专利名称：扁平电缆用导体及其制造方法以及扁平电缆的制作方法
技术领域：
本发明涉及表面具有焊料镀膜的扁平电缆用导体及其制造方法以及扁平电缆。
背景技术：
目前，作为小型打印机、个人电脑等各种外部存储装置(CD-ROM驱动器、DVD-ROM驱动器等)、游戏机等各种电子机器制品的内部配线材料，使用柔性扁平电缆(下面用FFC表示)。
图3表示了FFC的基本结构。FFC30是在其内部具有平行排列了多根厚度数十μm的扁平电缆用导体32的导体组的厚度为100～300μm的薄且富有柔软性的带状电缆、电线。该FFC30是用在单面具有粘接剂层34的绝缘性塑料薄膜33a、33b夹住平行排列的扁平电缆用导体32的导体组，并用热辊连续压着而制造。主要使用镀焊料平角软铜线作为导体32的平角导体、阻燃性聚酯作为粘接剂、聚对苯二甲酸乙二醇酯作为绝缘性的塑料薄膜33a、33b(参照非专利文献1山野边宽等四人，《フレキシブル·フラツト·ケ一ブル(FFC)の耐屈曲信赖性》，日立电线技报，日立电线株式会社，2000，No.19，2000-1，p.53-56)。
扁平电缆用导体32，如上所述使用镀焊料平角软铜线，其制造方法的一例如下。首先，在作为母材的纯铜线(φ0.6mm)的外周以6μm左右的厚度电镀焊料(Sn-5wt％Pb)镀膜。然后，把镀焊料纯铜线冷拉丝至φ0.1mm，然后压延形成给定尺寸(如厚度0.05mm、宽度0.32mm)的精密平角线。最后，对精密平角线实施退火处理，获得镀焊料平角软铜线(参照专利文献1特许第2942458号公报)。
还有，近年来从环保角度考虑，要求使用无Pb材料(非铅材料)、无卤材料，对用于FFC的各种材料也要求与此对应。
基于以上理由，对扁平电缆用导体32的表面的焊料镀膜也要求无Pb化。目前的焊料镀膜一般使用在锡(Sn)中添加1～10wt％的铅(Pb)而组成的焊料。在Sn中添加Pb是为了降低Sn镀层的熔点，以及为了防止从纯Sn镀膜表面发生晶须(须状单晶)。但是，如果为了实现无Pb化而从以往的镀层组成排除Pb而采用纯Sn镀层，会导致熔点上升及发生晶须。晶须的产生会成为引起FFC的导体间短路的一个因素，因此是不优选的。
因此，作为用于无Pb焊料镀层的焊料用Sn合金，开发出了如Sn-Bi系、Sn-Ag系、Sn-Cu系合金等，并开发出了对应于其的电镀液，一部分已被实用化。对这些焊料镀层的熔点、焊料润湿性、耐晶须性等各种可靠性的要求与以往制品相同。已提出有几种使用这些无Pb焊料镀层平角导体的FFC(参照专利文献2～4特开2001-43743号公报、特开2001-43744号公报、特开2001-43745号公报)。
还有，已提出有几种对由纯Sn构成的焊料镀膜进行调质而维持焊料润湿性，并抑制发生晶须的FFC(参照专利文献5～7特开2001-73186号公报、特开2000-173364号公报、特开2002-42556号公报)。
发明内容
但是，这些无Pb焊料镀层在电镀的容易性、制造成本等方面比以往的Sn-Pb镀层差，因此要求在这些方面有进一步改善。
还有，使用这些无Pb焊料镀层平角导体的FFC，其自身的耐晶须性的可靠性高。但是，近年来伴随与FFC嵌合的连接器的金属端子的镀层变成无Pb化，存在FFC与连接器嵌合、连接时压缩应力增大的倾向。随着该压缩应力增大，有可能从FFC的扁平电缆用导体的无Pb焊料镀膜表面发生晶须，因此要求进一步提高无Pb焊料镀层的可靠性。
本发明就是考虑以上情况而作出的，其目的在于提供不用担心从导体周围的焊料镀膜表面发生晶须的扁平电缆用导体及其制造方法以及扁平电缆。
为了达到上述目的，本发明的扁平电缆用导体为一种配置于扁平电缆内部的导体，其特征在于，在由Cu或Cu合金构成的导体周围设置由Sn和/或Sn-Cu合金镀层构成的第一镀膜，在该第一镀膜周围设置由选自Au、Ag、Ni、Ge、Zn或Bi的第三元素与Sn的合金构成且最表面的第三元素的浓度为0.01～80wt％的第二镀膜。
这里，第二镀膜优选为上述第三元素的浓度从内周侧向外周侧增高的倾斜镀膜。
并且，第二镀膜的膜厚优选为第一镀膜的膜厚的1/100～1/2。
进一步，导体优选为平角导体。
另一方面，本发明的扁平电缆用导体的制造方法为一种配置于扁平电缆内部的导体的制造方法，其特正在于，在由Cu或Cu合金构成的导体周围形成Sn镀膜，在该Sn镀膜周围形成由选自Au、Ag、Ni、Ge、Zn或Bi的第三元素构成的第三元素镀膜，然后实施扩散处理，使元素在导体与Sn镀膜之间及Sn镀膜与第三元素镀膜之间相互扩散，在上述导体的周围形成由Sn和/或Sn-Cu合金镀层构成的第一镀膜，在该第一镀膜周围设置由选自Au、Ag、Ni、Ge、Zn或Bi的第三元素与Sn的合金构成的第二镀膜。
这里，优选控制扩散处理的处理条件，使第二镀膜的最表面的第三元素的浓度成为0.01～80wt％。
还有，本发明的扁平电缆是在由多根扁平电缆用导体平行排列而成的导体组的两个表面设置绝缘层。
这里，绝缘层优选由在单面具有粘结层的塑料薄膜材料构成。
根据本发明，发挥能够获得无Pb且耐晶须性的可靠性高的扁平电缆用导体这种优异的效果。
图1是本发明适宜的一个实施方案的扁平电缆用导体的横截面图。
图2是图1的主要部位A的扩大图。
图3是表示柔性扁平电缆的基本结构的立体图。
图4是表示构成[实施例1]中实施例1的FFC的扁平电缆用导体的Sn-Ag合金倾斜镀膜中Ag与Sn的定量分析结果的图。
图5是表示构成[实施例1]中实施例2的FFC的扁平电缆用导体的Sn-Zn合金倾斜镀膜中Zn与Sn的定量分析结果的图。
图中10 扁平电缆用导体11 平角导体(导体)
12 第一镀膜13 第二镀膜具体实施方式
下面，基于
本发明适宜的一个实施方案。
扁平电缆用导体的无Pb化方案从经济性、即制造成本低的角度考虑，最有效的是纯Sn镀层。但是如果使用纯Sn作为导体的焊料镀膜，则有可能在焊料镀膜表面发生晶须。实际上，迄今为止，纯Sn镀膜的高晶须敏感性是各电子机器制品领域中存在的问题。因此，需要抑制纯Sn镀膜的晶须敏感性。如上所述，这里虽可以使用Sn合金镀膜来解决，但导致制造成本上升，因此经济性差。
本发明者们进行潜心研究的结果，发现通过在Sn镀层导体周围设置由Sn和第三元素的合金构成的第二镀膜，并控制该第二镀膜最表面的第三元素的浓度，可以能够使扁平电缆用导体的无Pb化和低晶须敏感性均得以实现。
在图1表示本发明适宜的一个实施方案的扁平电缆用导体的横截面图，在图2表示图1的主要部位A的放大图。
如图1所示，本实施方案的扁平电缆用导体10是通过在由Cu或Cu合金构成的平角导体11的周围设置第一镀膜(Sn-Cu合金镀膜)12，在该第一镀膜(Sn-Cu合金镀膜)12周围设置由选自Au、Ag、Ni、Ge、Zn或Bi的第三元素与Sn的合金构成的第二镀膜13而构成，且控制该第二镀膜13的最表面的第三元素的浓度为0.01～80wt％，优选为1.0～50wt％。第一镀膜(Sn-Cu合金镀膜)12和第二镀膜13构成扁平电缆用导体10的焊料镀膜14。
第一镀膜(Sn-Cu合金镀膜)12为Sn浓度从内周侧向外周侧连续增高而Cu浓度连续降低的倾斜镀膜。并且，第二镀膜13为第三元素(Au、Ag、Ni、Ge、Zn或Bi)浓度从内周侧向外周侧连续增高而Sn浓度连续降低的倾斜镀膜。
还有，第二镀膜13的膜厚为第一镀膜(Sn-Cu合金镀膜)12的膜厚的1/100～1/2，优选1/10～1/3。例如，当平角导体11的厚度为0.05mm时，第二镀膜13的膜厚为0.1～0.5μm，优选0.1～0.3μm，第一镀膜(Sn-Cu合金镀膜)12的膜厚为0.5～5.0μm，优选1.0～2.0μm。
这里，使第二镀膜13的最表面的第三元素的浓度大于等于0.01wt％是因为，如果低于该值则无法获得由第三元素抑制晶须敏感性的效果，与连接器嵌合时容易从FFC30(参照图3)的扁平电缆用导体10的第二镀膜13的表面发生晶须。还有，使所述第三元素的浓度小于等于80wt％是因为，如果超过该值则构成第二镀膜13的焊料(Sn与第三元素的合金)的润湿性降低，并且导致扁平电缆用导体10的耐弯曲性下降。
作为构成平角导体11的Cu或Cu合金，能够使用所有常用作扁平电缆用导体的导体材料的物质，没有特别限制。
第一镀膜12除了Sn-Cu合金镀膜以外，还可以是在Sn-Cu合金镀膜和第二镀膜13之间夹入实质上不含有Cu和第三元素的Sn镀膜(纯Sn镀层)的结构。即，也可以形成为第三元素的扩散浓度从第二镀膜13表面向纯Sn镀层逐渐降低的含Sn和第三元素区域与纯Sn镀层连接。还有，也可以形成为Cu的扩散浓度从导体11表面向纯Sn镀层逐渐降低的含Sn和Cu区域与纯Sn镀层连接。
接着，基于
本实施方案的扁平电缆用导体10的制造方法。
首先，在由Cu或Cu合金构成的导体(如纯铜线)周围形成Sn镀膜，在该Sn镀膜周围形成由选自Au、Ag、Ni、Ge、Zn或Bi的第三元素构成的第三元素镀膜。
接着，对被覆了第三元素镀膜的纯铜线实施拉丝加工(如冷拔加工)、压延加工(如辊压延加工)，制作成形状和尺寸与扁平电缆用导体10的最终形状和尺寸相同的精密平角线。
接着，对该精密平角线实施扩散处理。由此，元素在导体和Sn镀膜之间以及Sn镀膜和第三元素镀膜之间相互扩散。此时，对扩散处理的处理条件(施加电压和施加时间、或热处理温度和热处理时间)加以控制，使第二镀膜13的最表面的第三元素的浓度为0.01～80wt％。
通过这样的相互扩散，在导体的外周侧部分及Sn镀膜的内周侧部分，即导体和Sn镀膜的界面及其附近形成第一镀膜(Sn-Cu合金镀膜)12。第一镀膜(Sn-Cu合金镀膜)12是Sn浓度从内周侧向外周侧连续增高的倾斜镀膜。还有，在Sn镀膜的外周侧部分及第三元素镀膜的内周侧部分，即Sn镀膜和第三元素镀膜的界面及其附近形成第二镀膜13。第二镀膜13是第三元素浓度从内周侧向外周侧连续增高的倾斜镀膜。
其结果，获得在平角导体11的周围顺次具有第一镀膜(Sn-Cu合金镀膜)12、第二镀膜13的图1所示扁平电缆用导体10。
扩散处理是如使用通电退火设备，使精密平角线以100m/min线速度运行，并施加电压8.5～12.0V、电流5.0～6.5A而进行的。此时，在该通电条件中，当施加电压低时加大施加电流，当施加电压高时减小施加电流。还有，扩散处理也可以是使用退火炉，使精密平角线运行，并同时在还原气氛中以800～100℃×5～10m/min的温度条件进行热处理而进行。此时，在该热处理条件中，当热处理温度低时加长处理时间，当热处理温度高时缩短处理时间。扩散处理的各种处理条件可以根据精密平角线的尺寸、构成第三元素镀膜的元素的种类、第三元素镀膜的膜厚、及精密平角线的运行速度等而适当变更。
另一方面，通过在平行排列了多根本实施方案的扁平电缆用导体10的导体组的两面粘附在单面具有粘结层的塑料薄膜材料而形成绝缘层，获得本发明适宜的一个实施方案的FFC(未图示)。即，本实施方案的FFC是用扁平电缆用导体10取代了图3所示FFC30的各扁平电缆用导体32。FFC也可以是仅剥离扁平电缆用导体10的长度方向两端部的塑料薄膜材料的单面，使扁平电缆用导体10的两端部仅露出单面。还有，可以适用阻燃性聚酯作为构成粘接层的粘接剂，聚酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯作为塑料薄膜。
接着，说明本实施方案的作用。
在本实施方案的扁平电缆用导体10的制造方法中，作为形成于由纯铜线等构成的导体周围的焊料镀膜，使用纯Sn镀膜和第三元素镀膜(Au、Ag、Ni、Ge、Zn或Bi的镀膜)，而非由合金构成的镀膜。因此，无需使用特殊的电镀液，能够容易地形成焊料镀膜，其结果制造成本低廉，经济性优异。
把被覆了这些纯Sn镀膜和第三元素镀膜的导体形成为最终形状和尺寸而制作精密平角线，然后通过实施扩散处理，使元素在导体和Sn镀膜之间以及Sn镀膜和第三元素镀膜之间相互扩散。其结果，在平角导体11周围顺次形成Sn浓度从内周侧向外周侧连续增高的第一镀膜(Sn-Cu合金镀膜)12、及第三元素浓度从内周侧向外周侧连续增高的第二镀膜13。通过把第二镀膜13的最表面的第三元素的浓度控制为0.01～80wt％，能够抑制扁平电缆用导体10的焊料镀膜14的晶须敏感性，防止发生晶须。
如上所述，根据本实施方案的扁平电缆用导体10，能够对应于无Pb化的要求，并且能够得到实际上耐晶须性与Sn-Pb焊料相同的耐晶须性。从而通过把本实施方案的扁平电缆用导体10适用于要求无Pb化的电子机器制品等的FFC，在把这些FFC嵌合、连接到连接器时，即使FFC负荷了较大压缩应力，扁平电缆用导体10的焊料镀膜14表面也难以发生晶须。从而，该FFC能够避免发生晶须引起的导体短路等事故。
还有，本实施方案的扁平电缆用导体10除了FFC外，还能够适用于与FFC嵌合、连接的连接器的端子或半导体部件的引线框等对耐晶须性要求高可靠性的导体部件。
进一步，扁平电缆用导体10若是从相组织的观点考虑，由于平角导体11、第一镀膜(Sn-Cu合金镀膜)12及第二镀膜13大致一体形成，因此平角导体11、第一镀膜(Sn-Cu合金镀膜)12及第二镀膜13的密合性良好。从而，当将使用该扁平电缆用导体10的FFC弯曲时，几乎不用担心导体10的焊料镀膜14从平角导体11剥离。
还有，也可以控制扩散处理的处理条件，使平角导体11的Cu向作为扁平电缆用导体10的最外层的第二镀膜13扩散，并由Sn-Cu-Au系、Sn-Cu-Ag系、Sn-Cu-Ni系、Sn-Cu-Zn系、或Sn-Cu-Bi系合金的倾斜镀膜构成第二镀膜13。由此，能够进一步提高平角导体11、第一镀膜12及第二镀膜13的一体化。
进一步，在本实施方案的扁平电缆用导体10的制造方法中，只对在导体周围形成纯Sn镀膜和第三元素镀膜后，总共进行1次扩散处理的情况进行了说明，但并不限定于此。也可以如在导体周围形成纯Sn镀膜后进行第一扩散处理而形成第一镀膜(Sn-Cu合金镀膜)12，然后在第一镀膜(Sn-Cu合金镀膜)12周围形成第三元素镀膜后进行第二扩散处理而形成第二镀膜13。还有，扩散处理也可以是在对导体的压延加工前进行1次，并在压延加工后再次进行。这样获得的扁平电缆用导体也能够获得与本实施方案的扁平电缆用导体10同样的作用效果。
还有，第三元素并不局限于Au、Ag、Ni、Ge、Zn或Bi，只要是能够形成由第三元素浓度从内周侧向外周侧连续增高的倾斜镀膜构成的第二镀膜13的物质均可。
如上所述，本发明并不限定于上述的实施方案，除此之外当还可以有各种方案。
接着，基于实施例说明本发明，但本发明并不限定于这些实施例。
实施例1对在φ0.6mm的Cu线周围由电镀成膜形成厚度6μm的Sn镀膜的Sn镀Cu线，由薄镀成膜形成厚度1μm的纯Ag镀膜。然后，把Ag镀Cu线冷拉丝至φ0.1mm后，用压延辊形成厚度0.05mm、宽度0.32mm的精密平角线。
对该精密平角线使用通电退火设备实施扩散处理，制作扁平电缆用导体。此时，把通电条件控制在电压10V、电流5.8A、线速度100m/min，把扩散处理后的焊料镀膜表面的Ag浓度控制在28wt％。焊料镀膜表面的Ag浓度的定量分析使用SIMS(Secondary Ion Mass Spectrometry，二次离子质谱仪)。
把这些实施了退火的20根扁平电缆用导体以0.5mm间距平行排列而形成导体组。然后把导体组两面用在单面具有聚酯系粘接剂层的聚酯薄膜进行层压，制作FFC。然后，把FFC切断成给定长度后，仅剥离导体长度方向端部的聚酯薄膜的单面，使扁平电缆用导体仅露出单面，制造图3所示结构的FFC。构成FFC的扁平电缆用导体的焊料镀膜由内周侧的Sn-Cu合金倾斜镀膜和外周侧的Sn-Ag合金倾斜镀膜构成。
实施例2除了在Sn镀Cu线上由薄镀法成膜形成厚度1μm的纯Zn镀膜以外，其余与实施例1同样地制造图3所示结构的FFC。构成FFC的扁平电缆用导体的焊料镀膜由内周侧的Sn-Cu合金倾斜镀膜和外周侧的Sn-Zn合金倾斜镀膜构成。
现有例1把在φ0.6mm的Cu线周围由电镀法成膜形成厚度6μm的Sn镀膜的Sn镀Cu线冷拉丝至φ0.1mm后，用压延辊形成厚度0.05mm、宽度0.32mm的精密平角线。然后与实施例1同样地制造图3所示结构的FFC。构成FFC的扁平电缆用导体的焊料镀膜是纯Sn镀膜。
现有例2把在φ0.6mm的Cu线周围由电镀法成膜形成厚度10μm的Sn-5wt％Pb镀膜的Sn-Pb镀Cu线冷拉丝至φ0.1mm后，用压延辊形成厚度0.05mm、宽度0.32mm的精密平角线。然后与实施例1同样地制造图3所示结构的FFC。构成FFC的扁平电缆用导体的焊料镀膜是纯Sn-Pb合金镀膜。
把实施例1、2及现有例1、2的各FFC与连接器(无Pb焊料镀方式)嵌合，分别实施1000hr的室温放置试验(25℃)、热冲击试验(-55℃～125℃)、及耐湿放置试验(55℃、95％RH)。然后把各FFC从连接器拿掉，用电子显微镜各自观察焊料镀膜表面的连接器嵌合部(连接部)的晶须发生状况。将各试验后的FFC的耐晶须性和各FFC的环保性的评价结果示于表1。
表1
○良好△比○的情况差如表1所示，实施例1、2的各FFC在任何试验条件下其扁平电缆用导体的焊料镀膜表面都确认无晶须发生。还有，实施例1、2的各FFC因无Pb，所以在环保性方面也完全没有问题。
相对于此，现有例1的FFC虽然在环保性方面完全没有问题，但是在任何试验条件下构成现有例1的FFC的扁平电缆用导体(纯Sn镀平角导体)的焊料镀膜表面都确认发生晶须，耐晶须性不太好。
还有，现有例2的FFC虽然在任何试验条件下其扁平电缆用导体(Sn-Pb合金镀平角导体)的焊料镀膜表面都确认无晶须发生，但是现有例2的FFC含有Pb，所以环保性存在问题。
如上所述，构成实施例1、2的各FFC的扁平电缆用导体为无Pb，并且与构成至今实际上耐晶须性的可靠性高的现有例2的扁平电缆用导体具有相同的耐晶须性。
对[实施例1]中实施例1的FFC测定扁平电缆用导体的焊料镀膜表面的Ag浓度。
在图4中表示出构成实施例1的FFC的扁平电缆用导体的Sn-Ag合金倾斜镀膜中Ag与Sn的定量分析结果。图4中的实线41表示Ag浓度(wt％)，虚线42表示Sn浓度(wt％)。
如在图4的实线41所示，在Sn-Ag合金倾斜镀膜的最表面的Ag浓度为约3wt％。在离镀膜表面的距离为0～约50nm的范围，随着距离增大Ag浓度逐渐上升，在距离约50nm时，Ag浓度达到最高(约28wt％)。当距离为约50～约250nm的范围时，随着距离增大Ag浓度逐渐减少，在距离约250nm时Ag浓度几乎为零。相对于此，如在图4的虚线42所示，在Sn-Ag合金倾斜镀膜的最表面的Sn浓度为约2wt％。在离镀膜表面的距离0～约200nm的范围，随着距离增大Sn浓度增加，在距离约200nm时Sn浓度达到最高(约98wt％)。由此，可以确认在离镀膜表面的距离为0～约200nm的范围形成了Sn-Ag合金倾斜镀膜。
虽然未图示，但在表面总计未达到100wt％是因为表面形成了氧化膜。还有，在距离约大于等于200nm的范围，随着距离增大，Sn浓度减少。虽然未图示，但这是因为平角导体中含有的Cu成分扩散到焊料镀膜中，在距离约大于等于200nm的范围Cu浓度逐渐增加所致。由此，可以确认在离镀膜表面的距离约大于等于200nm的范围形成了Sn-Cu合金倾斜镀膜。
对[实施例1]中实施例2的FFC测定扁平电缆用导体的焊料镀膜表面的Zn浓度。
在图5中表示了构成实施例2的FFC的扁平电缆用导体的Sn-Zn合金倾斜镀膜中Zn与Sn的定量分析结果。图5中的实线51表示Zn浓度(wt％)，虚线52表示Sn浓度(wt％)。
如在图5的实线51所示，在Sn-Zn合金倾斜镀膜的最表面的Zn浓度为约3wt％。在离镀膜表面的距离为0～约70nm的范围，随着距离增大，Zn浓度逐渐上升，在距离约70nm时，Zn浓度达到最高(约36wt％)。在距离约70～约300nm的范围，随着距离增大，Zn浓度逐渐减少，在距离约300nm时Zn浓度几乎为零。相对于此，如在图5的虚线52所示，在Sn-Zn合金倾斜镀膜的最表面的Sn浓度为约2wt％。在离镀膜表面的距离0～约230nm的范围，随着距离增大Sn浓度增加，在距离约230nm时，Sn浓度达到最高(约98wt％)。由此，可以确认在离镀膜表面的距离0～约230nm的范围形成了Sn-Zn合金倾斜镀膜。
虽然未图示，但在表面总计未达到100wt％是因为表面形成了氧化膜。还有，在距离约大于等于230nm的范围，随着距离增大Sn浓度减少。虽然未图示，但这是因为平角导体中含有的Cu成分扩散到焊料镀膜中，在距离约大于等于230nm的范围Cu浓度逐渐增加所致。由此，可以确认在离镀膜表面的距离约大于等于230nm的范围形成了Sn-Cu合金倾斜镀膜。
权利要求
1.扁平电缆用导体，其为配置于扁平电缆内部的导体，其特征在于，在由Cu或Cu合金构成的导体周围设置由Sn和/或Sn-Cu合金镀层构成的第一镀膜，在该第一镀膜周围设置由选自Au、Ag、Ni、Ge、Zn或Bi的第三元素与Sn的合金构成的且最表面的第三元素的浓度为0.01～80wt％的第二镀膜。
2.如权利要求1所述的扁平电缆用导体，其中，所述第二镀膜为所述第三元素的浓度从内周侧向外周侧增高的倾斜镀膜。
3.如权利要求1或2所述的扁平电缆用导体，其中，所述第二镀膜的膜厚为所述第一镀膜的膜厚的1/100～1/2。
4.如权利要求1～3中的任意一项所述的扁平电缆用导体，其中，所述导体为平角导体。
5.扁平电缆用导体的制造方法，其为配置于扁平电缆内部的导体的制造方法，其特征在于，在由Cu或Cu合金构成的导体周围形成Sn镀膜，在该Sn镀膜周围形成由选自Au、Ag、Ni、Ge、Zn或Bi的第三元素构成的第三元素镀膜，然后实施扩散处理，使元素在导体与Sn镀膜之间及Sn镀膜与第三元素镀膜之间相互扩散，在所述导体的周围形成由Sn和/或Sn-Cu合金镀层构成的第一镀膜，在该第一镀膜周围设置由选自Au、Ag、Ni、Ge、Zn或Bi的第三元素与Sn的合金构成的第二镀膜。
6.如权利要求5所述的扁平电缆用导体的制造方法，其中，控制所述扩散处理的处理条件，使所述第二镀膜的最表面的第三元素的浓度成为0.01～80wt％。
7.扁平电缆，其特征在于，在由多根如权利要求1～4中的任意一项所述的扁平电缆用导体平行排列而成的导体组的两个表面设置绝缘层。
8.如权利要求7所述的扁平电缆，其中，所述绝缘层由在单面具有粘结层的塑料薄膜材料构成。
全文摘要
本发明提供无需担心在导体周围的焊料镀膜表面发生晶须的扁平电缆用导体及其制造方法以及扁平电缆。本发明的扁平电缆用导体10是配置于扁平电缆内部的导体，在由Cu或Cu合金构成的导体11的周围设置由Sn－Cu合金镀层构成的第一镀膜12，在该第一镀膜12周围设置由选自Au、Ag、Ni、Ge、Zn或Bi的第三元素与Sn的合金构成的、且最表面的第三元素的浓度为0.01～80wt％的第二镀膜13。
文档编号H01B1/02GK1649038SQ20051000512
公开日2005年8月3日 申请日期2005年1月28日 优先权日2004年1月30日
发明者堀越稔之, 市川贵朗, 远藤胜雄, 伊藤真人, 松尾英夫 申请人:日立电线株式会社