专利名称：有源驱动型像素结构及其检查方法
技术领域：
本发明涉及至少包括了控制用TFT和驱动用TFT、还包括了电荷保持用电容器的有源驱动型像素结构及其检查方法，特别是，涉及在使构成像素的例如发光元件成膜以前，能够容易地检查上述TFT(薄膜晶体管)和电荷保持用电容器的功能是否正常的有源驱动型像素结构及其检查方法。
背景技术：
使用了将发光元件排列成矩阵状而构成的显示面板的显示器的开发正广泛地取得进展。作为用于这样的显示面板的发光元件，使用有机材料作为发光层的有机EL(电致发光)元件正引人注目。通过使用可期待得到良好的发光特性的有机化合物作为EL元件的发光层，使得在实用方面可承受的高效率化和长寿命化取得进展，这也成为该种发光元件问世的背景。
作为使用了这种有机EL元件的显示面板，提出了将EL元件仅排列成矩阵状的简单矩阵型显示面板和将由TFT构成的有源元件加到排列成矩阵状的每一EL元件的有源矩阵型显示面板。后者的有源矩阵型显示面板与前者的简单矩阵型显示面板相比，可实现低功耗，还具备像素间的串扰少等的特性，特别适合于构成大画面的高精细度的显示器。
图1示出了与现有的有源矩阵型显示装置中的1个像素10对应的最基本的电路结构，这被称之为电导控制方式。在图1中，用N沟道构成的控制用TFT(Tr1)的栅G与来自扫描驱动器1的扫描线1a连接，其源S与来自数据驱动器2的数据线2a连接。另外，控制用TFT(Tr1)的漏D与由P沟道构成的驱动用TFT(Tr2)的栅G连接，同时与电荷保持用的电容器C1的一个端子连接。
然后，驱动用TFT(Tr2)的源S与上述电容器C1的另一端子连接，同时与向作为发光元件的有机EL元件E1供给驱动电流的阳极一侧电源(VHanod)连接。另外，驱动用TFT(Tr2)的漏D与上述EL元件E1的阳极连接，该EL元件的阴极与阴极一侧电源(VLcath)连接。
在对图1中的控制用TFT(Tr1)的栅经扫描线1a供给导通控制电压(选择电压)时，在控制用TFT(Tr1)中，与来自供给源的数据线2a的数据电压(Vdata)对应的电流从源流到漏。因此，在控制用TFT(Tr1)的栅施加导通电压的期间，上述电容器C1被充电，其电压被供给驱动用TFT(Tr2)的栅。因此，在驱动用TFT(Tr2)中，使基于其栅电压和源电压的电流流过EL元件E1，驱动EL元件使之发光。
另外，在控制用TFT(Tr1)的栅为关断电压时，虽然控制用TFT(Tr1)成为所谓的截止状态，控制用TFT(Tr1)的漏成为开放状态，但依靠驱动用TFT(Tr2)蓄积于电容器C1中的电荷而保持栅电压，直至下一次扫描，维持驱动电流，也维持EL元件E1的发光。
上述结构是示出了利用电导控制方式的1个像素10的连接结构例的结构，通过将该像素10的结构在纵向和横向排列多个，根据图像信号控制各像素10点亮或熄灭，使影像再生。
可是，在这种有源矩阵型显示面板中，各像素内的TFT和电容器的缺陷成为像素缺陷。虽然现状是在显示面板内生成若干缺陷是不得已的事，但这种缺陷数目一多，显示品位就下降，作为商品是不合格的。
因此，在使上述TFT和电荷保持用的电容器在基板上形成的状态，即，使作为发光元件的有机EL元件在上述基板上成膜以前的半成品的状态下，如果能容易地检查出上述TFT和电荷保持用的电容器的缺陷，则可改善显示面板的成品率，其结果是，可对成本的削减作出贡献。特别是，与每个像素用1个TFT即可的AM-LCD(有源矩阵型显示装置)相比，在每个像素必须有2个~4个以上TFT的AM-OEL(有源矩阵型有机EL显示装置)中，在上述半成品的状态下的缺陷检查就变得更加重要。
另一方面，在AM-LCD中，即使在处于上述半成品状态的TFT基板状态下，由于电荷保持用电容器成为像素用TFT(驱动用TFT)的负载，所以在TFT基板状态下的缺陷检查就比较容易。然而，在AM-OEL中，在处于上述半成品状态的TFT基板中，有机EL元件并不成膜，驱动用TFT处于无负载状态。因此，在这样的状态下，像素缺陷的检查并不容易。
从而，为了检查像素缺陷，在专利文献1中提出了以探针触及规定的像元电极等并测定其阻抗，因此，考虑到通过使导电针等同样地与形成作为发光元件的上述EL元件的电极接触，将负载与驱动用TFT连接，进行像素缺陷的检查。
专利第2506840号公报(第2栏15行以下和图6)可是，像上述那样，在像素缺陷的检查工序中，在进行使导电针等与形成作为发光元件的上述EL元件的电极接触那样的操作时，使上述电极损伤等以招致发光元件的缺陷的可能性增大，因而是不理想的。另外，还考虑到通过使检查用电极与形成发光元件的电极接近，在两电极之间形成电容器，采用在非接触状态下对驱动用TFT给予负载的方法，但两电极之间的间隙调整极难，在实用上可兼采用此法。
发明内容
本发明是为了消除上述问题而进行的，是通过例如在半成品的状态下，使之在基板上形成检查用虚拟负载并利用此负载，提供了可执行上述TFT和电荷保持用电容器的缺陷检查的有源驱动型像素结构及其检查方法的课题。
为了解决上述课题而进行的本发明的第1实施例的有源驱动型像素结构是如第1方面中所述，至少包括了根据数据线的电位以生成控制输出信号的控制用TFT、根据上述控制输出信号以控制驱动电流的驱动用TFT和暂时保持上述控制输出信号的电荷保持用电容器的有源驱动型像素结构，其特征在于检查用虚拟负载的一端与上述驱动用TFT的电流输出端子连接，同时该检查用虚拟负载的另一端与检查用线连接。
另外，本发明的第2实施例的有源驱动型像素结构是如第2方面中所述，至少包括了根据数据线的电位以生成控制输出信号的控制用TFT、根据上述控制输出信号以控制驱动电流的驱动用TFT和暂时保持上述控制输出信号的电荷保持用电容器的有源驱动型像素结构，其特征在于检查用虚拟负载的一端与上述驱动用TFT的电流输出端子连接，同时该检查用虚拟负载的另一端与上述驱动用TFT的栅连接。
此外，本发明的第3实施例和第4实施例的有源驱动型像素结构是如第3方面中所述，至少包括了根据数据线的电位以生成控制输出信号的控制用TFT、根据上述控制输出信号以控制驱动电流的驱动用TFT和暂时保持上述控制输出信号的电荷保持用电容器的有源驱动型像素结构，其特征在于检查用虚拟负载的一端与上述驱动用TFT的电流输出端子连接，同时该检查用虚拟负载的另一端与上述控制用TFT的源或栅连接。
另一方面，为了解决上述课题而进行的本发明的第1实施例的有源驱动型像素结构的检查方法是如第4方面中所述，至少包括根据数据线的电位以生成控制输出信号的控制用TFT、根据上述控制输出信号以控制驱动电流的驱动用TFT和暂时保持上述控制输出信号的电荷保持用电容器、检查用虚拟负载的一端与上述驱动用TFT的电流输出端子连接，同时该检查用虚拟负载的另一端与检查用线连接而成的有源驱动型像素结构的检查方法，其特征在于执行使上述控制用TFT处于导通状态的步骤；以及既使上述驱动用TFT的栅电压、源电压、检查用线的线电压中的某一种或2种以上相对地发生变化、又测定流过上述检查用虚拟负载的电流值的步骤。
另外，本发明的第2实施例的有源驱动型像素结构的检查方法是如第8方面中所述，至少包括根据数据线的电位以生成控制输出信号的控制用TFT、根据上述控制输出信号以控制驱动电流的驱动用TFT和暂时保持上述控制输出信号的电荷保持用电容器、检查用虚拟负载的一端与上述驱动用TFT的电流输出端子连接，同时该检查用虚拟负载的另一端与上述驱动用TFT的栅连接而成的有源驱动型像素结构的检查方法，其特征在于执行使上述控制用TFT处于导通状态的步骤；以及既使上述驱动用TFT的栅电压或源电压中的某一种或2种相对地发生变化、又测定流过上述检查用虚拟负载的电流值的步骤。
此外，本发明的第3实施例和第4实施例的有源驱动型像素结构的检查方法是如第12方面中所述，至少包括根据数据线的电位以生成控制输出信号的控制用TFT、根据上述控制输出信号以控制驱动电流的驱动用TFT和暂时保持上述控制输出信号的电荷保持用电容器、检查用虚拟负载的一端与上述驱动用TFT的电流输出端子连接，同时该检查用虚拟负载的另一端与上述控制用TFT的源或栅连接而成的有源驱动型像素结构的检查方法，其特征在于执行使上述控制用TFT处于导通状态的步骤；以及既使上述驱动用TFT的栅电压、源电压或检查用虚拟负载的另一端的电压中的某一种或2种以上相对地发生变化、又测定流过上述检查用虚拟负载的电流值的步骤。而且，在本发明的有源驱动型像素结构的检查方法中，如第13方面中所述，检查用虚拟负载被处理成在执行测定流过该检查用虚拟负载的电流值的步骤后，形成高阻抗的状态。
图1是示出了与现有的有源矩阵型显示装置中的1个像素对应的基本的电路结构的连线图。
图2是示出了本发明的有源驱动型像素结构的第1实施例的连线图。
图3是示出了图2所示的结构中的驱动用TFT的工作的特性图。
图4是示出了本发明的有源驱动型像素结构的第2实施例的连线图。
图5是示出了图4所示的结构中的驱动用TFT的工作的特性图。
图6是示出了本发明的有源驱动型像素结构的第3实施例的连线图。
图7是示出了同一结构的第4实施例的连线图。
图8是示出将本发明应用于以可对EL元件有效地施加反向偏置电压的方式构成的像素结构的例子的连线图。
图9是示出将本发明应用于SES方式的像素结构的例子的连线图。
图10是示出将本发明应用于电流编程方式的像素结构的例子的连线图。
图11是示出将本发明应用于阈值电压校正方式的像素结构的例子的连线图。
图12是示出将本发明应用于电压编程方式的像素结构的例子的连线图。
图13是示出将本发明应用于电流镜方式的像素结构的例子的连线图。
具体实施例方式
以下，根据图示的实施例说明本发明的有源驱动型像素结构及其检查方法。再有，在以下的说明中，用同一符号表示与已经说明过的图1中所示的各部分相当的部分，所以对各种功能和工作就适当地省略掉说明了。
首先，图2是示出了本发明的有源驱动型像素结构的第1实施例的图。在该图2所示的形态示出了与图1所示的例子同样地称之为电导控制方式的电路结构。而且，图2所示的状态表示出有机EL元件E1成膜以前的半成品的状态。
在图2所示的第1实施例中，形成这样的结构检查用虚拟负载W的一端与作为驱动用TFT(Tr2)的电流输出端子的漏连接，同时该虚拟负载W的另一端与检查用线3连接。即，在与图1所示的结构进行比较后，得知新配备了检查用虚拟负载W和检查用线3。而且，如后面所述，通过在检查用线3与阴极一侧电源(VLcath)之间插入电流测定装置，测定流过虚拟负载W的电流值，检查各TFT(Tr1、Tr2)和电荷保持用电容器C1的功能是否正常。即，在本实施例中，经检查用线3测定流过虚拟负载W的电流值。
这里，在考察上述电导控制方式的电路结构中的各部分的电位时，为了首先驱动EL元件E1使之发光，15V左右的电位差是必要的。而且，为了用相对于基准电位(地电位)尽可能低的电压实现驱动工作，在实用上，设定EL元件的阳极一侧电源(VHanod)例如为10V，EL元件的阴极一侧电源(VLcath)例如为-5V等，以此进行设计。
在上述电压设定条件下，在考虑到对控制驱动用TFT(Tr2)通断所需的驱动用TFT的栅电压时，由于驱动用TFT为P沟道型，为使之处于关断状态，最低需要10V的电位。另外，为使驱动用TFT导通，可施加比上述的10V低得多的电位，例如地电位(＝0V)进行控制。因此，按照上述条件，分别设定供给控制用TFT(Tr1)的源的数据信号电压Vdata在作为高电平电位时为VHdata＝10V，在作为低电平电位时为VLdata＝0V。
另一方面，由于控制用TFT(Tr1)为N沟道型，为了将上述VHdata和VLdata有选择地供给驱动用TFT(Tr2)的栅，必须将至少2V的阈值电压加到VHdata＝10V后的12V的控制(选择)电压供给控制用TFT(Tr1)的栅。另外，在非扫描时，通过对控制用TFT(Tr1)的栅施加例如地电位(＝10V)，可使该控制用TFT处于关断状态。
根据以上的考察，在图2所示的实施例中，为了对像素功能进行检查，首先，对扫描线1a施加可使控制用TFT(Tr1)处于导通状态的电位，即上述的12V。在该状态下，在使数据线2a的电位从10V(＝VHanod)缓慢降低(使之扫描)时，驱动用TFT(Tr2)缓慢移至导通状态。再有，图3示出驱动用TFT缓慢移至导通状态的情形。
即，图3所示的横轴示出施加到数据线2a(控制用TFT的源)的电位，随着向左方向移动，示出了以Vdata表示的电位从10V降低的状态。另外，图3所示的纵轴示出从驱动用TFT(Tr2)的漏经虚拟负载W和检查用线3流到阴极一侧电源(VLcath)的电流值Id。因此，该图3所示的特性与驱动用TFT(Tr2)的Id-Vgs特性(漏电流-栅、源间电压的特性)变得大致相同。
再有，经检查用线3流过的上述电流Id未特意在图中表示出来，但可用在检查用线3与阴极一侧电源(VLcath)之间插入的电流测定装置得到。因此，在电流与数据线电压(Vdata)无关地流到检查用线3中，同时反过来电流流到检查用线3而被原样保持的状态的情况下，判断上述TFT(Tr1、Tr2)或电容器C1中何者为不良。另外，如果是流过规定的Id值的Vgs值(＝Vth阈值电压)超过规定的电压的状态，则判定驱动用TFT(Tr2)为不良。
如上所述，对各像素进行评价，如1块面板内的不良像素在规定数目以内则判定为合格品，如超过规定数目则判定为不合格品。这样一来，如果检查结束，则与各驱动用TFT连接的虚拟负载W被处理成处于高阻抗状态。即，由于在使EL元件成膜以形成发光显示面板时，上述虚拟负载W在电学上引起短路状态，所以通过进行上述处理，进行使该虚拟负载变为无效的处置。
作为将上述虚拟负载W处理成为高阻抗状态的一个例子，考虑用激光束破坏(烧断)检查用虚拟负载。由此，各驱动用TFT的漏与检查用线3的电连接开路。另外，虽然在后面将要说明的实施例中进行详述，但通过将规定的电流流到检查用虚拟负载W，也可恰当地采用熔断该检查用虚拟负载的装置。另一方面，上述检查用虚拟负载W除了单纯为细丝或电阻体外，还可以有具备了与在流过规定电流以上值时即熔断的所谓熔丝同样的功能的元件及TFT或二极管之类的元件。
再有，在以上说明过的第1实施例的检查方法中，通过使数据线2a的电位Vdata改变，换言之，使驱动用TFT(Tr2)的栅电压改变，测定流到虚拟负载W中的电流Id，即流到检查用线3中的电流Id。然而，即使单独改变施加到检查用线3的线电压(VLcath)或供给驱动用TFT(Tr2)的源的驱动电压(VHanod)，或者相对地改变上述2个以上电压，也可得到如图3所示的驱动用TFT的I-V(电流-电压)特性，由此，与上述一样，也可检查各像素的TFT(Tr1、Tr2)或电容器C1的功能是否正常。
接着，图4是示出了本发明的有源驱动型像素结构的第2实施例的图。与该图4所示的形态同样地示出了称之为电导控制方式的电路结构。而且，与图4所示的状态同样地示出了使有机EL元件E1成膜前的半成品的状态。在该第2实施例中，检查用虚拟负载W的一端与驱动用TFT(Tr2)的电流输出端子即漏连接，同时该虚拟负载的另一端与驱动用TFT(Tr2)的栅连接。
而且，在数据线2a与对该数据线2a供给数据线电压(Vdata)的未图示的电压源(代替图1所示的数据驱动器2)之间插入电流测定装置，测定流过数据线2a的电流值。这时的数据线电流是驱动用TFT(Tr2)的漏电流Id经虚拟负载W和控制用TFT(Tr1)得到的电流，上述数据线电流作为结果大致对应于驱动用TFT(Tr2)的漏电流Id。
在图4所示的像素结构中，为了进行对其所作的检查，与图2所示的第1实施例一样，将控制用TFT(Tr1)可形成导通状态的电压，例如12V施加于扫描线1a。在该状态下，使数据线2a的电压依次变为V1、V2、V3。即，上述V1、V2、V3的各值在比驱动用TFT(Tr2)成为关断状态的10V(＝VHanod)低的电平的范围内，该电压电平按依次降低的方式变更，图5示出这时的数据线电流(驱动用TFT的漏电流Id)的变化状态。再有，该特性与已说明过的图3所示的特性相同。
如图5所示，测定施加V1作为数据线2a的电压时的电流值Id1的值和施加V2作为数据线2a的电压时的电流值Id2的值，如果这些电流值Id1、Id2分别在规定的范围内，则判定TFT(Tr1、Tr2)和电容器C1的功能为正常。再有，在本实施例中，作为上述虚拟负载W采用在流过规定的电流值Idx以上的电流时熔断的具备与所谓熔丝同样的功能的元件。
而且，如图5所示，对数据线2a施加电压V3。用该V3所示的电位作为驱动用TFT(Tr2)的栅偏压而被施加，这时的漏电流被设定为流过上述Idx以上的电流的值。因此，上述虚拟负载W靠驱动用TFT的漏电流熔断。这时，经数据线2a确认上述漏电流Id是否大致为零，借助于以上的工序判定各像素是否合格。而且，每块面板的是否合格的判断与根据图2和图3说明过的实施例同样地进行。
再有，在以上说明过的第2实施例的检查方法中，通过改变数据线2a的电位Vdata，换言之，通过改变驱动用TFT(Tr2)的栅电压，在数据线2a中测定流过虚拟负载W的电流Id。然而，在本实施例中，即使改变供给驱动用TFT(Tr2)的源的驱动电压VHanod，或者相对地改变上述数据线2a的电位Vdata与驱动电压VHanod双方，也可取得如图5所示那样的驱动用TFT的I-V(电流-电压)特性。因此，即使采用这样的装置也可与上述同样地检查各像素的TFT(Tr1、Tr2)或电容器C1的功能是否正常。
图6是示出了本发明的有源驱动型像素结构的第3实施例的图。该图6所示的实施例也同样地示出了被称之为电导控制方式的电路结构。而且，图6所示的状态同样地示出了使有机EL元件E1成膜前的半成品的状态。在该第3实施例中，检查用虚拟负载W的一端与驱动用TFT(Tr2)的电流输出端子即漏连接，同时该虚拟负载的另一端与控制用TFT(Tr1)的源连接。
在本例中，也与图4所示的例子同样地，在数据线2a与对该数据线2a供给数据线电压Vdata的未图示的电压源之间插入电流测定装置，测定与施加到数据线2a上的电压Vdata对应的流过数据线2a的电流值。即，流过数据线2a的电流值与图4所示的例子同样地，是与驱动用TFT(Tr2)的漏电流Id对应的电流值，通过对比数据电压Vdata与漏电流Id的关系，可检查各像素的TFT(Tr1、Tr2)或电容器C1的功能是否正常。
而且，在上述的测定结束时，利用检查用虚拟负载W被激光束破坏(烧断)，或以规定的电流流过虚拟负载，来熔断该检查用虚拟负载。在该图6所示的形态中，通过改变驱动电压VHanod，也可取得驱动用TFT的I-V(电流-电压)特性。因此，即使采用这样的装置也可与上述同样地检查各像素的TFT(Tr1、Tr2)或电容器C1的功能是否正常。
再有，按照图6所示的实施例，与图4所示的实施例进行比较，不经控制用TFT(Tr1)即可在数据线2a中实质上得到驱动用TFT的漏电流Id。因此，按照该图6所示的实施例，取得无需形成电流容量格外高的TFT作为控制用TFT(Tr1)这样的优点。
图7是示出了本发明的有源驱动型像素结构的第4实施例的图。该图7所示的形态也同样地示出了被称之为电导控制方式的电路结构。而且，图7所示的状态同样地示出了使有机EL元件E1成膜前的半成品的状态。在本第4实施例中，检查用虚拟负载W的一端与驱动用TFT(Tr2)的电流输出端子即漏连接，同时该虚拟负载的另一端与控制用TFT(Tr1)的栅连接。
在本例中，在扫描线1a与对该扫描线1a供给控制(选择)电压的未图示的电压源(代替图1所示的扫描驱动器1)之间插入未图示的电流测定装置，测定流过扫描线1a的电流值。这时流过扫描线1a的电流是驱动用TFT(Tr2)的漏电流Id经虚拟负载W得到的电流，上述在扫描线1a中得到的电流作为结果大致对应于驱动用TFT(Tr2)的漏电流Id。
再有，在该图7所示的实施例中，通过测定流过与施加于数据线2a的数据电压Vdata对应的扫描线1a的电流值(实质上是驱动用TFT的漏电流Id)，对比数据电压Vdata与漏电流Id的关系，检查各像素的TFT(Tr1、Tr2)或电容器C1的功能是否正常。
这时，在常时地将控制用TFT(Tr1)成为导通状态的电压，例如上述的12V施加到扫描线1a的情况下，靠电位差的关系不可能在扫描线1a中检测出驱动用TFT的漏电流Id。因此，必须对经扫描线1a施加到控制用TFT(Tr1)的栅上的导通电压进行控制，使得该导通电压与施加到数据线2a上的数据电压Vdata相对应并且可变。
而且，在上述的测定结束时，利用检查用虚拟负载W被激光束破坏(烧断)，或以规定的电流流过虚拟负载，来熔断该检查用虚拟负载。在该图7所示的实施例中，通过改变驱动电压VHanod，也可取得驱动用TFT的I-V(电流-电压)特性。因此，即使采用这样的装置也可与上述同样地检查各像素的TFT(Tr1、Tr2)或电容器C1的功能是否正常。
再有，按照图7所示的实施例，与图4所示的实施例进行比较，不经控制用TFT(Tr1)即可在数据线2a中实质上得到驱动用TFT的漏电流Id。因此，在该图7所示的实施例中，也可取得无需形成电流容量格外高的TFT作为控制用TFT(Tr1)这样的优点。
下面，图8是在图7所示的结构中进而将二极管元件并联连接在驱动用TFT(Tr2)的源、漏之间的图。即，如上所述，对通过将二极管元件并联连接，可将反向偏置电压有效地施加于EL元件E1上的结构，示出采用了本发明的例子。再有，在图8所示的例子中，使用TFT(Tr3)作为二极管元件，通过将它的栅与源短路，等效地形成二极管元件。
这样，通过配置二极管元件，在规定的时刻，改换例如驱动电压源VHanod、VLcath，即可经上述二极管元件将反向偏置电压有效地施加于EL元件E1上，由此，可延长EL元件的寿命。再有，该图8所示的反向偏置的施加装置由本案申请人在特愿2002-230072中提出申请。因此，在图8所示的结构中，也可得到与图7所示的结构例同样的本案发明的作用效果。
图9示出了将本发明应用于使数字灰度得以实现的3TFT方式的像素结构的例子。该驱动方式也称之为SES(同时-擦除-扫描＝同时擦除法)，除了控制用TFT(Tr1)和驱动用TFT(Tr2)外，还配备了擦除用TFT(Tr4)。该擦除用TFT(Tr4)在EL元件E1点亮期间的中途，通过使该擦除用TFT(Tr4)导通工作，可使电容器C1的电荷放电，由此可实现控制EL元件E1的点亮期间的灰度驱动。
在该图9所示的结构中，与图6所示的例子同样地，检查用虚拟负载W的一端与驱动用TFT(Tr2)的电流输出端子即漏连接，同时该虚拟负载的另一端与控制用TFT(Tr1)的源连接。因此，在该图9所示的结构中，也可得到与根据图6所作说明的作用效果同样的作用效果。
图10示出了将本发明应用于电流编程方式的像素结构的例子。在该电流编程方式中，开关用TFT(Tr5)与驱动用TFT(Tr2)的漏连接，在该开关用TFT(Tr5)的漏上形成EL元件E1。而且，将电荷保持用电容器C1连接在驱动用TFT(Tr2)的源与栅之间，将控制用TFT(Tr1)连接在驱动用TFT(Tr2)的栅与漏之间。
进而，写入用电流源Is与控制用TFT(Tr1)的源连接。此外，控制用TFT(Tr1)和开关用TFT(Tr5)的各栅具有与扫描线1a连接的功能，上述写入用电流源Is具有控制数据线2a中的电流的功能。
在图10所示的结构中，检查用虚拟负载W的一端与开关用TFT(Tr5)的漏连接，同时该虚拟负载的另一端与控制用TFT(Tr1)的栅连接。因此，按照该结构，驱动用TFT(Tr2)的漏电流Id经开关用TFT(Tr5)流到虚拟负载W中，该漏电流Id可用扫描线1a进行测定。因此，在该图10所示的结构中，也可得到与根据图7所作说明的作用效果同样的作用效果。
下面，图11示出了称之为阈值电压校正方式的并将本发明应用于该阈值电压校正方式的像素结构的例子。该图11所示的阈值电压校正方式的基本结构与图7所示的电导控制方式一样，在与电导控制方式进行比较时，TFT(Tr6)与二极管D1的并联连接体被插入控制用TFT(Tr1)与驱动用TFT(Tr2)之间。再有，上述TFT(Tr6)被构成为它的栅、漏之间处于短路状态，因此，它具有作为从控制用TFT(Tr1)朝向驱动用TFT(Tr2)的栅赋予阈值特性的元件的功能。
按照该结构，利用由TFT(Tr6)所生成的阈值特性可有效地去除驱动用TFT(Tr2)中的阈值特性。而且，在该实施例中，检查用虚拟负载W的一端与驱动用TFT(Tr2)的漏连接，同时该虚拟负载的另一端与控制用TFT(Tr1)的栅连接。
因此，在该图11所示的结构中，驱动用TFT(Tr2)中的漏电流Id可用扫描线1a进行测定。因此，在该图11所示的结构中，也可得到与根据图7所作说明的作用效果同样的作用效果。
图12示出了将本发明应用于电压编程方式的像素结构的例子。在该电压编程方式中，开关用TFT(Tr7)与驱动用TFT(Tr2)的漏连接，而且，开关用TFT(Tr8)被连接在驱动用TFT(Tr2)的漏与栅之间。
此外，在该电压编程方式中，被构成为从数据线2a经控制用TFT(Tr1)和电容器C2将数据信号供给驱动用TFT(Tr2)的栅。
在上述电压编程方式中，TFT(Tr7)和TFT(Tr8)导通，与此同时，还确保驱动用TFT(Tr2)处于导通状态。在下一个瞬间，依靠TFT(Tr7)被关断，驱动用TFT(Tr2)的漏电流Id经TFT(Tr8)回到驱动用TFT(Tr2)的栅。由此，在驱动用TFT(Tr2)的栅、源间电压变得与驱动用TFT的阈值电压相等以前，栅、源间电压被提升，在该时刻驱动用TFT(Tr2)关断。
而且，这时的栅、源间电压被保持在电容器C1上，利用该电容器电压控制驱动用TFT的漏电流。即，在该电压编程方式中，其作用在于补偿驱动用TFT(Tr2)中的阈值电压的分散度。
在上述图12所示的结构中，检查用虚拟负载W的一端与TFT(Tr7)的漏连接，同时该虚拟负载的另一端与控制用TFT(Tr1)的源连接。因此，驱动用TFT(Tr2)的漏电流Id可经TFT(Tr7)和虚拟负载W在数据线2a中被检测出来。因此，在该图12所示的结构中，也可得到与根据图6所作说明的作用效果同样的作用效果。
图13示出了将本发明应用于电流镜方式的像素结构的例子。在该电流镜方式中，栅被共同连接到P沟道的驱动用TFT(Tr2)上，同样地，P沟道的TFT(Tr9)被对称地配置，电荷保持用的电容器C1被连接在两TFT(Tr2、Tr9)的栅与源之间。
另外，控制用TFT(Tr1)被连接在上述TFT(Tr9)的栅与漏之间，依靠该控制用TFT(Tr1)的导通工作，TFT(Tr2、Tr9)具有作为电流镜的功能。即，被构成为与控制用TFT(Tr1)导通工作的同时，由N沟道构成的开关用TFT(Tr10)也导通工作，由此被构成为写入用电流源Is经开关用TFT(Tr10)而被连接。
由此，在地址期间，形成从VHanod的电源开始经TFT(Tr9)、TFT(Tr10)流到写入用电流源Is中的电流路径，另外，依靠电流镜的作用，与流到电流源Is的电流对应的电流作为驱动用TFT(Tr2)的漏电流Id而被生成。
利用这样的工作，与流到写入用电流源Is中的电流值对应的TFT(Tr9)的栅电压被写入电容器C1中。而且，在规定的电压值被写入电容器C1中以后，控制用TFT(Tr1)的作用在于成为关断状态，驱动用TFT(Tr2)的作用在于根据蓄积到电容器C1中的电荷供给规定的漏电流Id。
而且，在图13所示的实施例中，检查用虚拟负载W的一端与驱动用TFT(Tr2)的输出端子即漏连接，同时该虚拟负载的另一端与控制用TFT(Tr1)的栅连接。因此，在该图13所示的结构中，驱动用TFT(Tr2)中的漏电流Id可用扫描线1a进行测定。因此，在该图13所示的结构中，也可得到与根据图7所作说明的作用效果同样的作用效果。
权利要求
1.一种有源驱动型像素结构，它至少包括了根据数据线的电位以生成控制输出信号的控制用TFT、根据上述控制输出信号以控制驱动电流的驱动用TFT和暂时保持上述控制输出信号的电荷保持用电容器的有源驱动型像素结构，其特征在于检查用虚拟负载的一端与上述驱动用TFT的电流输出端子连接，同时该检查用虚拟负载的另一端与检查用线连接。
2.一种有源驱动型像素结构，它至少包括了根据数据线的电位以生成控制输出信号的控制用TFT、根据上述控制输出信号以控制驱动电流的驱动用TFT和暂时保持上述控制输出信号的电荷保持用电容器的有源驱动型像素结构，其特征在于检查用虚拟负载的一端与上述驱动用TFT的电流输出端子连接，同时该检查用虚拟负载的另一端与上述驱动用TFT的栅连接。
3.一种有源驱动型像素结构，它至少包括了根据数据线的电位以生成控制输出信号的控制用TFT、根据上述控制输出信号以控制驱动电流的驱动用TFT和暂时保持上述控制输出信号的电荷保持用电容器的有源驱动型像素结构，其特征在于检查用虚拟负载的一端与上述驱动用TFT的电流输出端子连接，同时该检查用虚拟负载的另一端与上述控制用TFT的源或栅连接。
4.一种有源驱动型像素结构的检查方法，这是至少包括了根据数据线的电位以生成控制输出信号的控制用TFT、根据上述控制输出信号以控制驱动电流的驱动用TFT和暂时保持上述控制输出信号的电荷保持用电容器，检查用虚拟负载的一端与上述驱动用TFT的电流输出端子连接，同时该检查用虚拟负载的另一端与检查用线连接而成的有源驱动型像素结构的检查方法，其特征在于执行使上述控制用TFT处于导通状态的步骤；以及既使上述驱动用TFT的栅电压、源电压、检查用线的线电压中的某一种或2种以上相对地发生变化、又测定流过上述检查用虚拟负载的电流值的步骤。
5.如权利要求4所述的有源驱动型像素结构的检查方法，其特征在于上述检查用虚拟负载被处理成在执行测定流到该检查用虚拟负载的电流值的步骤后，形成高阻抗的状态。
6.如权利要求5所述的有源驱动型像素结构的检查方法，其特征在于作为将上述检查用虚拟负载处理为形成高阻抗状态的装置，采用以激光束破坏检查用虚拟负载的装置。
7.如权利要求5所述的有源驱动型像素结构的检查方法，其特征在于作为将上述检查用虚拟负载处理为形成高阻抗状态的装置，采用通过将规定的电流流到检查用虚拟负载以熔断该虚拟负载的装置。
8.一种有源驱动型像素结构的检查方法，这是至少包括了根据数据线的电位以生成控制输出信号的控制用TFT、根据上述控制输出信号以控制驱动电流的驱动用TFT和暂时保持上述控制输出信号的电荷保持用电容器，检查用虚拟负载的一端与上述驱动用TFT的电流输出端子连接，同时该检查用虚拟负载的另一端与上述驱动用TFT的栅连接而成的有源驱动型像素结构的检查方法，其特征在于执行使上述控制用TFT处于导通状态的步骤；以及既使上述驱动用TFT的栅电压或源电压中的某一种或2种相对地发生变化、又测定流过上述检查用虚拟负载的电流值的步骤。
9.如权利要求8所述的有源驱动型像素结构的检查方法，其特征在于上述检查用虚拟负载被处理成在执行测定流到该检查用虚拟负载的电流值的步骤后，形成高阻抗的状态。
10.如权利要求9所述的有源驱动型像素结构的检查方法，其特征在于作为将上述检查用虚拟负载处理为形成高阻抗状态的装置，采用以激光束破坏检查用虚拟负载的装置。
11.如权利要求9所述的有源驱动型像素结构的检查方法，其特征在于作为将上述检查用虚拟负载处理为形成高阻抗状态的装置，采用通过将规定的电流流到检查用虚拟负载以熔断该虚拟负载的装置。
12.一种有源驱动型像素结构的检查方法，这是至少包括了根据数据线的电位以生成控制输出信号的控制用TFT、根据上述控制输出信号以控制驱动电流的驱动用TFT和暂时保持上述控制输出信号的电荷保持用电容器，检查用虚拟负载的一端与上述驱动用TFT的电流输出端子连接，同时该检查用虚拟负载的另一端与上述控制用TFT的源或栅连接而成的有源驱动型像素结构的检查方法，其特征在于执行使上述控制用TFT处于导通状态的步骤；以及既使上述驱动用TFT的栅电压、源电压或检查用虚拟负载的另一端的电压中的某一种或2种以上相对地发生变化、又测定流过上述检查用虚拟负载的电流值的步骤。
13.如权利要求12所述的有源驱动型像素结构的检查方法，其特征在于上述检查用虚拟负载被处理成在执行测定流到该检查用虚拟负载的电流值的步骤后，形成高阻抗的状态。
14.如权利要求13所述的有源驱动型像素结构的检查方法，其特征在于作为将上述检查用虚拟负载处理为形成高阻抗状态的装置，采用以激光束破坏检查用虚拟负载的装置。
15.如权利要求13所述的有源驱动型像素结构的检查方法，其特征在于作为将上述检查用虚拟负载处理为形成高阻抗状态的装置，采用通过将规定的电流流到检查用虚拟负载以熔断该虚拟负载的装置。
全文摘要
本发明的课题是在至少包括了控制用TFT、驱动用TFT以及电荷保持用电容器的有源驱动型像素结构中，能够容易地检查各TFT和电容器的功能是否正常。在包括了控制用TFT(Tr1)、驱动用TFT(Tr2)以及电荷保持用电容器C1的有源驱动型像素结构中，检查用虚拟负载W的一端与驱动用TFT的漏连接，同时该虚拟负载的另一端与检查用线3连接。通过既使施加到数据线2a上的电压可变，又测定在检查用线3中得到的电流Id，可检查TFT和电容器的功能是否正常。在检查结束后，上述虚拟负载W或用激光束烧断，或通过将规定的电流流到虚拟负载W中使之熔融切断。
文档编号H01L51/50GK1519809SQ20041000254
公开日2004年8月11日 申请日期2004年1月30日 优先权日2003年1月31日
发明者吉田孝义, 坂口正三郎, 三郎 申请人:东北先锋电子股份有限公司