专利名称：一种解耦噪声的方法和设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及集成电路，具体说，涉及集成电路中的噪声解耦(noisedecoupling)问题。
背景技术：
电源分布，高速运作或着低功耗是集成电路芯片共有的特性。然而这样的特性，会增加芯片中阻抗和感应的寄生效应，因此噪声会产生在电源的分布中。
去耦电容位于芯片中噪声信号最显著或不允许噪声出现的地方，它能够提供隔离噪声或者减小噪声，同时它也能作为电源分离或者旁路电容，能够在电路正常工作时作为噪声信号的电源解耦。所配置的去耦电容是为了保持芯片的电压值在一个给定的范围内。
对于多电源集成的电路和设备，例如半导体芯片有两个或更多不同的负载电源需求，或者芯片有一个额外的电源分布系统，局部地电源解耦对于隔离噪声和减少噪声中是不够的。既然给芯片所提供的电源能引入噪声，而且所提供的电源与引入的噪声成正比。然而高容量的芯片更容易产生噪声问题。例如，越高容量的芯片，噪声边缘也就越小，同样高密度的芯片也容易产生噪声问题。
因此，对于整个芯片，有效的电源解耦是非常重要的。更进一步在没有额外的性能要求，花费，设计，空间的条件下，大范围的电源解耦是更为重要的。并且大范围的电源解耦在芯片，裸片，封装，板子中也是非常必要的。
发明内容
本发明提出了一种集成电路系统中减少电源分布中噪声的方法。这个方法包括整个集成电路使用的电源分布的结构，和与该结构相一致的去耦网络，以及连接电源分布结构和去耦网络的连接器。电源去耦网络可以用来减少电路中耦合在电源中的噪声，并且可以减少由于逻辑电路的摇摆而引起的电源回跳现象。它包括两个去耦电容，一个连接到电源分布结构的电源层和地层。另外一个替代第一个去耦电容并且连接到电源层和地面层。两个去耦电容和电源分布结构相互集成在一起。
本发明所涉及的集成电路系统包括一个电源环和两组去耦电容电源环环绕在集成电路的外围，两个电源走线层穿过集成电路，两组去耦电容器分别覆盖在两个电源走线层上。这两个电源走线层相互平行且隔离。两组去耦电容器的设置可以保证集成电路的电压值逼近于两个电源走线层的瞬时电流。电源环，两个电源走线层构成了一个电源分布系统。
在芯片中只要是噪声可能出现的地方，大规模地噪声去耦隔离形成了电源去耦网络。电源去耦网络是相邻地，覆盖地，或者集成在电源分布结构中，如电源分布的结构和电源去耦网络并不相互限制，不同地电源分布结构穿过芯片全部或者部分，并与电路和设备的电源需求相匹配。
附图描述
图1给出了一个半导体芯片或者底层的俯视图；图2给出了另一个半导体芯片或者底层的俯视图；图3给出了其它半导体芯片或者底层的俯视图；图4给出了图1和图3芯片的侧面图；图5为图2所示芯片俯视图。
具体实施例方式
图1给出了一个半导体芯片或者底层的俯视图它包括电源分布结构和电源去耦网络。芯片的俯视图100包括电源分布的结构101，它环绕在芯片的周围；电源分布的结构101包括了一个电源环102，电源环102中一系列平行间隔的金属层或绕线104穿过芯片100；电源分布结构101也可作为电源网络或者电源环结构；电源去耦网络103包含一组去耦电容106，去耦电容的放置垂直于电源分布结构的平台，三个去耦电容相互平行，去耦电容的多少依赖于噪声降低的程度。
图2给出了另一个半导体芯片或者底层的俯视图，它包括电源分配结构和电源去耦网络。芯片的顶视图200包括电源分布的结构201和电源去耦网络203，电源分布结构201包括一个外部的电源环202和一个内部的电源环204；外部的电源环202环绕在芯片200的周围，内部的电源环204形成在内部并且连接于外部的电源环202；电源去耦网络203包含一组去耦电容206，去耦电容的位于外部202和内部电源环204之间。
图3给出了其它半导体芯片或者底层的俯视图，它包括电源分配结构和电源去耦网络。芯片的俯视图300包括电源分布的结构301和电源去耦网络303.它环绕在芯片的周围。电源分布的结构301包括了一个电源环302，电源环302包括两组平行间隔的金属层或绕线304和306.两组平行间隔的金属层304，306穿过芯片300，并且相互垂直。电源去耦网络303包含去耦电容308，去耦电容位于两组平行间隔的金属层的交叉点，且形成了一个矩阵。
图1，图2，图3中的电源分布结构101，201，301是由传导材料组成，例如金属或者硅。虽然电源分布结构和电源去耦网络在芯片的俯视图100，200，300中是可见的，然而全部或者部分的电源分布结构或者电源去耦网络也许会被电路或者芯片其它的结构隐藏起来。例如，图3中，第二组平行间隔的金属层306也许被形成在第一组平行间隔的金属层304的下面。去耦电容能够被放置在电源分配结构下面，在图1和图3中，去耦电容106和308分别放置在电源分配结构101和301之下。因此，它们对于上层是不可见的。电源分布的结构和电源去耦网络，全部或者部分水平和垂直的结构可以有效地减小空间，增加设备绝缘，减小装配处理。
图4给出了图1和图3芯片的侧面图，它们有相同的侧面图。图1中芯片100的侧面截面图电源层400由电源分布结构101组成，且它在电源层400之上接地层402可以是半导体底层或者金属层。在电源层400和地层402之间是去耦电容106，每一个去耦电容106经过410连接电源层400与电极408，这个电极408和接地层402之间填充的是绝缘材料406。通过半导体的装配处理可以形成去耦电容106及它们连接到的电源层400之上接地层402。
图4为的芯片300的侧面截面图电源层400由一系列层304组成，接地层402由另一系列层306组成。去耦电容308形成在电源层和接地层之间。另一可选择的方案是电源层400由一系列层304组成，电极408由另一系列层306组成，接地层402可以是独立的一个底层或者金属层。在芯片100和300中，在电源层和接地层之间缺乏去耦电容时，其它的结构将被提供。因此，电源去耦网络不需要额外的空间，它也可以由其它现存的结构来替代。
图5为图2所示芯片俯视图当电源线接地线属于相同的层时，去耦电容结构如图2和图5所示。图5为去耦电容206的俯视图去耦电容位于电源线500和接地线502之间。第一个电极504和第二个电极506之间填充的是绝缘材料508，第一个电极504位于绝缘材料508之上，在第二个电极506位于绝缘材料508之下。导孔510将电极504和电源线500连接，导孔512将电极506和接地线502连接，
金属氧化物半导体场效应管也可以被用作去耦电容。电容可以是沟槽电容，堆叠电容，金属电容，或者其它类型的电容。电源分布结构可以实现电源去耦网络，电源分布结构具有不同的密度与复杂性，并且有一个或者多个供电电源。电源去耦网络可以被扩展到裸片和封装范围内。
权利要求
1.一种减少集成电路电源分布中的噪声的方法，包括使用电源分配结构在集成电路中分布电源；根据电源分布结构，在集成电路中形成去耦网络，以减少集成电路中的噪声；以及把电源分配结构连接到去耦网络上。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去耦网络由多个电容组成。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去耦网络由多个晶体管组成。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成去耦网络包括在电源分配结构的下面形成去耦网络。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成去耦网络包括在与电源分配结构相同或者相邻的位置上形成去耦网络。
6.一种去耦网络，包含第一去耦电容，连接到电源分配结构的电源层和接地层；以及第二去耦电容，替代第一个电容，且连接到电源层和接地层；其中，第一和第二去耦电容与电源分配结构相互结合。
7.根据权利要求6所述的去耦网络，其特征在于，电源层位于接地层之上，第一和第二去耦电容设置于电源层和接地层之间。
8.根据权利要求7所述的去耦网络，其特征在于，第一去耦电容包括一个连接到电源平面的导孔、一个连接到导孔的电极，以及一耦联到电极和接地层的绝缘材料。
9.根据权利要求6所述的去耦网络，其特征在于，电源线和接地线属于同一平面。
10.根据权利要求9所述的去耦网络，其特征在于，第一去耦电容包括第一导孔，连接到电源层；第一个电极，连接到第一导孔；第二导孔，连接到接地层；第二电极，连接到第二导孔；以及绝缘材料连接到第一和第二电极。
11.根据权利要求6所述的去耦网络，其特征在于，第一去耦电容至少是沟槽电容、堆叠式电容、金属绝缘电容和金属氧化半导体场效应管之一。
12.根据权利要求6所述的去耦网络，其特征在于，电源层包括一个电源环。
13.根据权利要求6所述的去耦网络，其特征在于，在芯片上设置有电源分配结构和第一去耦电容。
14.根据权利要求6所述的去耦网络，其特征在于，在裸片上设置有电源分配结构和第一去耦电容。
15.根据权利要求6所述的去耦网络，其特征在于，在芯片包上设置有电源分配结构和第一去耦电容。
16.一种集成电路中大规模地减小噪声的系统，包括一个电源环，环绕在集成电路的外围；第一电源走线层，穿过集成电路；第二电源走线层，穿过集成电路，并与第一电源走线层相互隔开且平行；第一组去耦电容器，覆盖在第一电源走线层的位置上；以及第二组去耦电容器，覆盖在第二电源走线层的位置上，其中，第一组和第二组去耦电容器设置成可以保持集成电路区域的电压值逼近于相应的第一和第二电源走线层上的瞬时电流，电源环、第一电源走线层和第二两个电源走线层构成集成电路的电源分配系统。
17.根据权利要求16所述的系统，其特征在于，电源环、第一电源走线层和第二走线层彼此电耦联。
18.根据权利要求16所述的系统，其特征在于，进一步包含第三电源走线层，以与第一电源走线层相垂直的方向，穿过集成电路；以及第四电源走线层，以与第一电源走线层相垂直的方向，穿过集成电路，第三和第四电源走线层相互隔开且平行；其中，第一和第二组去耦电容位于第一，第二，第三和第四电源走线层的交叉点上。
19.根据权利要求16所述的系统，其特征在于，第一和第二组去耦电容中的每一个电容是沟槽电容，堆叠式电容或金属绝缘电容。
20.根据权利要求16所述的系统，其特征在于，第一和第二组去耦电容中的每一个电容是金属氧化半导体场效应管。
全文摘要
本发明提出了一种大规模电源去耦网络的方法和系统。这个集成电路中包括电源去耦网络和电源分配结构。电源去耦网络相联系于电源分配结构，且它由很多去耦电容组成，如沟槽电容，堆叠式电容，金属绝缘电容或金属氧化半导体场效应管。
文档编号H01L23/522GK1607656SQ20041004358
公开日2005年4月20日 申请日期2004年5月11日 优先权日2003年5月12日
发明者武平, 陈大同, 范仁勇, 冀晋 申请人:展讯通信(上海)有限公司