1.一种半导体器件的失效分析方法，其特征在于，所述半导体器件包含数据存储阵列，所述数据存储阵列包括多个扇区，每个所述扇区包含多个存储单元，所述失效分析方法至少包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的半导体器件的失效分析方法，其特征在于，在修改芯片cp测试的配置文件之后，且在获取所述目标晶圆的芯片cp测试数据之前，所述失效分析方法还包括：对所述目标晶圆进行芯片cp测试。
3.如权利要求2所述的半导体器件的失效分析方法，其特征在于，在获取所述目标晶圆的芯片cp测试数据之后，所述失效分析方法还包括：
4.如权利要求3所述的半导体器件的失效分析方法，其特征在于，根据所述芯片cp测试数据中的失效存储单元的数量和地址信息，确定所述目标晶圆上所存在的失效类别的步骤，包括：
5.如权利要求4所述的半导体器件的失效分析方法，其特征在于，所述失效分析方法还包括：
6.如权利要求4所述的半导体器件的失效分析方法，其特征在于，所述失效类别包括控制栅短接、字线/控制栅的引出金属线短接、位线的引出金属线短接、源线接触不良以及金属插塞接触不良中的至少一种。
7.如权利要求6所述的半导体器件的失效分析方法，其特征在于，若获取的所述失效存储单元的地址信息只包含同一扇区的多行行地址失效，则该失效存储单元的失效类别为控制栅短接。
8.如权利要求6所述的半导体器件的失效分析方法，其特征在于，若获取的所述失效存储单元的地址信息包含属于不同扇区的相邻两行行地址失效，则该失效存储单元的失效类别为字线/控制栅的引出金属线短接。
9.如权利要求6所述的半导体器件的失效分析方法，其特征在于，若获取的所述失效存储单元的地址信息为成对共源线的地址信息或成对共位线的地址信息，则该失效存储单元的失效类别为源线接触不良或金属插塞接触不良。
10.如权利要求1所述的半导体器件的失效分析方法，其特征在于，所述半导体器件为flash产品。
11.一种半导体器件的失效分析系统，其特征在于，所述半导体器件包含数据存储阵列，所述数据存储阵列包括多个扇区，每个所述扇区包含多个存储单元，所述失效分析系统包括：