专利名称：低温多晶硅薄膜晶体管基板的制作方法
技术领域：
本实用新型是关于一种薄膜晶体管基板，特别是一种低温多晶硅薄膜晶体管(Low Temperature Poly-Silicon Thin FilmTransistor，LTPS TFT)基板。
背景技术：
平面显示器因为具有轻薄的优点，逐渐取代阴极射线管，成为显示器的主流。但是随着信息科技的蓬勃发展，及更高分辨率与信息显示大容量化的需求，传统非晶硅薄膜晶体管驱动液晶显示器(a-si TFT LCD)的效能已不敷需求，于是业界开始发展具有更优异性能的低温多晶硅薄膜晶体管技术，其优势在于能将驱动电路直接制作在玻璃基板上(System On Glass，SOG)，以有效降低集成驱动电路的成本，因应平面显示器市场的需求。
一般低温多晶硅薄膜晶体管技术是利用薄膜沉积(Thin FilmDeposition)、黄光微影(UV Lithography)、蚀刻(Etching)制造薄膜晶体管与图像电极。但是在其制作过程中，激光退火制程为其中的关键技术。该制程步骤的成功与否，对薄膜晶体管的特性影响极大。
请参照图1，是一种现有技术低温多晶硅薄膜晶体管基板200的结构示意图，该低温多晶硅薄膜晶体管基板200包括绝缘基板220、驱动电路区域210、多个驱动电路211、显示面板区域230及多个像素单元222。其中，驱动电路区域210与显示面板区域230连接在一起，多个驱动电路211与多个像素单元222位于其上，且多个驱动电路211跟随多个像素单元222设置。由于绝缘基板220上进行准分子激光退火制程并非一次完成，而是多次扫描逐次完成，因而制成的多晶硅薄膜晶体管特性并不均匀，同时，驱动电路区域210对薄膜晶体管特性均匀度的要求(±10～100mV)，较显示面板区域230内部薄膜晶体管开关组件的要求(±1～2V)高出甚多，且现阶段低温多晶硅薄膜晶体管基板200一般排布状况，驱动电路211跟随多个像素单元222分布在整个基板上，这对制程而言均匀性的难度甚高，当绝缘基板220上某处准分子激光退火制程的均匀度不高时，如果仅某个驱动电路211不良造成废品，则与之相连的显示面板区域230无论良莠也会报废，造成良率低，增加成本。
实用新型内容为了克服现有技术中低温多晶硅薄膜晶体管基板良率低、生产成本高的问题，本实用新型提供一种良率较高、成本较低的低温多晶硅薄膜晶体管基板。
本实用新型提供的低温多晶硅薄膜晶体管基板包括一绝缘基板和一形成于该基板上的多晶硅薄膜，该多晶硅薄膜上具有驱动电路区域与显示面板区域两个区域，其中，该驱动电路区域形成多个驱动电路，该显示面板区域形成多个像素单元，且该驱动电路区域与该显示面板区域区隔设置。
相比现有技术，本实用新型的有益效果是由于驱动电路在薄膜晶体管特性均匀度的要求上，较显示区域内部薄膜晶体管开关组件高出甚多，因而本实用新型的低温多晶硅薄膜晶体管基板的驱动电路区域与显示面板区域在不同区域制作，将驱动电路集中在某一区域内，可降低制程变异因素对均匀性的影响程度，以提升低温多晶硅薄膜晶体管基板面板及驱动电路整体制作良率，减少生产的成本。后续利用软性电路板与导电材质将显示区薄膜晶体管矩阵接脚与驱动电路接脚相结合，完成面板制作。
图1是一种现有技术的低温多晶硅薄膜晶体管基板的结构示意图。
图2是本实用新型的低温多晶硅薄膜晶体管基板结构示意图。
图3是本实用新型的低温多晶硅薄膜晶体管基板的制作流程图图4是本实用新型的低温多晶硅薄膜晶体管基板的后续连接示意图。
具体实施方式请参阅图2，是本实用新型低温多晶硅薄膜晶体管基板的结构示意图。该低温多晶硅薄膜晶体管基板300包括一绝缘基板320、一驱动电路区域310、多个驱动电路311、显示面板区域330及多个像素单元322。其中，驱动电路区域310与显示面板区域330分布于绝缘基板320上的不同区域，且多个驱动电路311设置于驱动电路区域310中，多个像素单元322设置于显示面板区域330中，该绝缘基板320可为玻璃基板或石英基板。
请参阅图3，是本实用新型低温多晶硅薄膜晶体管基板300的制作流程图。该低温多晶硅薄膜晶体管基板300的制作包括以下步骤提供一绝缘基板320(步骤10)，在该绝缘基板320的表面，进行一第一等离子增强化学气相沉积制程(步骤20)，其中该绝缘基板320可为玻璃基板或石英基板，使该绝缘基板320的表面形成一非晶硅层，再进行一准分子激光退火制程以使该非晶硅层再结晶形成多晶硅薄膜(步骤30)，该多晶硅薄膜的表面包含有该低温多晶硅薄膜晶体管的一源极区域、一漏极区域以及一信道区域；进行一第二等离子增强化学气相沉积制程(步骤40)，以在该信道区域上依序形成一以四乙氧基硅烷为主的氧化硅层。同时将驱动电路区域310与显示面板区域330在绝缘基板320上分离开，其中驱动电路区域310包括多个驱动电路311，显示面板区域330包括多个像素单元322，将驱动电路311集中在某一区域内，可降低制程变异因素对均匀性的影响程度，以提升低温多晶硅薄膜晶体管基板300及驱动电路311整体制作良率，减少制程的成本。
请参阅图4，是本实用新型低温多晶硅薄膜晶体管基板300的后续连接示意图。驱动电路311的接脚与像素单元322的薄膜晶体管矩阵接脚利用软性电路板430与导电材质相结合，完成面板制作。
权利要求1.一种低温多晶硅薄膜晶体管基板，其包括一绝缘基板、一形成于该绝缘基板上的多晶硅薄膜以及该多晶硅薄膜上形成的驱动电路区域与显示面板区域，该驱动电路区域形成多个驱动电路，该显示面板区域形成多个像素单元，其特征在于该驱动电路区域与该显示面板区域区隔设置。
2.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管基板，其特征在于该绝缘基板为玻璃基板。
3.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管基板，其特征在于该绝缘基板为石英基板。
4.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管基板，其特征在于该多晶硅薄膜的表面包含有该低温多晶硅薄膜晶体管的一源极区域、一漏极区域以及一信道区域。
专利摘要本实用新型是关于一种低温多晶硅薄膜晶体管基板，其包括一基板及形成于该基板上的一多晶硅薄膜层，该多晶硅薄膜上形成驱动电路区域与显示面板区域，其中，该驱动电路区域形成多个驱动电路，该显示面板区域形成多个像素单元，该驱动电路区域与该显示面板区域区隔设置。
文档编号H01L29/786GK2727796SQ20042007210
公开日2005年9月21日 申请日期2004年7月24日 优先权日2004年7月24日
发明者谢朝桦, 彭家鹏 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 群创光电股份有限公司