专利名称：基板处理方法、基板处理装置和基板处理系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种对半导体晶片、光掩膜用玻璃基板、液晶显示用玻璃基板、等离子体显示用玻璃基板、光盘用基板等各种基板(下称基板)，实行从规定的湿式处理到干燥处理一系列处理的基板处理方法，以及适用该方法的基板处理装置和基板处理系统。
背景技术：
半导体设备的微型化近年来飞速进步，但伴随这种微型化在基板处理时产生了新的问题，例如，在对涂布在基板上的保护膜图案化而形成微细图形时，要依次进行湿式显像处理和干燥处理。其中使涂布在基板上的保护膜显像的湿式显像处理，如进行碱显像处理和冲洗处理。在碱显像处理中，为除去不需要的保护膜要使用碱性水溶液；在冲洗处理中，为除去碱性水溶液(为停止显像)，要使用纯水等冲洗液。另一方面在干燥处理时，要让基板旋转，利用离心力作用除去基板上残留的冲洗液，加以干燥(旋转干燥)。其中所述干燥工序随干燥的进程，基板上会出现冲洗液和气体的界面，如该界面出现在半导体装置的微细图形的间隙，由于冲洗液表面张力影响，微细图形彼此之间会相互拉近而产生损坏问题。
对于这种微细图形的损坏，还必须考虑在甩出冲洗液时的流体阻力、冲洗液从微细图形上离开时产生的印痕、以及3000rpm超高速旋转的空气阻力和离心力。
为解决此问题，已经提出了已公开的超临界干燥处理技术方案(例如参考特许文献1)将基板保持在压力容器内、在该压力容器内导入具有低粘性、高扩散性且无表面张力性质的超临界流体(下称“SCF”)，使基板超临界干燥。
此装置可将施加显像处理(碱显像处理和冲洗处理)的基板保持在反应室内。且，该装置中在保持基板的原有状态下，操作泵装置，把一定量的液态二氧化碳从储存瓶压送到反应室，由压力控制阀自动控制反应室内的二氧化碳压力，使反应室内二氧化碳压力维持在7.38～8MPa，使反应室内的二氧化碳成为超临界流体。然后，从反应室放出超临界二氧化碳，反应室内减压，并使基板干燥。
另一方面，参照特许文献2也提出了所述显像处理等的湿式处理与使用SCF进行的高压干燥处理在同一反应槽内进行的基板处理装置的技术方案。在此装置中，自液体容器向安放基板的反应槽内导入洗净液、蚀刻液、显像液等处理液，由于在此反应槽内处理液被旋转机构搅拌，就可顺利而均匀的实行湿式处理。接着，从液体容器将冲洗液导入反应槽替换处理液，进行冲洗处理。这之后，一边从反应槽排出冲洗液，一边将SCF从气体储存瓶导入反应槽，冲洗液被SCF置换，最后，缓慢排出SCF进行超临界干燥也即是高压干燥处理。这样一来，在此基板处理装置中，就不必将基板从显像装置输送到超临界干燥装置。因此，避免了因基板输送间的自然干燥而造成的微细图形彼此间因冲洗液表面张力引起的拉近而被损坏。
特许文献1特开2000-223467号公报(第三页，图1)特许文献2特开平11-87306号公报(0016，0017，图1)但是，特许文献1记载的超临界干燥装置是只进行干燥处理的装置，显像处理(碱显像处理和冲洗处理)是使用与该干燥装置不同的另外的显像装置。因此，目前为对基板上进行从显像处理到干燥处理一系列基板处理，在显像装置中进行碱显像处理和冲洗处理后，必须将冲洗液润湿状态的基板输送到超临界干燥装置。也即是，从显像装置输送到超临界干燥装置期间该基板将被自然干燥，微细图形彼此间由于冲洗液和表面张力将被相互拉近而产生损坏，失去了进行超临界干燥的本意。
此外，还必须考虑到在同一装置内，按照显像装置机能设计的显像处理单元和按照超临界干燥装置机能设计的高压处理单元，还要据此设计作为输送单元的自动输送装置，该自动输送装置将利用显像处理单元显像处理过的基板湿式输送到高压处理单元上。
因此，上述设置有显像处理单元、高压处理单元以及自动输送装置等的基板处理装置，是只考虑碱显像处理而设计的装置，欠缺通用性是一个问题。在实际制造半导体装置或液晶显示装置等电子产品的制造工艺中，所实行的显像处理并不限于上述碱显像处理，存在着多种显像处理工艺。例如，使用保护膜的膜材料就不用碱显像液做显像液，而是用醋酸丁酯等有机显像液，在这个有机显像处理后，用异丙醇(IPA)作冲洗液进行冲洗处理。
为提高基板处理装置的通用性，例如对应碱显像处理，不仅要设计出上述的碱显像用的显像处理单元、输送碱显像后的基板的碱显像用自动输送装置、以及高压处理单元，而且要考虑追加设计，实行有机显像处理的有机显像用处理单元、输送有机显像后基板的有机显像用自动输送装置和高压处理单元。但是，对应这种显像处理而设置有专用输送单元(碱显像用自动输送装置和有机显像用自动输送装置)的基板处理装置，会导致基板处理装置的大型化和高成本。
另一方面，特许文献2所记载的在一个反应槽内连续进行湿式处理和高压干燥处理的装置，会产生下列问题，在实行高压干燥处理的基板处理装置中，比起以前常用的基板处理装置用常压进行表面处理的基板处理装置有较多的制约条件。其中最大的制约条件是限制了处理液选择范围。如上所述，此基板处理装置中作为反应槽必须使用压力容器，但是，在为进行表面处理要使用强酸或强碱腐蚀性处理液时，该处理液将腐蚀压力容器的液接触面。因此，为实行表面处理强酸或强碱性腐蚀药液不能导入，其结果是大大制约了处理液的选择范围。
为取消上述制约，当然可考虑将压力容器的内表面制成具有氟树脂等的耐腐蚀涂层，但在高压下长时期持续发挥它的功能事实上是困难的。即使对压力容器的内面进行耐腐涂布，对直至底部的细小的配管和接头、高压阀等零件的全部内表面都制成耐腐蚀涂层，实质上是不可能的。
发明内容
本发明的目的在于避免现有技术存在的不足之处，提供一种基板不产生微细图形损坏，进行从湿式处理到干燥处理一系列处理良好的基板处理方法，以及适应该方法的小型化、廉价、且通用性优良的基板处理装置和基板处理系统。
有关本发明基板处理方法的第一种方案是，为达到上述目的，应具有如下工序在湿式处理装置内，向基板供给处理液并施加规定的湿式处理，进而向接受该湿式处理的基板供给干燥防止液，并用干燥防止液置换附着于基板上的处理液的湿式处理工序；具有在由干燥防止液润湿的状态将此湿式处理工序后的基板输送到高压干燥装置的输送工序；在高压干燥装置内，用高压流体或者高压流体与药剂的混合物作为处理流体，使由输送工序输送来的基板高压干燥的干燥工序。
具有这种结构的发明中，由于用湿式处理装置实行湿式处理，及用高压干燥装置专门实行高压干燥处理，对湿式处理工序可以应用的处理液种类不再附加限制，而且压力容器内不会产生腐蚀等问题，自湿式处理到干燥处理的一系列处理运行良好。
此外，在特许文献2记载的装置中，还含有对压力容器输入、输出处理液和SCF、从湿式处理到干燥处理一系列需要处理时间的所谓问题。因此，本发明只在高压干燥装置中使用处理流体，且湿式处理工序和干燥工序可并行运行。因而使湿式处理到干燥处理的一系列处理运行时间缩短，可有效地进行基板处理。
对在湿式处理装置内接受规定湿式处理的基板供给干燥防止液，同时用干燥防止液置换附着于基板上的处理液之后，在用干燥防止液润湿的状态下，基板从湿式处理装置自动输送到高压干燥装置。因此防止了在基板输送中基板的自然干燥，基板可避免损坏地进行良好的处理。
有关本发明其他基板处理方法的方案是，为达成上述目的，具有如下工序在湿式处理装置内，向基板供给处理液并实行规定的湿式处理的湿式处理工序；在维持由处理液润湿状态将湿式处理工序后的基板输送到置换装置的第一输送工序；在置换装置内，向由输送工序输送来的基板供给干燥防止液，并用干燥防止液置换基板上附着处理液的置换工序；在维持由干燥防止液润湿状态将置换工序后的基板输送到高压干燥装置的第二输送工序；以及在高压干燥装置内用高压流体或高压流体与药剂混合物作为处理流体，使由第二输送工序输送的基板高压干燥的干燥工序。
有这种结构的发明，也与上述一方式同样，一方面用湿式处理装置实行湿式处理，另一方面用高压干燥装置单独实行高压干燥处理，所以对处理液种类没有制约，也不产生压力容器内的腐蚀等问题，从湿式处理直至干燥处理一系列处理运行良好。同时，伴随着在高压干燥装置中只采用处理流体，使湿式处理、置换处理及高压干燥处理可以并行运行。致使自湿式处理至干燥处理的一系列处理能在短时间内完成，能有效地进行基板处理。
有关施加湿式处理后的基板，在维持由处理液润湿状态，湿式输送到置换装置，在此置换装置内，以干燥防止液置换附着于基板上的处理液，之后，再以由此干燥防止液润湿的状态将基板湿式输送到高压干燥装置。这样一来，在基板的输送中，基板被处理液和干燥防止液所润湿，起到了防止基板自然干燥的作用，基板可无缺欠的进行良好的处理。
作为适合所述基板处理方法的基板处理装置，例如是如下的装置，其特征是，包括保持基板的基板保持装置；向用基板保持装置保持的基板供给处理液并进行规定的湿式处理的处理液供给装置；向实行湿式处理后的基板供给干燥防止液，用干燥防止液置换附着在基板上处理液的干燥防止液供给装置。该装置，适应进行权利要求1的湿式处理工序。
其次，作为适应所述基板处理方法的基板处理装置，还例如是如下的装置，其特征是，包括保持用处理液润湿的基板的基板保持装置；向用基板保持装置保持的基板上供给干燥防止液，并用此干燥防止液置换附着在基板上的处理液的干燥防止液供给装置。该装置适应了进行权利要求2的置换工序。
相应上述基板处理方法的基板处理系统，还例如是如下的系统，其特征是，包括与权利要求5记载的基板处理装置具有同一结构的湿式处理单元；使用高压流体或者高压流体与药剂的混合物作为处理流体而使基板高压干燥的高压干燥单元；在维持由干燥防止液润湿状态下将基板从湿式处理单元输送到高压干燥单元的输送单元，此系统适应进行权利要求1的基板处理方法。
作为适应上述基板处理方法的基板处理系统，还例如是如下的系统，其特征是，包括向基板供给处理液并实行规定的湿式处理的湿式处理单元；与权利要求6记载的基板处理装置有同样结构的置换单元；采用高压流体或者高压流体与药剂的混合物作为处理流体，高压干燥从湿式处理单元输送来的基板的高压干燥单元；在维持由处理液润湿状态下将基板从湿式处理单元输送到置换单元，或在维持由干燥防止液润湿状态下将基板从置换单元输送到高压干燥单元的输送单元，该处理系统适应进行权利要求2的基板处理方法。
本发明为达到上述目的，具有对于基板分别实行相互不同的显像处理的多个显像处理单元；使将高压流体或者高压流体与药剂的混合物作为处理流体与显像处理过的基板表面接触，并对该基板的表面进行表面处理的高压处理单元；对多个显像处理单元和高压处理单元可以存取，并可从此多个显像处理单元的各个将显像处理过的基板输出，输送至高压处理单元的输送单元。
在该结构的发明中，把对基板进行分别不同的显像处理的多个显像处理单元设置在一个装置内，可以对每一个基板有选择地进行多个显像处理中的1个显像处理，通用性好。且，由多个显像处理单元的各个进行显像处理后的基板，不论用哪一个显像处理单元进行显像处理，都能用输送单元输送到高压处理单元。也就是说输送单元对多个显像处理单元作为共用的输送装置而发挥作用。所以比起根据显像处理内容而设置专用的输送单元来，本发明装置结构简单，装置小型化和成本低。
本发明使用的高压流体从安全性、价格、易达到临界状态各方面考虑，优选二氧化碳，除二氧化碳以外，也可使用水、氨、氧化亚氮、乙醇等。为使所用高压流体扩散系数高，能分散媒体中溶解的污染物质，把高压流体制成超临界流体，使其具有气体和液体的中间的性质，能扩散系数接近气体地较好地浸透到细微图形部分。超临界流体的密度近似液体，与气体相比含有大量的添加剂(药剂)。
本发明所谓高压流体，为压力在1MPa以上的流体。优选的高压流体应该是具有高密度、高溶解性、低粘度、高扩散性性质的流体，更优选处于超临界状态或亚临界状态的流体。在采用二氧化碳作超临界流体时，在31℃、7.1MPa以上即可，特别是干燥工序，优选使用5～30MPa的亚临界(高压流体)或超临界流体，优选在7.1～20MPa进行这些处理。
发明效果本发明因为用湿式处理装置或湿式处理单元实行湿式处理，用高压干燥装置或高压干燥单元专门实行高压干燥处理，所以对湿式处理工序可用的处理液种类不需要加以限制，通用性优良。压力容器内不产生腐蚀等问题，干燥处理运行良好。湿式处理工序和干燥工序(其中包括置换工序)可以并行操作。因此，从湿式处理到干燥处理的一系列处理，可在短时间完成，可高效进行基板处理。再有，在维持由干燥防止液(包括冲洗液)润湿状态将基板从湿式处理装置湿式输送到高压干燥装置，防止了在输送基板过程中产生的基板自然干燥的缺欠，可对基板进行良好处理。
根据本发明，因为对基板分别实行相互不同的显像处理的多个显像处理单元能设置在同一装置内，能够有选择地对每一个基板进行多个显像处理之一的显像处理，具有优越的通用性。而且，由于结构为，在多个显像处理单元的各个进行显像处理过的基板，不管用哪一个显像处理单元处理过，都可以利用输送单元输送到高压处理单元，所以与根据每一个显像处理内容而设置专用的输送单元的装置相比较，本装置的结构简化，装置尺寸和装置成本减小。也即是获得了小型化，价格便宜，可以进行多种显像处理的基板处理装置。
图1是表示本发明关于基板处理系统的实施方式1的图。
图2是表示图1基板处理系统装备的显像处理单元的图。
图3是表示图1基板处理系统装备的高压干燥单元的图。
图4是表示交付自动输送装置和主自动输送装置间基板交接状态的大俯视图。
图5是表示图1基板处理系统的动作的流程图。
图6是表示本发明关于基板处理系统的实施方式2的图。
图7是表示图6的基板处理系统的动作的流程图。
图8是表示关于本发明基板处理系统的实施方式3的图。
图9是表示图8中基板处理系统装备的显像单元的图。
图10是表示图8中基板处理系统装备的置换单元的图。
图11是表示图8中基板处理系统的动作的流程图。
图12是本发明关于基板处理系统的实施方式4的图。
图13是表示图12的基板处理系统的动作的流程图。
符号说明10A～10D显像处理单元；20超临界干燥处理单元(高压处理单元)；30主自动输送装置(输送单元)；70置换单元；118显像液供给机构；146冲洗、干燥防止液供给机构；W基板。
具体实行方式实施方式1图1是表示本发明的基板处理系统的实施方式1的图。图2是表示图1的基板处理系统中装备的显像处理单元的图。图3是表示图1的基板处理系统装备的高压干燥单元的图。这个基板处理系统如图1所示，设有基板处理部PS、与该基板处理部PS结合的交付部(インデクサ部)ID。
在基板处理部PS中，设置有对基板进行相同湿式处理工序的多个显像处理单元(本实施方式为2个显像处理单元10A、10B)，作为相“湿式处理装置”、“基板处理装置”和“湿式处理单元”。也就是，各显像处理单元10A、10B，先将显像液作为第一显像液供给基板W的表面进行显像处理，进而供给冲洗液作为第二处理液进行冲洗处理，之后，将干燥防止液供给到基板W的表面上，用干燥防止液置换附着在基板W上的冲洗液。关于该结构和动作在后面详述。
作为处理单元，设计有在接受湿式处理工序(在此实施方式中，是显像处理+冲洗处理+置换处理)的基板W上施加超临界干燥处理的超临界干燥单元20，它具有本发明的“高压干燥单元”和“高压干燥装置”功能。关于此结构和动作详述于后。
由这些处理单元10A、10B，20包围的，约在基板处理部PS中央配置有具备本发明所述“输送单元”功能的主自动输送装置30。
在本实施方式中，显像处理单元10A、10B的基本构成如图2所示，有着同一结构。即在显像单元10A、10B中，设有保持基板W的基板保持部(基板保持装置)102。此基板保持部102，有与基板W平面尺寸相同的基板支持板104，在此基板支持板104的上面，固定有多根周边支持杆106，由周边支持杆106支持基板W的周边部，使基板W保持在约水平状态。还必须根据必要自基板支持板104的上面，竖立设置支持基板W的下面中央部的中央支持杆。在此实施方式中，是机械地保持基板W，基板的保持方式并不限定于此，例如也可用真空吸附保持基板W的下面。
该基板支持板104连接在电机108的输出旋转轴110上，随着电机108的动作旋转。因此，基板保持部102所保持的基板W也随之被驱动而在规定计时旋转。
这个装置中，设计在基板保持部102周围的处理室112应回收所有的、下述说明的狭缝喷嘴124供给基板W的显像液剩余部分，从排出喷嘴148排出的冲洗处理用的冲洗液和置换处理使用的干燥防止液(置换液)。该处理室112可升降，它的底部设有排液口114(116)和排气口116(114)。
该基板处理系统，为从上述狭缝喷嘴124供给基板W所需显像液，设计有作为本发明的“处理液供给装置”的显像液供给机构118。该显像供给机构118中，由显像液供给源120供给的显像液，通过阀122压送到狭缝喷嘴124，让显像液布满基板W的表面形成显像液层。即，狭缝喷嘴124有与基板W的直径等长的显像液供给口，通过此显像液供给口让显像液不断地滴在静止的基板W上，使用水平方向移动的机构126，让狭缝喷嘴124进行与基板W平行(+X)的方向移动，在基板W的表面全部盛满显像液。但显像液供给口的长度不必限定与基板W的直径等长，比它长也可。考虑到盛装显像液时显像液冲击基板W，让狭缝喷嘴124在靠近基板W上方的位置开始滴下显像液，并让狭缝喷嘴124朝(+X)的方向移动。
狭缝喷嘴124的水平方向移动机构126由电机128、滑轮130、132和传送带134构成。电机128的电机轴连接滑轮132，滑轮130、132上挂着传送带134。电机128一转动，传送带134就循环运动。传送带134与升降机构136的伺服电机138以连接部件140连接。电机128可以正反向转动，伺服电机138也随之沿X轴方向前或后退，其结果是升降机构136上部设置的狭缝喷嘴124向着(+X)或(-X)方向移动。
另一方面，升降机构136由伺服电机138、接合件142和丝杠144构成。伺服电机138旋转可通过接合件142传送到丝杠144。丝杠144上螺合着狭缝喷嘴124，因此，随着伺服电机138的正逆转，狭缝喷嘴124沿垂直方向升降。而且接合件142可吸取伺服电机138的电机轴和丝杠144的轴偏离，成为保护伺服电机138的部件。
显像液供给机构118中，排出显像液的显像喷嘴采用狭缝喷嘴124，但不应局限于此，还可用除此之外的直线喷嘴、SS喷嘴、SI喷嘴、MI喷嘴等任一种喷嘴。显像喷嘴124沿X轴方向扫描而供给基板W显像液，但也可以采用由显像喷嘴124部分地供给基板W显像液后，再让基板W旋转，把显像液铺满全部基板W的机构，作为本发明的“处理液供给装置”。
此实施方式中，为有选择地供给基板W冲洗液或干燥防止液，设有冲洗液/干燥防止液供给机构146。该冲洗液/干燥防止液供给机构146中，在基板保持部102上方位置设有喷嘴148，可向基板W有选择地排放冲洗液或干燥防止液。排放喷嘴148的端部如图2那样，连接有升降旋转机构150，因升降旋转机构150而绕旋转中心AX旋转而水平摆动和升降。排放喷嘴148的后端部通过阀152连通冲洗液供给源154；通过阀156连通干燥防止液供给源158，用阀152、156的开闭控制，由排放喷嘴148有选择地排出冲洗液或干燥防止液。本实施方式中，冲洗液/干燥防止液供给机构146兼备本发明的“处理液供给装置”功能，“干燥防止液供给装置”功能，排出喷嘴148具备排出冲洗液或干燥防止液的喷嘴功能，但是勿用讳言，也可分别设置冲洗液专用排出喷嘴、干燥防止液专用排出喷嘴，并设置升降旋转机构，使各排出喷嘴进行适当的升降、旋转。而且，也可以设置一个升降旋转机构用以移动冲洗液专用排出喷嘴和干燥防止液专用排出喷嘴。
这里的干燥防止液是可防止基板W从显像单元10A、10B输送到超临界干燥单元20期间自然干燥的液体，按此原则采用其他液体也可以。但是必须考虑在超临界干燥单元20中的超临界干燥处理的效率，期待它们与SCF的亲和性要优良，也就是说要使用具有比冲洗液对SCF的亲和性还高的亲和性的液体，所以可以用比特许文献1记载的装置效率高的进行超临界干燥处理，考虑到这一点，可以用氟碳类药液等作为置换液、干燥防止液。
在该结构的显像处理单元10A、10B中，由阀122、152、156的开闭控制，供给基板W显像液并实行规定的显像处理，向接受该显像处理的基板W供给冲洗液并实行冲洗处理，进而向接受该冲洗处理的基板W供给干燥防止液，同时用此干燥防止液置换基板W上附着的冲洗液。
其次，继续参照图3，详述超临界干燥单元20，该超临界干燥单元20如该图所示，使基板W保持在压力容器202的内部，并在处理室204内可自由旋转。更具体地说，在压力容器202中，其内部用做处理室204，它的侧面部设置有供基板W输出、输入处理室204的开口部206。
在压力容器202的旁侧配置有开闭开口部206的门部208。此门部208连接门驱动部(省略图示)，接收来自控制装置总体的控制部的动作指令后，门驱动部动作，驱动门部208进行升降移动。例如门部208一下降，就关闭开口部206，使处理室204内成气密状态。另如门驱动部使门部208上升，就如同图所示，开口部206成开放状态，主自动输送装置30的机械手就能沿同图中点划线所示输送途径移动，可进、出处理室204，保持由干燥防止液润湿的基板W的机械手移动到处理室204，并将基板W载置位于处理室204内的旋转卡盘210上(基板W的输入)。与此相反，机械手接受旋转卡盘210上的基板W后，就沿输送途径从压力容器202后退，从压力容器202取出基板W。
此旋转卡盘210配置在处理室204内，由其上面设计的吸附口(省略图示)，吸附基板W的下面中央部并保持。在旋转卡盘210上，连接随电机212旋转的旋转轴214，接受控制部的动作指令的电机212被旋转驱动，相应地旋转卡盘210和由它保持的基板W将一起在处理室204内旋转。这种在旋转卡盘210上的基板W保持方式，不仅限于采用吸附，用机械结构保持也可以。
该压力容器202中，同图表示那样，设置有连通处理室204的2个贯通孔216、218，贯通孔中设置在顶部的贯通孔216的处理室204一侧的端部，设计在靠近旋转卡盘210上保持的基板W上面中央部位，另一端通过阀220连接SCF供给部222。受控制部给出的开闭指令打开阀220时，从SCF供给部222供给作为处理流体的超临界二氧化碳到处理室204，实行超临界干燥。
此实施方式中作为处理液体使用超临界二氧化碳的SCF，但使用超临界二氧化碳和药剂混合物作为处理流体导入处理室204也可，作为适于干燥处理的药剂，优选使用将干燥防止液成分溶解或均匀分散在SCF中的助剂而形成得到的相溶化剂。此实施方式中不特别局限在让干燥干燥防止液成分与SCF相溶化，如用甲醇、乙醇、异丙醇等醇类或者被称为界面活性剂的二甲基亚砜等烷基亚砜类也是优选的。
另一个贯通孔218通过阀224接通SCF回收部226，将上述那种导入处理室204内的SCF和伴随超临界干燥处理而产生的污染物质等排出到压力容器202外可加以回收。
其次，参照图1和图4继续说明主自动输送装置30。该主自动输送装置30在可在与交付部ID之间进行基板W的交接的同时，应设有对处理单元10A、10B、20进入进行基板W的输出和输入的机构。
交付部ID包括以收容在作为六方体形状的有盖容器的容器P中的状态放置基板W的基板台40，和可相对基板台40上置有的容器P而输入、输出基板W且在与主自动输送装置30之间可进行基板W交接的交付自动输送装置(インデクサロボツト)50。基板台40中可沿Y方向载置多个(此实施方式中为3个)容器P，在各容器P内，收容有可将多个基板W相互重叠收容的收容箱(省略图示)。在容器P的外侧面的相对交付自动输送装置50的前面设置有离合自如的盖，由没有图示的离合机构使该盖自动离合。
交付自动输送装置50可以沿基板台40放置的容器P的配置方向，即沿Y方向行走，移动到任何一个容器P的前方，移动到为了在与主自动输送装置30之间交接基板W的交接部60的前方。
图4是显示交付自动输送装置与主自动输送装置之间基板W的交接状态的放大平面图。主自动输送装置30具有保持基板W的一对机械手302、304；具有使这样一对机械手302、304相对基台部306相互独立进、退的进退驱动机构308、310；具有使基台部306绕垂直轴线(垂直图4纸面的轴线)旋转驱动的旋转驱动机构(图略)；并具有让基台部306沿垂直方向升降的升降驱动机构(无图示)。进退驱动机构308、310为多关节臂型件，能保持机械手302、304的姿势，并使它在水平方向进退，另一方面，其中一个机械手302在另一个机械手304的上方进、退，在机械手302、304双方退到基台部306的上方后的初始状态，此时机械手302、304上下方向重合。
另一方面，交付自动输送装置50具有保持基板W的一对机械手502、504、使这一对机械502、504相对基台部506相互独立进、退的进退驱动机构508、510、使基台部506绕垂直轴线旋转的旋转驱动机构(省略图示)、使基台部506升降的升降驱动机构(省略图示)、和使交付自动输送装置50全体沿Y方向(参照图4)水平移动的水平驱动机构。进退驱动机构508、510是多关节臂型的驱动机构，使机械手502、504在保持它们的姿态下沿水平方向进、退。一支机械手502位于另一支机械504的上方，在机械手502、504退到基台部506的上方的初始状态，机械手502、504上下重合。
支付自动输送装置50上的机械手502、504和主自动输送装置30的机械手302、304都为叉状。交付自动输送装置50的机械手502、504形状大体相同，主自动输送装置30的机械手302、304形状大体相同。交付自动输送装置50的机械手502、504与主自动输送装置30的机械手302、304俯视时具有大致啮合形状，在机械手502、302之间以及机械手504、304间，基板W可直接交接。也即在交接部60，交付自动输送装置50的机械手502从主自动输送装置30的机械手302上直接接受基板W。同样，交付自动输送装置50的机械手504在交接部60处，在主自动输送装置30的机械手304上直接接受基板W。
其次，有关上述结构的基板处理系统的动作参阅图5接着详述。图5中表示图1的基板处理系统动作流程图。为帮助理解动作，以一块基板W说明装置各部分的动作。
置于基板台40的容器P中收容的未处理基板W，由交付自动输送装置50输出(工序S1)后，进而在交接部60直接交付到主自动输送装置30。未处理基板W被加载到基板处理部PS。接受这块未处理基板W的主自动输送装置30移动到显像单元10A、10B中的任何一个显像单元的前面，将基板W送到此显像单元(工序S2)。然后用各显像单元10A、10B对基板W顺序进行显像处理、冲洗处理和置换处理(工序S3～S5)，之后，维持以干燥防止液润湿的基板W由主自动输送装置30湿式输送到超临界干燥单元20(工序S6)。也即是用机械手302(及304)保持着用共用干燥防止液润湿的基板W的状态，从显像单元输出。维持这种润湿状态的该机械手302(和304)移动到处理室204并载置在旋转卡盘210上(基板W的输入)，之后，空的机械手302(或304)将沿输送途径与输入时逆向进行移动，复位到自动输送装置原位(省略图示)。此时门部208上升，开口部206呈开放状态。
基板W的湿式输送一结束，门驱动部就动作，令门部208下降，由于开口部206被关闭，处理室204变成气密状态。然后，进行向处理室204导入SCF同时实行SCF回收，进行高压干燥处理(超临界干燥处理)(工序S7)。其中，一边徐徐提高处理室204内的压力，同时让电机212动作，促使旋转卡盘210和其上保持的基板W在比较低的转数下旋转。这种基板W的旋转，是力图防止仅有一部分基板W被干燥，而使干燥处理均一化。一面由SCF供给部222向处理室204供给SCF，并由SCF回收部226进行回收，一面维持处理室204内的压力和温度为规定值，然后停止SCF的导入，此时由于从处理室204将SCF回收到SCF回收部206，处理室204内减压，基板W被干燥。也可以在将SCF封入处理室204后，然后，在如上述那样停止SCF导入的同时，以SCF回收部226回收处理室204内的SCF，实行超临界干燥。
当从显像处理到高压干燥处理一系列处理完成，随旋转卡盘210停止旋转，处理室204减到大气压后，让门部208上升，在可以输出基板W状态下，向主自动输送装置30发出基板的输送指令。一接受这个输送指令，主自动输送装置30就从旋转卡盘210接受基板W，从超临界干燥单元20输出处理过的基板W。按加载时相反的顺序完成卸载动作，将处理完毕的基板W收容到基板台40上放置的容器P内(工序S8)。
如上所述，在上述实施方式中，由显像处理单元10A、10B进行显像处理，另一方面用超临界干燥单元专门进行高压干燥处理，其显像处理可用的显像液的种类可不加限制，而且不产生超临界干燥单元20的压力容器202内的腐蚀等问题，从显像处理到高压干燥处理一系列处理运行良好。
上述装置各部分动作的说明着眼于1块基板W，但在实际基板处理系统中，常是多块基板W同时并行处理。当某个基板W在显像单元(10A或10B)接受湿式处理(工序S3～S5)期间，别的基板W就在超临界干燥单元20接受高压干燥处理(工序S7)。因此，本实施方式中，湿式处理和高压干燥处理可并行进行，使从显像处理到高压处理的一系列处理的时间缩短，高效进行基板处理。
接着，对在显像单元10A、10B内向接受显像处理和冲洗处理的基板W供给干燥防止液并用干燥防止液置换附着在基板W上的冲洗液，之后，使由此干燥防止液维持润湿状态的基板W从显像单元10A、10B湿式输送到超临界干燥单元20上。因而具有防止此基板W在输送过程自然干燥的作用，基板W不会产生损坏，能良好地进行处理操作。
实施方式2图6表示该发明有关基板处理系统的实施方式2。实施方式2与实施方式1有较大的不同点，在基板处理部PS设置的显像处理单元10A、10B，相对实施方式1中对基板实行同一湿式处理工序的显像处理单元，在实施方式2中是分别进行相互不同的显像处理的显像处理单元。显像处理单元10A、10B的基本结构与实施方式1相同，仅仅是使用的显像液和冲洗液不同。下面将同一结构用同一符号表示，省略说明，仅说明不同点。
显像处理单元10A、10B中，对于置换液，不论那个显像处理单元，都由干燥防止液供给源158供给共用的置换液，但显像液和冲洗液却相互不同。即，在显像处理单元10A中，由显像液供给源120供给的显像液是碱性水溶液，而由冲洗液供给源154是供给纯水作为冲洗液；在显像处理单元10B中，由显像液给源120供给醋酸丁酯等有机显像液作为显像液，而由冲洗液供给源154供给IPA作为冲洗液。所用置换液，是从干燥防止液供给源158供给的惰性或在低蒸汽压下与超临界二氧化碳亲和性好的药液，例如末端有亲水基的全氟碳化合物等的氟碳类药液、含有氨基羧基的全氟聚醚药液；或是供给具有疏水基，并添加有使与纯水的置换性能提高的界面活性剂等的共用置换液。各显像处理单元10A、10B按下述进行显像处理。
显像处理单元10A中(a)碱显像处理将作为显像液的碱性水溶液供给基板，除去不需要的保护膜；(b)冲洗处理把作为冲洗液的纯水供给基板，并从基板上除掉碱性水溶液，停止碱显像；(c)置换处理将共用置换液供给基板，用共同的置换液置换附着于基板的纯水(冲洗液)，按上述顺序实行的这样一系列处理(a)～(c)相当于本发明的“显像处理”。
对于显像处理单元10B(aa)有机显像处理将作为显像液的有机显像液供给基板，除去不需要的保护膜；(bb)冲洗处理把作为冲洗液的IPA供给基板，从基板上除去有机显像液，停止有机显像；(cc)置换处理使用与上述置换处理(c)中同一类型共用置换液，将其供给基板，用共用置换液置换基板上附着的IPA(冲洗液)，按此顺序实行的这种一系列处理(aa)～(cc)相当于本发明的“显像处理”。
在此实施方式中，结构为，相应基板W的种类，具体的说是保护膜膜材料，可选择由主自动输送装置30输送基板W的输送对象(显像处理单元10A、10B)，由此选择确定实行碱显像处理或有机显像处理中的适当显像处理。接受相应的显像处理后的基板W，由主自动输送装置30输送到超临界干燥处理单元20接受超临界干燥处理。
其次，有关图6的基板处理系统的动作，参照图7详述。图7是显示图6基板处理系统动作的流程图。其中为帮助理解动作，由一块基板W说明装置各部分的动作。
收容在置于基板台40的容器P中的未处理基板W，由交付自动输送装置50输出后，进而在交接部60直接由主自动输送装置30接受，未处理基板W被装载在基板处理部PS上(工序S11)。接着，接受此未处理基板W的主自动输送装置30，根据该基板W上形成有的保护膜材料，输送基板W到相应的显像处理单元(工序S12)。也即该基板W应该是实行碱显像的基板时，主自动输送装置30就将该基板W输送到碱显像处理单元10A上。如果该基板W应该进行有机显像的基板时，主自动输送装置30就将该基板W送到有机显像处理单元10B中。
当基板W输送到碱显像处理单元10A时，在这个显像处理单元10A中，按照碱显像处理(工序S13)、用纯水冲洗处理(工序S14)和由共用置换液进行置换处理(工序S15)的次序操作。如果基板W送到有机显像处理单元10B上时，则在此显像处理单元10B中按照有机显像处理(工序S16)、由IPA冲洗处理(工序S17)和由共用置换液进行置换处理(工序S18)的次序操作。在这种显像处理单元10A、10B中进行相互不同的显像处理，但是不管那一种显像处理单元10A、10B，最终都是用共同的置换液进行置换处理，基板W成为用共用置换液润湿的状态。
上述显像处理完毕后，不管在那种显像处理单元10A、10B进行过显像处理，主自动输送装置30就把接受过显像处理的基板W湿式输送到超临界干燥单元20(工序S19)。用共用置换液润湿的基板W用机械手302(或304)保持着，从显像处理单元输出。在维持润湿状态下该机械手302(或304)移动到处理室204，并承载在旋转卡盘210上，然后，空的机械手302(或304)，沿输入时的输送途径逆向移动，返回到自动输送装置本位(省略图示)。在此期间，门部208上升，开口部206处于开放状态。
当基板W的湿式输送终了后，门驱动部动作，门部208下降，开口部206关闭，处理室204成为密闭状态。向处理室204导入SCF并进行SCF回收，进行超临界干燥处理(工序S20)。此时随着处理室204内的压力慢慢升高，电机212动作，旋转卡盘210以及由它保持的基板W，以低转数旋转。这种旋转基板W的旋转状态，防止了仅使基板W的一部分干燥，而进行均匀的干燥处理。从SCF供给部222把SCF供给处理室204的同时，另一方面SCF回收部226进行回收，在将处理室204内的压力和温度维持为所定值之后，SCF导入停止，将SCF从处理室204回收到SCF回收部226，使处理室204内减压，基板W被干燥。也可以在把SCF封入到处理室204后，再如上述那样在停止导入SCF的同时将处理室204内的SCF回收到SCF回收部226，从而进行超临界干燥。
一旦从显像处理到干燥处理的一系列处理完成，就停止旋转卡盘210的旋转，继而在处理室204减压到大气压后，让门部208上升成为可输出基板W的状态，对主自动输送装置30发出基板输送指令，此时接受此指令的主自动输送装置30从旋转卡盘210接受基板W，将由超临界干燥处理单元20处理过的基板W送出(工序S21)。按与加载时逆向的顺序进行卸载操作，并将处理过的基板W收容到基板台40置有的容器P中(工序S22)。
采用此实施方式时，碱显像处理单元10A和有机显像处理单元10B被设置在同一装置内，正如图7所示，可对基板W有选择地实施2种显像处理中的一种显像处理，成为一种通用性优良的基板处理装置。而且，分别用显像处理单元10A、10B显像处理过的基板W，不论是用哪一个显像处理单元10A、10B进行过显像处理而由主自动输送装置30输送到超临界干燥处理单元20的结构使主自动输送装置30具有通用输送单元的功能。比起对应显像处理内容而设计专用的输送单元来，本装置结构被简化，可使装置小型化和低成本。
由于使显像处理过的基板W从各显像处理单元10A、10B湿式输送到超临界干燥处理单元20，防止了基板W输送过程中的自然干燥，保护了基板表面，特别是起到了防止微细图形损坏的作用。
由于在各显像处理单元10A、10B中，作为显像处理的最后处理，用共用置换液置换基板W上附着的冲洗液(液体部分)，得到了下述作用效果。也即虽然在显像处理单元10A、10B中，使用相互不同的显像液(例如碱性水溶液或有机显像液等)，而最终基板W上附着的液体成分却为共用置换液，在由主自动输送装置30送出处理过的基板W时，可以不考虑是由哪一种显像处理单元10A、10B进行过显像处理，都可进行基板输送。
实施方式3图8表示本发明关于基板处理系统的实施方式3。图9表示图8所示基板处理系统装置的显像单元。而图10表示图8所示基板处理系统装置的置换单元。此实施方式3与实施方式1有很大的不同，其不同点在于，实施方式1的显像单元10A、10B中显像处理、冲洗处理和置换处理在同一装置内进行，而实施方式3中，显像处理和冲洗处理在显像单元10C中进行，置换处理则由专用的置换单元70进行。主自动输送装置30把基板W从显像单元10C经由置换单元70湿式输送到超临界干燥单元20。其他的构造基本与实施方式1同样。所以下面同一构件标以同一符号，省略说明，只说明不同点。
这个显像单元10C与实施方式1的显像单元10A、10B不同点，仅在于缺少与向基板W供给干燥防止液的干燥防止液供给装置相当的结构，其他结构完全一致。在这个基板处理装置10C中，用基板保持部102保持基板W，在此状态下，由显像液供给源120供给的显像液，经阀122压送到狭缝喷嘴124，并在基板W的表面铺展显像液构成显像液层，进行显像处理。在显像处理后，从排出喷嘴148排出冲洗液进行冲洗处理。因此显像单元10C具有本发明的“湿式处理装置”和“湿式处理单元”的功能。显像单元10C的其他结构和操作，与实施方式1的显像单元10A、10B相同，这里省略了对同一符号的说明。作为显像单元10C，使用过去众所周知的显像装置，即可采用供给基板显像液进行显像处理之后，供给该基板冲洗液进行冲洗处理的显像装置。
由图10所示，在置换单元70中，设有保持基板W的基板保持部(基板保持装置)102。该基板保持部102与显像单元10A～10C具有同一构造，由在基板支持板104上固定的多根周边支持杆106支持基板W的周边部，使基板W保持在略呈水平状态。其基板保持方式可以是任意的，不加限制，也可以根据需要从基板支持板104的上面竖立设置支持基板W的下面中央部的中央支持杆，此外，还可在基板W的下面设置真空吸附来保持。
为将干燥防止液(置换液)供给基板W，设有干燥防止液供给机构(干燥防止液供给装置)160。该干燥防止液供给机构160中，基板保持部102的上方位置设有喷嘴148，可以向基板W排放干燥防止液。同图表示在上述排放喷嘴148的基端，连接有升降旋转机构150，利用升降旋转机构150可绕旋转中心AX周围作水平摇动和升降。排放喷嘴148的后端部通过阀156连接干燥防止液供给源158，由阀156的开闭控制可从排放喷嘴148排出干燥防止液。
在置换单元70中，被冲洗液润湿的基板W在基板保持部102保持状态下，由排放喷嘴148供给干燥防止液(置换液)，并用干燥防止液置换附着于基板W的冲洗液。实施方式3与实施方式1用相同的液体作为干燥防止液。
下面参照图11详述上述构成的基板处理系统的动作。图11是显示图8的基板处理系统动作的流程图。为帮助理解动作，这里仅用单块基板W说明装置各部分的操作。
由基板台40上设置的容器P收容的未处理基板W，由交付自动输送装置50送出(工序S31)后，进而在交接部60由主自动输送装置30直接接受，未处理基板W加载到基板处理部PS。接受了这个未处理基板W的主自动输送装置30，移动到显像单元10C的前面，把基板W送到该显像处理单元10C上(工序S32)。在显像单元10C中对基板W依次进行显像处理和冲洗处理(工序S33、S34)，之后，维持该基板W用冲洗液润湿的状态，用主自动输送装置30湿式输送到置换单元70(工序S35；第一输送工序)。接着用置换单元70实行置换处理(工序S36)。也即是，向由冲洗液润湿的基板W上供给干燥防止液(置换液)用干燥防止液实行置换操作。
这个置换处理一终了，该基板W维持被干燥防止液润湿状态，由主自动输送装置30湿式输送到超临界干燥单元20上(工序S37；第二输送工序)。然后与实施方式1同样，在超临界干燥单元20进行高压干燥处理(超临界干燥处理)，基板W被高压干燥(工序S38)。之后，主自动输送装置30从旋转卡盘210接受基板W，从超临界干燥单元20送出处理过的基板W。然后按与加载时相反的顺序进行卸载操作，将处理过的基板W收容在基板台40上设置的容器P内(工序S39)。
上面这个实施方式中，一方面在显像单元10C中实行显像处理，另一方面在超临界干燥单元20上单独实行高压干燥处理，则如实施方式1同样，可不对显像液设置限制，也不会产生超临界干燥单元20的压力容器202内的腐蚀等问题，从显像处理至高压干燥处理的一系列处理可顺利进行。利用显像单元10C的显像处理，利用置换单元70的置换处理和利用超临界干燥单元20的高压干燥处理可并行操作。从显像处理到高压干燥处理的一系列处理可在短时间内进行，基板处理效率高。关于实行显像处理和冲洗处理的基板W，在维持用冲洗液润湿状态送到置换单元70，并在此置换单元70内将附着在基板W上的冲洗液用干燥防止液进行置换，之后再维持用此干燥防止液润湿状态将基板湿式输送到超临界干燥单元20上，所以起到了防止在基板W输送中，基板W自然干燥的作用，可不损坏基板W地进行良好的处理。
实施方式4图12表示本发明有关基板处理系统的实施方式4。该实施方式4的显像处理单元10A、10B是实施相互不同的显像处理的显像处理单元，对比实施方式2有以下不同点，即是，实施方式2的显像处理单元10A、10B，其显像处理、冲洗处理和置换处理在同一装置内进行，而实施方式4中一方面显像处理和冲洗处理用显像处理单元10D、10E进行，另一方面置换处理由单独的置换处理单元70进行。主自动输送装置30将基板W从显像处理单元10D、10E经由置换处理单元70湿式输送到超临界干燥单元20。而其他构成基本上与实施方式2相同。下面对同一结构标有同一符号，省略说明，重点说明不同点。
本显像处理单元10D、10E仅仅缺少与将置换液供给基板W的置换液供给装置相应的结构，这一点与实施方式2的显像处理单元10A、10B不同，其他结构全部一样。置换处理单元70与实施方式3的置换单元70结构相同。而该实施方式4的共用置换液可以用与实施方式2相同的液体。
其次，有关上述结构的基板处理系统的操作，参照图13详述。图13表示图12的基板处理系统的操作流程图。为帮助理解，这里只用一块基板W说明装置的各部分的动作。
收容在基板台40上设置的容器P中的未处理基板W，由交付自动输送装置50输出后，进一步在交接部60由主自动输送装置30直接接受。未处理基板W被装载到基板处理部PS(工序S41)。接受此未处理基板W的主自动输送装置30，将基板W输送到对应于该基板W上形成有的保护膜膜材料的显像处理单元(工序S42)。就是说该基板W为应实行碱显像的基板时，主自动输送装置30应将该基板W送到碱显像处理单元10D。如果该基板W是应该进行有机显像处理的基板W时，主自动输送装置30应将该基板W送到有机显像处理单元10E上。
基板W一送到碱显像处理单元10D，这个显像处理单元10D，按碱显像处理(工序S43)、由纯水冲洗处理(工序S44)的顺序操作。如果基板W是送到有机显像处理单元10E，则在该显像处理单元10E中按有机显像处理(工序S45)、由IPA冲洗处理(工序S46)的顺序操作。无论在哪个显像处理单元10D、10E中进行过显像处理，在基板W被冲洗液润湿状态，由主自动输送装置30湿式输送到置换处理单元70(工序S47；第一输送工序)。接下去在置换处理单元70内用共用置换液进行置换处理(工序S48)。
在此显像处理单元10D、10E中，进行了不同的显像处理，而对于置换处理单元70，最终处理是使用共用置换液实行置换处理，基板W成为共用置换液润湿状态。
此置换处理终了后，维持基板W被干燥防止液润湿的状态，由主自动输送装置30湿式输送到超临界干燥单元20上(工序S49；第二输送工序)。超临界干燥单元20进行高压干燥处理(超临界干燥处理)，基板W即被高压干燥(工序S50)。之后，主自动输送装置30从旋转卡盘210接受基板W，由超临界干燥单元20输出处理过的基板W(工序S51)。然后，按照与装载时相反的次序实行卸载操作，把处理过的基板W收容到基板台40置有的容器P中(工序S52)。
采用上述的本实施方式，与实施方式3同样，在显像处理单元10D、10E中实行显像处理，而在超临界干燥单元20中单独实行高压干燥处理。对显像液的种类可不加限制，而且不会产生超临界干燥单元20的压力容器202内的腐蚀等现象，从显像处理到高压干燥处理的一系列处理可顺利进行。碱显像处理单元10D可与有机显像处理单元10E设计在同一装置内，可对每一个基板W有选择地实施2种显像处理中的一种显像处理，成为通用性好的基板处理装置。分别采用不同的显像处理单元10D、10E进行显像处理的基板W，无论是用哪个显像处理单元10D、10E进行过显像处理，均由主自动输送装置30输送到超临界干燥单元20的结构，主自动输送装置30具有通用输送单元的功能。因此，比起对应显像处理内容而设计的专用输送单元来，本装置的结构被简化，可使装置小型化和低成本。由于实行过显像处理和冲洗处理的基板W在用冲洗液润湿的状态下，湿式输送到置换单元70，在置换单元70内用干燥防止液置换附着在基板W上的冲洗液，然后，再将由干燥防止液润湿状态的基板W湿式输送到超临界干燥单元20上，这就起到了防止基板W在输送过程中基板W自然干燥的作用，可以对基板W进行不引起损坏的良好处理。
其他本发明不应受上述实施方式限定，在不超出本发明的主旨情况下，可以进行除上述之外的各种变动。例如，在上述实施方式子中，基板处理系统内仅设1台超临界干燥单元20，但是，适用本发明的对象并不受上述实施方式制约，可以将多个超临界干燥单元相应地组合到基板处理系统内。在此情况下主自动输送装置30具有可对多个超临界干燥处理单元进行存取的结构，可从多个显像处理单元分别输出处理过的基板，可控制有选择地输送到多个超临界干燥单元中的一个，采用有关的结构和控制，基板处理系统全体可提高处理产率。
基板处理单元中显像处理单元和置换单元设置的台数也与上述超临界干燥单元同样是任意的。特别是上述实施方式2和4，碱显像处理单元10A和有机显像处理单元10B分别只设有1台，但是，设置多台碱显像处理单元10A，和/或设置多台有机显像处理单元10B的基板处理装置，不用说对本发明也是适用的。
再者，在上述实施方式2和实施方式4中，作为所述“分别对基板实行相互不同的显像处理的多个显像处理单元”，仅设计有碱显像处理单元10A和有机显像处理单元10B，而设计多个显像处理单元的组合不用说也是可以的。
上述实施方式中，作为本发明的湿式处理实行显像处理，而即使在实行除此之外的湿式处理，例如腐蚀处理或洗净处理等时也同样适用本发明。
上述实施方式中，是在高压干燥处理(超临界干燥处理)中让基板W低速旋转，但是，也可在基板W处于静止的状态下进行高压干燥处理。还有，在高压干燥处理中是从SCF供给部222供给SCF到处理室204，还可以在压力容器202内导入液体二氧化碳，同时升高此压力容器202的内部温度，使二氧化碳成为超临界状态。
在上述实施方式中作为本发明的“输送单元”，使用由标量型自动输送装置构成的移动式(走行式)的主自动输送装置30，但这种输送单元的构成却不应限定于此，例如可应用定位式的自动输送装置，这对进行基板输送的所有输送单元都适用。此外，对输送单元的阀数量或配置等也可以是任意的。
还有，在上述实行1和实施方式2中是从显像处理单元10A、10B将置换处理后的基板W状态不变地输送到超临界干燥单元20上；在实施方式3和实施方式4中，是从显像处理单元10C(或10D、10E)将冲洗处理后的基板W状态不变地湿式输送到置换单元70上，进一步从置换单元70将置换处理后的基板W状态不变地输送到超临界干燥单元20。也就是说，处理单元之间的基板输送，是在基板W上铺满了干燥防止液或冲洗液的状态下的湿式输送，但是，也可在用输送容器收容基板W状态下进行湿式输送。此种情况下，应该在输送容器内存留有与干燥防止液同样成分的液体状态下收容基板W，并把它输送到超临界干燥单元20。在这样情况下，在把基板W输送到超临界干燥单元20期间，起到防止基板自然干燥的效果。
在上述实施方式中，虽然由湿式处理到高压干燥处理的不论哪一种处理都是处理一块基板W的所谓单枚式，然而也可以将多块基板总括在一起进行处理的全部或一部分，采用批量式。
产业上应用的可能性本发明是对半导体晶片、光掩蔽膜用玻璃基板、液晶显示用玻璃基板、等离子体显示用玻璃基板、光盘用基板等各种基板，实行从规定的湿式处理到干燥处理一系列处理的基板处理方法，以及适用该方法所用基板处理装置和基板处理系统。
权利要求
1.一种基板处理方法，其特征在于，包括在湿式处理装置中，将处理液供给基板并实行规定的湿式处理，而且向接受了该湿式处理的所述基板供给干燥防止液，用该干燥防止液置换附着在所述基板上的所述处理液的湿式处理工序；将所述湿式处理工序后的基板在用所述干燥防止液润湿的状态，输送到高压干燥装置的输送工序；和在所述高压干燥装置内，用高压流体或者高压流体与药剂的混合物作为处理流体，对由所述输送工序输送来的所述基板进行高压干燥的干燥工序。
2.一种基板处理方法，其特征在于，包括在湿式处理装置中，将处理液供给基板并实行规定的湿式处理的湿式处理工序；将所述湿式处理工序后的所述基板在用所述处理液润湿的状态，输送到置换装置的第一输送工序；在所述置换装置内，向由所述输送工序输送来的所述基板供给干燥防止液，并用所述干燥防止液置换附着在所述基板上的所述处理液的置换工序；将所述置换工序后的所述基板在用所述干燥防止液润湿的状态，输送到高压干燥装置的第二输送工序；和在所述高压干燥装置内，用高压流体或者高压流体与药剂的混合物作为处理流体将由所述第二输送工序输送来的所述基板加以高压干燥的干燥工序。
3.根据权利要求1或2所述之基板处理方法，其特征在于，作为所述干燥防止液，采用与所述高压流体的亲和性比所述处理液高的置换液。
4.根据权利要求1或2所述之基板处理方法，其特征在于，所述装置间的基板输送是在将所述基板收容在输送用容器的状态下进行湿式输送。
5.一种基板处理装置，其特征在于，具有保持基板的基板保持装置；向由所述基板保持装置保持的基板供给处理液而实行规定的湿式处理的处理液供给装置；和向实行了所述湿式处理的所述基板供给干燥防止液而用所述干燥防止液置换在所述基板上附着的所述处理液的干燥防止液供给装置。
6.一种基板处理装置，其特征在于，具有保持由处理液润湿的基板的基板保持装置；和向由所述基板保持装置保持的基板供给干燥防止液而用所述干燥防止液置换在所述基板上附着的所述处理液的干燥防止液供给装置。
7.根据权利要求5或6所述之基板保持装置，其特征在于，所述干燥防止液供给装置是将与所述高压流体的亲和性比所述处理液高的置换液作为所述干燥防止液。
8.一种基板处理系统，其特征在于，具有与权利要求5所述的基板处理装置有同一结构的湿式处理单元；用高压流体或者高压流体与药剂的混合物作为处理流体而使所述基板高压干燥的高压干燥单元；和在由所述干燥防止液润湿的状态将所述基板从所述湿式处理单元输送到所述高压干燥单元的输送单元。
9.一种基板处理系统，其特征在于，具有向基板供给处理液并实行规定的湿式处理的湿式处理单元；与权利要求6所述的基板处理装置有相同结构的置换单元；以高压流体或者高压流体与药剂混合物作为处理流体而将从所述所述置换单元输送来的基板加以高压干燥的高压干燥单元；在由所述处理液润湿的状态将所述基板从湿式处理单元输送到所述置换单元，再在由所述干燥防止液润湿的状态将所述基板从所述置换单元输送到所述高压干燥单元的输送单元。
10.根据权利要求8或9所述之基板处理系统，其特征在于，作为所述干燥防止液，使用与所述高压流体的亲和性比所述处理液高的置换液。
11.根据权利要求8或9所述之基板处理系统，其特征在于，所述输送单元是在将所述基板收容在输送用容器的状态，在所述单元间进行湿式输送。
12.一种基板处理装置，其特征在于，具有分别对基板实行相互不同的显像处理的多个显像处理单元；使高压流体或者高压流体与药剂的混合物作为处理流体而与显像处理后的基板表面接触，对该基板表面实行表面处理的高压处理单元；和可对所述多个显像处理单元以及所述高压处理单元进行存取，将显像处理过的基板从所述多个显像处理单元的各个输出，输送到所述高压处理单元的输送单元。
13.根据权利要求12所述之基板处理装置，其特征在于，所述输送单元从所述多个显像处理单元的各个将显像处理过的基板湿式输送到所述高压处理单元。
14.根据权利要求12或13所述之基板处理装置，其特征在于，具有多个所述高压处理单元，所述输送单元可对所述多个高压处理单元进行存取，将显像处理过的基板从所述多个显像处理单元的各个输出，有选择地输送到所述多个高压处理单元中的一个。
15.根据权利要求12或13所述之基板处理装置，其特征在于，在所述多个显像处理单元的各个，作为显像处理的最终处理，实行在所述多个显像处理单元中利用共用置换液将所述基板的附着的液体成份加以置换的置换处理。
全文摘要
本发明提供一种基板处理方法、基板处理装置和基板处理系统。可使基板无损坏地顺利实行由湿式处理到干燥处理一系列处理。在显像处理单元(10A、10B)中对基板W顺序进行显像处理、冲洗处理和置换处理后，在该基板(W)由干燥防止液润湿的状态下，由主自动输送装置(30)湿式输送到超临界干燥单元(20)。由此超临界干燥单元(20)单独进行高压干燥处理(超临界干燥处理)。因此，不用限定显像处理可用的显像液种类，不会产生超临界干燥单元(20)的压力容器(202)内的腐蚀等问题，就可进行由显像处理到高压干燥处理的一系列处理。由于干燥防止液的存在，还具有防止基板(W)输送中基板(W)自然干燥的效果。
文档编号H01L21/00GK1501439SQ20031010388
公开日2004年6月2日 申请日期2003年11月18日 优先权日2002年11月18日
发明者村冈 介, 村冈祐介, 续, 齐藤公续, 岩田智巳, 巳, 司, 深津英司, 国雄, 溝端一国雄, 上野博之, 之, 夫, 奥山靖夫, 彦, 蒲隆, 充, 坂下由彦, 典, 渡边克充, 宗政淳, 悟, 大柴久典, 猿丸正悟 申请人:大日本网目版制造株式会社, 株式会社神户制钢所