专利名称：晶片清洗装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种晶片清洗装置。
背景技术：
目前的半导体制造工艺中，清洗程序是晶片制造时不可缺少的步骤。在 很多工艺步骤之后都需要对晶片进行清洗，例如在形成金属互连线前的刻蚀 接触孔和沟槽之后，需要对晶片表面进行清洗，去除刻蚀残留物、光刻胶层 或者掩膜层等杂质。
现有技术中，上述清洗是将刻蚀之后的晶片先用酸溶液进行清洗，从而 使掩模层被腐蚀，再将晶片放入清洗装置的清洗槽中，利用清洗装置的喷嘴
对晶片表面进行清洗，从而去除光刻胶层和掩模层残留等杂质。在专利号为 6,938,629，名称为《清洗槽上的清洗盖》的美国专利中公开了 一种清洗装 置，如图l所示，该清洗装置包括用来容纳水的清洗槽50，盖在清洗槽上的 清洗盖30,清洗盖30的盖体31连接水源，盖体31下表面连4妄有位于平行 于清洗槽底部同一平面上的均匀放置的喷嘴45，喷嘴45的口朝下，用于朝 下喷水清洗晶片。在喷嘴45的下侧，盖体31还连接有两排晶片固定棒47, 在两排晶片固定棒47之间可以放置晶片56,在清洗盖30的底部具有淋浴管 60,淋浴管60连接有口朝上的喷嘴61,用于朝上喷水64清洗晶片。
但是在上述清洗装置中由于喷嘴之间要具有一定的间距，因此清洗槽的 上方喷嘴数量受到限制，这样如果同时清洗大量晶片就会有晶片处于第一喷 嘴的间隙。图2为现有技术中的一种清洗装置清洗晶片的示意图，如图2所 示，因为在喷嘴间隙的喷水量相对较小，晶片l和晶片3被喷嘴对准因此可 以被清洗干净，但位于喷嘴间隙的晶片2就不能够被清洗干净，因此如图3 所示，在清洗后的晶片还存在杂质残留的问题，其中虚线框中为晶片表面存 在杂质残留的区域。
实用新型内容
为了解决上述问题，本实用新型提供了一种晶片清洗装置，可以更好的 清洗晶片表面。本实用新型提供了一种晶片清洗装置，包括开口朝上的清洗槽、位于清 洗槽开口上方至少两排第 一喷嘴，第 一喷嘴的远离清洗槽底部 一侧至少还具 有两排第二喷嘴，所述第二喷嘴的喷射方向为第 一喷嘴的间隙。
可选的，包括两排平行的第一喷嘴和两排平行的第二喷嘴，所述第二喷
嘴平行于其对应的一排第 一喷嘴，与其对应的 一排第 一喷嘴交错排放。 可选的，所述第一喷嘴和/或所述第二喷嘴的喷射方向能够调整。 可选的，所述两排第一喷嘴和第二喷嘴位于所述清洗槽相对的两个侧壁
上的靠近开口处。
可选的，每排第一喷嘴/第二喷嘴数目为9至20个，并且均匀排放。 可选的，每排所述第一喷嘴的数目为17个，所述第二喷嘴的数目为17个。
可选的，相邻第一喷嘴的间距为2cm,相邻第二喷嘴的间距为2cm,所 迷清洗槽沿每排第一喷嘴和第二喷嘴的排列方向的长度34cm。
可选的，相邻第 一喷嘴和第二喷嘴的沿第 一喷嘴的排列方向的间距为
lcm。
可选的，在每排第二喷嘴的远离清洗槽底部一侧至少还具有一排平行于 所述第二喷嘴的第三喷嘴，并且第三喷嘴的喷射方向为相邻的第 一喷嘴和第
二喷嘴的间隙。
上述技术方案的优点是
现有的晶片清洗装置只有第一喷嘴，由于第一喷嘴之间要具有一定的间 距，因此清洗槽的上方第一喷嘴数量受到限制，这样如果同时清洗大量晶片 就会有晶片处于第一喷嘴的间隙，因为间隙的出水量小，因此处于间隙处的 晶片得不到充分的清洗，而本实用新型中通过在第一喷嘴的上方再设置第二 喷嘴，使第二喷嘴喷射方向为第一喷嘴的间隙，这样就使得第二喷嘴可以对 第一喷嘴的间隙处的晶片进行清洗，从而使得第一喷嘴间隙处的晶片被清洗 的更彻底。
并且本实用新型的一个方案中还将第一喷嘴和第二喷嘴-没置为可以调整 出水方向，这样可以灵活的控制喷嘴的出水方向，从而减少一个清洗不到的死角，4吏清洗更充分。
图1为现有技术中的一种晶片清洗装置； 图2为现有技术中的 一种晶片清洗装置清洗晶片的示意图； 图3为存在杂质残留的晶片表面示意图； 图4为本实用新型第 一实施例的晶片清洗装置立体图； 图5为本实用新型第一实施例的晶片清洗装置俯^L图； 图6为本实用新型第一实施例的晶片清洗装置侧-见图； 图7为本实用新型第一实施例的晶片清洗装置主视图； 图8为本实用新型第二实施例的晶片清洗装置立体图。
具体实施方式
为使本实用新型的_￡述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合 附图对本实用新型的具体实施方式
做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是 本实用新型能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员 可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似推广，因此本实用新型不受下 面公开的具体实施的限制。
其次，本实用新型利用示意图进行详细描述，在详述本实用新型实施例 时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且 所述示意图只是实例，其在此不应限制本实用新型保护的范围。此外，在实 际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
一般来说，在形成金属互连线前的刻蚀接触孔和沟槽之后，需要对晶片 表面进行清洗，去除刻蚀残留物、光刻胶层或者掩膜层等杂质。现有技术中， 通常是将待清洗晶片放入晶片清洗装置的清洗槽内，利用晶片清洗装置清洗 槽上方喷嘴喷射液体清洗晶片表面，从而达到清洗的目的，但是现有的晶片 清洗装置清洗槽上方的喷嘴只位于清洗槽上方平行于清洗槽底部同一平面 上，但是在上述晶片清洗装置中由于喷嘴之间要具有一定的间距，因此喷嘴 数目受到限制，这样在喷嘴间隙的水量相对较小，因此位于喷嘴间隙的晶片就不能够被清洗干净。
因此本实用新型提供了一种晶片清洗装置，包括开口朝上的清洗槽、位 于清洗槽开口上方至少两排第一喷嘴，第一喷嘴的远离清洗槽底部一侧至少 还具有两排第二喷嘴，所述第二喷嘴的喷射方向为第 一喷嘴的间隙。
可选的，包括两排平行的第一喷嘴和两排平行的第二喷嘴，所述第二喷 嘴平行于其对应的一排第 一喷嘴，与其对应的一排第 一喷嘴交错排放。
可选的，所述第一喷嘴和/或所述第二喷嘴的喷射方向能够调整。
可选的，所述两排第一喷嘴和第二喷嘴位于所述清洗槽相对的两个侧壁 上的靠近开口处。
可选的，每排第一喷嘴/第二喷嘴数目为9至20个，并且均匀排放。 可选的，每排所述第一喷嘴的数目为17个，所述第二喷嘴的数目为17个。
可选的，相邻第一喷嘴的间距为2cm,相邻第二喷嘴的间距为2cm,所 述清洗槽沿每排第一喷嘴和第二喷嘴的排列方向的长度34cm。
可选的，相邻第 一喷嘴和第二喷嘴的沿第 一喷嘴的排列方向的间距为
lcm。
可选的，在每排第二喷嘴的远离清洗槽底部一侧至少还具有一排平行于 所述第二喷嘴的第三喷嘴，并且第三喷嘴的喷射方向为相邻的第 一喷嘴和第 二喷嘴的间隙。 "
以下结合附图对本实用新型的具体实施方式
做详细的说明。
实施例一
图4-图7为本实用新型第一实施例的晶片清洗装置示意图。 晶片清洗装置包括清洗槽、位于清洗槽上方具有至少两排第一喷嘴，第
一喷嘴的远离清洗槽底部一侧至少还具有两排第二喷嘴，所述第二喷嘴的喷
射方向为第一喷嘴的间隙。
具体的，本实用新型的晶片清洗装置如图4-图7所示，包括清洗槽IOO,
清洗槽100具有朝上的开口 ，清洗槽100开口的上方具有两排平行的第一喷
嘴110,在每排第一喷嘴110的远离清洗槽100底部一侧还具有一排平行于第一喷嘴110的第二喷嘴120,并且每排第一喷嘴110与其对应的第二喷嘴 120交错排放，第二喷嘴120的喷射方向为第一喷嘴110的间隙。
具体的，清洗槽100为长方体，开口为矩形，开口具有长和宽，长为34cm， 清洗槽100内还可以具有晶片固定架，将50片晶片沿平行清洗槽的矩形开口 的长边方向固定排放在清洗槽100内，晶片表面平行于所述宽的方向，相邻 晶片间隔0.5cm-lcm。其中50片晶片为两批(lot )，每一 lot为25片，两lot 交错排放。除此之外，清洗槽100的长度和形状也可以根据需要调整。
两排第一喷嘴H0位于清洗槽100的侧壁上的靠近开口处，并且沿矩形 开口的长边排列，每个长边上具有一排第一喷嘴110,第一喷嘴110每间隔 1.6-4cm》文置一个，具体为间隔2cm放置一个，因此在1个长边上可以》文置 9-20个第一喷嘴110,因为本实施例中长边长度为34cm,因此每个长边上放 置17个第一喷嘴，也就是每排第一喷嘴为17个。上述第一喷嘴110可以通 过清洗槽100的侧边上的管道连通，由清洗液供给装置通过所述管道向喷嘴 提供清洗液。并且两排第一喷嘴110的喷射方向都朝向清洗槽100的沿长度 方向的中轴线方向，因为晶片位于清洗槽100中，因此这样第一喷嘴110都 朝向晶片的中央喷射清洗液。除此之外，第一喷嘴110的间隔和数量可以根 据清洗槽100的长度进行调整，位置也可以根据清洗槽100的形状进行调整， 保证清洗槽100内放置晶片的位置都可以被第一喷嘴110喷射到。例如可以 在清洗槽上方设置支架或者管道，将第一喷嘴110设置在支架或者管道上。
两排第二喷嘴120也位于清洗槽100的侧壁上的靠近开口处，并且沿矩 形开口的长边排列，并且平行于第一喷嘴110放置，每排第一喷嘴110对应 一排第二喷嘴120,第二喷嘴120位于第一喷嘴110的远离清洗槽100底部 一侧。在本实施例中，清洗槽100的长边在第一喷嘴110所在位置的上方具 有一个台阶130,第二喷嘴120位于该台阶130上，第二喷嘴120和第一喷 嘴110交错排放，也就是每相邻的第一喷嘴110的间隙对应一个第二喷嘴 120，相邻第一喷嘴110和第二喷嘴120的间距为lcm。每个长边上具有一排 第二喷嘴120,第二喷嘴120每间隔1.6-4cm放置一个，具体为间隔2cm放 置一个，因此在1个长边上可以放置9-20个第二喷嘴120,因为本实施例中长边长度为34cm，因此每个长边上放置17个第二喷嘴。上述第二喷嘴120 可以通过清洗槽100的侧边上的管道连通，由清洗液供给装置通过所述管道 向喷嘴提供清洗液。并且两排第二喷嘴120的喷射方向都朝向清洗槽100的 沿长度方向的中轴线方向，并且可以通过第一喷嘴110的间隙向晶片的中央 喷射清洗液。除此之外，第二喷嘴120的间隔和数量可以根据清洗槽100的 长度进行调整，位置也可以根据清洗槽100的形状进行调整，保证清洗槽100 内放置晶片的位置都可以被第二喷嘴120喷射到。例如可以在清洗槽上方设 置支架或者管道，将第二喷嘴120设置在支架或者管道上。
在本实施例中，还可以将第一喷嘴110设置为可以调整喷射的方向，例 如第一喷嘴110与清洗槽100的长边可以旋转连接，并且可以在每一个第一 喷嘴110与清洗槽100连接的位置设置转动旋钮，或者在清洗槽100上设置 转动旋钮控制所有的第一喷嘴110。
同样，还可以将第二喷嘴120设置为可以调整喷射的方向，设置方法可 以和第一喷嘴110相同。
在清洗槽IOO底部还可以具有排水口，可以将清洗下来的废液排出。
晶片固定架还可以带动晶片旋转，例如可以在清洗的过程中使晶片转动， 以达到更好的清洗目的。
一般来讲，现有的晶片清洗装置只有第一喷嘴110,因为清洗槽100的 矩形开口的长边的长度固定，例如为34cm，而第一喷嘴IIO需要占据一定的 空间，因此34cm的距离最多排放20个第一喷嘴110,这样如果同时清洗50 片晶片就会有晶片处于第一喷嘴IIO的间隙，因为间隙的出水量小，因此处 于间隙处的晶片得不到充分的清洗，而本实施例中通过在第一喷嘴110的上 方再设置一排第二喷嘴120,使第二喷嘴120位于相邻第一喷嘴110的间隙， 这样就使得本实施例中在34cm的距离上可以有34-40个喷嘴来清洗晶片， 从而使得一次清洗大量晶片，例如50片时，间隙处的晶片被清洗的更彻底。
并且本实施例中还将第一喷嘴IIO和第二喷嘴120设置为可以调整出水 方向，这样可以灵活的控制喷嘴的出水方向，从而减少一个清洗不到的死角， 使清洗更充分。
8第二实施例
图8为本实用新型第二实施例的晶片清洗装置立体图。如图8所示，在 该实施例中与第 一实施例相同的部分不在赘述，不同的是在每排第二喷嘴 120的远离清洗槽底部一侧至少还具有一排平行于所述第二喷嘴120的第三 喷嘴140，并且第三喷嘴140的喷射方向为相邻的第一喷嘴110和第二喷嘴 120的间隙。每排第三喷嘴140与其对应的一排第二喷嘴120交错排放。也 就是每两个相邻的第一喷嘴110和第二喷嘴120之间的间隙对应于一个第三 喷嘴140。
两排第三喷嘴140也位于清洗槽100的侧壁上的靠近开口处，并且沿矩 形开口的长边排列，并且平行于第二喷嘴120放置，每排第二喷嘴120对应 一排第三喷嘴140,第三喷嘴140位于第二喷嘴120的远离清洗槽100底部 一侧。每个长边上具有一排第三喷嘴140,第三喷嘴140每间隔1.6-4cm放 置一个，具体为间隔2cm^:置一个。上述第三喷嘴140可以通过清洗槽100 的侧边上的管道连通，由清洗液供给装置通过所述管道向喷嘴4是供清洗液。 并且两排第三喷嘴140的喷射方向都朝向清洗槽100的沿长度方向的中轴线 方向，并且可以通过第一喷嘴110和第二喷嘴120的间隙向晶片的中央喷射 清洗液。除此之外，第三喷嘴140的间隔和数量可以4艮据清洗槽100的长度 进行调整，位置也可以才艮据清洗槽100的形状进行调整，保证清洗槽100内 放置晶片的位置都可以被第三喷嘴140喷射到。例如可以在清洗槽上方设置 支架或者管道，将第三喷嘴140设置在支架或者管道上。
同样，还可以将第三喷嘴140设置为可以调整喷射的方向，设置方法可 以和第一喷嘴110相同。
在其它的实施例中，还可以在第三喷嘴上方设置第四喷嘴。
在其它的实施例中，还可以设置多于两排的第一喷嘴或第二喷嘴，例如 3排、4排等等。
本实用新型虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本实用新 型，任何本领域技术人员在不脱离本实用新型的精神和范围内，都可以做出 可能的变动和修改，因此本实用新型的保护范围应当以本实用新型权利要求 所界定的范围为准。
权利要求1、一种晶片清洗装置，包括开口朝上的清洗槽、位于清洗槽开口上方至少两排第一喷嘴，其特征在于，第一喷嘴的远离清洗槽底部一侧至少还具有两排第二喷嘴，所述第二喷嘴的喷射方向为第一喷嘴的间隙。
2、 根据权利要求1所述的晶片清洗装置，其特征在于，包括两排 平行的第一喷嘴和两排平行的第二喷嘴，所述第二喷嘴平行于其对应的一排第 一喷嘴，与其对应的一排第 一喷嘴交错排放。
3、 根据权利要求1所述的晶片清洗装置，其特征在于，所述第一喷嘴和/或所述第二喷嘴的喷射方向能够调整。
4、 根据权利要求1所述的晶片清洗装置，其特征在于，所述两排第一喷嘴和第二喷嘴位于所述清洗槽相对的两个侧壁上的靠近开口处。
5、 根据权利要求4所述的晶片清洗装置，其特征在于，每排第一 喷嘴/第二喷嘴数目为9至20个，并且均匀排放。
6、 根据权利要求5所述的晶片清洗装置，其特征在于，每排所述 第一喷嘴的数目为17个，所述第二喷嘴的数目为17个。
7、 根据权利要求6所述的晶片清洗装置，其特征在于，相邻第一 喷嘴的间距为2cm，相邻第二喷嘴的间距为2cm,所述清洗槽沿每排第 一喷嘴和第二喷嘴的排列方向的长度34cm。
8、 根据权利要求7所述的晶片清洗装置，其特征在于，相邻第一 喷嘴和第二喷嘴的沿第一喷嘴的排列方向的间距为lcm。
9、 才艮据权利要求1所述的晶片清洗装置，其特征在于，在每排第 二喷嘴的远离清洗槽底部 一侧至少还具有 一排平行于所述第二喷嘴的 第三喷嘴，并且第三喷嘴的喷射方向为相邻的第 一喷嘴和第二喷嘴的间
专利摘要本实用新型公开了一种晶片清洗装置，包括开口朝上的清洗槽、位于清洗槽开口上方至少两排第一喷嘴，第一喷嘴的远离清洗槽底部一侧至少还具有两排第二喷嘴，所述第二喷嘴的喷射方向为第一喷嘴的间隙。利用该装置可以使晶片表面清洗的更干净。
文档编号H01L21/00GK201315314SQ20082015753
公开日2009年9月23日 申请日期2008年12月19日 优先权日2008年12月19日
发明者亮 杜, 伟 王, 肖志强, 黄子伦 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司