专利名称：半导体激光器装置的制造方法及半导体激光器装置的制作方法
发明的详细说明[发明所属的技术领域]本发明涉及半导体激光器装置的制造方法和半导体激光器装置，特别是涉及光盘系统或光通信中的混合型多光束半导体激光器装置的制造方法和该半导体激光器装置。以往，波长为780nm波段和650nm波段的双波长半导体激光器装置，是以约100-150nm的光束间隔，横向并列配置组合而成的。
图11示出了以往的双波长半导体激光器装置中的J-Down(junction-side-down结面朝下)组合场合的结构之一例。
在图11中，符号1是块状底座，2是次安装座，使用热导率高、线膨胀系数尽可能与半导体激光器装置相等的材料，以使没有热应力施加于半导体激光器装置上。符号3是半导体激光器装置1，4是半导体激光器装置2，5a、5b、5c是为对半导体激光器装置1(3)或半导体激光器装置2(4)进行布线的引线，6是具有能使从半导体激光器装置1(3)或半导体激光器装置2(4)发出的激光的模式稳定的有狭窄结构的条，7是半导体激光器装置1(3)或半导体激光器装置2(4)的衬底，8是从半导体激光器装置1(3)或半导体激光器装置2(4)发出的激光的发光点。
如图11所示，在J-Down组合的场合，半导体激光器装置1(3)或半导体激光器装置2(4)的衬底7一侧在图1中处于上方。而条6一侧以在图1中处于下方的形式粘结(键合)到次安装座2上。因此，如发光点8的位置所示，激光从半导体激光器装置1(3)或半导体激光器装置2(4)的下侧发出。衬底7一侧的2个元件的引线5a的任何一条都键合在衬底7一侧。从半导体激光器装置1(3)或半导体激光器装置2(4)的条6一侧的电极引出的、引线键合在次安装座2上的构图并金属化部分上的引线5b、5c分别连接到各个封装壳的不同管脚上，以使可分别驱动。半导体激光器装置1(3)和半导体激光器装置2(4)的间隔L1，即芯片与芯片的间隔L1最低限度必须为20～30μm。
图12示出了现有的双波长半导体激光器装置中的J-Up(junction-side-up结面朝上)组合场合的结构之一例。在图12中，与图11有相同符号的部位指相同的要素，因而说明从略。如图12所示，半导体激光器装置1(3)和半导体激光器装置2(4)的间隔L1，即芯片与芯片的间隔L1，最低限度必须是20～30μm的间距。半导体激光器装置1(3)或半导体激光器装置2(4)的条6一侧在图2中处于上方。另一方面，衬底7一侧在图2中处于下方，粘结(键合)到次安装座2上。因此，如发光点8的位置所示，激光从半导体激光器装置1(3)或半导体激光器装置2(4)的上方发出。条6一侧的2条引线5a分别连接到各个封装壳的不同管脚上，以使可分别驱动，衬底7一侧有共同的极性。在图2的场合，半导体激光器装置1(3)和半导体激光器装置2(4)的间隔L1，即芯片与芯片的间隔L1最低限度必须是20～30μm。如上所述，在现有的组合方法中，半导体激光器装置(芯片)和半导体激光器装置(芯片)的间隔最低限度必须为20～30μm。要想使发光点8的相互间隔L2变得更窄，就不得不将发光点的位置放置得更靠近芯片的分离端。其结果成为了在芯片分离时，或芯片损缺，或发生破裂，因而使成品率降低的重要原因。由于散热不良，所以存在使发光点8的相互间距L2变窄有困难的问题。进而，由于是一个芯片一个芯片地进行键合，所以存在易发生两束激光束的相对角度偏离的问题。
因此，本发明的目的就是为了解决上述问题而做的，在于提供即使发光点的相互间隔变窄，在芯片分离时，也没有芯片损缺或破裂而致使成品率下降的情况发生、并且不存在散热不良的半导体激光器装置的制造方法和半导体激光器装置。
进而，本发明的目的还在于提供能抑制两束激光光束的相对角度发生偏离的半导体激光器装置的制造方法和半导体激光器装置。本发明的半导体激光器装置的制造方法的特征在于，它包括将多个激光器棒用设定的重叠方法进行上下重叠的重叠工序；将上下重叠的多个半导体激光器棒的各解理端面对齐在设定平面上的工序；以及将解理端面在设定平面上对齐了的各半导体激光器棒相互键合的工序。
这里，在本发明的半导体激光器装置的制造方法中，上述重叠工序中设定的重叠方法，可以是使各半导体激光器棒中形成条的一侧的面处于上方或下方的某一方进行对齐重叠。
这里，在本发明的半导体激光器装置的制造方法中，上述重叠工序中设定的重叠方法，可以是将各半导体激光器棒中形成条的一侧的面相向进行重叠。
这里，在本发明的半导体激光器装置的制造方法中，上述重叠工序可以是在各半导体激光器棒之间夹入设定的散热材料后，将多个半导体激光器棒用设定的重叠方法进行上下重叠。
本发明的半导体激光器装置的制造方法的特征在于，它包括将多个半导体激光器棒用设定的重叠方法进行上下重叠的重叠工序；将上下重叠的多个半导体激光器棒的各解理端面错开设定位置的错开工序；以及将解理端面错开设定位置的各半导体激光器棒相互键合的工序。
这里，在本发明的半导体激光器装置的制造方法中，上述重叠工序中设定的重叠方法，可以是使各半导体激光器棒中形成条的一侧的面处于上方或下方的某一方进行对齐重叠。
这里，在本发明的半导体激光器装置的制造方法中，上述重叠工序中的设定的重叠方法，可以是将各半导体激光器棒中形成条的一侧的面相向进行重叠。
这里，在本发明的半导体激光器装置的制造方法中，上述错开工序中设定的位置，可以通过在上述重叠工序中被重叠的一面的半导体激光器棒的电极图形上预先构制的对准标记图形表示出来。
这里，在本发明的半导体激光器装置的制造方法中，上述重叠工序可以是在各半导体激光器棒之间夹入设定的散热材料后，将多个半导体激光器棒用设定的重叠方法进行上下重叠。
这里，在本发明的半导体激光器装置的制造方法中，上述错开工序中设定的位置，可以通过在上述重叠工序中设定的散热材料上预先设置的对准标记表示出来。
本发明的半导体激光器装置的特征在于，它具有以设定的重叠结构上下重叠、各解理端面在设定的平面上对齐的多个半导体激光器棒相互键合的结构。
这里，在本发明的半导体激光器装置中，上述设定的重叠结构可以做成使各半导体激光器棒中形成条的一侧的面处于上方或下方的某一方进行对齐重叠的结构。
这里，在本发明的半导体激光器装置中，上述设定的重叠结构可以做成使各半导体激光器棒中形成条的一侧的面相向进行重叠的结构。
这里，在本发明的半导体激光器装置中，在各半导体激光器棒之间可以夹有设定的散热材料。
本发明的半导体激光器装置的特征在于，它具有以设定的重叠结构上下重叠、各解理端面错开设定位置的多个半导体激光器棒相互键合的结构。
这里，在本发明的半导体激光器装置中，上述设定的重叠结构可以做成使各半导体激光器棒中形成条的一侧的面处于上方或下方的某一方进行对齐重叠的结构。
这里，在本发明的半导体激光器装置中，上述设定的重叠结构可以做成使各半导体激光器棒中形成条的一侧的面相向进行重叠的结构。
这里，在本发明的半导体激光器装置中，将各解理端面错开的设定的位置，可以通过在上述重叠结构中的被重叠的一面的半导体激光器棒的电极图形上预先构制的对准标记表示出来。
这里，在本发明的半导体激光器装置中，可以在各半导体激光器棒之间夹入设定的散热材料。
这里，在本发明的半导体激光器装置中，将各解理端面错开的设定的位置，可以通过在上述设定的散热材料上预先设置的对准标记表示出来。图1是示出本发明实施例1的半导体激光器装置的结构之一例的图。
图2是本发明实施例1的芯片分离后的结构的示例图。
图3是示出本发明实施例2的半导体激光器装置的结构之一例的图。
图4是本发明实施例2的芯片分离后的结构的示例图。
图5是示出本发明实施例3的半导体激光器装置的结构之一例的图。
图6是本发明实施例3的芯片分离后的结构的示例图。
图7是示出本发明实施例4的半导体激光器装置的结构之一例的图。
图8是本发明实施例4的芯片分离后的结构的示例图。
图9是示出本发明实施例5的半导体激光器装置的结构之一例的图。
图10是示出本发明实施例5的半导体激光器装置的结构之一例的图。
图11是示出现有的双波长半导体激光器装置中的J-Down(结面朝下)组合场合的结构之一例的图。
图12是示出现有的双波长半导体激光器装置中的J-Up(结面朝上)组合场合的结构之一例的图。以下参照附图对各实施例进行详细说明。
实施例1.
图1给出了本发明的实施例1的半导体激光器装置的结构之一例。在图1中，符号21、22是半导体激光器棒，23是半导体激光器棒21或半导体激光器棒22的解理端面(cleaved surface)。这里，所谓半导体激光器棒，系指使多个半导体激光器芯片以非逐一切开的状态而相邻进行端面解理的棒状半导体激光器装置。符号25、25a和25b是条，8是发光点，多个符号26是各半导体芯片的芯片分离位置，27是电极，28是从半导体激光器棒21和半导体激光器棒22发出的激光光束的间隔。在图1中，取半导体激光器棒22重叠的方向为Y轴方向，解理端面为XY平面，激光的光轴为Z轴。
如图1所示，首先，在重叠工序中，用设定的重叠方法将半导体激光器棒21和半导体激光器棒22在Y轴方向上下重叠。其次，将晶体的解理端面23作为基准充作壁面，调整角度使与作为光轴的Z轴平行的XY面成为平面，在设定的平面上对齐。最后用焊料(图中未示出)进行键合工序。解理端面23是对半导体激光器棒21中的条25a或半导体激光器棒22的条25b垂直的面(XY面)。由于将X轴方向上的长度为约数cm的半导体激光器棒21或半导体激光器棒22的整个解理端面23充作壁面，所以两个半导体激光器棒21或半导体激光器棒22的条25a或条25b的相对角度偏离变小。X轴方向的位置调整可以用电极(图形)27对准。光束间距28由晶片(衬底)的厚度或由条25a等的电极27形成的厚度决定，约为数10～100μm。在半导体激光器棒22的电极27上蒸镀上焊料，键合时只要升降温就能进行粘结。
图2示出了本发明的实施例1的芯片分离之后的结构。在图2中，与图1有相同符号的部位指相同的要素，因此，说明从略。在图2中，符号2是次安装座，5是引线，27a是电极。在如图1所示那样进行键合之后，如图2所示，通过切割分离芯片，并如同1个芯片时那样，将其键合在次安装座2上，然后用引线5在各电极27、27a上进行引线键合。这时的公用电极是在两个半导体激光器装置之间进行粘结的电极27a。引线5与各封装壳上的不同管脚相连接，以便能够分别驱动。也可根据需要在绝缘性次安装座上构制引线键合用焊区图形，并在那里接上引线后连接到封装壳上。
按以上所示，依照实施例1，通过用上述半导体激光器装置的制造方法进行组装，即使在发光点8的相互间隔28窄的场合，也没有必要使发光点8接近芯片分离端，因而能够在芯片分离时，不致发生芯片损缺或破裂以及散热不良的问题。进而，由于利用X轴方向的长度约为数cm的半导体激光器棒的整个解理端面进行角度调整，所以能够抑制两激光光束相对角度的偏离。
实施例2.
图3给出了本发明的实施例2的半导体激光器装置的结构之一例。在图3中，与图1有相同符号的部位指相同的要素，故说明从略。在图3中，符号30a、30b是各衬底的厚度。
如图3所示，首先，在重叠工序中，将半导体激光器棒21和半导体激光器棒22，以两者都是条25a、25b处于图3中的下方的形式在Y轴方向进行上下重叠。其次，将晶体的解理端面23作为基准充作壁面，调整角度使与作为光轴的Z轴平行的XY面成为平面，在设定的平面上对齐。最后用焊料(图中未示出)进行键合工序。与实施例1一样，解理端面23是与半导体激光器棒21的条25a或半导体激光器棒22的条25b垂直的面(XY面)。由于将X轴方向上的长度为约数cm的半导体激光器棒21或半导体激光器棒22的整个解理端面23充作壁面，所以两个半导体激光器棒21或半导体激光器棒22的条25a或条25b的相对角度偏离变小。X轴方向的位置调整可以用电极(图形)27对准。两束激光光束的间距28由半导体激光器装置的衬底厚度30a或30b(100μm左右)决定，精度为10μm左右。在半导体激光器棒22的电极27上蒸镀上焊料，键合时只要升降温就能进行粘结。
图4示出了本发明的实施例2的芯片分离之后的结构。在图4中，与图2有相同符号的部位指相同的要素，因此，说明从略。在如图3所示那样进行键合之后，如图4所示，通过切割分离芯片，并如同1个芯片时那样，将其键合在次安装座2上。这时，考虑要对两者进行引线键合，故使谐振腔长度短的激光器的激光处于上方。然后用引线5在各电极27、27a上进行引线键合。这时的公用电极是在两个半导体激光器装置之间进行粘结的电极27a。引线5与各封装壳上的不同管脚相连接，以便能分别驱动。对两个激光器，在厚度30a等的衬底一侧和条25b等一侧的极性关系相同的场合，这两个激光器串联连接。另一方面，在厚度30a等的衬底一侧和条25b一侧的极性关系相反的场合，这两个激光器并联连接。也可根据需要在绝缘性次安装座上构制引线键合用焊区图形，并在那里接上引线后连接到封装壳上。
按以上所示，依照实施例2，通过用上述半导体激光器装置的制造方法进行组装。即使在发光点8的相互间隔28窄的场合，也没有必要使发光点8接近芯片分离端，因而能够在芯片分离时，不致发生芯片损缺或破裂以及散热不良的问题。进而，由于利用X轴方向的长度约为数cm的半导体激光器棒的整个解理端面进行角度调整，所以能够抑制两激光光束相对角度的偏离。
实施例3.
图5给出了本发明实施例3的半导体激光器装置的结构之一例。在图5中，与图1有相同符号的部位指相同的要素，因此，说明从略。
如图5所示，首先，在重叠工序中，将半导体激光器棒21和半导体激光器棒22，以各条25a、25b一侧为粘结面的方式在Y轴方向进行上下重叠。其次，将晶体的解理端面23作为基准充作壁面，调整角度使与作为光轴的Z轴平行的XY面成为平面，在设定的平面上对齐。最后用焊料(图中未示出)进行键合工序。与实施例1一样，解理端面23是与半导体激光器棒21的条25a或半导体激光器棒22的条25b垂直的面(XY面)。由于将X轴方向上的长度为约数cm的半导体激光器棒21或半导体激光器棒22的整个解理端面23充作壁面，所以两个半导体激光器棒21或半导体激光器棒22的条25a或条25b的相对角度偏离变小。X轴方向的位置调整可以用电极(图形)27对准。此两束激光光束的间距由半导体激光器装置的条25等的厚度决定，为约10～20μm。在实施例2的场合，光束间距28依赖于晶片厚度，该晶片厚度由研磨精度决定。但是，本实施例3的条25等的厚度，与研磨相比精度高，约在1μm以下。在半导体激光器棒22的电极27上蒸镀上焊料，键合时只要升降温就能进行粘结。
图6示出了本发明的实施例3的芯片分离之后的结构。在图6中，与图2有相同符号的部位指相同的要素，因此，说明从略。在如图5所示那样进行键合之后，如图6所示，通过切割分离芯片，并如同1个芯片时那样，将其键合在次安装座2上。这时，考虑要对两者进行引线键合，故使谐振腔长度短的激光器的激光处于上方。然后用引线5在各电极27、27a上进行引线键合。这时的公用电极是在两个半导体激光器装置之间进行粘结的电极27a。引线5与各封装壳上的不同管脚相连接，以便能分别驱动。对两个激光器，在衬底一侧和晶体生长一侧的极性关系相同的场合，这两个激光器并联连接。另一方面，在衬底一侧和晶体生长一侧的极性关系相反的场合，这两个激光器串联连接。也可根据需要在绝缘性次安装座上构制引线键合用焊区图形，并在那里接上引线后连接到封装壳上。
按以上所示，依照实施例3，通过用上述半导体激光器装置的制造方法进行组装，即使在发光点8的相互间隔28窄的场合，也没有必要使发光点8接近芯片分离端，因而能够在芯片分离时，不致发生芯片损缺或破裂以及散热不良的问题。进而，由于利用X轴方向的长度约为数cm的半导体激光器棒的整个解理端面进行角度调整，所以能够抑制两激光光束相对角度的偏离。
实施例4.
为了散热良好，采用了在上述实施例1至3中的半导体激光器棒21和半导体激光器棒22之间夹入次安装座的结构。
图7示出了本发明实施例4的半导体激光器装置的结构之一例。在图7中，与图1有相同符号的部位指相同的要素，因此，说明从略。在图7中，符号29是次安装座，31是次安装座29的厚度，32是电极27和条25b等之间的厚度。
如图7所示，首先，在重叠工序中，将半导体激光器棒21、次安装座29和半导体激光器棒22，以各条25a、25b一侧与次安装座29相粘结的方式在Y轴方向依序进行上下重叠。其次，将晶体的解理端面23作为基准充作壁面，调整角度使与作为光轴的Z轴平行的XY面成为平面，在设定的平面上对齐。最后用焊料(图中未示出)进行键合工序。与实施例1一样，解理端面23是与半导体激光器棒21的条25a或半导体激光器棒22的条25b垂直的面(XY面)。由于将X轴方向上的长度为约数cm的半导体激光器棒21或半导体激光器棒22的整个解理端面23充作壁面，所以两个半导体激光器棒21或半导体激光器棒22的条25a或条25b的相对角度偏离变小。X轴方向的位置调整可以用电极(图形)27对准。此两束激光光束的间距28由半导体激光器装置的电极和条之间的厚度(例如电极27和条25b之间的厚度32)以及中间次安装座29的厚度31决定。因此，具有通过调节次安装座29的厚度31，可自由调节光束间距28的优点。其精度由电极27和条25b等之间的厚度32以及次安装座29的厚度31的精度决定，为约数μm。在中间次安装座29的表面上蒸镀上焊料，键合时只要升降温就能进行粘结。
图8示出了本发明实施例4的芯片分离之后的结构。在图8中，与图2有相同符号的部位指相同的要素，因此，说明从略。在图8中，符号29是次安装座。在如图7所示那样进行键合之后，如图8所示，通过切割分离芯片，并如同1个芯片时那样，将其键合在次安装座2上。然后用引线5在各电极27、27a上和中间次安装座29上进行引线键合。这时，在打算以条25一侧作公用电极的场合，如使用导电性次安装座，或者对绝缘性次安装座的周围进行金属化处理，则只对中间次安装座29上的至少一个部位进行引线键合即可。在不作公用电极的场合，必须在绝缘性次安装座的上下进行引线键合。引线5与各封装壳上的不同管脚相连接，以便能分别驱动。必要时，可在绝缘性次安装座上构制引线键合用焊区图形，并在那里接上引线后连接到封装壳上。
按以上所示，依照实施例4，通过用上述半导体激光器装置的制造方法进行组装，即使在发光点8的相互间隔28窄的场合，也没有必要使发光点8接近芯片分离端，因而能够在芯片分离时，不致发生芯片损缺或破裂以及散热不良的问题。进而，由于利用X轴方向的长度约为数cm的半导体激光器棒的整个解理端面进行角度调整，所以能够抑制两激光光束相对角度的偏离。激光光束间距28由中间次安装座29的厚度31决定，因而具有可以通过调节次安装座29的厚度31，自由调节光束间距28的优点。
实施例5.
在上述实施例1至4中，在用同一透镜对波长不同的两个半导体激光器装置进行聚光的场合，光束的焦距不同。本实施例5对此加以校正，将半导体激光器棒在Z轴方向相互错开安装，下面对此安装方法进行说明。
图9给出了本发明实施例5的半导体激光器装置的结构之一例。在图9中，与图1有相同符号的部位指相同的要素，因此，说明从略。在图7中，符号35是对准标记。
如以实施例1为例进行说明，首先，在重叠工序中，用设定的重叠方法将半导体激光器棒21和半导体激光器棒22在Y轴方向上下重叠。其次，对解理端面23b在Z轴方向靠向前方的半导体激光器棒21而言，在将解理端面23a在Z轴方向错开重叠的位置在电极图形27上构制对准标记35的图形。将另一个半导体激光器棒22的解理端面23a的位置对准在该对准标记35的位置上进行粘结。
或者，在将半导体激光器棒21和半导体激光器棒22在Y轴方向进行上下重叠时，也可以以解理端面23b靠向前方的半导体激光器棒21的解理端面作为基准，通过摄像机等的监视进行对准。由于利用在X轴方向上的长度为约数cm的半导体激光器棒21、22的两端进行解理端面23a的对准，所以可以减少相对误差，从而减少光束的相对角度的偏离。X轴方向的位置调整可以用电极图形27进行对准。借助于在半导体激光器装置的电极27镀层上蒸镀焊料，键合时只要升降温就能进行粘结。
在如图9所示那样进行键合之后，通过切割分离芯片，如同1个芯片时那样，将其键合在次安装座上，并在各电极上进行引线键合。将引线连接到各封装壳的不同管脚上，以便能分别驱动。也可根据需要在绝缘性次安装座上构制引线键合用焊区图形，并在那里接上引线后连接到封装壳上。
上述方法以实施例1为例进行了说明。但该方法同样也能应用于也可以将上述方法应用于实施例4。图10给出了本发明实施例5的半导体激光器装置的结构之一例。在图10中，与图7有相同符号的部位指相同的要素，因此，说明从略。在图10中，符号35是对准标记。在将上述方法对实施例4进行应用的场合，如图10所示，在次安装座29上嵌入对准标记35，将另一个半导体激光器棒22的解理端面23a的位置对准在该对准标记35的位置上进行粘结。
按以上所示，依照实施例5，通过用上述半导体激光器装置的制造方法进行组装。即使在发光点8的相互间隔28窄的场合，也没有必要使发光点8接近芯片分离端，因而能够在芯片分离时，不致发生芯片损缺或破裂以及散热不良的问题。进而，由于利用X轴方向的长度约为数cm的半导体激光器棒的两端进行角度调整，所以能够抑制两激光光束的相对角度偏离，并校正焦距。激光光束间距28由中间次安装座29的厚度31决定，因而具有可以通过调节次安装座29的厚度31，自由调节光束间距28的优点。
在上述实施例中，示出了半导体激光器棒21在下方，半导体激光器棒22在上方组合而成的结构，但半导体激光器棒21和22在上下的哪一侧均可。在上述实施例中，对半导体激光器棒为两个的场合，即双光束半导体激光器装置的场合进行了说明。但是，这毕竟是为了说明，不言而喻，在半导体激光器棒为3个以上的场合，即多条光束的多光束半导体激光器装置的场合，也能应用本发明。如以上说明，根据本发明的半导体激光器装置的制造方法和半导体激光器装置，可以用设定的重叠方法，将多个半导体激光器棒上下重叠，并将多个半导体激光器棒的各解理端面对齐在设定的平面上，将各半导体激光器棒相互键合。作为设定的重叠方法，可以采用使条一侧处于下方在Y轴方向上下重叠的方法，或者使条一侧成为接触面在Y轴方向上下重叠的方法等。进而，为了散热良好，还可以采用在半导体激光器棒和半导体激光器棒之间夹入次安装座的结构。按照以上方法，能够提供即使将发光点的相互间隔变窄，也不存在芯片分离时芯片损缺或破裂而导致成品率下降、不存在散热不良，并可抑制多条激光光束的相对角度发生偏离的半导体激光器装置的制造方法和半导体激光器装置。
根据本发明的半导体激光器装置的制造方法和半导体激光器装置，通过将半导体激光器棒在Z轴方向相互错开进行安装，也能够提供即使将发光点的相互间隔变窄，也不存在芯片分离时芯片损缺或破裂而导致成品率下降、不存在散热不良，并可抑制多条激光光束的相对角度发生偏离的半导体激光器装置的制造方法和半导体激光器装置。
权利要求
1.一种半导体激光器装置的制造方法，其特征在于，包括将多个半导体激光器棒用设定的重叠方法进行上下重叠的重叠工序；将上下重叠的多个半导体激光器棒的各解理端面在设定的平面上对齐的工序；以及将解理端面在设定的平面上对齐了的各半导体激光器棒互相键合的工序。
2.如权利要求1所述的半导体激光器装置的制造方法，其特征在于上述重叠工序中设定的重叠方法，是使各半导体激光器棒中形成条的一侧的面处于上方或下方的某一方进行对齐重叠。
3.如权利要求1所述的半导体激光器装置的制造方法，其特征在于上述重叠工序中设定的重叠方法，是将各半导体激光器棒中形成条的一侧的面相向，进行重叠。
4.如权利要求1至3中的任何一项所述的半导体激光器装置的制造方法，其特征在于上述重叠工序是在各半导体激光器棒之间夹入设定的散热材料后，将多个半导体激光器棒用设定的重叠方法进行上下重叠。
5.一种半导体激光器装置的制造方法，其特征在于它包括将多个半导体激光器棒用设定的重叠方法进行上下重叠的重叠工序；将上下重叠的多个半导体激光器棒的各解理端面错开设定位置的错开工序；以及将解理端面错开设定位置的各半导体激光器棒相互键合的工序。
6.如权利要求5所述的半导体激光器装置的制造方法，其特征在于上述重叠工序中设定的重叠方法，是使各半导体激光器棒中形成条的一侧的面处于上方或下方的某一方进行对齐重叠。
7.如权利要求5所述的半导体激光器装置的制造方法，其特征在于上述重叠工序中设定的重叠方法，是使各半导体激光器棒中形成条的一侧的面相向，进行重叠。
8.如权利要求5至7中的任何一项所述的半导体激光器装置的制造方法，其特征在于上述错开工序中设定的位置，通过在上述重叠工序中被重叠的一面的半导体激光器棒的电极图形上预先构制的对准标记图形表示出来。
9.如权利要求5至7中的任何一项所述的半导体激光器装置的制造方法，其特征在于上述重叠工序是在各半导体激光器棒之间夹入设定的散热材料后，将多个半导体激光器棒用设定的重叠方法进行上下重叠。
10.如权利要求9所述的半导体激光器装置的制造方法，其特征在于上述错开工序中设定的位置，通过在上述重叠工序中设定的散热材料上预先设置的对准标记表示出来。
11.一种半导体激光器装置，其特征在于它具有以设定的重叠结构上下重叠、各解理端面在设定的平面上对齐的多个半导体激光器棒相互键合的结构。
12.如权利要求11所述的半导体激光器装置，其特征在于上述设定的重叠结构是使各半导体激光器棒中形成条的一侧的面处于上方或下方的某一方进行对齐重叠的结构。
13.如权利要求11所述的半导体激光器装置，其特征在于上述设定的重叠结构是使各半导体激光器棒中形成条的一侧的面相向，进行重叠的结构。
14.如权利要求11至13中的任何一项所述的半导体激光器装置，其特征在于在各半导体激光器棒之间夹入了设定的散热材料。
15.一种半导体激光器装置，其特征在于它具有以设定的重叠结构上下重叠，各解理端面错开设定位置的多个半导体激光器棒相互键合的结构。
全文摘要
本发明的课题是，提供即使将发光点的相互间隔变窄，在芯片分离时，也没有芯片损缺或破裂而导致成品率下降的情况发生、不存在散热不良，并可抑制多条激光光束的相对角度发生偏离的半导体激光器装置的制造方法和半导体激光器装置。可以用设定的重叠方法，将多个半导体激光器棒上下重叠，并将多个半导体激光器棒的各解理端面对齐在设定的平面上，将各半导体激光器棒相互键合。作为设定的重叠方法，可以采用使条一侧处于下方在Y轴方向上下重叠的方法，或者使条一侧成为粘结面在Y轴方向上下重叠的方法等。进而，为使散热良好，还可以采用在半导体激光器棒和激光器棒之间夹入次安装座的结构。也可以将半导体激光器棒在Z轴方向相互错开进行安装。
文档编号H01S5/00GK1492549SQ0113570
公开日2004年4月28日 申请日期2001年8月18日 优先权日2001年2月1日
发明者西口晴美, 岛显洋 申请人:三菱电机株式会社