专利名称：电容器下电极的结构的制作方法
技术领域：
本发明是有关一种半导体元件的结构，且特别是有关一种不易被清洗溶液冲倒的电容器下电极的结构。
图1为公知电容器下电极的侧视图。请参照图1，首先在基底100上形成数个金氧半导体(MOS)，其中每一个皆包含位于基底100上的栅极102、位于栅极102的侧壁上的间隙壁104、以及在栅极102两侧的基底100中的源极/漏极(source/drain)区106。接着，在基底100上形成介电层108以覆盖住上述金氧半导体，再于介电层108上形成位线110，其是与源极/漏极区106其中之一电性耦接。接着，在基底100上形成介电层112以覆盖位线110，再于介电层112上形成多个下电极114，其是与源极/漏极区106的另一者电性耦接。
图2为公知电容器下电极阵列的俯视图。公知电容器下电极114的形状大致为一长方体，而其俯视图大致为一长方形。请参照图3，在电容器下电极114作进一步处理之前，例如是形成半球形硅晶粒以增加其表面积之前，或是形成电容器介电层之前，必须以RCA溶液清洁其表面，此RCA溶液的组成中包含去离子水、硫酸(H2SO4)与过氧化氢(H2O2)等。
然而，随着存储单元的尺寸日益减小，电容器下电极114的高度亦须日渐增加，借以增加其表面积，并提供足够的储存电容。由于电容器下电极114的高度增加，所以在使用RCA溶液冲洗之时，电容器下电极114容易被水流冲倒或抽倒，如图3所示的断裂的下电极114a，如此将使工艺的合格率降低。
本发明的另一目的则是提出一种能够提高电容器下电极的工艺合格率的方法。
本发明所提出的电容器下电极的俯视图呈一狭长形，此狭长形具有两端以及两侧边，其中两侧边皆呈尖凸状，且两侧边皆向内凹入。
另一方面，本发明的提高电容器下电极工艺合格率的方法，其是在形成电容器下电极的阵列时，将其中每一个下电极皆定义成如同上述本发明的电容器下电极的结构，且具有相同的指向。并且，在形成这些电容器下电极之后所进行的清洗步骤中，使清洗溶液的水流方向大致与这些电容器下电极的长轴平行。
如上所述，因为本发明所提出的电容器下电极的两端尖凸且两侧边凹入，其外型较近于流线形，故依据流体力学的原理，当清洗溶液的水流方向与下电极的长轴平行时，此下电极所受的冲击力较小，而较不易被清洗溶液冲倒。另外，由于本发明所提出的下电极的两端尖凸，且两侧边凹入，故其表面积明显大于公知的下电极，使其电容值可更加提高。
100基底 102栅极104间隙壁 106源极/漏极区108、112介电层 110位线114、114a、116下电极118下电极之侧边
120下电极之两端 122狭窄区124长方形 126清洗溶液(的方向)
请参照图4，本发明较佳实施例的电容器下电极116的俯视图呈一狭长形，而其侧视图则大致如图1所示的矩形。由于此电容器下电极116的形成方法与位置皆大致与公知技艺相同，故此处不再赘述。
请参照图5，如由基底上方观之，下电极116的轮廓是由两侧边118及两端120围出，且此下电极116可为一长方形124框起。其中，下电极116的两端120皆呈尖凸状，且两侧边118皆向内凹入，而在两侧边118之间形成一狭窄区122。另外，本发明的电容器下电极116的材质例如是多晶硅。
电容器下电极116在作进一步处理之前，如形成半球形硅晶粒层以增加其表面积之前，或形成电容器介电层之前，其表面必须加以清洗，如图6所示，当利用清洗溶液126冲洗下电极时，清洗溶液126的流动方向大致与电容器下电极116的长轴平行，使得水流先冲至下电极116的两端120的其中一端，再顺着下电极116的两侧边118流过。此冲洗步骤可以是用来清洗下电极表面的，其所使用的清洗液例如是RCA溶液，其组成为去离子水、硫酸与过氧化氢等。
在本发明的较佳实施例中，当使用RCA溶液冲洗电容器下电极116时，因为本发明所提的下电极116的两端120尖凸且两侧边118凹入，即其外型较近于流线形，故依据流体力学原理，当清洗溶液126的水流方向与下电极116的长轴平行时，此下电极所受的冲击力较小，而较不易被清洗溶液冲倒。另外，由于本发明所提出的下电极的两端尖凸，且两侧边凹入，故其表面积明显大于公知的下电极，使其电容值可更加提高。
权利要求
1.一种电容器下电极的结构，其特征是，该电容器下电极的俯视图呈一狭长形，该狭长形具有两端及两侧边，其中该两端皆呈一尖凸状，且该两侧边皆向内凹入。
2.如权利要求1所述的电容器下电极的结构，其特征是，该电容器下电极的材质包括多晶硅。
3.一种提高电容器下电极工艺合格率的方法，其特征是，该方法包括在形成多个电容器下电极时，将其中每一个电容器下电极皆定义成俯视图呈一狭长形，且具有相同的指向，其中该狭长形具有两端及两侧边，该两端皆呈一尖凸状，且该两侧边皆向内凹入；以及在形成该电容器下电极之后所进行的一清洗步骤中，使该清洗步骤中所使用的一清洗溶液的水流方向大致与该些电容器下电极的一长轴平行。
4.如权利要求3所述的提高电容器下电极工艺合格率的方法，其特征是，该些电容器下电极的材质包括多晶硅。
5.如权利要求3所述的提高电容器下电极工艺合格率的方法，其特征是，该清洗步骤为一用来清洗该些电容器下电极的表面。
6.如权利要求5所述的提高电容器下电极工艺合格率的方法，其特征是，该清洗溶液的组成包括去离子水、硫酸(H2SO4)与过氧化氢(H2O2)。
全文摘要
一种电容器下电极的结构，其较不易在后续的清洗工艺中被清洗溶液冲倒。当由基底上方观视时，此电容器下电极呈一狭长形，此狭长形具有两端与两侧边，其中两端皆呈尖凸状，且两侧边皆向内凹入。
文档编号H01L21/3213GK1393909SQ02124310
公开日2003年1月29日 申请日期2002年6月14日 优先权日2001年6月14日
发明者孙嘉骏, 林思闽, 王泉富 申请人:联华电子股份有限公司