专利名称：发光二极管的制作方法
技术领域：
本发明是有关于一种由III-V族元素(III-V group element)构成的发光二极管(light emitting diode，简称LED)，且特别是有关于一种覆盖一透明保护层的发光二极管。
背景技术：
近几年来，由于发光二极管的发光效率不断提升，使得发光二极管在某些领域已渐渐取代日光灯与白热灯泡，例如需要高速反应的扫描仪灯源、液晶显示器的背光源或前光源汽车的仪表板照明、交通号志灯，以及一般的照明装置等。发光二极管与传统灯泡比较具有绝对的优势，例如体积小、寿命长、低电压/电流驱动、不易破裂、发光时无显著的热问题、不含水银(没有污染问题)、发光效率佳(省电)等特性。
由III-V族元素所构成的发光二极管为一种宽能隙(bandgap)的材质，其发光波长从紫外光一直涵盖到红光，因此可说是几乎涵盖所有可见光的波段，其中氮化镓(GaN)发光二极管组件深受注目。如图1与图2所示，其绘示现有的一种发光二极管的剖面示意图。
请参照图1，此类型的发光二极管形成在一基材100上，其材质为氧化铝(Al2O3)。基材100上依序为晶核层(nucleation layer)112与N型掺杂导电的缓冲层(n-type conductive buffer layer)114、缓冲层114之上为第一束缚层(confinement layer)116、于第一束缚层(confinement layer)116上有一作为发光用的发光层118，且于其上形成第二束缚层120。
其中，第一束缚层116以及第二束缚层120的掺杂型是相反的，第一束缚层116为N型掺杂的氮化镓(n-GaN)，而第二束缚层120为P型掺杂的氮化镓(p-GaN)。之后，于第二束缚层120的上形成接触层122，其为P型掺杂的氮化镓。接着，于接触层的部分区域上形成第二电极124，形成第二电极124的材质通常为N型掺杂的氧化铟锡(Indium tin oxide)、氧化锡镉(Cadmium tin oxide)或极薄的金属，并做为发光二极管的阳极。此外，在缓冲层114的部分区域上与第一束缚层116隔离的区域上形成第一电极126，作为发光二极管的阴极。
请参照图2，此发光二极管组件包括一半导体层210、一透明导电层228、一第一电极226、一第二电极224。其中半导体层210至少包括一第一型掺杂半导体层220、一第二型掺杂半导体层232，以及一发光层222。
其中，发光层222位于第一型掺杂半导体层220上、第二型掺杂半导体层232位于发光层222上、透明导电层228位于第二型掺杂半导体层232上、第一电极226电性连接于第一型掺杂半导体层220上以及第二电极224位于透明导电层228的部分区域上。
至于发光二极管的材质，第一电极226的材质是钛/铝合金等，第二电极224包括N型透明导电氧化层以及P型透明导电氧化层。其中，N型透明导电氧化层的材质为ITO以及P型透明导电氧化层的材质为CuAlO2等。
现有发光二极管，其所产生的亮度有限，且在长期使用之下，容易遭受到湿气的破坏，其于发光二极管的表面产生氧化物，减低发光二极管的使用寿命。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的就是提供一种发光二极管，在现有发光二极管的的电极上覆盖一层透明保护层，以增加发光二极管的亮度。
本发明的再一目的就是提供一种发光二极管，在现有发光二极管的电极上覆盖一层透明保护层，以隔绝湿气保护发光二极管，以提升发光二极管的寿命。
为达上述目的，本发明提出一种发光二极管，包括一基材、一晶核层、一缓冲层、一第一束缚层、一发光层、一第二束缚层、一接触层、一透明导电层、一第一电极、一第二电极、一透明保护层。其中晶核层、缓冲层、第一束缚层、发光层、第二束缚层与接触层例如为一系列磊晶过程所形成的半导体层。
而上述发光二极管各部件的配置是晶核层位于基材上、缓冲层位于晶核层上、第一束缚层位于缓冲层的部分区域上，其中第一束缚层的掺杂型与缓冲层的掺杂型相同、发光层位于第一束缚层上、第二束缚层位于发光层上，其中第二束缚层的掺杂型与第一束缚层的掺杂型不同、接触层位于第二束缚层上、透明导电层位于接触层上、第一电极位于第一束缚层分布区域以外的缓冲层上、第二电极位于透明导电层的部分区域上、透明保护层配置于透明导电层以及第二电极的部分区域上。
为达上述目的，本发明另提出一种发光二极管，包括一半导体层、一透明导电层、一第一电极、一第二电极以及一透明保护层。其中半导体层至少包括一第一型掺杂半导体层、一第二型掺杂半导体层，以及一发光层。
而上述发光二极管中各部件的配置发光层位于第一型掺杂半导体层上、第二型掺杂半导体层位于该发光层上、透明导电层位于第二型掺杂半导体层上、第一电极电性连接于第一型掺杂半导体层上、第二电极位于透明导电层的部分区域上、透明保护层配置于透明导电层以及第二电极的部分区域上。
本发明因为在制作发光二极管中加入透明保护层，此透明保护层例如以折射率＞1.2的光学薄膜材料所制成，除了可增加组件亮度之外，并可隔绝湿气保护组件，以提升组件寿命。
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举一优选实施例，并配合附图，作详细说明如下。
图1表示现有发光二极管的剖面示意图。
图2表示现有发光二极管的剖面示意图。
图3表示根据本发明一优选实施例发光二极管的剖面示意图。
图4表示根据本发明另一优选实施例发光二极管的剖面示意图。
图5表示根据本发明一优选实施例发光二极管与现有发光二极管的发光亮度比率比较图。
具体实施例方式
本发明的主要概念是在制作发光二极管中加入透明保护层，此透明保护层的作用除了可增加组件亮度之外，并可隔绝湿气保护组件，以提升组件寿命。依此概念所形成的二极管至少有两种型态。以下将配合图3以及图4做更进一步的说明。
图3表示根据本发明一优选实施例发光二极管的剖面示意图。请参照图3，本实施例的发光二极管组件主要由一基材300、一晶核层312、一缓冲层314、一第一束缚层316、一发光层318、一第二束缚层320、一接触层322、一透明导电层328、一第一电极326、一第二电极324以及一透明保护层330所构成，其中晶核层312、缓冲层314、第一束缚层316、发光层318、第二束缚层320与接触层322可统称为一半导体层，其例如由磊晶制造工艺进行制作。
而上述发光二极管中各部件的配置是晶核层312位于基材300上、缓冲层314位于晶核层312上、第一束缚层316位于缓冲层314的部分区域上，其中第一束缚层316的掺杂型与缓冲层314的掺杂型相同、发光层318位于第一束缚层316上、第二束缚层320位于发光层318上，其中第二束缚层320的掺杂型与第一束缚层316的掺杂型不同、接触层322位于第二束缚层320上、透明导电层328位于接触层322上、第一电极324位于第一束缚层316分布区域以外的缓冲层314上、第二电极324位于透明导电层328的部分区域上以及透明保护层330位于透明导电层328以及第二电极324的部分区域上。
承上述，发光二极管各部件的材质分别说明如下基材300的材质例如是氧化铝、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、硅(Si)、磷化镓(GaP)，以及砷化镓(GaAs)其中之一。晶核层312的材质例如是AleInfGa1-e-fN，e、f≥0；0≤e+f≤1，其为N型掺杂。缓冲层314的材质例如为AlcIndGa1-c-dN，c、d≥0；0≤c+d＜1，其为N型掺杂。第一束缚层316的材质例如是AlxInyGa1-x-yN，x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞c。
此外，发光层318例如是掺杂型态的AlaInbGa1-a-bN/AlxInyGa1-x-yN量子井结构，且a、b≥0；0≤a+b＜1；x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞c＞a，其为N型掺杂或是P型掺杂。且发光层318例如为未掺杂的AlaInbGa1-a-bN/AlxInyGa1-x-yN量子井结构，而a、b≥0；0≤a+b＜1；x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞c＞a。第二束缚层320的材质例如是AlxInyGa1-x-yN，x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞c。接触层322例如为一超晶格应变层，该超晶格应变层包括调变掺杂的AluInvGa1-u-vN/AlxInyGa1-x-yN量子井结构，且u、v≥0；0≤u+v≤l；x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞u，此超晶格应变层为N型掺杂或是P型掺杂。
另外，第一电极326的材质例如是Ti/Al、Ti/Al/Ti/Au、Ti/Al/Pt/Au、Ti/Al/Ni/Au、Ti/Al/Pd/Au、Ti/Al/Cr/Au、Ti/Al/Co/Au、Cr/Au、Cr/Pt/Au、Cr/Pd/Au、Cr/Ti/Au、Cr/TiWx/Au、Cr/Al/Cr/Au、Cr/Al/Pt/Au、Cr/Al/Pd/Au、Cr/Al/Ti/Au、Cr/Al/Co/Au、Cr/Al/Ni/Au、Pd/Al/Ti/Au、Pd/Al/Pt/Au、Pd/Al/Ni/Au、Pd/Al/Pd/Au、Pd/Al/Cr/Au、Pd/Al/Co/Au、Nd/Al/Pt/Au、Nd/Al/Ti/Au、Nd/Al/Ni/Au、Nd/Al/Cr/Au、Nd/Al/Co/A、Hf/Al/Ti/Au、Hf/Al/Pt/Au、Hf/Al/Ni/Au、Hf/Al/Pd/Au、Hf/Al/Cr/Au、Hf/Al/Co/Au、Zr/Al/Ti/Au、Zr/Al/Pt/Au、Zr/Al/Ni/Au、Zr/Al/Pd/Au、Zr/Al/Cr/Au、Zr/Al/Co/Au、TiNx/Ti/Au、TiNx/Pt/Au、TiNx/Ni/Au、TiNx/Pd/Au、TiNx/Cr/Au、TiNx/Co/Au、TiWNx/Ti/Au、TiWNx/Pt/Au、TiWNx/Ni/Au、TiWNx/Pd/Au、TiWNx/Cr/Au、TiWNx/Co/Au、NiAl/Pt/Au、NiAl/Cr/Au、NiAl/Ni/Au、NiAl/Ti/Au、Ti/NiAl/Pt/Au、Ti/NiAl/Ti/Au、Ti/NiAl/Ni/Au或是Ti/NiAl/Cr/Au。
并且，第二电极324的材质例如是Ni/Au、Ni/Pt、Ni/Pd、Ni/Co、Pd/Au、Pt/Au、Ti/Au、Cr/Au、Sn/Au、Ta/Au、TiN、TiWNx或是WSix。此外，第二电极224的材质例如为一N型透明导电氧化层或是一P型透明导电氧化层，其中此N型透明导电氧化层例如是ITO、CTO、ZnO:Al、ZnGa2O4、SnO2:Sb、Ga2O3:Sn、AgInO2:Sn或是In2O3:Zn，此外，此P型透明导电氧化层例如是CuAlO2、LaCuOS、NiO、CuGaO2或是SrCu2O2。
而且，透明保护层330的材质例如是AlF3、AlN、Al2O3、BaF2、BeO、Bi2O3、BiF3、CaF2、CdSe、CdS、CeF3、CeO2、CsI、DyF2、GdF3、Gd2O3、HfO2、HoF3、Ho2O3、LaF3、La2O3、LiF、MgF2、MgO、NaF、Na3AlF6、Na5Al3F14、Nb2O5、NdF3、Nd2O3、PbCl2、PbF2、PbO、Pr6O11、Sb2O3、Sc2O3、Si3N4、SiO、Si2O3、SiO2、SrF2、Al2O3、Substancel、Substance2、SubstanceM1、SubstanceH4、Ta2O5、TiO2、TiN、TlCl、ThF4、ThO2、V2O5、WO3、YF3、Y2O3、YbF3、Yb2O3、ZnS、ZnSe、ZrO2。
图4表示根据本发明另一优选实施例发光二极管的剖面示意图。请参照图4，本实施例的发光二极管组件包括一半导体层410、一透明导电层428、一第一电极426、一第二电极424以及一透明保护层430。其中半导体层410至少包括一第一型掺杂半导体层420、一第二型掺杂半导体层432以及一发光层422。
发光层422位于第一型掺杂半导体层420上、第二型掺杂半导体层432位于发光层422上、透明导电层428位于第二型掺杂半导体层432上、第一电极426电性连接于第一型掺杂半导体层420上、第二电极424位于透明导电层428的部分区域上以及透明保护层430位于第二电极424上。
上述发光二极管各部件的材质分别为第一电极426的材质例如是Ti/Al、Ti/Al/Ti/Au、Ti/Al/Pt/Au、Ti/Al/Ni/Au、Ti/Al/Pd/Au、Ti/Al/Cr/Au、Ti/Al/Co/Au、Cr/Au、Cr/Pt/Au、Cr/Pd/Au、Cr/Ti/Au、Cr/TiWx/Au、Cr/Al/Cr/Au、Cr/Al/Pt/Au、Cr/Al/Pd/Au、Cr/Al/Ti/Au、Cr/Al/Co/Au、Cr/Al/Ni/Au、Pd/Al/Ti/Au、Pd/Al/Pt/Au、Pd/Al/Ni/Au、Pd/Al/Pd/Au、Pd/Al/Cr/Au、Pd/Al/Co/Au、Nd/Al/Pt/Au、Nd/Al/Ti/Au、Nd/Al/Ni/Au、Nd/Al/Cr/Au、Nd/Al/Co/A、Hf/Al/Ti/Au、Hf/Al/Pt/Au、Hf/Al/Ni/Au、Hf/Al/Pd/Au、Hf/Al/Cr/Au、Hf/Al/Co/Au、Zr/Al/Ti/Au、Zr/Al/Pt/Au、Zr/Al/Ni/Au、Zr/Al/Pd/Au、Zr/Al/Cr/Au、Zr/Al/Co/Au、TiNx/Ti/Au、TiNx/Pt/Au、TiNx/Ni/Au、TiNx/Pd/Au、TiNx/Cr/Au、TiNx/Co/Au、TiWNx/Ti/Au、TiWNx/Pt/Au、TiWNx/Ni/Au、TiWNx/Pd/Au、TiWNx/Cr/Au、TiWNx/Co/Au、NiAl/Pt/Au、NiAl/Cr/Au、NiAl/Ni/Au、NiAl/Ti/Au、Ti/NiAl/Pt/Au、Ti/NiAl/Ti/Au、Ti/NiAl/Ni/Au或是Ti/NiAl/Cr/Au。
而第二电极424的材质例如是Ni/Au、Ni/Pt、Ni/Pd、Ni/Co、Pd/Au、Pt/Au、Ti/Au、Cr/Au、Sn/Au、Ta/Au、TiN、TiWNx或是WSix。第二电极424的材质亦例如为一N型透明导电氧化层或是一P型透明导电氧化层。其中N型透明导电氧化层例如是ITO、CTO、ZnO:Al、ZnGa2O4、SnO2:Sb、Ga2O3:Sn、AgInO2:Sn或是In2O3:Zn。而P型透明导电氧化层例如为CuAlO2、LaCuOS、NiO、CuGaO2或是SrCu2O2。
且透明保护层430的材质例如是AlF3、AlN、Al2O3、BaF2、BeO、Bi2O3、BiF3、CaF2、CdSe、CdS、CeF3、CeO2、CsI、DyF2、GdF3、Gd2O3、HfO2、HoF3、Ho2O3、LaF3、La2O3、LiF、MgF2、MgO、NaF、Na3AlF6、Na5Al3F14、Nb2O5、NdF3、Nd2O3、PbCl2、PbF2、PbO、Pr6O11、Sb2O3、Sc2O3、Si3N4、SiO、Si2O3、SiO2、SrF2、Al2O3、Substancel、Substance2、SubstanceM1、SubstanceH4、Ta2O5、TiO2、TiN、TlCl、ThF4、ThO2、V2O5、WO3、YF3、Y2O3、YbF3、Yb2O3、ZnS、ZnSe、ZrO2。
为证实本发明的功效，请参考图5，图5表示根据本发明一优选实施例发光二极管与现有发光二极管的发光亮度比率比较图。其是根据前述优选实施例所制作的发光二极管与现有的发光二极管，以蓝光二极管，在摄氏80度、50毫安持续72小时做点亮测试时，所获得的发光亮度比率比较图。由图5可知，本发明的发光二极管在发光亮度比率上较现有的发光二极管足足增加约9.24％的功效。
虽然本发明已以一优选实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当以权利要求所界定的范围为准。
权利要求
1.一种发光二极管，包括一基材；一晶核层，位于所述基材上；一缓冲层，位于所述晶核层上；一第一束缚层，位于所述缓冲层的部分区域上，其中所述第一束缚层的掺杂型与所述缓冲层的掺杂型相同；一发光层，位于所述第一束缚层上；一第二束缚层，位于所述发光层上，其中所述第二束缚层的掺杂型与所述第一束缚层的掺杂型不同；一接触层，位于所述第二束缚层上；一透明导电层，位于所述接触层上；一第一电极，位于所述第一束缚层分布区域以外的所述缓冲层上；一第二电极，位于所述透明导电层的部分区域上；以及一透明保护层，配置于所述透明导电层以及所述第二电极的部分区域上。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其中所述基材的材质包括氧化铝、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、硅(Si)、磷化镓(GaP)以及砷化镓(GaAs)其中之一。
3.如权利要求1所述的发光二极管，其中所述晶核层的材质包括AleInfGa1-e-fN，e、f≥0；0≤e+f≤1。
4.如权利要求3所述的发光二极管，其中所述晶核层为N型掺杂。
5.如权利要求1所述的发光二极管，其中所述缓冲层的材质包括AlcIndGa1-c-dN，c、d≥0；0≤c+d＜1。
6.如权利要求5所述的发光二极管，其中所述缓冲层为N型掺杂。
7.如权利要求5所述的发光二极管，其中所述第一束缚层的材质包括AlxInyGa1-x-yN，x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞c。
8.如权利要求7所述的发光二极管，其中所述发光层包括掺杂的AlaInbGa1-a-bN/AlxInyGa1-x-yN量子井结构，且a、b≥0；0≤a+b＜1；x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞c＞a。
9.如权利要求8所述的发光二极管，其中所述发光层为N型掺杂。
10.如权利要求8所述的发光二极管，其中所述发光层为P型掺杂。
11.如权利要求7所述的发光二极管，其中所述发光层包括未掺杂的AlaInbGa1-a-bN/AlxInyGa1-x-yN量子井结构，且a、b≥0；0≤a+b＜1；x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞c＞a。
12.如权利要求5所述的发光二极管结构，其中所述第二束缚层的材质包括AlxInyGa1-x-yN，x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞c。
13.如权利要求1项所述的发光二极管，其中所述接触层包括一超晶格应变层，所述超晶格应变层包括调变掺杂的AluInvGa1-u-vN/AlxInyGa1-x-yN量子井结构，且u、v≥0；0≤u+v≤1；x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞u。
14.如权利要求13所述的发光二极管，其中所述超晶格应变层为N型掺杂。
15.如权利要求13所述的发光二极管，其中所述超晶格应变层为P型掺杂。
16.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中所述第一电极的材质包括Ti/Al、Ti/Al/Ti/Au、Ti/Al/Pt/Au、Ti/Al/Ni/Au、Ti/Al/Pd/Au、Ti/Al/Cr/Au、Ti/Al/Co/Au、Cr/Au、Cr/Pt/Au、Cr/Pd/Au、Cr/Ti/Au、Cr/TiWx/Au、Cr/Al/Cr/Au、Cr/Al/Pt/Au、Cr/Al/Pd/Au、Cr/Al/Ti/Au、Cr/Al/Co/Au、Cr/Al/Ni/Au、Pd/Al/Ti/Au、Pd/Al/Pt/Au、Pd/Al/Ni/Au、Pd/Al/Pd/Au、Pd/Al/Cr/Au、Pd/Al/Co/Au、Nd/Al/Pt/Au、Nd/Al/Ti/Au、Nd/Al/Ni/Au、Nd/Al/Cr/Au、Nd/Al/Co/A、Hf/Al/Ti/Au、Hf/Al/Pt/Au、Hf/Al/Ni/Au、Hf/Al/Pd/Au、Hf/Al/Cr/Au、Hf/Al/Co/Au、Zr/Al/Ti/Au、Zr/Al/Pt/Au、Zr/Al/Ni/Au、Zr/Al/Pd/Au、Zr/Al/Cr/Au、Zr/Al/Co/Au、TiNx/Ti/Au、TiNx/Pt/Au、TiNx/Ni/Au、TiNx/Pd/Au、TiNx/Cr/Au、TiNx/Co/Au、TiWNx/Ti/Au、TiWNx/Pt/Au、TiWNx/Ni/Au、TiWNx/Pd/Au、TiWNx/Cr/Au、TiWNx/Co/Au、NiAl/Pt/Au、NiAl/Cr/Au、NiAl/Ni/Au、NiAl/Ti/Au、Ti/NiAl/Pt/Au、Ti/NiAl/Ti/Au、Ti/NiAl/Ni/Au、Ti/NiAl/Cr/Au其中之一。
17.如权利要求1所述的发光二极管，其中所述第二电极的材质包括Ni/Au、Ni/Pt、Ni/Pd、Ni/Co、Pd/Au、Pt/Au、Ti/Au、Cr/Au、Sn/Au、Ta/Au、TiN、TiWNx以及WSix其中之一。
18.如权利要求1所述的发光二极管，其中所述第二电极的材质包括一N型透明导电氧化层与一P型透明导电氧化层其中之一。
19.如权利要求18所述的发光二极管，其中所述N型透明导电氧化层包括ITO、CTO、ZnO:Al、ZnGa2O4、SnO2:Sb、Ga2O3:Sn、AgInO2:Sn以及In2O3:Zn其中之一。
20.如权利要求18所述的发光二极管，其中所述P型透明导电氧化层包括CuAlO2、LaCuOS、NiO、CuGaO2与SrCu2O2其中之一。
21.如权利要求18所述的发光二极管，其中所述透明保护层的材质包括AlF3、AlN、Al2O3、BaF2、BeO、Bi2O3、BiF3、CaF2、CdSe、CdS、CeF3、CeO2、CsI、DyF2、GdF3、Gd2O3、HfO2、HoF3、Ho2O3、LaF3、La2O3、LiF、MgF2、MgO、NaF、Na3AlF6、Na5Al3F14、Nb2O5、NdF3、Nd2O3、PbCl2、PbF2、PbO、Pr6O11、Sb2O3、Sc2O3、Si3N4、SiO、Si2O3、SiO2、SrF2、Al2O3、Substance1、Substance2、SubstanceM1、SubstanceH4、Ta2O5、TiO2、TiN、TlCl、ThF4、ThO2、V2O5、WO3、YF3、Y2O3、YbF3、Yb2O3、ZnS、ZnSe、ZrO2其中之一。
22.一种发光二极管，包括一半导体层，所述半导体层至少包括一第一型掺杂半导体层、一第二型掺杂半导体层，以及一发光层，其中所述发光层位于所述第一型掺杂半导体层上，而所述第二型掺杂半导体层位于所述发光层上；一透明导电层，位于所述第二型掺杂半导体层上；一第一电极，其电性连接于所述第一型掺杂半导体层上；一第二电极，位于所述透明导电层的部分区域上；以及一透明保护层，配置于所述透明导电层以及所述第二电极的部分区域上。
23.如权利要求22所述的发光二极管，其中所述第一电极的材质包括Ti/Al、Ti/Al/Ti/Au、Ti/Al/Pt/Au、Ti/Al/Ni/Au、Ti/Al/Pd/Au、Ti/Al/Cr/Au、Ti/Al/Co/Au、Cr/Au、Cr/Pt/Au、Cr/Pd/Au、Cr/Ti/Au、Cr/TiWx/Au、Cr/Al/Cr/Au、Cr/Al/Pt/Au、Cr/Al/Pd/Au、Cr/Al/Ti/Au、Cr/Al/Co/Au、Cr/Al/Ni/Au、Pd/Al/Ti/Au、Pd/Al/Pt/Au、Pd/Al/Ni/Au、Pd/Al/Pd/Au、Pd/Al/Cr/Au、Pd/Al/Co/Au、Nd/Al/Pt/Au、Nd/Al/Ti/Au、Nd/Al/Ni/Au、Nd/Al/Cr/Au、Nd/Al/Co/A、Hf//Al/Ti/Au、Hf/Al/Pt/Au、Hf/Al/Ni/Au、Hf/Al/Pd/Au、Hf/Al/Cr/Au、Hf/Al/Co/Au、Zr/Al/Ti/Au、Zr/Al/Pt/Au、Zr/Al/Ni/Au、Zr/Al/Pd/Au、Zr/Al/Cr/Au、Zr/Al/Co/Au、TiNx/Ti/Au、TiNx/Pt/Au、TiNx/Ni/Au、TiNx/Pd/Au、TiNx/Cr/Au、TiNx/Co/Au、TiWNx/Ti/Au、TiWNx/Pt/Au、TiWNx/Ni/Au、TiWNx/Pd/Au、TiWNx/Cr/Au、TiWNx/Co/Au、NiAl/Pt/Au、NiAl/Cr/Au、NiAl/Ni/Au、NiAl/Ti/Au、Ti/NiAl/Pt/Au、Ti/NiAl/Ti/Au、Ti/NiAl/Ni/Au、Ti/NiAl/Cr/Au其中之一。
24.如权利要求22所述的发光二极管，其中所述第二电极的材质包括Ni/Au、Ni/Pt、Ni/Pd、Ni/Co、Pd/Au、Pt/Au、Ti/Au、Cr/Au、Sn/Au、Ta/Au、TiN、TiWNx以及WSix其中之一。
25.如权利要求22所述的发光二极管，其中所述第二电极的材质包括一N型透明导电氧化层与一P型透明导电氧化层其中之一。
26.如权利要求25所述的发光二极管，其中所述N型透明导电氧化层包括ITO、CTO、ZnO:Al、ZnGa2O4、SnO2:Sb、Ga2O3:Sn、AgInO2:Sn以及In2O3:Zn其中之一。
27.如权利要求25所述的发光二极管，其中所述P型透明导电氧化层包括CuAlO2、LaCuOS、NiO、CuGaO2与SrCu2O2其中之一。
28.如权利要求22所述的发光二极管，其中所述透明保护层的材质包括AlF3、AlN、Al2O3、BaF2、BeO、Bi2O3、BiF3、CaF2、CdSe、CdS、CeF3、CeO2、CsI、DyF2、GdF3、Gd2O3、HfO2、HoF3、Ho2O3、LaF3、La2O3、LiF、MgF2、MgO、NaF、Na3AlF6、Na5Al3F14、Nb2O5、NdF3、Nd2O3、PbCl2、PbF2、PbO、Pr6O11、Sb2O3、Sc2O3、Si3N4、SiO、Si2O3、SiO2、SrF2、Al2O3、Substance1、Substance2、SubstanceM1、SubstanceH4、Ta2O5、TiO2、TiN、TlCl、ThF4、ThO2、V2O5、WO3、YF3、Y2O3、YbF3、Yb2O3、ZnS、ZnSe、ZrO2其中之一。
全文摘要
一种发光二极管，包括半导体层、透明导电层、第一电极、第二电极以及透明保护层。其中，半导体层是位于基材，其例如由一第一型掺杂半导体层、一第二型掺杂半导体层以及一发光层所构成。透明导电层配置于半导体层上。第一电极与第一型掺杂半导体层电性连接。第二电极透过透明导电层与第二型掺杂半导体层电性连接。本发明的透明保护层除了可增加组件亮度外，并可隔绝湿气保护组件，以提升组件寿命。
文档编号H01L33/00GK1661820SQ200410006918
公开日2005年8月31日 申请日期2004年2月26日 优先权日2004年2月26日
发明者许生杰, 古锦福, 洪文庆, 许进恭, 许世昌 申请人:元砷光电科技股份有限公司