专利名称：发光元件以及其制作方法
技术领域：
本发明涉及一种发光元件的制作方法，该发光元件包括一对电极和夹在该一对电极之间的由有机化合物构成的层，本发明还涉及使用所述制作方法的发光元件。
背景技术：
以有机场致发光(EL)元件为代表的发光元件的典型结构是由有机化合物构成的有机层夹在两个电极之间，通过向两个电极施加电压而发光。其发光机理可以被认为是当向电极施加电压时，被分别从阳极注入的空穴和从阴极注入的电子移动到由有机化合物构成的层中。空穴和电子以一定的概率重新结合且形成有机化合物的单重激态从而发光。通过使阳极为透明电极，有机EL元件的发光可以穿过阳极/衬底被取出到外部。
为了将有机EL元件作为显示器的显示元件来利用，正在进行对于提高该有机EL元件的发光效率的研究。在提高发光效率的基础上，提高取光的效率(将元件内部的发光取出到外部的系数)是重要课题之一。
取出光的效率虽然是考虑到相对于有机层内的发光在有机层和电极界面等的全反射的值，但可以认为在考虑有机层的折射率的基础上，取光效率为百分之二十左右是界限。
注意，下述专利文件1中说明了将从包含在有机层的有机化合物发出的光的方向朝向电极方向(用分子排列来控制来自有机化合物的发光)的方法作为避免因取光效率导致发光损失的方法是有效的。
专利文件1专利公开文件2002-110363公报但是，根据专利文件1记载的方法，在衬底上形成膜后，对有机层的表面执行研磨(rubbing)处理，有损伤有机化合物的担忧。
发明内容
本发明的目的是在不损伤有机化合物的情况下，提供能够实现低驱动电压化或高电流效率化的发光元件的制作方法以及使用该制作方法的发光元件。
在本发明中，为了控制包含在有机层中的有机化合物的分子排列，对形成有机层的电极表面执行研磨处理。通过对电极表面执行研磨处理，可以使来自有机化合物的发光的方向朝向电极，这样可以提高电流效率，并进一步提高取光的效率。特别是在本发明中，作为形成有机层的电极，使用包含晶质成分，且以氧化铟锡(ITO)为典型的金属氧化物等的导电膜。注意，研磨处理是指以一定方向排列(取向)形成在执行研磨处理的电极上的有机层中的有机化合物的分子的处理，为了给有机物的分子取向，用研磨布擦拭电极表面以在电极表面上形成一定方向上的微小凸凹。
根据上述研磨处理，发光元件的偏振光光致发光(photoluminescence，PL)强度(光子数)的二色比在10％或更多的范围变化，取向角在2度至90度的范围变化。注意，取向角表示衬底的标准矢量和有机层中的有机化合物分子的跃迁偶极矩(transition dipole moment)形成的角度。
本发明根据上述结构，在没有对有机层的表面执行研磨的情况下，可以控制有机化合物的分子排列，并使来自有机化合物的发光的方向朝向电极。因此，可以提高取光效率而不损伤有机化合物，其结果是可以实现发光元件的低驱动电压化和高电流效率化。而且，通过将上述发光元件作为发光器件的显示元件利用，可以使发光器件本身实现低驱动电压化。
本发明的各个目的、特征以及优势通过下文的参考附图的详细说明将会更加明确。
图1A至1C是表示本发明的发光元件的制作方法的图；图2是本发明的发光元件的剖面图；图3A至3C是本发明的发光元件的剖面图；图4A和4B是表示相对于电压的亮度的实际测量值的曲线图和相对于亮度的电流效率的实际测量值的曲线图；图5A和5B是表示相对于电压的亮度的实际测量值的曲线图和相对于亮度的电流效率的实际测量值的曲线图；图6A和6B是表示相对于电压的亮度的实际测量值的曲线图和相对于亮度的电流效率的实际测量值的曲线图；图7A-7H是表示应用本发明的发光元件的电子器件的简例图。
注本发明的选择图为图1具体实施方案模式下面将参考工作运转原理和具体结构实例来详细描述本发明的实施方案模式。注意，本发明可以以多种不同形式被执行，并且只要是同一领域工作人员，就很容易了解一个事实，即，可以将本发明的形式和内容更改而不脱离本发明的宗旨和范围。所以，本发明的解释并不局限于本实施方案模式中所记载的内容。
首先，如图1A所示，在衬底10上形成氧化铟锡(ITO)的膜，以形成阳极。注意，阳极11除了ITO，只要是功函数大(功函数为4.0eV或更多)的金属、合金、导电性化合物、以及这些的混合物就都可以使用。例如优选使用氧化铟与2-20％氧化锌(ZnO)混合的IZO(indium zinc oxide，氧化铟锌)等金属氧化物，然而金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、钨(W)、铬(Cr)、钼(Mo)、铁(Fe)、钴(Co)、铜(Cu)、钯(Pd)等的金属或金属材料的氮化物(例如，TiN)等也可以作为阳极材料。
注意，金属氧化物可以是在形成膜时以非晶质成分为主要成分，之后经加热处理而被晶化的物质，也可以是通过加热而形成膜且从形成膜时开始包含以晶质成分为主要成分的物质。
接着，如图1B所示，用研磨布对阳极11的表面进行摩擦处理(研磨处理)。该研磨布可以使用人造丝(注册商标)等纤维素纤维。另外，研磨处理可以将该研磨布卷在滚轴18上并以单方向旋转的方法来执行。
然后，对经过研磨处理后的阳极11的表面进行超声波清洗。在洗净后，对衬底10执行加热处理。
注意，也可以加入将研磨处理过的ITO图案化从而执行元件分离，以及提供隔离物层的工艺。
如图1C所示，在阳极11上形成有机层。在此，将说明使用空穴注入层12、空穴输运层13、发光层14、电子输运层15、电子注入层16作为有机层的例子。首先，在阳极11之上形成空穴注入层12。例如可以使用酞菁基的化合物的酞菁(简称H2Pc)、酞菁铜(简称CuPc)通过蒸发淀积的方法形成空穴注入层12。
接着，在空穴注入层12上形成空穴输运层13。可以用芳族胺基(也就是，其中具有苯环-氮键的)的化合物通过蒸发淀积法来形成空学输运层13。作为芳族胺基化合物，可以举出例如，4，4’-双(3-甲基苯基)-N-苯基-氨基]-联苯(简称TPD，芳族二胺)，或其衍生物的4，4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]-联苯(简称α-NPD)，或星形芳族胺化合物，包括4，4’，4”-三(N，N-联苯-氨基)-三苯基胺(简称“TDATA”)、以及4，4’，4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基-氨基]-三苯基胺(简称“MTDATA”)等。
然后，在空穴输运层13上形成发光层14。发光层14可以由例如如9，10-二(2-萘)蒽(简称为DNA)或如(8-喹啉醇合)铝(简称为Alq3)那样的发光能力高且有载流子输运性的发光材料通过蒸发淀积法来形成。注意，也可以使用共同蒸发淀积由DNA或Alq3等载流子输运性高的材料和客体材料而形成的材料。在此，客体材料可以使用荧光材料，如N，N’-二甲基喹吖啶酮(简称为DMQd)、4-(氰亚甲基)-2-甲烷基-6-(p-二甲基氨苯乙烯基)-4H-吡喃(简称为DCM1)、4-(氰亚甲基)-2-甲烷基-6-(久洛里定-4-yl-乙烯)-4H-吡喃(简称为DCM2)、9，10-二苯基蒽(简称DPA)、5，12-二苯基并四苯(简称为DPT)、香豆精6、二萘嵌苯、或红荧烯等，除此以外，还可以使用如双(2-(2’-苯二噻吩基)吡啶并-N，C3’)(乙酸丙酮)铱(Ir(btp)2(acac))的磷光材料。
接着，在发光层14上形成电子输运层15。作为电子输运层15可以使用有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金属络合物，如三(8-喹啉醇合)铝(以下称Alq3)、三(5-甲基-8-喹啉醇合)铝(以下称Almq3)以及双(10-羟基苯并[h]-喹啉醇合)铍(以下称BeBq2)、以及双(2-甲基-8-喹啉醇合)-(4-羟基-联苯基)-铝(以下称BAlq)等。另外，也可以使用有恶唑基、噻唑基配位体的金属络合物，还可以使用如双[2-(2-羟苯基)-苯并噁唑醇合]锌(以下称Zn(BOX)2)、和双[2-(2-羟苯基)-苯并噻唑醇合]锌(以下称Zn(BTZ)2)。除了金属络合物外，还可以使用2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(简称PBD)、1，3-双[5-(对叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑-2-基]苯(简称OXD-7)、3-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-5-(4-联苯基)-1，2，4-三唑(简称TAZ)、3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-联苯基)-1，2，4-三唑(简称p-EtTAZ)、红菲绕啉(简称BPhen)和浴铜灵(简称BCP)等。
然后，在电子输运层15上形成电子注入层16。作为电子注入层16，可以使用氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)、氟化钙(CaF2)等碱性金属或碱性土金属的化合物。另外，还可以使用在有电子输运性的材料中包含碱性金属或碱性土金属等的材料，如在Alq中含有镁(Mg)等的材料。
形成有机层的膜后，形成阴极17。具体来说，在图1C中，在电子注入层16上形成阴极17。作为阴极17，优选使用功函数小(功函数为3.8eV或更少)的金属、合金、导电性化合物、以及这些的混合物。作为阴极材料的具体例子，可以使用归属于元素周期表1族或2族的元素，也就是锂(Li)或铯(Cs)等碱金属；以及镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)等碱土金属；以及这些元素的合金(Mg:Ag、Al:Li)；。然而，如在阴极17和发光层14之间提供和该阴极17重叠的由氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)、氟化钙(CaF2)等碱性金属或碱性土金属的化合物构成的层，则可以使用Al、Ag、ITO等导电性材料作为阴极17而与功函数的大小无关。
请注意，形成空穴注入层12、空穴输运层13、发光层14、电子输运层15、电子注入层16的方法除了蒸发沉淀法以外，无论喷墨法、还是旋涂法都可以被采用。另外，采用上述物质以外的物质来形成上述层也无妨。
另外，发光元件的结构不受上述结构的限制，在阳极11和阴极17之间提供具有和上述不同的层叠结构的发光元件也无妨。例如，可以是在发光层和电子输运层之间有空穴阻止层的结构。另外，除了发光层以外，还可以任意提供组合电子注入层、电子输运层、空穴阻止层、空穴输运层、空穴注入层等层，并在阳极11和阴极17之间可以提供具有空穴注入层/发光层/电子输运层、空穴注入层/空穴输运层/发光层/空穴阻止层/电子输运层/电子注入层、空穴注入层/空穴输运层/发光层/空穴阻止层/电子输运层、空穴注入层/空穴输运层/发光层/电子输运层/电子注入层、空穴注入层/空穴输运层/发光层/电子输运层等的叠层结构的发光元件。注意，形成空穴阻止层的物质可以使用BAlq、OXD-7、TAZ、p-EtTAZ、BPhen、BCP等。
在本实施方案模式中，在由玻璃、塑料等构成的衬底10上制作发光元件。通过在单张衬底上制作多个如上所述的发光元件，可以制成无源型发光器件。另外，除了由玻璃、塑料等构成的衬底以外，例如如图2所示，可以在排列有薄膜晶体管(TFT)的衬底上形成发光元件。图2中，在形成TFT 24的衬底上，和形成无源型发光器件同样，形成具有表面实施过研磨处理的阳极21、阴极23、以及提供在阳极21和阴极23之间的有机层22的发光元件20。并且，TFT 24的漏极和阳极21电连接在一起。如图2所示，使用本发明的发光元件，可以制作借助TFT控制驱动发光元件的有源矩阵型发光器件。注意，TFT的结构不受如图2所示的顶栅型的限制，也可以是底栅型。
如上所述，在形成有机层的电极的表面形成能够控制有机化合物的分子排列的微小的槽沟，具体是执行研磨处理，可以降低发光元件的驱动电压。或者可以提高发光元件的电流效率。
实施例下文中将描述本发明的实施例。
实施例1本实施例中，将说明本发明的发光元件的制作方法以及该发光元件的特性。
首先说明本发明的发光元件的制作方法。
在玻璃衬底100上通过溅射法形成作为透明电极的ITO(氧化铟锡)的膜，以形成阳极101。注意，在形成膜时的ITO以非晶成分为主要成分。
然后，蚀刻ITO以分离元件，之后，执行200℃、1小时的加热处理。而且，在涂敷正型的丙烯酸后，进行曝光和显像从而形成隔离物层。然后，执行220℃、1小时的加热处理。
接着，将人造丝布卷缠在研磨装置的滚轴上，并用该装置对阳极101的表面进行单方向的研磨(研磨处理)。注意，处理在以下条件执行压紧力为0.4mm、滚轴旋转数为300rpm、衬底传送速度为10mm/sec、传送次数为一次。
完成研磨处理后，对阳极101的表面进行超声波清洗，并在205℃的温度下执行1小时的加热处理。
然后，在阳极101上形成按顺序层叠的作为空穴注入层102的酞菁铜、作为空穴输运层103的α-NPD、作为发光层104的Alq3、作为电子注入层105的CaF2、作为阴极106的铝，这样就形成了发光元件1(图3A)。注意，各个层的膜的厚度具体是空穴注入层102为20nm、空穴输运层103为40nm、发光层104为50nm、电子注入层105为2nm。用真空蒸发淀积法来形成膜。
另外，为了和发光元件1做比较，制作具有和发光元件1相同的叠层结构的发光元件，但该发光元件没有执行研磨处理，比较这两个发光元件。
图4A表示执行了研磨处理的发光元件1和没有执行研磨处理的发光元件的相对于电压V的亮度L(cd/m2)的实际测量值的曲线图。在图4B表示执行了研磨处理的发光元件1和没有执行研磨处理的发光元件的相对于亮度L(cd/m2)的电流效率η(cd/A)的实际测量值的曲线图。
从图4A和4B可以得知，执行了研磨处理的发光元件1获取1cd/m2的发光的电压为4.0V，在发出100cd/m2的光时的电流效率为5.4cd/A。
另一方面，从图4A和4B还可以得知，没有执行研磨处理的发光元件获取1cd/m2的发光的电压为4.0V，在发出100cd/m2的光时的电流效率为5.03cd/A。
因此可以得知，执行了研磨处理的发光元件1在发出100cd/m2的光时的电流效率更高。
实施例2本实施例将说明和实施例1不同的本发明的发光元件。注意，因为直到研磨处理后的加热工艺和实施例1所示的发光元件相同，所以在此省略相关说明。
在执行205℃的加热处理后，在阳极101上形成按顺序层叠的作为空穴输运层301的α-NPD、作为发光层302的Alq3、作为电子注入层303的CaF2、作为阴极304的铝，这样就形成了发光元件2(图3B)。注意，各个层的膜的厚度具体是空穴输运层301为40nm、发光层302为50nm、电子注入层303为2nm。用真空蒸发淀积法来形成膜。
另外，为了和发光元件2做比较，制作具有和发光元件2相同的叠层结构的发光元件，但该发光元件没有执行研磨处理，比较这两个发光元件。
图5A表示执行了研磨处理的发光元件2和没有执行研磨处理的发光元件的相对于电压V的亮度L(cd/m2)的实际测量值的曲线图。在图5B表示执行了研磨处理的发光元件2和没有执行研磨处理的发光元件的相对于亮度L(cd/m2)的电流效率η(cd/A)的实际测量值的曲线图。
从图5A和5B可以得知，执行了研磨处理的发光元件2获取1cd/m2的发光的电压为2.8V，在发出100cd/m2的光时的电流效率为3.7cd/A。
另一方面，从图5A和5B还可以得知，没有执行研磨处理的发光元件获取1cd/m2的发光的电压为3.0V，在发出100cd/m2的光时的电流效率为3.5cd/A。
因此可以得知，执行了研磨处理的发光元件2比没有执行研磨处理的发光元件在发出1cd/m2光时的电压低，而且，比没有执行研磨处理的发光元件在发出100cd/m2的光时的电流效率更高。
实施例3本实施例将说明和实施例1不同的本发明的发光元件。注意，因为直到研磨处理后的加热工艺和实施例1所示的发光元件相同，所以在此省略相关说明。
在执行205℃的加热处理后，在阳极101上形成按顺序层叠的作为发光层401的Alq3、作为电子注入层402的CaF2、作为阴极403的铝，这样就形成了发光元件3(图3C)。注意，各个层的膜的厚度具体是发光层401为90nm、电子注入层402为2nm。用真空蒸发淀积法来形成膜。
另外，为了和发光元件3做比较，制作具有和发光元件3相同的叠层结构的发光元件，但该发光元件没有执行研磨处理，比较这两个发光元件。
注意，当衬底上的单分子以一定的角度γ取向时，假设分子为单轴取向，分子的吸收光谱的P偏振光和S偏振光之比(二色比)和取向角γ的关系满足以下所示算式1。分子仅仅吸收跃迁矩(transition moment)方向的光，如考虑在该跃迁矩方向上发光，则吸收光谱和发光光谱可以被定义为相同。换言之，从偏振光射入分子时的发光光谱，可以求出发光的二色比，从而可以求出分子的取向角。
算式1R=2[sin2θ+sin2α(3cos2θ-1)]-(3sin2α-1)(3cos2θ-1)sinγ2sin2θ+(2-3sin2θ)sin2γ]]>在上述算式1中，R表示二色比；γ表示取向角；α表示入射角；θ表示分子面和分子的跃迁矩形成的角。
图6A表示执行了研磨处理的发光元件3和没有执行研磨处理的发光元件的相对于电压V的亮度L(cd/m2)的实际测量值的曲线图。在图6B表示执行了研磨处理的发光元件3和没有执行研磨处理的发光元件的相对于亮度L(cd/m2)的电流效率η(cd/A)的实际测量值的曲线图。
从图6A和6B可以得知，执行了研磨处理的发光元件3获取1cd/m2的发光的电压为6.0V，在发出100cd/m2的光时的电流效率为0.24cd/A。Alq3的发光光谱的P偏振光和S偏振光的光子数分别为6200、3000，P偏振光和S偏振光的强度比(二色比)为2.067。另外，从该二色比可以得知Alq3的取向角为32.80度。
注意，发光光谱使用荧光分光光度计来测量。使用Alq3吸收的420nm的激发光。在实际的测量中放置偏振光板于元件之前，并在激发光射到元件之前使激发光偏振为P偏振光(入射光的振动方向平行于入射面)、S偏振光(入射光的振动方向垂直于入射面)而射入元件。激发光相对于元件面的入射角固定在45度。获取的发光光谱的峰值强度比当作二色比，求出取向角。
另一方面，从图6A和6B还可以得知，没有执行研磨处理的发光元件获取1cd/m2的发光的电压为7.0V，在发出100cd/m2的光时的电流效率为0.15cd/A。
因此可以得知，执行了研磨处理的发光元件3比没有执行研磨处理的发光元件在发出1cd/m2光时的电压低，而且，比没有执行研磨处理的发光元件在发出100cd/m2的光时的电流效率更高。Alq3的发光光谱的P偏振光和S偏振光的光子数分别为7800、3300，P偏振光和S偏振光的强度比(二色比)为2.364。另外，从该二色比可以得知Alq3的取向角为29.84度。
如将Alq3的取向角的值用上述研磨处理的有无进行比较，可以得知执行了研磨处理的发光元件的Alq3的跃迁矩和衬底平面形成的角度小，跃迁矩相对于衬底趋于平卧状态。也就是说，可以认为通过研磨处理，可以使来自Alq3的发光的方向相对于电极面朝向趋于垂直的方向。
实施例4使用本发明的发光元件的电子器件可举出摄像机、数字式照相机、护目镜式显示器(头盔式显示器)、导航系统、音频播放装置(汽车放音设备、放音组件等)、计算机、游戏机、便携式信息终端(移动计算机、手提电话、便携式游戏机和电子图书等)、以及配备记录介质的图像播放装置(具体是具有可再现记录介质中数据的显示装置的装置，例如显示数据图像的数字通用盘(DVD))的例子。这些电子器件的具体例子示于图7A至7H。
图7A表示一种电视机，包括机壳2001、底座2002、显示单元2003、扬声器单元2004、视频输入端子2005等。通过将本发明的发光元件应用到该显示单元2003，可以制作出电视机。
图7B表示一种数字式照相机，包括主体2101、显示单元2102、图像接受单元2103、操作按钮2104、外部接线口2105、快门2106等。通过将本发明的发光元件应用到该显示单元2102，可以制作出数字式照相机。
图7C表示计算机，包括主体2201、机壳2202、显示单元2203、键盘2204、外部接线口2205、指向鼠标2206等。通过将本发明的发光元件应用到该显示单元2203，可以制作出计算机。
图7D表示便携式计算机，包括主体2301、显示单元2302、开关2303、操作键2304、红外线接口2305等组成。通过将本发明的发光元件应用到该显示单元2302，可以制作出便携式计算机。
图7E表示配备记录介质的移动式图像播放装置(具体地说，DVD显示器等)。该装置包括主体2401、机壳2402、显示单元A 2403、显示单元B 2404、记录介质(DVD之类)读取单元2405、操作键2406、扬声器单元2407等组成。显示单元A 2403主要显示图像信息，而显示单元B 2404主要显示文本信息。通过将本发明的发光元件应用到该显示单元A 2403和B 2404，可以制作出图像播放装置。该配备了记录介质的图像播放装置还包括家庭游戏机。
图7F表示护目镜式显示器(头盔式显示器)，包括主体2501、显示单元2502和臂单元2503组成。通过将本发明的发光元件应用到该显示单元2502，可以制作出护目镜式显示器。
图7G表示摄像机，包括主体2601、显示单元2602、机壳2603、外部接口2604、遥控接收单元2605、图像接收单元2606、电池2607、音频输入单元2608、操作键2609、目镜部分2610等。通过将本发明的发光元件应用到该显示单元2602，可以制作出摄像机。
图7H表示手提电话，包括本体2701、机壳2702、显示单元2703、音频输入单元2704、音频输出单元2705、操作键2706、外部接口2707、天线2708等。通过将本发明的发光元件应用到该显示单元2703，可以制作出手提电话。
注意，除了上述电子器件，本发明还可以应用到前置型或后置型投影机。
如上所述，本发明的适用范围极其广泛，可以应用到所有领域的电子器件中。
本说明书根据2003年8月29日在日本专利局受理的日本专利申请编号2003-305915而制作，所述申请内容包括在本说明书中。
虽然上述实施方案模式和实施例参考附图给出了本发明的全部说明。正如本领域技术人员很容易理解的，本发明包括各种形式，在不脱离本发明的目的和范围的条件下，可以对实施模式及其细节进行更改或修正。所以，对本发明的解释不应认为限制于上述实施方式和实施例中提到的说明。
权利要求
1.一种发光元件，包括第一电极；形成在所述第一电极上的包含有机化合物的发光层；以及形成在所述发光层上的第二电极，其中，在所述第一电极的表面执行研磨处理。
2.根据权利要求1的发光元件，其中所述第一电极包含晶质成分。
3.根据权利要求1的发光元件，其中所述第一电极包含金属氧化物。
4.根据权利要求1的发光元件，其中所述第一电极包含ITO。
5.根据权利要求1的发光元件，其中所述发光元件包括于选自电视、数字式相机、计算机、移动计算机、便携式图像播放装置、护目镜式显示器、摄像机、手提电话的电子器件中。
6.一种发光元件，包括第一电极，其包括第一表面和相反于第一表面的第二表面；形成在所述第一电极的第一表面上的包含有机化合物的发光层；以及形成在所述发光层上的第二电极，其中，在所述第一电极的第一表面上形成在一定方向上的微小凸凹。
7.根据权利要求6的发光元件，其中所述第一电极包含晶质成分。
8.根据权利要求6的发光元件，其中所述第一电极包含金属氧化物。
9.根据权利要求6的发光元件，其中所述第一电极包含ITO。
10.根据权利要求6的发光元件，其中所述发光元件包括于选自电视、数字式相机、计算机、移动计算机、便携式图像播放装置、护目镜式显示器、摄像机、手提电话的电子器件中。
11.一种发光元件的制作方法，包括以下步骤形成第一电极；在所述第一电极的表面执行研磨处理；在所述第一电极上形成包含有机化合物的发光层；以及在所述发光层上形成第二电极。
12.根据权利要求11的发光元件的制作方法，其中所述第一电极包含金属氧化物。
13.根据权利要求11的发光元件的制作方法，其中所述第一电极包含ITO。
14.根据权利要求11的发光元件的制作方法，其中根据所述研磨处理，所述发光层中偏振光PL强度的二色比在10％或10％以上的范围变化。
15.根据权利要求11的发光元件的制作方法，其中根据所述研磨处理，包含在所述发光层的有机化合物的取向角在2度至90度的范围内变化。
16.一种发光元件的制作方法，包括以下步骤形成包含晶质成分的第一电极；在所述第一电极的表面执行研磨处理；在所述第一电极上形成包含有机化合物的发光层；以及在所述发光层上形成第二电极。
17.根据权利要求16的发光元件的制作方法，其中所述第一电极包含金属氧化物。
18.根据权利要求16的发光元件的制作方法，其中所述第一电极包含ITO。
19.根据权利要求16的发光元件的制作方法，其中根据所述研磨处理，所述发光层中偏振光PL强度的二色比在10％或10％以上的范围变化。
20.根据权利要求16的发光元件的制作方法，其中根据所述研磨处理，包含在所述发光层的有机化合物的取向角在2度至90度的范围内变化。
21.一种发光元件的制作方法，包括以下步骤形成第一电极；执行加热处理以提高所述第一电极的结晶性；在所述第一电极的表面执行研磨处理；在所述第一电极上形成包含有机化合物的发光层；以及在所述发光层上形成第二电极。
22.根据权利要求21的发光元件的制作方法，其中所述第一电极包含金属氧化物。
23.根据权利要求21的发光元件的制作方法，其中所述第一电极包含ITO。
24.根据权利要求21的发光元件的制作方法，其中根据所述研磨处理，所述发光层中偏振光PL强度的二色比在10％或10％以上的范围变化。
25.根据权利要求21的发光元件的制作方法，其中根据所述研磨处理，包含在所述发光层的有机化合物的取向角在2度至90度的范围内变化。
26.一种发光元件的制作方法，包括以下步骤形成包含晶质成分的导电膜；在所述导电膜的表面执行研磨处理；对所述导电膜执行图案化以形成第一电极；在所述第一电极上形成包含有机化合物的发光层；以及在所述发光层上形成第二电极。
27.根据权利要求26的发光元件的制作方法，其中所述第一电极包含金属氧化物。
28.根据权利要求26的发光元件的制作方法，其中所述第一电极包含ITO。
29.根据权利要求26的发光元件的制作方法，其中根据所述研磨处理，所述发光层中偏振光PL强度的二色比在10％或10％以上的范围变化。
30.根据权利要求26的发光元件的制作方法，其中根据所述研磨处理，包含在所述发光层的有机化合物的取向角在2度至90度的范围内变化。
31.一种发光元件的制作方法，包括以下步骤形成导电膜；执行加热处理以提高所述导电膜的结晶性；在所述导电膜的表面执行研磨处理；对所述导电膜执行图案化以形成第一电极；在所述第一电极上形成包含有机化合物的发光层；以及在所述发光层上形成第二电极。
32.根据权利要求31的发光元件的制作方法，其中所述第一电极包含金属氧化物。
33.根据权利要求31的发光元件的制作方法，其中所述第一电极包含ITO。
34.根据权利要求31的发光元件的制作方法，其中根据所述研磨处理，所述发光层中偏振光PL强度的二色比在10％或10％以上的范围变化。
35.根据权利要求31的发光元件的制作方法，其中根据所述研磨处理，包含在所述发光层的有机化合物的取向角在2度至90度的范围内变化。
36.一种发光元件的制作方法，包括以下步骤形成导电膜；在所述第一电极的表面上形成微小的凸凹；在所述第一电极上形成包含有机化合物的发光层；以及在所述发光层上形成第二电极。
37.根据权利要求36的发光元件的制作方法，其中所述第一电极包含金属氧化物。
38.根据权利要求36的发光元件的制作方法，其中所述第一电极包含ITO。
39.根据权利要求36的发光元件的制作方法，其中根据所述研磨处理，所述发光层中偏振光PL强度的二色比在10％或10％以上的范围变化。
40.根据权利要求36的发光元件的制作方法，其中根据所述研磨处理，包含在所述发光层的有机化合物的取向角在2度至90度的范围内变化。
全文摘要
本发明的目的是在不损伤有机化合物的情况下，提供能够实现低驱动电压化或高电流效率化的发光元件的制作方法以及使用该制作方法的发光元件。在本发明中，为了控制包含在有机层中的有机化合物的分子排列，对形成有有机层的电极表面执行研磨处理。通过对电极表面执行研磨处理，可以使来自有机化合物的发光的方向朝向电极，这样可以提高电流效率，并进一步提高取光的效率。特别是在本发明中，作为形成有机层的电极，使用包含晶质成分，且以氧化铟锡(ITO)为典型的金属氧化物等的导电膜。
文档编号H01L33/00GK1592519SQ20041006825
公开日2005年3月9日 申请日期2004年8月27日 优先权日2003年8月29日
发明者铃木恒德, 野村亮二, 濑尾哲史 申请人:株式会社半导体能源研究所