专利名称：用于清洗晶片的清洗水和清洗晶片的方法
技术领域：
本发明涉及用于清洗其上形成半导体器件的晶片的清洗水和利用这种清洗水清洗晶片的方法。特别是，本发明涉及清洗水和要在晶片最后漂洗中使用的清洗晶片的方法。
图1是表示根据常规单个晶片旋转处理的清洗晶片的方法的透视图。如图1所示，晶片1旋转，同时从喷嘴2向晶片1的表面中心部分喷射纯水(未示出)。由于晶片1的旋转产生的离心力，落在晶片1的表面中心部分的纯水向晶片1的边缘移动。通过这种移动，纯水清洗晶片1的表面。顺便提及，该纯水可以被称为DIW(去离子水)或超纯水。
然而，前述常规技术具有以下问题。当纯水用于清洗晶片1时，可能会破坏被清洗晶片1的中心部分的薄栅氧化物膜。假定晶片1提供有暴露大面积铜(Cu)的布线部分，随着暴露面积的增加，从布线部分拉出的薄Cu线更容易被溶出。而且，颗粒趋于聚集在中心部分。此外，晶片的周边倾向于Cu氧化或溶出(elution)。产生这些问题的原因至今还不清楚。
发明内容
本发明的目的是提供用于清洗晶片的清洗水和清洗晶片的方法，本发明可以避免栅氧化物膜被破坏和颗粒聚集在晶片的中心部分以及形成在晶片上的金属膜的氧化和溶出。
根据本发明用于清洗晶片的清洗水用于在单个晶片旋转处理的漂洗晶片步骤中清洗晶片。这种清洗水具有不大于1MΩ·cm的电阻率和7.5-9的pH值，并含有氢氧化铵、氢氧化四甲铵或胆碱，并且是还原(reducing)水。
根据本发明，给定电阻率不大于1MΩ·cm的清洗水可以防止在单个晶片旋转处理的清洗步骤中由于清洗水和晶片之间的摩擦而产生静电。这将可以避免形成在晶片中心部分的栅氧化物膜被破坏和由于静电的作用颗粒聚集在晶片的中心部分。此外，该清洗水制成弱碱性的，或pH值为7.5-9，并且是还原水。这可以抑制Cu氧化和溶出。而且，含有氢氧化铵(NH4OH)、氢氧化四甲铵或胆碱可以使清洗水呈碱性，并在晶片清洗和干燥时抑制在晶片上出现残余物。因而，这种清洗水可代替纯水而用在最后漂洗中。特别是，该清洗水优选地含有非常容易挥发的氢氧化铵和留下最少残余物。
而且，该清洗水优选地可具有-0.7到-0.2V的氧化-还原电位并含有浓度为0.2-5ppm的氢气。这容许进一步减少Cu的溶出。优选地该清洗水的氧化-还原电位在-0.6到-0.45V范围内，氢气的浓度在1到2.5ppm的范围内。
根据本发明清洗晶片的方法是在单个晶片旋转处理的漂洗步骤中清洗晶片的方法。在该清洗晶片的方法中，晶片围绕垂直于晶片表面的轴旋转，同时清洗水喷射到晶片表面上以清洗该表面。这种清洗水具有不大于1MΩ·cm的电阻率和7.5-9的pH值，并含有氢氧化铵、氢氧化四甲铵或胆碱，而且是还原水。顺便提及，晶片的表面应该指的是其上形成半导体器件等的一侧和与之相对的一侧。
根据本发明，在旋转清洗晶片的步骤中可以抑制在晶片上积累电荷。因此可以防止栅氧化物膜被破坏和颗粒聚集在晶片中心部分。还可以避免形成在晶片上的构成布线、电极等的金属膜的溶出。
纯水是高电阻物质，具有18MΩ·cm的极高电阻率。当用纯水(未示出)清洗晶片1的表面时，如图1所示，在纯水和晶片1之间产生的摩擦将在纯水和晶片1之间产生静电。纯水是带正电的，晶片1是带负电的(带电charge-up)。特别在晶片1的中心部分，纯水经受的离心力比晶片1的周边弱。源自纯水的浸蚀的摩擦力产生的电荷局部地积累在晶片1的中心部分。这样，晶片1的中心部分比周边带更强的负电。这将在晶片1的中心部分和周边之间产生大电位差。
结果是，晶片1的中心部分的薄栅氧化物膜由于它们的负电荷而遭受绝缘击穿。近来，栅氧化物膜极薄到1.5-2.0nm左右，这意味着在很少量的静电下很容易被击穿。而且，由于在晶片1的中心部分和周边之间产生电位差，在从露出大面积Cu的布线部分拉出的薄Cu线的露出部分更容易产生Cu和其它金属膜的溶出。这个电位差还促进颗粒聚集在中心部分上。
通过降低清洗水的电阻率可以减少充电。为此目的，溶解二氧化碳(CO2)以降低电阻率的水溶液(以下称为CO2水)可代替纯水而用于清洗晶片。由于CO2水的电阻率低于纯水的电阻率，因此使用CO2水可在晶片和CO2水之间产生较小的静电。这在某种程度上可利于避免如前述栅氧化物膜击穿和颗粒聚集等问题。
不管怎么说，CO2水是弱酸性的，其pH值为4.0-5.5数量级，因此接触时可使Cu电离。因而，当CO2水与晶片接触时，构成形成在晶片上的布线、电极等的Cu将被溶出。
在本发明，所提供的清洗水具有不大于1MΩ·cm的电阻率和7.5-9的pH值，并且是还原水。给定1MΩ·cm或以下电阻率的清洗水可以防止在清洗水和晶片之间产生静电。此外，7.5-9的pH值和是还原水的清洗水可防止Cu溶出。
下面将参照附图详细介绍本发明的实施例。首先，介绍本发明的第一实施例。图2是表示根据本实施例的清洗晶片的方法的透视图。如图2所示，在本实施例中，晶片1旋转，同时从喷嘴2向晶片1表面的中心部分喷射还原清洗水(以下称为还原水)。晶片1以200-1500rpm的速度旋转。喷嘴2以0.5-1.5l/min的流速喷射还原水(未显示)。顺便提及，喷嘴2可在垂直于晶片1的表面的方向延伸或从垂直方向倾斜。喷嘴2定位成使还原水落到晶片1的中心部分上。
该还原水是在水中溶解1-2.5ppm氢气的水溶液，并且含有附加的少量氢氧化铵(NH4OH)。该还原水具有7.5-8.0的pH值，-0.6到-0.45V的氧化-还原电位(ORP)，以及不大于1MΩ·cm的电阻率。例如，该还原水可通过电解水以从阴极侧收集阴极水和向该阴极水中添加氢氧化铵而获得。否则，将氢氧化铵添加到纯水中从而电解水溶液，以便从阴极侧收集还原水。从阴极侧析出的氢可以专门收集，在这种情况下氢可以溶解到其它模块的水中以产生氢水。然后，向该氢水中添加氢氧化铵，以便获得还原水。
从喷嘴2喷出以落在晶片1表面的中心部分的还原水由于源自晶片1的旋转的离心力而向晶片的边缘移动。通过这种移动，还原水清洗晶片1的表面。
接着，停止输送还原水，晶片1的表面旋转干燥。该旋转干燥是采用N2气或CO2气进行的。为了旋转干燥晶片1，可使用已经在其中清洗晶片1的腔室，在这种情况下，停止输送还原水但晶片1仍然旋转，以便源自晶片1的旋转的离心力从晶片1的表面上去掉还原水以干燥。或者，晶片1可被传送到专用于干燥的腔室中。根据前一方法，为了有效地干燥晶片1，可省去向另一腔室传送晶片1的步骤。根据后一方法，干燥可在没有在清洗中使用的化学物质的气氛中进行。因此确实可以防止化学物质在干燥期间再次粘附到晶片上。
在根据本实施例的清洗晶片的方法中，还原水具有小于或等于1MΩ·cm的电阻率。因此可防止由于还原水和晶片1之间的摩擦力产生的静电。这就可以避免形成在晶片1的中心部分上的栅氧化物膜绝缘击穿和颗粒聚集在晶片1的中心部分。
此外，由于还原水具有7.5-8.0的pH，因此可抑制构成形成在晶片1表面上的布线、电极等的Cu的氧化和溶出。
下面将详细说明还原水的状态和CU的溶出之间的关系。图3是表示水溶液中的Cu的状态的Cu水溶液系统的电位-pH图，其中横坐标表示水溶液的pH，纵坐标表示氧化-还原电位。如图3所示，在溶液具有不高于7的pH和不低于0V的氧化-还原电位或者是酸性的和处于氧化气氛中时，水溶液中的Cu更容易电离。纯水的pH近似于7，氧化-还原电位约为0.2V。纯水中的Cu落入Cu2+区域中，并具有用于电离的弱倾向。CO2水具有4-6的pH和0.25-0.4V数量级的氧化-还原电位。CO2水中的Cu落入Cu2+区域中，并且对于溶出具有比纯水更强的电离倾向。相反，在本例中使用的还原水具有7.5-8.0的pH和-0.6到-0.45V的氧化-还原电位。还原水中的CU则落入Cu区域中，而没有电离倾向。即，Cu作为物质存在，而没有被溶出到还原水中。
而且，在本例中，为了调整pH的原因，向还原水中添加氢氧化铵。氢氧化铵高度容易挥发，因此不会产生可影响后来步骤的工艺的残余物。因而，本例中的还原水可代替纯水使用在最后的漂洗步骤中。
目前，已经存在的常规问题是，虽然用纯水清洗晶片，但是在晶片周边上容易发生Cu溶出。本发明人通过实验和研究已经发现喷射的纯水从空气中吸收氧和二氧化碳，并在从晶片中心部分到边缘的路径上转变成CO2，水。这种转变就很容易引起在晶片边缘Cu溶出。纯水从晶片中心部分移动到边缘的时间是0.1-1秒左右。然而，由于由Cu制成的电极和布线极薄，因此由于纯水转变成CO2水而产生的Cu溶出可能产生颗粒问题。另一方面，在该实施例中，即使还原水在从晶片中心部分到边缘的路径上从空气中吸收氧和二氧化碳，还原水的还原剂也能防止还原水容易转变成氧化性水。因而，可以阻止Cu被溶出到清洗水中，并防止由于清洗水如纯水那样吸收来自空气的氧和二氧化碳而变为具有氧化性使得Cu被氧化。
本实施例可以处理添加氢氧化铵而使还原水成弱碱性的情况，可以用其它添加剂代替氢氧化铵，只要添加剂能使还原水成弱碱性并在干燥后不产生残余物即可。例如，可以添加氢氧化四甲铵或胆碱。
下面将介绍关于本发明的组成的数值限制的原因。
清洗水的电阻率不大于1MΩ·cm在电阻率大于1MΩ·cm时，清洗水的导电性下降。结果是，在晶片和清洗水之间的摩擦使清洗水带正电和晶片带负电。特别是，清洗水停留在晶片中心部分的时间长，这使晶片中心部分比周边更强地带电。这将产生晶片中心部分和周边之间的电位差。如前所述，将发生栅氧化物膜的绝缘击穿、颗粒聚集和金属膜的溶出。因此，清洗水的电阻率限制到1MΩ·cm或以下。
清洗水的pH7.5-9在低于7.5的pH，清洗水的导电性降低。另一方面，在高于9的pH，清洗水的氢氧化铵含量很多，以至于在清洗之后在晶片上出现残余物。为9的pH可使Cu的溶出量最小化，同时高于9的pH促进Cu的溶出。因此，清洗水的pH限制在7.5和9之间。优选在7.5-8的范围。
清洗水的氧化-还原电位-0.7到-0.2V当清洗水的氧化-还原电位超过-0.2V时，清洗水中的Cu易于电离。另一方面，由于溶解到水中的氢气的量的限制，氧化-还原电位很难降低到-0.7V以下。这样，清洗水优选具有-0.7到-0.2V的氧化-还原电位。-0.6到-0.45V的范围更好。
清洗水中的氢气的浓度0.2-5ppm当清洗水中的氢气的浓度在0.2ppm以下时，清洗水不是所谓的还原水，以至于不能充分抑制Cu电离。另一方面，即使在压力下，也很难向水中溶解超过5ppm的氢气。因此，清洗水优选含有浓度为0.2-5ppm的氢气。在清洗水中的氢气浓度达到或超过1ppm时，清洗水成为充分的还原水。此外，溶解到水中的氢气的最大浓度是2.5ppm，除非在压力下。因而，清洗水中的氢气浓度优选在1-2.5ppm范围内。
晶片的转数20-4000rpm当晶片以低于20rpm的速度旋转时，晶片上的清洗水的流速降低，从而使清洗效率降低。另一方面，如果晶片以高于4000rpm的速度旋转，清洗水停留在晶片上的时间太短，以至于清洗效率下降。因此，晶片优选以20-4000rpm的速度旋转。200-1500rpm的范围更优选。
清洗水的流速0.2-5l/min当清洗水的流速在0.2l/min以下时，清洗效率降低。另一方面，当清洗水的流速超过5l/min时，清洗效率相对于清洗水的流速达到饱和。因此，清洗水的流速优选在0.2-5l/min。0.5-1.5l/min的范围更优选。
下面将介绍本发明的第二实施例。图4是表示本实施例的步骤的流程图。如图4所示，本实施例提供其中在机械抛光(CMP)之后根据本发明清洗晶片的方法应用于清洗步骤的例子。首先，如图4中的步骤S11所示，在晶片表面上通过CMP进行平面化。然后，如步骤S12所示，利用化学物质对晶片的表面进行刷洗。接着，如步骤S13所示，利用纯水进行刷洗。这里，可以利用还原水进行刷洗。然后，如步骤S14所示，晶片旋转，同时将化学物质喷射到晶片表面的中心部分上，用于化学旋转漂洗。接下来，如步骤S15所示，利用还原水进行旋转漂洗，以便去掉在步骤S14中所用的化学物质。接着，如步骤S16所示，将该晶片旋转干燥。还原水的成分和步骤S15和S16中所示的工序与根据前面第一实施例清洗晶片的步骤相同。采用这种方法可以在CMP之后的清洗步骤中抑制栅氧化物膜的静电造成的击穿、颗粒聚集和Cu的溶出。
下面将介绍本发明的第三实施例。图5是表示本实施例的步骤的流程图。如图5所示，本例提供其中根据本发明的清洗晶片的方法应用于晶片背面清洗的例子。首先，如步骤S21所示，晶片旋转，同时将化学物质喷射到晶片背面用于清洗。进行这种晶片背面清洗通常是为了去掉金属污物和颗粒污物。同时，将还原水喷射到晶片的表面上以保护晶片表面。这种晶片保护可以防止喷溅的化学物质粘附到晶片表面上并保护晶片表面上的空气。接着，如步骤S22所示，还原水喷射到晶片的表面和背面上，用于旋转漂洗。这将从背面去掉化学物质。接下来，如步骤S23所示，晶片旋转干燥。在步骤S21保护表面的方法、在步骤S22的漂洗表面和背面的方法和在步骤S23旋转干燥的方法与在前面第一实施例中所示的清洗晶片的方法相同。根据本实施例，可以清洗晶片的背面，同时防止晶片表面被化学物质污染。还可以在背面清洗之后的漂洗步骤中抑制栅氧化物膜的静电基击穿、颗粒聚集和Cu的溶出。
下面将介绍本发明的第四实施例。图6是表示本实施例的步骤的流程图。如图6所示，本实施例提供根据本发明的清洗晶片的方法应用于在从晶片的表面剥离有机膜的有机剥离步骤之后的清洗步骤的例子。顺便提及，有机膜的例子包括抗蚀剂和防反射膜。首先，如图6中步骤S31所示，对提供有有机膜如抗蚀剂的晶片表面进行干腐蚀。然后，如步骤S32所示，利用有机型化学物质剥离晶片表面上的有机膜。假定化学物质是胺型有机剥离剂，通常采用间歇喷射型剥离系统。当化学物质是氟型有机剥离剂时，经常使用单个晶片旋转型剥离系统。在这种情况下，后者更经常使用。接着，如步骤S33所示，晶片旋转，同时还原水喷到表面上，用于旋转漂洗。这将去掉有机型化学物质。接着，如步骤S34所示，晶片旋转干燥。在步骤S33所示的清洗方法和在步骤S34所示的干燥方法与前述第一实施例的相同。根据本实施例，在晶片表面上的化学剥离之后的漂洗步骤中可以避免栅氧化物膜的击穿、颗粒聚集和Cu的溶出。
下面将介绍本发明的第五实施例。图7是表示本实施例的步骤的流程图。如图7所示，本实施例提供将根据本发明的清洗晶片的方法应用于在晶片表面上形成多氧化物栅氧化物膜的湿处理中的清洗步骤的例子。首先，如步骤S41所示，在晶片表面上形成厚度为例如3.0nm的第一氧化物膜。然后，如步骤S42所示，在第一氧化物膜上上形成抗蚀剂。用该抗蚀剂做掩模，利用HF型溶液腐蚀第一氧化物膜，以便选择性地去掉第一氧化物膜。接着，如步骤S43所示，用还原水清洗晶片以去掉HF型溶液。该漂洗步骤包括旋转干燥步骤，该步骤是利用与前述第一实施例中所示的旋转清洗步骤和旋转干燥步骤的方法相同的方法进行的。
接着，如步骤S44所示，用硫酸和氧化水的混合溶液去掉抗蚀剂。然后，如步骤S45所示，用还原水漂洗晶片，以便去掉硫酸和氧化水的混合溶液。这个漂洗步骤包括旋转干燥步骤，该步骤是利用与前述第一实施例中所示的旋转清洗步骤和旋转干燥步骤的方法相同的方法进行的。接着，如步骤S46所示，用酸或碱性化学物质清洗晶片。然后，如步骤S47所示，用还原水漂洗晶片，以便去掉该化学物质。这个漂洗步骤包括旋转干燥步骤，该步骤是利用与前述第一实施例中所示的旋转清洗步骤和旋转干燥步骤的方法相同的方法进行的。接着，如步骤S48所示，形成厚度为例如2.0nm的第二氧化物膜。因而，可以在晶片上形成多氧化物栅氧化物膜。根据本实施例，在晶片表面上形成多氧化物栅氧化物膜期间的清洗步骤中，可以抑制颗粒的静电引起的聚集。
现在将介绍本发明的第六实施例。图8是表示本实施例的步骤的流程图。如图8所示，本实施例提供将根据本发明的清洗晶片的方法应用于在晶片上形成栅极之后的清洗步骤中的例子。首先，如步骤S51所示，在晶片上形成具有预定图形的抗蚀剂。用该抗蚀剂做掩模，干腐蚀栅极层。接着，如步骤S52所示，剥离抗蚀剂。然后，如步骤S53所示，利用单个晶片型清洗系统，用酸或碱性化学物质化学清洗晶片表面。接着，如步骤S54所示，将还原水喷射到晶片表面上，用于旋转漂洗，由此去掉化学物质。接下来，如步骤S55所示，旋转干燥晶片。在步骤S54所示的旋转漂洗晶片的方法和在步骤S55所示的旋转干燥方法与前述第一实施例一样进行。根据本发明，可以在形成栅极之后的清洗步骤中抑制静电引起的颗粒聚集和Cu的溶出。
现在，介绍本发明的第七实施例。图9是表示本实施例的步骤的流程图。如图9所示，本实施例提供将根据本发明的清洗晶片的方法应用于抗蚀剂显影之后的清洗步骤的例子。首先，如步骤S61所示，在晶片上形成具有预定图形的抗蚀剂。接着，如步骤S62所示，用预定显影剂显影抗蚀剂，以便形成预定图形。然后，如步骤S63所示，将还原水喷射到晶片表面上，用于旋转漂洗，由此去掉显影剂。接下来，如步骤S64所示，旋转干燥晶片。在步骤S63所示的旋转漂洗晶片的方法和在步骤S64所示的旋转干燥方法与前述第一实施例的相同。根据本发明，可以在抗蚀剂显影之后的清洗步骤中抑制颗粒聚集和Cu的溶出。
以下将参照利用本发明的实施方法清洗的晶片具体介绍本发明的效果。将进行与不被本发明的权利要求书的范围覆盖的对比例的比较。首先，制备三个直径为200mm的晶片，每个晶片表面上具有Cu布线和厚度约为100nm的热氧化膜。然后这些晶片旋转清洗。这里，其中的一个晶片是用纯水旋转清洗的。另一个晶片是用CO2水旋转清洗的。再一个晶片是用前述第一实施例中所述的还原水旋转清洗的。接着，这些晶片旋转干燥。除了清洗水的类型不同之外，旋转清洗和旋转干燥这三个晶片的步骤是在与前述第一实施例中所示相同的条件下进行的。
接着，测量旋转干燥的晶片的表面电位。图10是表示各个晶片的表面电位的图，其中横坐标是清洗水的类型，纵坐标是最大表面电位。顺便提及，表面电位取决于氧化物膜的厚度。图10中所示的表面电位是对于在晶片表面上形成厚度约为100nm的热氧化膜的位置。晶片上的电荷是负的，而图10示出了为正值的电荷。如图10所示，用纯水清洗的晶片呈现约为30V的最高表面电位。用CO2水清洗的晶片具有约为5V的表面电位，比采用纯水的情况低。用还原水清洗的晶片呈现比用CO2水清洗的晶片的表面电位低的表面电位。
图11A和11B是表示测量在被清洗晶片上的表面电位分布的图，其中横坐标或X-和Y-轴表示在晶片表面上的位置，纵坐标或Z轴表示表面电位。图11A表示在用纯水清洗的晶片上的表面电位分布。图11B表示用还原水清洗的晶片上的表面电位分布。如图11A所示，利用纯水的旋转清洗在晶片中心部分产生低电位区。相反，如图11B所示，利用还原水的旋转清洗在整个晶片表面上产生均匀的表面电位。
还测量了在旋转清洗期间溶出的Cu的量。图12是表示在旋转清洗期间溶出的Cu的量的图，其中横坐标代表清洗水的类型，纵坐标代表Cu布线的厚度的减少。如图12所示，在利用还原水的旋转清洗期间溶出的Cu量约为CO2水情况的1/20和约为纯水情况的1/2。
权利要求
1.一种在单个晶片旋转处理的漂洗所述晶片的步骤中用于清洗晶片的清洗水，具有不大于1MΩ·cm的电阻率和7.5-9的pH值，该清洗水含有氢氧化铵、氢氧化四甲铵或胆碱，并且是还原水。
2.根据权利要求1的清洗水，其中所述清洗水具有-0.7到-0.2V的氧化-还原电位。
3.根据权利要求1的清洗水，其中所述清洗水含有浓度为0.2-5ppm的氢气。
4.一种在单个晶片旋转处理的漂洗步骤中清洗晶片的方法，包括使晶片在垂直于所述晶片表面的轴旋转，同时向所述晶片表面上喷射清洗水以清洗表面的步骤，所述清洗水具有不大于1MΩ·cm的电阻率和7.5-9的pH值，并含有氢氧化铵、氢氧化四甲铵或胆碱，并且是还原水。
5.根据权利要求4的清洗晶片的方法，其中所述清洗水具有-0.7到-0.2V的氧化-还原电位。
6.根据权利要求4的清洗晶片的方法，其中所述清洗水含有浓度为0.2-5ppm的氢气。
7.根据权利要求4的清洗晶片的方法，其中所述晶片以20-4000rpm的速度旋转。
8.根据权利要求4的清洗晶片的方法，其中所述清洗水的流速在0.2-5l/min内。
9.根据权利要求4的清洗晶片的方法，其中用所述清洗水清洗的所述晶片是旋转干燥的。
10.根据权利要求4的清洗晶片的方法，其中所述清洗晶片的方法是在利用CMP平面化所述晶片表面之后的清洗晶片的方法，并且按以下步骤进行利用CMP平面化所述晶片；通过采用化学物质的刷洗，清洗所述被平面化的晶片；通过采用纯水或所述清洗水的刷洗，清洗所述晶片；以及进一步通过采用化学物质的旋转漂洗，清洗所述晶片。
11.根据权利要求4的清洗晶片的方法，其中所述清洗晶片的方法是在所述晶片的背面清洗步骤中用于表面保护的方法，并且当用化学物质清洗所述晶片的背面时，施加于所述晶片表面。
12.根据权利要求4的清洗晶片的方法，其中所述清洗晶片的方法是在从所述晶片表面剥离有机膜的有机剥离步骤之后的清洗方法，并通过以下步骤进行干腐蚀在表面上具有有机膜的所述晶片；和利用有机型化学物质从所述干腐蚀晶片剥离所述有机膜。
13.根据权利要求4的清洗晶片的方法，其中所述清洗晶片的方法是在所述晶片表面上形成多氧化栅氧化物膜中的清洗方法，并且是在形成所述多氧化栅氧化物膜的步骤中的第一至第三次漂洗中的至少一个步骤，该步骤包括以下步骤在所述晶片的表面上形成第一氧化物膜；在所述第一氧化物膜上形成抗蚀剂；用所述抗蚀剂做掩模，湿腐蚀所述第一氧化物膜，以便有选择地去掉所述第一氧化物膜；对所述晶片施加所述第一次漂洗；去掉所述抗蚀剂；对所述晶片施加所述第二次漂洗；用酸或碱性化学物质清洗所述晶片；对所述晶片施加所述第三次漂洗，以便去掉所述化学物质；和形成第二氧化物膜。
14.根据权利要求4的清洗晶片的方法，其中所述清洗晶片的方法是在所述晶片的表面上形成栅极之后的清洗方法，并通过以下步骤进行在所述晶片上形成抗蚀剂，并用所述抗蚀剂做掩模，干腐蚀栅极层，形成所述栅极；从所述晶片剥离所述抗蚀剂；以及用酸或碱性化学物质清洗所述晶片。
15.根据权利要求4的清洗晶片的方法，其中所述清洗晶片的方法是在所述晶片上形成的抗蚀剂显影之后的清洗方法，并通过以下步骤进行在所述晶片上形成抗蚀剂；曝光形成的所述抗蚀剂；以及显影被曝光的所述抗蚀剂。
全文摘要
本发明涉及清洗晶片的清洗水和清洗晶片的清洗方法，根据本发明，使晶片旋转，同时将清洗水从喷嘴喷射到该晶片表面上。该清洗水是一种水溶液，其中在水中溶解了1－2.5ppm的氢气，并具有附加的少量氢氧化铵。该清洗水具有7.5－8.0的pH值，－0.6到－0.45V的氧化－还原电位，和不大于1MΩ·cm的电阻率。并且该清洗水是还原水。
文档编号H01L21/02GK1391263SQ02123010
公开日2003年1月15日 申请日期2002年6月13日 优先权日2001年6月13日
发明者青木秀充, 富盛浩昭 申请人:日本电气株式会社