第i+k+j态的存储单元执行所述第二编程操作的同时，对目标态范围为第i态至第i+k态的存储单元执行所述第二编程操作；
在施加的编程脉冲数大于或等于所述第i态的第二预设值时，所述操作方法还包括：对第1态至第i态的存储单元执行所述第二编程禁止操作。8.根据权利要求1所述的操作方法，其特征在于，在执行所述第一编程操作之后，且在执行所述第二编程操作之前，所述操作方法还包括：确定所述第二编程操作的第一目标态范围，并确定所述第二编程禁止操作的第二目标态范围；其中，所述第一目标态范围至少包括目标态范围为第i+k+1态至第i+k+j态的存储单元；所述第二目标态范围至少包括目标态范围为第i+k+j+1态至第m态的存储单元。9.根据权利要求8所述的操作方法，其特征在于，在执行所述第一编程操作之后，且在执行所述第二编程操作之前，所述操作方法还包括：执行第一编程验证操作，获得第一验证结果；所述确定所述第二编程操作的第一目标态范围，并确定第二编程禁止操作的第二目标态范围，包括：根据所述第一验证结果，确定所述第一目标态范围和所述第二目标态范围。10.根据权利要求1所述的操作方法，其特征在于，所述对目标态范围为第i态至第i+k态的存储单元执行第一编程操作，同时对目标态范围为第i+k+1态至第m态的存储单元执行第一编程禁止操作，包括：对耦合至目标态范围为第i态至第i+k态的存储单元的位线施加编程导通电压，同时对耦合至目标态范围为第i+k+1态至第m态的存储单元的位线施加编程禁止电压；其中，所述编程禁止电压大于所述编程导通电压。11.一种存储设备，其特征在于，包括：存储单元阵列，包括：目标态为第1态至第m态的存储单元；外围电路，与所述存储单元阵列耦合，被配置为执行如权利要求1至10任一项所述的操作方法。12.一种存储系统，其特征在于，包括：一个或多个如权利要求11所述的存储设备；控制器，耦合至所述存储设备并且被配置为控制所述存储设备。
技术总结
本公开实施例公开了一种存储设备及其操作方法、存储系统。所述操作方法包括：对目标态范围为第i态至第i+k态的存储单元执行第一编程操作，同时对目标态范围为第i+k+1态至第m态的存储单元执行第一编程禁止操作；其中，i+k+1小于或等于m，i为正整数，k为自然数，m为大于1的正整数；对目标态范围为第i+k+1态至第i+k+j态的存储单元执行第二编程操作，同时对目标态范围为第i+k+j+1态至第m态的存储单元执行第二编程禁止操作；其中，第二编程操作在第一编程操作之后执行，第二编程操作的编程电压大于第一编程操作的编程电压；i+k+j+1小于或等于m，j为正整数。j为正整数。j为正整数。
技术研发人员：赵利川 杜智超 王瑜
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2022.10.08
技术公布日：2023/3/14