， 最优选为0。作为一个例子，将记录层14的折射率nl设为1. 565,将第二中间层15B的折 射率n3设为1.564。此时，第二界面18B处的反射率（〇13-111)八113+111)) 2几乎为0。
[0077] 另一方面，记录层14的折射率和第一中间层15A的折射率彼此不同，可以适当设 置两者的折射率的差。由此，第一界面18A中，折射率的急剧变化导致的读出光的反射成为 可能。更详细而言，记录层14和第一中间层15A的折射率的差比记录层14和第二中间层 15B的折射率的差更大，且优选为0. 11以下。具体而言，在将第一中间层15A的折射率设 为n2时，记录层14的折射率和第一中间层15A的折射率优选在满足0. 0005 f ((n2-nl)/ (n2+nl))2兰0.04的程度上，即在第一界面18A处的反射率为0.0005(0. 05 % )以上 0.04(4%)以下的程度上不同。
[0078] 通过使反射率为0. 0005以上，可使第一界面18A处的反射光量增大，从而使在信 息再现时S/N比增大。另外，通过使反射率为0. 04以下，将第一界面18A处的反射光量抑 制在适当的大小，从而在记录时和再现时记录读出光能到达深处的记录层14而不会受到 大的衰减。由此，可以设置多个记录层14从而谋求大容量化。作为一个例子，将记录层14 的折射率nl设为1. 565,将第一中间层15A的折射率n2设为1. 477。此时，第一界面18A 处的反射率（(n2-nl) An2+nl))2为 0? 0008 (0? 08 % )。
[0079] 通过如上对记录层14和各中间层15的折射率进行调节，能够提高第一界面18A 和第二界面18B的光的总透过率，因此在记录层14为多层的情况下，光能够一直到达从记 录读出光的照射侧观察的深处的记录层14。这对通过多层化来增大记录容量是有利的。特 别是，本实施方案中，通过使记录层14的折射率与第二中间层15B的折射率大致相同，第二 界面18B处光的反射率实质上为0,因此光能够一直到达更深处的记录层14,这对通过多层 化来增大记录容量是进一步有利的。
[0080] 在调节记录层14和中间层15的折射率时，可以调节用于记录层14和中间层15 的材料的组成。
[0081] 具体而言，记录层14的材料中，含有高分子粘结剂和染料，因此通过适当地选择 高分子粘结剂和染料的折射率并改变各自的组成比率，可以任意地调节折射率。另外，高分 子粘结剂即使具有类似的基本结构，聚合度不同的话则折射率也会变化，因此，通过使用聚 合度不同的高分子粘结剂，或者调节高分子粘结剂的聚合度，也能调节折射率。此外，也可 以通过混合多种高分子粘结剂来进行调节。另外，也可以添加折射率调节剂（无机微粒等） 来调节折射率。
[0082] 另外，在调节中间层15的折射率的情况下，通过调节可用作中间层15的材料的树 脂等聚合物材料的聚合度，可以调节折射率。另外，将可用作中间层15的材料任意混合来 调节折射率、或者添加折射率调节剂（无机微粒等）来调节也是可以的。
[0083] 覆盖层16是为了保护记录层14及中间层15而设置的层，由可透过记录光或读出 光、再现光的材料构成。覆盖层16以数十ym~数mm的适当的厚度设置。
[0084] 接着，对在如上所述的多层光学信息记录盘10上记录?再现信息的方法进行说 明。
[0085] 对所需的记录层14记录信息时，如图2所示，将根据要记录的信息而调制输出的 激光（记录光RB)照射在该记录层14上。作为一例，该激光的波长为405nm。另外，在记 录层14具有多光子吸收化合物作为记录染料的情况下，对于该激光也可以使用可增大峰 值功率的脉冲激光。而且，记录光RB的焦点的位置没有特别限定，但也可以设为第一界面 18A附近，优选比第一界面18A更靠记录层14侧。
[0086] 记录光RB照射时，记录光RB照射位置的中心由记录层14向第一中间层15A形成 凸出形状的记录记号M(凹陷）。关于图2所示的记录记号M，详细地说，中央为凸出部分 Ml，该凸出部分Ml的周围为朝向记录层14的环状凹陷部分M2。凹陷部分M2的最深部分与 第一界面18A(变形前的第一界面18A)的距离比凸出部分Ml的顶点与第一界面18A(变形 前的第一界面18A)的距离小。即，记录记号M整体上可以说大约是凸出形状。需要说明的 是，根据记录条件，记录记号有时仅由凸出部分Ml形成，而未形成凹陷部分M2。
[0087] 如图3所示，将读出光0B以连续波激光照射在记录记号M时，由于记录层14的折 射率与第一中间层15A的折射率存在差异，第一界面18A处读出光0B发生反射。此时，记 录记号M的周围的第一界面18A与记录记号M处的反射光的强度产生差异，因此可以通过 该反射率的不同来检测记录记号M。需要说明的是，由于记录层14的折射率在记录的前后 没有变化，因此读出光0B的反射不会发生在记录层14的内部，而只会发生在第一界面18A 处，因此可稳定地检测记录记号M。为了这样的光学检测，优选的是，凸出部分Ml相对于变 形前的界面（第一界面18A)突出1~300nm左右。
[0088] 本实施方案中，记录记号M在凸出部分Ml的周围形成有凹陷部分M2,因此，据认 为，用于读取记录记号M的读出光0B照射在记录记号M处时，与仅有凸出部分Ml的情况相 比，记录记号M导致的反射光的强度分布随着与凸出部分Ml的中央的距离而急剧变化，并 且能够以高调制度进行读取。
[0089] 在以上说明的本实施方式的多层光学信息记录盘10中，在各记录层14上形成了 用于进行跟踪伺服的凹槽14A，因此，可以利用一个激光（记录读出光）进行跟踪和记录再 现。由此，可以使用与现有的光学信息记录盘用的记录再现装置相同的光学系统进行信息 的记录或再现。另外，通过使各记录层14具有用于进行跟踪伺服的凹槽14A，可以再现性良 好地追踪记录层14的轨迹。由此，例如，在记录到一个记录层14的中途的情况下，在该记 录层14内继续进行记录变得容易。
[0090]〈多层光学信息记录盘的制造方法〉
[0091] 下面，列举两个例子分别说明制造本实施方式的多层光学信息记录盘10的优选 的方法。
[0092][制造方法的第一例]
[0093] 第一例中，如图4(a)所示，首先，在第一剥离片材21的涂布有剥离剂的面上形成 第二中间层15B。具体而言，第二中间层15B(例如）可以通过以下方式形成：将紫外线固 化性树脂涂布于第一剥离片材21上，并照射紫外线使之固化。需要说明的是，在第一剥离 片材21上涂布剥离第一剥离片材21时的力比剥离后述的第二剥离片材22时的力更弱那 样的剥离性能高的剥离剂。另外，本发明中，各层的材料的涂布方法没有特别限定，例如可 以米用：旋涂法、刮刀涂布法、棍涂法、棒涂法、刮板涂布法、模涂法、凹版涂布法等。
[0094] 接着，在第二中间层15B上形成记录层14。具体而言，记录层14可以通过以下方 式形成：将高分子粘结剂和染料溶解于溶剂中得到的液体涂布于第二中间层15B上，通过 干燥等使之固化。
[0095] 接着，在记录层14的表面上通过热压印形成凹槽14A，由此，得到第一片材S1。具 体而言，在该工序中，首先，如图4(b)所示，以预定的压力将加热成预定温度的热压印用的 模31按压至记录层14的表面。接着，冷却记录层14,然后，从记录层14剥离模31，由此， 如图4(c)所示，可以在记录层14的表面上形成凹槽14A。
[0096]在模31上形成有将形成于记录层14的表面的凹槽14A的形状反转的凸出部分。 需要说明的是，在本发明中，模的形成方法没有特别限定，例如可以采用：使用镍等金属材 料且通过电铸形成的方法，或对镍或石英、硅等材料涂布抗蚀剂且进行压印之后，进行蚀刻 从而形成凹凸的方法等。
[0097] 在记录层14的热压印时，在将记录层14的玻璃化转变温度设为Tg[°C ]情况下， 优选将模31加热至Tg±25°C。另外，在记录层14的热压印时，优选模31以0.1 MPa以上的 压力按压至记录层14,更优选以IMPa以上的压力按压。
[0098] 接着，如图5(a)所示，在与第一剥离片材21分开准备的第二剥离片材22的涂布 有剥离剂的面上形成第一中间层15A，得到第二片材S2。具体而言，第一中间层15A通过在 第二剥离片材22上涂布粘合剂而形成。需要说明的是，在本发明中，第一片材S1和第二片 材S2的制作顺序没有特别限定。
[0099] 接着，通过贴合第一片材S1的记录层14和第二片材S2的第一中间层15A，在第一 片材S1上层叠第二片材S2,在记录层14的形成有凹槽14A的面上形成第一中间层15A，从 而得到如图5(b)所示的第三片材S3。
[0100] 接着，如图5(c)所示，从第三片材S3除掉第一剥离片材21，使第二中间层15B露 出。如上所述，第一剥离片材21比第二剥离片材22更易于剥离，因此，可以在不剥离第二 剥离片材22的情况下，只良好地除掉第一剥离片材21。而且，如图5(d)所示，在露出的第 二中间层15B上形成新的记录层14。
[0101] 接着，如图6(a)、（b)所示，在新形成的记录层14(露出的记录层14)的表面上通 过热压印形成凹槽14A，由此，得到作为多层片材的第四片材S4。本工序中的热压印的具体 的方法与得到上述第一片材S1的工序的情况相同，但在按压模31时，调整模31的位置，以 使现在要形成的凹槽14A的位置和在得到第一片材S1的工序中形成的凹槽14A的位置优 选在径方向上以25 ym以内的精度重合。
[0102] 将以上得到的第四片材S4卷成卷筒状保管，使用时，抽出需要的比例。
[0103] 接着，如图7(a)所示，准备基板11，在该基板11上形成第一中间层15A(粘合剂 层）。另一方面，将卷成卷筒状的第四片材S4抽出，按照基板11的形状进行