专利名称：发光二极管的结构改良的制作方法
技术领域：
本实用新型有关发光二极管的构造。
技术背景参阅图5，习知的发光二极管构造是将发光芯片1黏牢于支架2的碗杯内，然后以透明的环氧树脂61包覆已打好线的单颗发光芯片1，使其在发光芯片1上方形成一个有聚光作用的半圆球体，以将发散的光线往中心聚集，所以市面上最常见的是以环氧树脂61当作封装壳体的发光二极管。
目前世界潮流皆朝向节约能源的目标发展，而发光二极管有发光效率高的优点，因此若能由发光二极管取代传统光源，将能节省不少的电力消耗，但是若要以发光二极管取代传统光源势必需要提高其亮度，要提高其亮度就必须提高其输入电流，一但输入电流增加，发光芯片所产生的热量也会跟着增加；然而，发光芯片的单位面积与传统光源比较起来是非常小的，所以发光芯片的单位面积上所产生与累积的热量较传统光源要高出许多；又，习知的以环氧树脂当作封装壳体的发光二极管的散热效果有限，这是因为环氧树脂热传导率只有0.2W/m℃左右，无法将发光芯片所产生的热量传导至封装壳体的外部，造成发光芯片的温度常高于摄氏八十度，降低了发光效率，也易使发光芯片因高温而产生质变，导致发光二极管损坏而无法使用。
发明内容
本案发明人有鉴于上述习知的发光二极管结构的缺失，爰精心研究，并积个人从事该项事业的多年经验，终设计出一种崭新的发光二极管的改良结构。
本实用新型的主要目的，是要提供一种发光二极管的结构改良，可使发光二极管所产生的热源迅速传导至外部，使其具有全面性的散热效果，以避免发光芯片因高温质变而损坏，达到延长使用寿命的功效。
本实用新型的目的是这样实现的提供一种发光二极管的结构改良，其主要构造包括有发光芯片、正极支架、负极支架及封装壳体，该发光芯片设置于负极支架上，其特征在于包覆于所述发光芯片外的封装壳体上半部是透明的环氧树脂，在该发光芯片下缘的封装壳体下半部是热传导系数高的无机材料。以及该无机材料是由碳化硅所构成。
该无机材料是由氮化铝所构成。
该无机材料是由氧化铍所构成。
该无机材料是由氮化硼所构成。
该无机材料是由人造钻石所构成。
本实用新型的有益效果是由于本实用新型发光二极管的结构改良是一种可以提高发光二极管散热效率的封装结构，其特征在于该发光二极管的结构改良主要是将其中的发光芯片置于支架固晶区，在该发光芯片下缘以无机材料做为封装壳体的一部份。依据上述构造，该发光二极管在大电流输入时所产生的热源得以迅速藉由该无机材料传导至外部，使其具有全面性的散热效果，可以避免发光芯片因高温质变而损坏，达到延长使用寿命的功效。
图1本实用新型的立体图。
图2、3、4本实用新型各种封装实施例的立体图。
图5习知发光二极管的立体图。
件号说明
1发光芯片2正极支架3负极支架6封装壳体61环氧树脂 62无机材料具体实施方式
本实用新型的构造、装置及其特征举一较佳的可行实施例并配合附图详细说明如下搭配图1所示，本实用新型的发光二极管的结构改良，其主要构造是由发光芯片1、正极支架2、负极支架3及封装壳体6所组合而成，该发光芯片1设置于负极支架3上，其特征在于包覆于发光芯片1外的封装壳体6的上半部是透明的环氧树脂61，而在该发光芯片下缘的封装壳体下半部是热传导系数高的无机材料62。
上述的无机材料62可由碳化硅SiC(热传导率为270W/m℃)、氮化铝AlN(热传导率为230W/m℃)、氧化铍BeO(热传导率为240W/m℃)、氮化硼BN(热传导率为600W/m℃)及人造钻石(热传导率为2000W/m℃)等材质所构成。
据上述的构造，该发光二极管的结构改良得以灌模成形的方式制成；该发光二极管的灌胶程序，是先将环氧树脂灌入模具中直到发光芯片的位置，待该环氧树脂硬化成形后再灌入热硬化的无机材料，使该无机材料将正极支架及负极支架包覆起来，待该热硬化无机材料冷却硬化后，即可将已完成灌模的发光二极管由模具中取出而完成封装。
如上所述，由于该发光二极管的结构改良中的正极支架2及负极支架3与无机材料62相接触，因此该发光芯片1所产生的热源得以直接藉由正极支架2、负极支架3及无机材料62传导至发光二极管的外部，据而得以迅速散热，如此可避免发光芯片1因高温质变而损坏。
续参考图2、3、4所示，该发光二极管的结构改良得以各种封装型式封装。
再者，该发光二极管的结构改良得以模压成形的方式制成，该模压成形的方式是将无机材料62与环氧树脂61混合后模压而成形。
综上所述，本实用新型发光二极管的结构改良确实能够迅速散热，以达到避免发光芯片因高温质变而损坏的功效，因此具有实用新型的实用性与进步性；申请人爰依专利法提起新型专利的申请。
权利要求1.一种发光二极管的结构改良，其主要构造包括有发光芯片、正极支架、负极支架及封装壳体，该发光芯片设置于负极支架上，其特征在于包覆于所述发光芯片外的封装壳体上半部是透明的环氧树脂，在该发光芯片下缘的封装壳体下半部是热传导系数高的无机材料。
2.如权利要求1所述发光二极管的结构改良，其特征在于，该无机材料是由碳化硅所构成。
3.如权利要求1所述发光二极管的结构改良，其特征在于，该无机材料是由氮化铝所构成。
4.如权利要求1所述发光二极管的结构改良，其特征在于，该无机材料是由氧化铍所构成。
5.如权利要求1所述发光二极管的结构改良，其特征在于，该无机材料是由氮化硼所构成。
6.如权利要求1所述发光二极管的结构改良，其特征在于，该无机材料是由人造钻石所构成。
专利摘要一种发光二极管的结构改良，是用以提高发光二极管散热效率的封装结构，其特征主要是将发光芯片置于支架固晶区，在该发光芯片下缘以无机材料作为封装壳体的一部分；据上述的构造，该发光二极管在大电流输入时所产生的热源得以迅速藉由该无机材料传导至外部，使其具有全面性的散热效果，以避免发光芯片因高温质变而损坏，达到延长其使用寿命的功效。
文档编号H01L33/00GK2742582SQ20042000062
公开日2005年11月23日 申请日期2004年1月14日 优先权日2004年1月14日
发明者何英明 申请人:光楠科技股份有限公司