存储阵列的外部存储器中。当上电复位后即获取衰退模型的位置，也即是确定衰退模型预先存储的那个位置。
[0063]优选的，本实施例中，衰退模型的位置为存储阵列中预设存储块。也即是，将衰退模型的位置固化存储在存储阵列中预设存储块上。
[0064]步骤102、确定衰退模型的位置后，获取衰退模型的数据。
[0065]衰退模型的数据是指衰退模型中存储的每次擦除次数和相应擦除次数存储单元的阈值电压的映射关系；例如可以是擦除时的实际阈值电压和擦除时的理想阈值电压的差值的映射关系时，则衰退模型的数据是指每次擦除次数和每次擦除次数时实际阈值电压和理想阈值电压的差值。
[0066]步骤103、将衰退模型的数据存入RAM中。
[0067]随机存储器(random access memory, RAM)存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器，并具有高速的存取与读取速度。当上电复位后，获取衰退模型的数据后为实现衰退模型数据的实时的读取，本步骤中将衰退模型的数据存入RAM中。
[0068]步骤104、判断预擦除位置是否存入衰退模型。
[0069]NAND型FLASH的擦除是将FLASH中存储的数据擦除掉，进而实现对数据的重新编程。对单个存储单元而言，也即通过在存储单元施加擦除电压使得浮动栅极的电荷流出。在擦除NAND型FLASH时，因FLASH里的数据被完全擦除掉，如果预擦除位置存储有衰退模型，则衰退模型的数据也将同时被擦除掉。因此，需要在擦除之前判断预擦除位置是否存入衰退模型。
[0070]优选的，本实施例中预擦除位置是存储阵列中的存储块。因对NAND型FLASH的擦除是以块为单位进行的，并且在多数情况下衰退模型也存储在存储阵列的存储块中。因此，以存储块作为判断对象更能准确的判断擦除前衰退模型的位置。
[0071]步骤105、当预擦除位置未存入衰退模型，根据衰退模型的数据调整相应的擦除方式进行擦除。
[0072]当预擦除位置中未存入衰退模型，则此时在擦除后不需要再对预擦除位置进行处理，将衰退模型重写编程到预擦除位置；进而直接根据获取的衰退模型的数据调整相应的擦除方式对预擦除位置进行擦除。
[0073]优选的，本实施例中，根据衰退模型的数据调整擦除时的擦除电压。具体的，本实施例中，当每次进行擦除时，获取擦除的次数，根据擦除的次数在衰退模型中的映射关系。当衰退模型的数据是指擦除时的阈值电压和理想阈值电压的差时，则此时根据擦除次数获取衰退模型的数据后调整擦除时的擦除电压，以补充擦除时存储单元的阈值电压和理想阈值电压的差值。
[0074]进一步的，本实施例中，还包括:当预擦除位置存入衰退模型，根据衰退模型的数据调整相应的擦除方式对预擦除位置进行擦除后，将衰退模型的数据编程回预擦除位置。
[0075]当预擦除位置存入了衰退模型，根据衰退模型调整后的擦除方式完成对存入衰退模型的预擦除位置的擦除操作后，将衰退模型再编程存入原来的预擦除位置。以此，在对存入衰退模型的预擦除位置进行擦除完成后，再次将衰退模型存入预擦除位置，使得衰退模型并不会因为每次擦除操作而消失。进而，在下次上电复位后能够再次读取衰退模型的数据调整擦除操作，保证存入NAND型FLASH的衰退模型能够反复使用的同时，也进一步提高了 NAND型FLASH进行擦除操作时的可靠性。
[0076]本发明实施例提供的NAND型FLASH的擦除方法，根据NAND型FLASH内存入的衰退模型，在擦除时根据衰退模型的数据调整相应的擦除方式对NAND型FLASH进行擦除。因此本发明实施例提供的擦除方法根据衰退模型存入的数据调整擦除方式进行擦除，补偿了在擦除时存储单元因干扰因素的影响而造成的存储单元阈值电压的变化；实现了有效的擦除操作，提升NAND型FLASH的可靠性，保证了 NAND型FLASH数据保持的完整性、耐久力及抗干扰性。
[0077]图2示出的是本发明实施例二中NAND型FLASH擦除方法流程示意图；参照图2，本实施例中NAND型FLASH擦除方法包括:
[0078]步骤201、在NAND型FLASH上电复位后，读取预设的衰退模型的标志。
[0079]衰退模型的标志是指在NAND型FLASH中指明衰退模型存储位置的标志，其中，标志包含着衰退模型的位置信息等。在NAND型FLASH存储阵列上电复位后，首先读取预设的衰退模型的标志。
[0080]步骤202、根据衰退模型的标志，确定衰退模型的位置。
[0081]当读取衰退模型的标志后，根据衰退模型的标志中存放的衰退模型的位置等信息，确定衰退模型的位置。
[0082]步骤203、获取衰退模型的数据。
[0083]步骤204、将衰退模型的数据存入RAM中。
[0084]步骤205、判断擦除位置是否存入衰退模型。
[0085]步骤206、当擦除位置未存入衰退模型，根据所述衰退模型的数据调整相应的擦除方式对擦除位置进行擦除。
[0086]本发明实施里提供的NAND型FLASH的擦除方法，根据NAND型FLASH内存入的衰退模型，在擦除时根据衰退模型的数据调整相应的擦除方式对NAND型FLASH进行擦除。因此本发明实施例提供的擦除方法根据衰退模型存入的数据调整擦除的方式进行擦除，补偿了在擦除时存储单元因干扰因素的影响而造成的存储单元阈值电压的变化；实现了有效的擦除操作，提升NAND型FLASH的可靠性，保证了 NAND型FLASH数据保持的完整性、耐久力及抗干扰性。
[0087]图3示出的是本发明实施例三中NAND型FLASH编程方法流程示意图；本实施例的实施也是以已建立的衰退模型为基础的。参照图3，本实施例中NAND型FLASH编程方法包括:
[0088]步骤301、在NAND型FLASH电复位后，确定衰退模型的位置。
[0089]在具体应用中NAND型FLASH往往应用于闪存盘及数码电子设备的存储卡中等。在NAND型FLASH上电复位后，为利用存储在NAND型FLASH存储阵列中的衰退模型对每次编程进行补偿，增强其可靠性，则需要确定衰退模型的存储位置。
[0090]具体的，衰退模型可以存储在在NAND型FLASH存储阵列的预设存储块中，也可以将衰退模型分别存储分散存储在存储块中，还可以将衰退模型存储在NAND型存储阵列的外部存储器中。当上电复位后即获取衰退模型的位置，也即是确定衰退模型预先存储的那个位置。
[0091]优选的，本实施例中，衰退模型的位置为存储阵列中预设存储块。也即是，将衰退模型的位置固化存储在存储阵列中预设存储块上。
[0092]步骤302、确定衰退模型的位置后，获取衰退模型的数据。
[0093]衰退模型的数据是指衰退模型中存储的每次编程次数和相应阈值电压状态的映射关系。例如，阈值电压是编程时的实际阈值电压和编程时的理想阈值电压的差值的映射关系时，则衰退模型的数据是指每次编程次数和每次编程次数时实际阈值电压和理想阈值电压的差值。
[0094]步骤303、将衰退模型的数据存入RAM中。
[0095]随机存储器(random access memory, RAM)存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器，并具有高速的存取与读取速度。当上电复位后，获取衰退模型的数据后为实现衰退模型数据的实时的读取，本步骤中将衰退模型的数据存入RAM中。
[0096]步骤304、根据所述衰退模型的数据调整相应的编程方式对存储阵列进行编程。
[0097]本实施例中，根据衰退模型的数据调整编程时的编程电压。具体的，本实施例中，当每次进行编程时，获取编程的次数，根据编程的次数在衰退模型中的映射关系。当衰退模型的数据是指编程时的阈值电压和理想阈值电压的差时，则此时根据编