专利名称：薄膜体波谐振器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种薄膜体波(bulk wave)谐振器，特别涉及一种具有音响多层膜的SMR型(Solidly Mounted Resonator固态安装的谐振器)薄膜体波谐振器。
背景技术：
目前，作为小型且高性能的谐振器，实际使用薄膜体波谐振器(Film BulkAcoustic ResonatorFBAR)和表面弹性波(Surface Acoustic WaveSAW)谐振器等、使用压电材料的各种谐振器。其中，由于薄膜体波谐振器在其结构上，比表面弹性波谐振器更易于提高谐振频率，因此在谋求所谓的微波(GHz带)高谐振频率的用途中，近年来一直受到关注。(参照日本专利文献1)。
薄膜体波谐振器包括由上部电极、下部电极及在它们之间设置的压电膜构成的谐振部，通过在上部电极和下部电极之间施加高频信号，能够获得所希望的谐振特性。薄膜体波谐振器的谐振频率主要依赖于上部电极、下部电极及压电膜的膜厚，这些膜的厚度则以由体波的音速和谐振频率之比(音速/谐振频率)决定的波长为基准，来进行设定。
作为薄膜体波谐振器，现在所知道的有所谓的称为振动膜(diaphragm)型的薄膜体波谐振器、和称为SMR型(Solidly Mounted Resonator固态安装的谐振器)的薄膜体波谐振器。称为振动膜型的薄膜体波谐振器，在由上部电极、下部电极及由压电膜构成的谐振部的下部，具有在基板上设置空洞的结构，具有使谐振部的两侧(下部电极侧和上部电极侧)对大气敞开的结构。
相对于此，称为SMR型的薄膜体波谐振器，代替在基板上设置空洞，而具有在基板与谐振部之间设置了由多个反射膜构成的音响多层膜的结构，通过该音响多层膜来减少来自基板的不必要的体波的反射。SMR型的薄膜体波谐振器由于不需要形成空洞，所以不仅能够比较简单地制造、产量高，而且由于没有因空洞而导致的机械强度下降，所以能够确保高可靠性。
专利文献1特开平10-270979号公报。
但是众所周知，一般SMR型薄膜体波谐振器与振动膜型的薄膜体波谐振器相比，其谐振特性差。对于振动膜型薄膜体波谐振器而言，这是因为其谐振部的两侧(下部电极侧及上部电极侧)对大气是敞开的，所以就会相对自由地进行振动，相对于此，对于SMR型薄膜体波谐振器而言，传播到基板侧的体波在由音响多层膜没有充分反射的情况下，体波一旦到达基板，由基板反射的不必要的体波就会乱真(スプリァス)地显现。
发明内容
因此，本发明的目的在于，通过改善音响多层膜来提高SMR型薄膜体波谐振器的谐振特性。
通常，音响多层膜具有层叠了多层的音响阻抗彼此不同的两种反射膜对的结构，利用此音响阻抗差，反射传播到基板侧的体波。为此，虽然有必要考虑音响阻抗来选择构成音响多层膜的反射膜的材料，但根据本发明者们的研究表明，音响多层膜的反射效率，不仅仅是因音响阻抗的差异，还依赖于构成音响多层膜的反射膜的取向性而产生较大差异。并且，根据本发明者们的进一步研究表明，构成音响多层膜的反射膜的取向性甚至对阻抗比(谐振阻抗和逆谐振阻抗之比)也有影响。
基于这样的技术知识来构成本发明，其特征在于，根据本发明的薄膜体波谐振器包括基板；在上述基板上设置的谐振部；由在上述基板和上述谐振部之间设置的多个反射膜构成的音响多层膜，构成上述音响多层膜的至少一个反射膜沿特定的结晶面取向。
在本发明中，构成音响多层膜的至少一个反射膜沿特定的结晶面取向，因此，向基板方向传播的体波的反射效率高，与现有技术相比，能够减少基板地不需要的反射。其结果，能够获得比以往更好的谐振特性。
在此情况下，优选上述至少一个反射膜的X射线摇摆曲线(rocking curve)的半辐值小于等于10°，更优选小于等于3°以下。这是因为反射膜的结晶性越高，体波的反射效率也就越高，还使阻抗比也越高。
此外，优选上述音响多层膜至少包含上述音响多层膜至少包含一对反射膜对，该反射膜对包括第一反射膜和由与上述第一反射膜不同的材料构成的第二反射膜。并且，优选上述音响多层膜至少包含多对由第一反射膜和上述第二反射膜构成的反射膜对，各对反射膜中包含的上述第一反射膜和上述第二反射膜的至少一方的X射线摇摆曲线的半辐值都小于等于10°，更优选都小于等于3°。
此外，沿上述特定的结晶面取向的反射膜在由氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)或氧化铝(Al2O3)等具有六方晶格结构的材料构成的情况下，优选上述特定的结晶面是(0001)面；在由钨(W)、锰(Mo)等具有体心立方晶格结构的材料构成的情况下，优选上述特定的结晶面是(110)面。这是因为，作为六方晶格结构的材料容易沿(0001)面取向，作为体心立方晶格结构的材料容易沿(110)面取向。
此外，优选上述谐振部包括下部电极、上部电极、在上述下部电极和上述上部电极之间设置的压电膜，更优选还包括在上述音响多层膜和上述下部电极之间设置的粘合取向控制薄膜。如果设置这种粘合取向控制薄膜作为下部电极的衬底，则在提高下部电极和音响多层膜的粘合性的同时，还能够提高下部电极的结晶性。
由此，根据本发明，由于能够减少来自基板的不必要的反射，因此就能够提供乱真少的、具有良好谐振特性的薄膜体波谐振器。此外，还能够获得高的阻抗比。
图1表示根据本发明的优选实施方式的薄膜体波谐振器100结构的剖面示意图。
图2表示根据本发明的另一优选实施方式的薄膜体波谐振器200结构的剖面示意图。
图3表示根据实施例1的薄膜体波谐振器的谐振特性的曲线图。
图4表示根据实施例2的薄膜体波谐振器的谐振特性的曲线图。
图5表示根据实施例3的薄膜体波谐振器的谐振特性的曲线图。
具体实施例方式
以下，参照附图，详细说明本发明的优选实施方式。
图1表示根据本发明的优选实施方式的薄膜体波谐振器100结构的剖面示意图。
如图1所示，根据本实施方式的薄膜体波谐振器100包括基板101；由在基板101上设置的下部电极102、压电膜103及上部电极104构成的谐振部120；在基板101和谐振部120之间设置的音响多层膜110，通过在下部电极102和上部电极104之间施加高频信号，能够获得所希望的谐振特性。
基板101起到确保薄膜体波谐振器100的机械强度的基体的作用，作为其材料，可以使用硅(Si)和蓝宝石等单晶基板、矾土(alumina)和铝钛碳(Al.Ti.C)等的陶瓷基板、石英和玻璃基板等。其中，最优选使用廉价且确保高级芯片加工的Si单晶。
音响多层膜110具有交替层叠由互不相同的材料构成的第一反射膜111和第2反射膜112的结构，通过反射向基板101方向传播的体波，起提高薄膜体波谐振器100特性的作用。虽然未对构成音响多层膜110的反射膜的数量进行限定，但在本实施方式中层叠有四对由第一反射膜111和第二反射膜112构成的反射膜对。没有限定第一反射膜111及第二反射膜112的材料，可以使用具有六方晶格结构的材料，例如氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)或氧化铝(Al2O3)；和具有体心立方晶格结构的材料，例如钨(W)、钼(Mo)，并且还可以使用难于结晶化的材料，例如氧化硅(SiO2)等。但是，在成对的反射膜111和反射膜112中，位于基板101侧的第一反射膜111的一方比位于谐振部120侧的第二反射膜112更有必要选择音响阻抗高的材料。例如，对于位于基板101侧的第一反射膜111，可以使用氮化铝(AlN)，对于位于谐振部120侧的第二反射膜112，可以使用氧化硅(SiO2)。
在本发明中，构成音响多层膜110的至少一个反射膜沿特定的结晶面取向。在此，所谓“沿特定的结晶面取向”，是指在测量X射线摇摆曲线的情况下，能够确认特定的结晶面中的反射状态，优选X射线摇摆曲线的半辐值为小于等于10°，特别优选为小于等于3°以下。这是由于在构成音响多层膜110的反射膜沿特定的结晶面取向时，能够提高向基板101方向传播的体波的反射效率，减少来自基板101的不必要的反射。并且，如果X射线摇摆曲线的半辐值为小于等于10°，则能够进一步提高向基板101方向传播的体波的反射效率，并且，如果X射线摇摆曲线的半辐值为小于等于3°，则能更进一步提高向基板101方向传播的体波的反射效率，并且还能提高阻抗比(谐振阻抗和反谐振阻抗之比)。
在此，虽然最优选构成音响多层膜110的所有的反射膜沿特定的结晶面取向，但本发明并不限定于此，只要满足构成音响多层膜110的至少一个反射膜沿特定的结晶面取向即可。即使在此情况下，在成对的反射膜111及112中，也优选其中一方的反射膜都沿特定的结晶面取向。例如，如上述的例子，在位于基板101侧的第一反射膜111的材料使用氮化铝(AlN)的情况下，优选四个第一反射膜111都沿特定的结晶面取向，且优选四个第一反射膜111的所有的X射线摇摆曲线的半辐值都为小于等于10°，进一步优选四个第一反射膜111的所有的X射线摇摆曲线的半辐值都为小于等于3°。
虽然对结晶面的面方位没有特别限定，但若考虑易于制造，则优选选择对所使用材料容易取向的面方位。例如，由于氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)或氧化铝(Al2O3)等，结晶为六方晶格结构的材料容易沿(0001)面取向，在第一反射膜111和第二反射膜112的材料使用这样的材料的情况下，优选上述特定的结晶面为(0001)面。同样地，由于钨(W)、钼(Mo)等，结晶为体心立方晶格结构的材料容易沿(110)面取向，在第一反射膜111和第二反射膜112的材料使用这样的材料的情况下，优选上述特定的结晶面为(110)面。还有，上述示例的材料的成膜都容易，且由于容易沿特定的结晶面取向，所以就能够优选其作为第一反射膜111和第二反射膜112的材料来使用。
相对于此，对于氧化硅(SiO2)这样的自身难于结晶化的材料，只能使用在第一反射膜111及第二反射膜112中的任意一方。这是因为当在第一反射膜111及第二反射膜112这两方都使用这种材料时，就会形成构成音响多层膜110的所有反射膜未沿特定的结晶面取向的状态。
没有特别限定第一反射膜111及第二反射膜112的成膜方法，虽然可以使用真空蒸镀法、溅射法或CVD(化学气相沉积)法等来形成，但第一反射膜111及第二反射膜112的结晶性根据成膜方法和成膜条件会产生大的变化。因此，为了控制第一反射膜111及第二反射膜112的结晶性，就必须适当地选择成膜方法和成膜条件。例如，在使用氮化铝(AlN)或氧化锌(ZnO)作为第一反射膜111或第二反射膜112的材料的情况下，通过使用RF(射频)磁控溅射法作为成膜方法，来容易形成结晶性高的膜。
最好根据作为目标的谐振频率，来设定第一反射膜111及第二反射膜112的厚度，优选分别设定为波长的1/4左右。在此，如上所述，波长可以根据体波的音速和作为目标的谐振频率的比(音速/谐振频率)来进行定义。
下部电极102作为薄膜体波谐振器100的一个电极来使用，此外在制造时它作为形成压电膜103的衬底的膜，在将氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)或氮化钙(GaN)等具有纤锌矿型结晶结构的压电材料用作压电膜103的材料情况下，作为下部电极，优选使用沿面心立方结构的(111)面，或最密六方结构的(0001)面单一取向的金属薄膜。这是因为，如果将沿面心立方结构的(111)面单一取向的金属薄膜或沿照最密六方结构的(0001)面单一取向的金属薄膜用作下部电极102，那么通过外延生长，在其上部形成的压电材料的结晶性就会变得非常良好。
作为下部电极102的材料，优选以铝(Al)、铂(Pt)、金(Au)、铱(Ir)、锇(Os)、铼(Re)、钯(Pd)、铑(Rh)及钌(Ru)中的至少一种作为主要成分。其中，铝(Al)、铂(Pt)、金(Au)、铱(Ir)、钯(Pd)及铑(Rh)为面心立方结构，锇(Os)、铼(Re)及钌(Ru)为最密六方结构。这些金属容易保持表面清洁，此外即使在被污染的情况下，也具有通过灰化及热处理等容易获得清洁的表面的优点。当下部电极102的表面清洁时，能够结晶性良好地容易形成压电膜103。
作为下部电极102，除此之外，还可以使用钼(Mo)和钨(W)等体心立方结构的金属薄膜和SrRuO3等的钙钛矿型结构的氧化物导电薄膜等。
最好根据作为目标的谐振频率来设定下部电极102的厚度，优选设定为波长的1/10左右。此外，在下部电极102的形成中，可以使用真空蒸镀法、溅射法或CVD法。
压电膜103起到将施加在下部电极102和上部电极104之间的电信号转变为体波的作用，作为此材料，如上所述，可以使用氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)或氮化钙(GaN)等具有纤锌矿型结晶结构的压电材料和PZT等强电介质材料。虽然没有特别地进行限定，但为了获得更良好的谐振特性，优选压电膜103的X射线摇摆曲线的半辐值为小于等于5°，更优选为小于等于3°。
作为压电膜103的材料，在使用具有纤锌矿型结晶结构的压电材料的情况下，作为其形成方法，优选使用RF(射频)磁控溅射和DC溅射、ECR溅射等溅射法和CVD(化学气相生长)法、MBE(分子束外延)法或真空蒸镀法，在其中，优选溅射法，尤其是使用RF(射频)磁控溅射法。这是因为，通过使用RF(射频)磁控溅射法，能够容易形成由氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)等构成的c轴单一取向的高结晶性薄膜。在使用氮化铝(AlN)的情况下，优选使用反应性RF(射频)磁控溅射法。此时，在阴极使用Al金属，通过导入Ar和氮气，在200℃左右的基板温度下进行反应性RF(射频)磁控溅射，能够形成优良的AlN膜。即使在使用ECR溅射法的情况下，也能够制造出杂质极少的高结晶性薄膜。
此外，作为压电膜103的材料，在使用PZT等强电介质材料的情况下，优选使用蒸镀法和溅射法、CVD法或激光烧蚀法来形成此膜，其中更优选使用蒸镀法和溅射法。特别是，如果使用作为蒸镀法之一的反应性蒸镀法，就能够制作出厚度均匀的高结晶性的强电介质薄膜。
最好根据作为目标的谐振频率来设定压电膜103的厚度，优选设定为波长的1/2左右。
上部电极104作为薄膜体波谐振器100的另一个电极来使用，作为其材料是具有高导电性的材料，并没有特别地进行限定。例如，可以使用将铝(Al)、金(Au)、铂(Pt)、钨(W)、钼(Mo)等金属和这些金属与铜(Cu)等的合金，或这些金属与钛(Ti)等金属层叠的多层膜。最好根据作为目标的谐振频率来设定上部电极104的厚度，优选设定为波长的1/10左右。在上部电极104的形成中，可以使用真空蒸镀法、溅射法或CVD法。
以上说明了根据本实施方式的薄膜体波谐振器100的结构。如此，根据本实施方式的薄膜体波谐振器100，由于构成音响多层膜110的至少一个反射膜沿特定的结晶面取向，所以就能够提高向基板101方向传播的体波的反射效率，由此，与现有的薄膜体波谐振器相比，就能够减少来自基板101的不必要的反射。其结果，就能够获得比现有薄膜体波谐振器更加良好的谐振特性。
接下来，说明根据本发明的另一优选实施方式的薄膜体波谐振器。
图2示出了根据本发明的另一优选实施方式的薄膜体波谐振器200结构的示意剖面图。
如图2所示，相对于上述薄膜体波谐振器100，根据本实施方式的薄膜体波谐振器200不同之处在于，在音响多层膜110和下部电极102之间附加了高结晶性的粘合取向控制薄膜201。由于其它部分与上述薄膜体波谐振器100的结构相同，所以省略重复的说明。
成为下部电极102的衬底的粘合取向控制薄膜(密着配合制御薄膜)201是沿特定结晶面取向的高结晶性的膜，提高了下部电极102和音响多层膜110的紧密粘接性，且起到提高下部电极102的结晶性的作用。作为粘合取向控制薄膜201的材料，优选使用选自铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)等三族元素中的至少一种元素与氮的化合物、钡(Be)、锌(Zn)等二族元素的氧化物和硫化物。特别是，由于氮化铝(AlN)在大气中稳定，通过反应性溅射法就能够容易形成高结晶性的膜，所以最优选氮化铝(AlN)作为粘合取向控制薄膜201的材料。
即使具备这种高结晶性粘合取向控制薄膜201的情况下，根据本实施方式的薄膜体波谐振器200中，构成音响多层膜110的至少一个反射膜沿特定的结晶面取向，由此，能够获得与上述实施方式相同的效果。这就意味着，所谓本发明的(音响多层膜)，如作为下部电极的衬底使用的粘合取向控制薄膜，实质上不含有不利于体波反射的膜。
本发明并不限定于以上说明的实施方式，可以在本发明的范围内进行各种变化，只要这些变化都包含在本发明的范围内。
例如，在上述各实施方式中，虽然通过层叠四对由第一反射膜111和第二反射膜112构成的反射膜对来构成音响多层膜110，但没有特别限定于这些反射膜对的层叠数量。此外，在除了第一反射膜111及第二反射膜112以外，实质上也可以含有有利于体波的反射的其它膜。
此外，本发明中，没有特别限定薄膜体波谐振器的上部电极及下部电极的平面形状，甚至也不用担心正方形·长方形等四边形、三角形、多边形、不等边多边形、圆形、椭圆形等任何形状。
实施例以下，说明本发明的实施例，但本发明并不限于本实施例。
按以下的方法，制作具有与图1所示的薄膜体波谐振器100相同结构的实施例1的薄膜体波谐振器。
首先，准备由镜面研磨的Si单晶体构成的厚度250μm、电阻率1000Ω·cm的Si(100)基板101，经清洗后，通过RF(射频)磁控溅射法，将由厚度1.5μm的氮化铝(AlN)构成的第一反射膜111、由厚度0.8μm的氧化硅(SiO2)构成的第二反射膜112，按其顺序进行四次反复层叠，由此形成音响多层膜110。
在第一反射膜111的成膜中，把金属铝(Al)用作靶，在溅射气体时，使用氩气(Ar)和氮气(N2)的混合气体。设氩气(Ar)和氮气(N2)的流量比为80∶20。此外，气腔内的压力为0.5Pa，溅射温度为80℃。
此外，在第二反射膜112的成膜中，把氧化硅(SiO2)用作靶，在溅射气体时，使用氩气(Ar)和氧气(O2)的混合气体。设氩气(Ar)和氧气(O2)的流量比为90∶10。此外，设气腔内的压力为1.0Pa，溅射温度为80℃。
并且，在音响多层膜110上依次顺序形成由铂(Pt)构成的厚度150nm的下部电极、由ZnO构成的厚度800nm的压电膜103、由铝(Al)构成的上部电极104。在下部电极102及上部电极104的形成中，使用溅射法，在压电膜103的形成中，使用RF(射频)磁控溅射法。
如上所述，完成了实施例1的薄膜体波谐振器。
对于由此制作出的实施例1的薄膜体波谐振器，在测量由氮化铝(AlN)构成的第一反射膜111的X射线摇摆曲线时，确认(001)面的波峰，摇摆曲线的半辐值约为1.7°。还有，对于由氧化硅(SiO2)构成的第二反射膜112而言，即使对于任何结晶面也不能确认峰值，实质上可确认其处于非晶状态。
接下来，将实施例1的薄膜体波谐振器连接到测量仪上，测量实际的谐振特性。图3示出了测量结果。
如图3所示，确认在实施例1的薄膜体波谐振器中，因来自基板101的反射而产生的乱真现象非常少，并且，能够获得良好的阻抗比。
在第一反射膜111的成膜中，设氩气(Ar)和氮气(N2)的流量比为50∶50，其它与实施例1同样地制作实施例2的薄膜体波谐振器。
对于这样制作出的实施例2的薄膜体波谐振器，测量由氮化铝(AlN)构成的第一反射膜111的X射线摇摆曲线时，确认(001)面的波峰，摇摆曲线的半辐值约为10°。
接下来，将实施例2的薄膜体波谐振器连接到测量仪上，测量实际的谐振特性。图4示出了测量结果。
如图4所示，对于实施例2的薄膜体波谐振器，也确认因来自基板101的反射而产生的乱真现象很少。但是，就阻抗比而言，比实施例1的薄膜体波谐振器要低。这被认为是第一反射膜111的结晶性的不同表现为阻抗比下降。
在第一反射膜111的成膜中，设氩气(Ar)和氮气(N2)的流量比为5∶95，其它与实施例1同样地制作比较例的薄膜体波谐振器。
对于这样制作出的比较例的薄膜体波谐振器，测量由氮化铝(AlN)构成的第一反射膜111的X射线摇摆曲线时，对任意结晶面均不能确认峰值，实质上确认其处于非晶状态。
接下来，将比较例的薄膜体波谐振器连接到测量仪上，测量实际的谐振特性。图5示出了测量结果。
如图5所示，确认在比较例的薄膜体波谐振器中，由于来自基板101的反射而产生明显的乱真现象。此外，与实施例1的薄膜体波谐振器相比，阻抗比也降低了。这是考虑到由于沿特定的结晶面取向的反射膜没有包含在音响多层膜中。
权利要求
1.一种薄膜体波谐振器，其特征在于，包括基板；在上述基板上设置的谐振部；由在上述基板和上述谐振部之间设置的多个反射膜构成的音响多层膜，构成上述音响多层膜的至少一个反射膜沿特定的结晶面取向。
2.根据权利要求1中所述的薄膜体波谐振器，其特征在于，上述至少一个反射膜的X射线摇摆曲线的半辐值小于等于10°。
3.根据权利要求2中所述的薄膜体波谐振器，其特征在于，上述至少一个反射膜的X射线摇摆曲线的半辐值小于等于3°。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的薄膜体波谐振器，其特征在于，上述音响多层膜至少包含一对反射膜对，该反射膜对包括第一反射膜和由与上述第一反射膜不同的材料构成的第二反射膜。
5.根据权利要求4中所述的薄膜体波谐振器，其特征在于，上述音响多层膜包含多对由第一反射膜和上述第二反射膜构成的反射膜对，各对反射膜中包含的上述第一反射膜和上述第二反射膜的至少一方的X射线摇摆曲线的半辐值都小于等于10°下。
6.根据权利要求5中所述的薄膜体波谐振器，其特征在于，各对反射膜中包含的上述第一反射膜和上述第二反射膜的至少一方的X射线摇摆曲线的半辐值都小于等于3°。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的薄膜体波谐振器，其特征在于，沿上述特定的结晶面取向的反射膜由具有六方晶格结构的材料构成，上述特定的结晶面是(0001)面。
8.根据权利要求7中所述的薄膜体波谐振器，其特征在于，具有上述六方晶格结构的材料是氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)或氧化铝(Al2O3)。
9.根据权利要求1至6中任一项所述的薄膜体波谐振器，其特征在于，沿上述特定的结晶面取向的反射膜由具有体心立方晶格结构的材料构成，上述特定的结晶面是(110)面。
10.根据权利要求9中所述的薄膜体波谐振器，其特征在于，具有上述体心立方晶格结构的材料是钨(W)或钼(Mo)。
11.根据权利要求1至10任意一项中所述的薄膜体波谐振器，其特征在于，上述谐振部包括下部电极、上部电极、在上述下部电极和上述上部电极之间设置的压电膜。
12.根据权利要求11中所述的薄膜体波谐振器，其特征在于，还包括在上述音响多层膜和上述下部电极之间设置的粘合取向控制薄膜。
全文摘要
本发明涉及一种薄膜体波谐振器，通过改善音响多层膜来提高SMR型薄膜体波谐振器的谐振特性。该薄膜体波谐振器包括基板(101)；由在基板(101)上设置的下部电极(102)、压电膜(103)及上部电极(104)构成的谐振部(120)；由在基板(101)和谐振部(120)之间设置的多个反射膜(111、112)构成的音响多层膜(110)。在本发明中，构成音响多层膜(110)的至少一个反射膜沿特定的结晶面取向，优选X射线摇摆曲线的半辐值设定为小于等于10°以下，更优选设定为小于等于3°。由此，与现有技术相比，由于提高了向基板(101)方向传播的体波的反射效率，所以就能够获得良好的谐振特性。
文档编号H01L41/18GK1638271SQ20051000384
公开日2005年7月13日 申请日期2005年1月7日 优先权日2004年1月7日
发明者齐藤久俊, 野口隆男, 井上宪司 申请人:Tdk株式会社