专利名称：具有薄膜的堆叠半导体及薄膜制造方法
技术领域：
本发明属于堆叠半导体及其辅助材料的制造方法，特别是一种具有薄膜的堆叠半导体及薄膜制造方法。
在科技的领域，各项科技产品皆以轻、薄、短小为开发宗旨。因此，对于积体电路的体积系越小越理想，更可符合产品的需求。而以往积体电路即使体积再小，亦只能并列式地电连接于电路板上，而在有限的电路板面积上，并无法将积体电路的容置数量有效地提升，致使产品达到更为轻、薄、短小的宗旨，将有其困难之处。
因此，将若干个半导体晶片予以叠合使用，可达到轻、薄、短小的宗旨。然而，将若干个半导体晶片叠合时，上层半导体晶片将会压到下层半导体晶片的导线，使该导线与下层半导体晶片表面形成电性接触，以致将影响到下层半导体晶片的讯号传递。
如
图1所示，习知的堆叠半导体晶片组包括有基板10、下层半导体晶片12、上层半导体晶片14、复数条导线16及隔离层18。下层半导体晶片12系设于基板10上，上层半导体晶片14系藉由隔离层18叠合于下层半导体晶片12上方，使下层半导体晶片12与上层半导体晶片14形成适当之间距20，如此，复数条导线16即可电连接于下层半导体晶片12边缘，上层半导体晶片14叠合于下层半导体晶片12上时，不致于压损复数条导线16或使复数条导线16与下层半导体晶片12形成短路。
然而，此种结构在制造上必须先制作隔离层18，再将其黏著于下层半导体晶片12上，而后再将上层半导体晶片14黏著于隔离层18上，故，其制造程序较为复杂，生产成本较高。
再者，若下层半导体晶片12的焊垫形成于中央部位时，则并无法以上述的方法实施堆叠。
如图2所示，当焊垫22形成于下层半导体晶片23的中央部位时，上层半导体晶片24将会压到导线25，使导线25接触到下层半导体晶片23边缘，以致造成电讯的传递不佳或短路的现象。
本发明的目的是提供一种电传递性能好、制造方便、成本低的具有薄膜的堆叠半导体及薄膜制造方法。
本发明薄膜制造方法，它包括下列步骤制作框架制作成具有上表面、下表面及于中间设有镂空区域的框架；固定第一覆盖层将第一覆盖层固定于框架的下表面上，以将框架的镂空区域底部覆盖住；设置薄膜将待切割的薄膜设于框架的镂空区域内，并附著于第一覆盖层上；切割薄膜以切割刀具将薄膜切割成适当尺寸的薄膜片。
本发明具有薄膜的堆叠半导体，它包括基板、具有上、下表面的下层半导体晶片、复数条导线、上层半导体晶片及两薄膜片；基板具有分别形成讯号输入、输出端的第一、二表面；下层半导体晶片具有固定于基板第一表面的下表面及中央部位形成若干焊垫的上表面；复数条导线两端分别连接于下层半导体晶片焊垫及基板第一表面的讯号输入端；上层半导体晶片置于下层半导体晶片上表面并与其呈堆叠状；两薄膜片位于上、下层半导体晶片之间，并黏设于下层半导体晶片上表面两侧。
其中薄膜黏设于第一覆盖层上。
切割薄膜步骤中仅将薄膜切割至适深度，而第一覆盖层则未被切割，以使切割后的薄膜仍整体黏著于第一覆盖层上。
切割薄膜前尚包括固定第二覆盖层，将第二覆盖层固定于框架上表面，以将镂空区域的上表面覆盖住，使位于镂空区域内的薄膜被第一覆盖层及第二覆盖层包覆住。
薄膜黏设于第一覆盖层上的一面设有黏著剂。
薄膜被第二覆盖层包覆的一面设有藉以黏著于第二覆盖层上的黏著剂。
下层半导体晶片焊垫处涂敷有将上层半导体晶片黏著固定于下层半导体晶片上的黏著剂。
上层半导体晶片与基板第一表面讯号输入端之间电连接有复数条导线。
基板第一表面上设有包覆上、下层半导体晶片及复数条导线的封装层。
由于本发明薄膜制造方法包括制作具有上表面、下表面及于中间设有镂空区域的框架、于框架的下表面上固定覆盖框架的镂空区域底部的第一覆盖层、将待切割的薄膜设于框架的镂空区域内并附著于第一覆盖层上及以切割刀具将薄膜切割成适当尺寸的薄膜片。本发明具有薄膜的堆叠半导体包括具有分别形成讯号输入、输出端的第一、二表面的基板、上表面中央形成焊垫的下层半导体晶片、复数条导线、堆叠于下层半导体晶片上表面的上层半导体晶片及位于上、下层半导体晶片之间，并黏设于下层半导体晶片上表面两侧两薄膜片。具有薄膜的堆叠半导体可使上层半导体晶片叠合于下层半导体晶片上时，藉由薄膜，使电连接于下层半导体晶片的复数条导线与下层半导体晶片隔离，使上层半导体晶片虽压着复数条导线，亦不会导致复数条导线与下层半导体晶片形成电性接触而产生短路或压损的现象；薄膜制造方法，可快速地将薄膜切割成适当的规格的薄膜片，以供将半导体晶片堆叠时组成堆叠半导体使用，在制造上相当的便利。不仅电传递性能好，而且制造方便、成本低，从而达到本发明的目的。
图1、为习知堆叠半导体结构示意剖视图。
图2、为习知堆叠半导体结构示意剖视图(焊垫位于下层半导体晶片中央部位)。
图3、为本发明薄膜制造方法示意图。
图4、为本发明薄膜制造方法示意图。
图5、为本发明薄膜制造方法示意图。
图6、为本发明具有薄膜的堆叠半导体结构示意剖视图。
下面结合附图对本发明进一步详细阐述。
如图3、图4、图5所示，本发明薄膜制造方法包括下列步骤制作框架如图3所示，制作成具有上表面30、下表面32及于中间设有镂空区域28的框架26。
固定第一覆盖层如图4所示，将第一覆盖层34固定于框架26的下表面32上，以将框架26的镂空区域28底部覆盖住。
设置薄膜如图4所示，将适当大小的两面皆有黏著性待切割的薄膜36设于框架26的镂空区域28内，并附著于第一覆盖层34上，薄膜36两面皆具有黏著剂，使其可黏著于第一覆盖层34上。
固定第二覆盖层如图4所示，将第二覆盖层38固定于框架26上表面30，以将镂空区域28的上表面30覆盖住，使位于镂空区域28内的薄膜36被第一覆盖层34及第二覆盖层38包覆住，且藉由薄膜36两面的黏著性，令薄膜36黏著固定于第一覆盖层34及第二覆盖层38之间。
切割薄膜如图5甩示，将框架26固定住，并以切割刀具将薄膜36切割成适当尺寸的薄膜片58，此时，第二覆盖层38连同薄膜36一同被切割，且将薄膜36切割至适深度，而第一覆盖层34则未被切割，如此使切割后的薄膜36仍整体黏著于第一覆盖层34上。
以相对应规格尺寸的薄膜片58用于将半导体晶片黏设于基板上，或堆叠半导体晶片封装时黏设于下层半导体晶片上，使上层半导体晶片堆叠于下层半导体晶片时，不致因压到电连接于下层半导体晶片上的导线，使导线与下层半导体晶片形成短路或讯号传递不良的情形。
如图6所示，本发明具有薄膜的堆叠半导体包括基板40、下层半导体晶片50、两薄膜片58、复数条导线60及上层半导体晶片62。
基板40具有第一表面42及第二表面44，第一表面42设有讯号输入端46，第二表面44形成有讯号输出端48，讯号输出端48为用以电连接于印刷电路板上的球栅阵列金属球。
下层半导体晶片50设有下表面52及上表面54，下表面52系固定于基板40的第一表面42上，上表面54中央部位形成有若干个焊垫56，并于焊垫56处涂敷有将上层半导体晶片62黏著固定于下层半导体晶片50上的黏著剂。
两薄膜片58系分别黏设于下层半导体晶片50的上表面54两侧。
复数条导线60的一端电连接于下层半导体晶片50的焊垫56上，另一端电连接于基板40的讯号输入端46。
上层半导体晶片62系固定于下层半导体晶片50的上表面54，以与下层半导体晶片50形成堆叠。上层半导体晶片62与基板40第一表面42讯号输入端46之间电连接有复数条导线。
基板40的第一表面42上设有一封装层55，用以将下层半导体晶片62及上层半导体晶片62包覆住，以保护复数条导线60。
如此，当上层半导体晶片62堆叠于下层半导体晶片50上因而压到复数条导线60时，即可藉由薄膜片58的阻隔，使复数条导线60不会与下层半导体晶片50直接接触，因此，导线60与下层半导体晶片50不会有短路或讯号传递不良的情形。
本发明具有如下优点1、本发明具有薄膜的堆叠半导体可使上层半导体晶片62叠合于下层半导体晶片50上时，藉由薄膜52，使电连接于下层半导体晶片50的复数条导线60与下层半导体晶片50隔离，使上层半导体晶片62虽压着复数条导线60，亦不会导致复数条导线60与下层半导体晶片50形成电性接触而产生短路或压损的现象。
2、本发明薄膜制造方法，可快速地将薄膜切割成适当的规格的薄膜片，以供将半导体晶片堆叠时组成堆叠半导体使用，在制造上相当的便利。
权利要求
1.一种薄膜制造方法，其特征在于它包括下列步骤制作框架制作成具有上表面、下表面及于中间设有镂空区域的框架；固定第一覆盖层将第一覆盖层固定于框架的下表面上，以将框架的镂空区域底部覆盖住；设置薄膜将待切割的薄膜设于框架的镂空区域内，并附著于第一覆盖层上；切割薄膜以切割刀具将薄膜切割成适当尺寸的薄膜片。
2.根据权利要求1所述的薄膜制造方法，其特征在于所述的薄膜黏设于第一覆盖层上。
3.根据权利要求1所述的薄膜制造方法，其特征在于所述切割薄膜步骤中仅将薄膜切割至适深度，而第一覆盖层则未被切割，以使切割后的薄膜仍整体黏著于第一覆盖层上。
4.根据权利要求1所述的薄膜制造方法，其特征在于所述的切割薄膜前尚包括固定第二覆盖层，将第二覆盖层固定于框架上表面，以将镂空区域的上表面覆盖住，使位于镂空区域内的薄膜被第一覆盖层及第二覆盖层包覆住。
5.根据权利要求1或2所述的薄膜制造方法，其特征在于所述的薄膜黏设于第一覆盖层上的一面设有黏著剂。
6.根据权利要求4所述的薄膜制造方法，其特征在于所述的薄膜被第二覆盖层包覆的一面设有藉以黏著于第二覆盖层上的黏著剂。
7.一种具有薄膜的堆叠半导体，它包括基板、具有上、下表面的下层半导体晶片、复数条导线及上层半导体晶片；基板具有分别形成讯号输入、输出端的第一、二表面；下层半导体晶片具有固定于基板第一表面的下表面及中央部位形成若干焊垫的上表面；复数条导线两端分别连接于下层半导体晶片焊垫及基板第一表面的讯号输入端；上层半导体晶片置于下层半导体晶片上表面并与其呈堆叠状；其特征在于所述的下层半导体晶片上表面两侧黏设有位于上、下层半导体晶片之间的两薄膜片。
8.根据权利要求7所述的具有薄膜的堆叠半导体，其特征在于所述的下层半导体晶片焊垫处涂敷有将上层半导体晶片黏著固定于下层半导体晶片上的黏著剂。
9.根据权利要求7所述的具有薄膜的堆叠半导体，其特征在于所述的上层半导体晶片与基板第一表面讯号输入端之间电连接有复数条导线。
10.根据权利要求7所述的具有薄膜的堆叠半导体，其特征在于所述的基板第一表面上设有包覆上、下层半导体晶片及复数条导线的封装层。
全文摘要
一种具有薄膜的堆叠半导体及薄膜制造方法。为提供一种电传递性能好、制造方便、成本低的堆叠半导体及其辅助材料的制造方法,提出本发明,其薄膜制造方法包括制作设有镂空区域的框架、固定第一覆盖层、于框架的镂空区域设置薄膜及将薄膜切割成薄膜片;其具有薄膜的堆叠半导体包括基板、上表面中央形成焊垫的下层半导体晶片、复数条导线、堆叠于下层半导体晶片上表面的上层半导体晶片及黏设于下层半导体晶片上表面两侧两薄膜片。
文档编号H01L23/48GK1372310SQ0110422
公开日2002年10月2日 申请日期2001年2月26日 优先权日2001年2月26日
发明者蔡孟儒, 彭镇滨, 叶乃华, 吴志成, 王志峰, 李文赞 申请人:胜开科技股份有限公司