专利名称：窄条选择外延技术制作铝铟镓砷掩埋脊波导激光器及方法
技术领域：
本发明属于光电子技术领域，主要涉及到采用窄条选择外延生长技术制作一种新型铝铟镓砷(AlInGaAs)材料掩埋脊波导结构(BRS)分布反馈无致冷高速直调激光器的方法。
背景技术：
整个通信网络主要由骨干网、城域网、接入网和用户住地网组成。当前，包括海底传输系统的骨干网已经基本实现了光纤化，随着光纤通讯的不断发展，局域网、用户环路和光纤到户工程(FTTH)的迅速开拓，低阈值电流、低功耗、无致冷、低成本的高速直调激光器需求巨大。目前，光纤通信用的直调激光器主要有如下几种技术类型1)铟镓砷磷(InGaAsP)材料多量子阱(MQW)有源区脊波导结构(RW)分布式反馈(DFB)激光器(参考①Electron.Lett.，1999，vol.35，pp1646-1647和②Photonics Tech.Lett.，2001，Vol.13，pp773-775)。因为铟镓砷磷(InGaAsP)材料因为不存在氧化问题，使得器件制作工艺相对简单，并且器件具有性能稳定、寿命长等优点。但是铟镓砷磷(InGaAsP)材料导带阱深浅，量子阱内的电子泄漏严重，微分增益比较小，加上脊波导结构对载流子的限制作用不强的原因，所以这种结构很难满足低阈值电流、低功耗、无致冷、高速直调的要求。
2)铟镓砷磷(InGaAsP)材料多量子阱(MQW)有源区掩埋异质结(BH)结构分布式反馈(DFB)激光器(参考①SelectedTopics in Quantum Electronics，1997，Vol.3，pp659-665和②Photonics Tech.Lett.，2002，Vol.14，pp1240-1242)。和上一种这种结构相比，主要改进在于采用了掩埋异质结(BH)结构，增强了对载流子的限制作用，对降低阈值电流和功耗有一定的作用，改善了器件的无致冷温度特性。但是由于铟镓砷磷(InGaAsP)材料导带阱深浅所带来的问题依然存在，而且制作工艺相对较为复杂。
3)铝铟镓砷(AlInGaAs)材料多量子阱(MQW)有源区脊波导(RW)结构分布式反馈(DFB)激光器(参考①Photonics Tech.Lett.，2004，Vol.16，pp2415-2417和②Photonics Tech.Lett.，2004，Vol.22，pp159-165)。铝铟镓砷(AlInGaAs)材料导带阱深(ΔEc＝0.72ΔEg)比铟镓砷磷(InGaAsP)材料的导带阱深(ΔEc＝0.4ΔEg)大，因此前者对电子的限制能力较强，微分增益比较大，有很大的张弛振荡频率，降低了阈值电流，提高了器件的无致冷高速直调性能，是无致冷高速直调激光器的首选材料体系。因为铝(Al)在光刻以及二次外延生长时容易发生氧化，所以在这种结构中采用了脊波导结构，以避免含铝(Al)有源区的氧化，保证器件性能的稳定。但是脊波导结构对载流子的限制作用不强的局限性依然存在。
4)铝铟镓砷(AlInGaAs)材料多量子阱(MQW)有源区掩埋异质结(BH)结构分布式反馈(DFB)激光器(参考①Journalof Crystal Growth，2003，Vol.248，pp426-430和②ElectronicsLett.，2004，Vol.40，No.11，669-671)。这种结构理论上讲是低成本高速无制冷直调激光器的最佳结构，将铝铟镓砷(AlInGaAs)材料和掩埋异质结(BH)结构的优点结合了起来，主要需要解决的是含铝(Al)有源区在光刻以及二次外延时容易发生氧化以及简化制作工艺的问题，保证成品率和器件无致冷高速直调性能的稳定性。为了解决在对含铝(Al)有源区在光刻以及二次外延时容易发生氧化的问题，通常采用原位光刻方法(参考①)或原位清洁方法(参考②)，只是制作工艺较为复杂。
发明内容
本发明是在当前无致冷高速直调激光器技术基础上提出来的，采用窄条选择外延生长技术制作铝铟镓砷(AlInGaAs)材料掩埋脊波导结构(BRS)分布反馈(DFB)无致冷高速直调激光器。主要技术特点在于在铟磷(InP)衬底上直接制作吸收型光栅，实现分布反馈，提高了边模抑制比；采用窄条选择外延生长技术自动生成宽度为1～3微米的铝铟镓砷(AlInGaAs)应变补偿多量子阱窄条台形有源区，不对有源区进行光刻，保证有源区表面的光滑平整，并用p型铟磷(InP)将有源区包覆起来，起到防止铝(Al)氧化的作用；台形有源区形成后，大面积生长p型铟磷(InP)盖层和P型铟镓砷(InGaAs)接触层，然后对台形有源区两侧进行氦离子注入，形成电流限制阻挡区域。用这种方法制备的激光器阈值电流低，效率高，具有无致冷高速直调稳定工作的特点，并且制作工艺简单。
本发明目的在于用窄条选择外延生长技术制作铝铟镓砷(AlInGaAs)材料掩埋脊波导结构(BRS)分布反馈(DFB)无致冷高速直调激光器。关键点之一采用窄条宽选择外延生长技术自动生成宽度为1～3微米的铝铟镓砷(AlInGaAs)多量子阱窄条台形有源区，不对有源区进行光刻，以保证有源区表面的光滑平整性，并用p型铟磷(InP)将有源区包覆起来，主要起到防止铝(Al)氧化的作用；另一关键点台形有源区形成后，大面积生长p型铟磷(InP)盖层和P型铟镓砷(InGaAs)接触层，然后对台形有源区两侧进行氦离子注入，形成掩埋脊波导结构(BRS)，形成对注入电流的限制阻挡区域，降低电流阈值和功耗。这两个技术方案的集成使用不仅可以解决Al的氧化问题，发挥铝铟镓砷(AlInGaAs)的材料特性，并能自动形成窄条台形有源区，还能实现对光子和载流子的有效限制作用。另外在铟磷(InP)衬底上预先制作吸收型光栅，实现分布反馈，提高边模抑制比。这种方法制备的激光器可以在低阈值电流、无致冷条件下，实现高速直调稳定工作，工艺简单，性能优良。
关键措施有在铟磷(InP)衬底上制作吸收型光栅，实现分布反馈机制；采用窄条选择外延生长技术自动生成宽度为1～3微米的铝铟镓砷(AlInGaAs)应变补偿多量子阱有源区台面，并用铟磷(InP)将该台面包覆起来，主要起到防止铝(Al)氧化的作用；台形有源区形成后，大面积生长p型铟磷(InP)盖层和P型铟镓铟砷(InGaAs)接触层，然后对台形有源区两侧进行氦离子注入，形成电流限制阻挡区域。用这种方法制备的激光器阈值电流低，效率高，可以实现无致冷高速直调稳定工作，满足局域网、用户环路和光纤到户工程的要求，并且对铝铟镓砷(AlInGaAs)材料的单片光子集成有一定的参考价值。
一种采用窄条选择外延生长技术制作铝铟镓砷(AlInGaAs)材料掩埋脊波导结构(BRS)分布反馈无致冷高速直调激光器的方法，其关键步骤如下1)在衬底上大面积制作分布反馈光栅；2)在制作了反馈光栅的外延片上，一次外延生长吸收层和缓冲层；3)在外延片上生长充当掩膜图形材料的介质膜；4)光刻得到窄条选择外延生长所需要的介质掩膜图形；5)利用窄条选择外延生长技术，在光刻了介质掩膜图形的外延片上二次外延依次生长n型铟磷(InP)层、铝铟镓砷(AlInGaAs)窄条台形有源区和p型铟磷(InP)包覆层；6)利用腐蚀液去掉形成掩膜图形的介质膜；7)三次外延生长p型铟磷(InP)盖层和重掺杂的P型铟镓砷(InGaAs)接触层；8)利用光刻胶形成对窄条台形有源区的掩蔽图形；9)对窄条台形有源区两侧进行离子注入，形成掩埋脊波导结构(BRS)；10)在外延片上生长介质膜绝缘层；11)对介质膜绝缘层进行光刻，开出电极窗口；；12)制作p面金属高频电极；13)背面减薄，制作n面电极；
14)解理外延片制作芯片。
这种采用窄条选择外延生长技术制作铝铟镓砷(AlInGaAs)材料掩埋脊波导结构(BRS)分布反馈无致冷高速直调激光器的方法，详细的步骤如下1)采用全息曝光技术在n型铟磷(InP)衬底上制备光栅，光栅制作在衬底的(100)面，沿[110]晶向，为了有效的起到反馈作用，必须使得光栅的反馈波长在所需要的波长，这一数值也和所设计的量子阱有源区的材料增益峰值波长接近；2)在步骤1)制作的光栅层上，采用金属有机化学气相沉积技术(MOCVD)，第一次外延生长铟镓砷磷(InGaAsP)吸收层和铟磷(InP)缓冲层，铟镓砷磷(InGaAsP)层的带隙波长应大于量子阱带隙波长，具有一定的吸收作用，将传统的透明光栅改为了增益耦合型分布反馈光栅；3)利用等离子体化学气相沉积技术，在经过步骤2)进行了一次外延的外延片上，生长一层二氧化硅(SiO2)介质膜，二氧化硅(SiO2)介质膜主要作用是在进行窄条选择外延生长的时候起到掩蔽作用，也可以是氮氧化硅(SiON)或者氮华硅(SiN)，这一层介质膜的厚度不能太大，以免影响到有源区的窄条选择外延生长质量；4)采用传统的光刻腐蚀技术，在步骤3)中生长的二氧化硅(SiO2)介质膜上，光刻后面窄条选择外延生长所需要的二氧化硅(SiO2)掩膜图形；中间窄条宽度很小，在光刻腐蚀时必须严格控制涂胶、烘烤、曝光、显影过程，得到清晰的光刻胶掩膜图形，然后采用缓冲氧化物腐蚀溶剂，腐蚀出边缘整齐的介质膜掩膜图形。另外，这组图形所在的平面为衬底的(100)面，二氧化硅(SiO2)介质掩膜条形光刻的方向沿[110]晶向，精确控制掩膜方向有利于在后面的窄条选择外延生长时获得平整光滑的窄条台形有源区；5)采用窄条选择外延生长技术，在光刻了二氧化硅(SiO2)介质膜掩膜图形的外延片上，依次生长n型铟磷(InP)层、n型铝铟砷(AlInAs)层、带隙渐变的本征的铝铟镓砷(AlInGaAs)下分别限制层、应变补偿的铝铟镓砷(AlInGaAs)有源区、带隙渐变的本征的铝铟镓砷(AlInGaAs)上分别限制层、p型的铝铟砷(AlInAs)层、P型铟磷(InP)包覆层，自动形成窄条台形有源区，为了得到高质量的窄条台形有源区，并将有源区包覆起来以有效防止铝(Al)氧化，我们分别对反应室压力、生长温度、五三比以及生长速率进行了优化；6)采用和步骤4)中的相同的腐蚀液，去掉外延片上充当掩膜图形的二氧化硅(SiO2)介质膜；7)采用金属有机化学气相沉积技术(MOCVD)，在步骤6)中去掉了二氧化硅(SiO2)介质膜掩膜图形的外延片上，大面积第三次外延生长p型铟磷(InP)盖层和重掺杂的P型铟镓砷(InGaAs)接触层，为了进一步抑制有源区中的电子泄漏应该适当提高p型铟磷(InP)盖层的掺杂浓度；8)在进行了第三次外延生长的外延片上，大面积涂上光刻胶，利用3～5微米的光刻版曝光显影去掉窄条台形有源区两侧的光刻胶，保留窄条台形有源区正上方的光刻胶，台形有源区正上方的光刻胶的宽度是根据台形有源区的宽度来确定的，原则是尽可能的使得离子注入区域靠近有源区，以形成有效的电流限制作用，但同时又要保证能很好的保护有源区；9)用氦离子垂直轰击经过了步骤8)的外延片表面，对窄条台形有源区两侧进行氦离子注入，形成掩埋脊波导结构(BRS)，然后用去膜剂去掉充当掩蔽作用的光刻胶；10)在经过了步骤9)的外延片上，利用化学气相沉积技术生长二氧化硅绝(SiO2)缘层，这一层二氧化硅主要起到电隔离作用，不同于步骤3)中二氧化硅所起到的作用，厚度比步骤3)中的二氧化硅(SiO2)厚度大；11)在上一步生长的二氧化硅(SiO2)绝缘层上，进行光刻，开电极窗口；12)在外延片上，制作高频电极图形，溅射钛/铂/金(Ti/Pt/Au)，带胶剥离形成p面电极图形；13)对外延片背面减薄，蒸发金/锗/镍(Au/Ge/Ni)n面电极；14)解理外延片制作芯片。
一种采用窄条选择外延生长技术制作铝铟镓砷(AlInGaAs)材料掩埋脊波脊波导结构(BRS)分布反馈无致冷高速直调激光器，其结构包括1)衬底上面是吸收型增益耦合光栅，吸收层可以是铟镓砷磷(InGaAsP)材料，也可以是铝铟镓砷(AlInGaAs)材料，吸收层材料的带隙波长大于所设计的量子阱带隙波长；2)光栅上面是宽度为1～3微米的窄条台形有源区部分，窄条台形有源区部分依次为n型铟磷(InP)层、n型铝铟砷(AlInAs)层、带隙渐变的本征的铝铟镓砷(AlInGaAs)下分别限制层、应变补偿的铝铟镓砷(AlInGaAs)有源区、带隙渐变的本征的铝铟镓砷(AlInGaAs)上分别限制层、p型的铝铟砷(AlInAs)层、P型铟磷(InP)包覆层；3)窄条台形有源区上面和两侧是p型铟磷(InP)盖层和P型铟镓砷(InGaAs)接触层，其中两侧的部分进行了离子注入，形成了对电流有限制层，同时，由于折射率的差异，两侧的部分对光子也有限制作用；4)铟镓砷(InGaAs)接触层上面是开有电极窗口介质膜绝缘层，电极窗口在窄条台形有源区的正上方，电极窗口的宽度略小于窄条台形有源区的宽度；5)开有电极窗口介质膜绝缘层上面是p面金属高频电极，可以采用带胶剥离技术，或者是刻蚀电极图形技术；6)衬底背面为n面电极。
为进一步说明本发明的内容及特点，以下结合附图及实施例对本发明进行详细的描述，其中图1是n型铟磷(InP)衬底立体示意图；图2是在n型铟磷(InP)衬底上制作分布反馈光栅的示意图；图3是一次外延后的示意图；图4是制作了二氧化硅介质掩膜图后的示意图；图5是二次外延后的示意图；图6是腐蚀去掉二氧化硅介质掩膜后的示意图；图7是三次接触外延后的示意图；图8是制作了光刻胶掩蔽层后的示意图；图9是对有源区两侧氦离子注入后的示意图；图10是沉积了二氧化硅绝缘层后的示意图；图11是光刻开出电极窗口后的示意图；图12是制作了金属高频电极后的器件结构示意图。
具体实施过程1)采用成本低、工艺简单的全息曝光技术在清洗干净的n型铟磷(InP)衬底上制备光栅。图1中，Z-X平面为晶体的(100)面，Z轴方向为晶体的[110]晶向。光栅制作方向如图2中2所示。为了有效的起到反馈作用，必须使得光栅的反馈波长在我们所需要的波长(实例中为1.31微米)附近，这一数值也和我们所设计的量子阱有源区的材料增益峰值波长接近。首先要根据多量子阱有源区结构计算出有源区的有效折射率，根据有效折射率和我们所设计的有源区的材料增益峰值波长就可以计算出所要制备的全息光栅的周期。
2)在步骤1)制作的光栅层上，采用金属有机化学气相沉积技术(MOCVD)，第一次外延生长铟镓砷磷(InGaAsP)吸收层图3中3和铟磷(InP)缓冲层图3中4。外延生长前，要对外延片进行仔细的清洁处理，减少光栅表面的杂质污染，在200摄氏度附近的低温区域烘烤5～10分钟，去除水分和挥发性物质，尽量减少从低温到高温的升温时间，尽量避免在正式生长前五族源在光栅表面的热离解。铟镓砷磷(InGaAsP)层的带隙波长应大于量子阱带隙波长，此实例中带隙波长为1.4微米，具有一定的吸收作用，将传统的透明光栅改为了增益耦合型分布反馈光栅。这一吸收层的采用最终带来诸多优点不需要镀反射膜，简化了制作工艺；单模选择性不受端面反射率的影响，提高了成品率；外部反射光引起的噪声低；高速动态调制时频率展宽很小。
3)利用等离子体化学气相沉积技术，在经过步骤2)进行了一次外延的外延片上生长一层厚度为100～150内米的二氧化硅(SiO2)介质膜。二氧化硅(SiO2)介质膜主要作用是在进行窄条选择外延生长的时候起到掩蔽作用，也可以是氮氧化硅(SiON)或者氮华硅(SiN)。这一层介质膜的厚度不能太大，以免影响到有源区的窄条选择外延生长质量。
4)采用传统的光刻腐蚀技术，在步骤3)中生长的二氧化硅(SiO2)介质膜上，光刻后面窄条选择外延生长所需要的二氧化硅(SiO2)掩膜图形，如图4所示，图4中1为n型铟磷(InP)衬底，图4中2吸收光栅层，图4中3二氧化硅(SiO2)掩膜图形。窄条生长区域条宽Wo约1～3微米，两边对称的二氧化硅(SiO2)掩膜宽度Wm为10～20微米。由于中间条宽Wo很窄，在光刻腐蚀时必须严格控制涂胶、烘烤、曝光、显影过程，得到清晰的光刻胶掩膜图形，然后采用缓冲氧化物腐蚀溶剂，腐蚀出边缘整齐的介质膜掩膜图形。另外，这组图形所在的平面为衬底的(100)面，二氧化硅(SiO2)介质掩膜条形光刻的方向沿[110]晶向，精确控制掩膜方向有利于在后面的窄条选择外延生长时获得平整光滑的窄条台形有源区。
5)采用窄条选择外延生长，在光刻了二氧化硅(SiO2)介质膜掩膜图形的外延片上，依次生长n型铟磷(InP)层、n型铝铟砷(AlInAs)层、带隙渐变的本征的铝铟镓砷(AlInGaAs)下分别限制层、应变补偿的铝铟镓砷(AlInGaAs)有源区、带隙渐变的本征的铝铟镓砷(AlInGaAs)上分别限制层、p型的铝铟砷(AlInAs)层、P型铟磷(InP)包覆层，自动形成窄条台形有源区，如图5所示，图5中1为n型铟磷(InP)衬底，图5中2为吸收光栅层，图5中3为二氧化硅(SiO2)掩膜图形，图5中4为铝铟镓砷(AlInGaAs)有源区，图5中5为P型铟磷(InP)包覆层。其中应变补偿的有源区阱数为8～10，铝铟镓砷(AlInGaAs)阱带隙波长为1.31微米，阱厚为5纳米，压应变量为1.2％，铝铟镓砷(AlInGaAs)垒带隙波长为1.1微米，垒厚为10纳米，张应变量为0.4％。这一铝铟镓砷(AlInGaAs)有源区结构具备有良好的无致冷高速直调性能。为了得到高质量的窄条台形有源区，并将有源区包覆起来以有效防止铝(Al)氧化，我们分别对反应室压力、生长温度、五三比以及生长速率进行了优化。另外，上分别限制层的厚度小于下分别限制层的厚度，有效的减少在第三次外延生长的p型铟磷(InP)盖层内的与锌(Zn)有关的吸收损耗；6)采用和步骤4)中的相同的腐蚀液，去掉外延片上充当掩膜图形的二氧化硅(SiO2)介质膜，此时得到的外延片结构如图6所示；7)采用金属有机化学气相沉积技术(MOCVD)，在步骤6)中去掉了二氧化硅(SiO2)介质膜掩膜图形的外延片上，大面积第三次外延生长p型铟磷(InP)盖层和重掺杂的P型铟镓砷(InGaAs)接触层，见图7，图7中4为n型铟磷(InP)盖层，图7中5为重掺杂的P型铟镓砷(InGaAs)接触层。为了进一步抑制有源区中的电子泄漏应该适当提高p型铟磷(InP)盖层的掺杂浓度；8)在进行了第三次外延生长的外延片上，大面积涂上光刻胶，利用3～5微米的光刻版曝光显影去掉窄条台形有源区两侧的光刻胶，保留窄条台形有源区正上方的光刻胶，见图8，图8中6为充当掩蔽作用的光刻胶。台形有源区正上方的光刻胶的宽度是根据台形有源区的宽度来确定的，原则是尽可能的使得离子注入区域靠近有源区，以形成有效的电流限制作用，但同时又要保证能很好的保护有源区；9)用氦离子垂直轰击经过了步骤8)的外延片表面，对窄条台形有源区图9中3两侧进行氦离子注入，形成掩埋脊波导结构(BRS)，见图9中的4所指区域。然后用去膜剂去掉充当掩蔽作用的光刻胶图9中5；10)在经过了步骤9)的外延片上，利用化学气相沉积技术生长二氧化硅绝(SiO2)缘层，见图10中5。这一层二氧化硅主要起到电隔离作用，不同于步骤3)中二氧化硅所起到的作用，厚度比步骤3)中的二氧化硅(SiO2)厚度大；11)在上一步生长的二氧化硅(SiO2)绝缘层上，进行光刻，开电极窗口，见图11中6；12)在外延片上，制作高频电极图形，溅射钛/铂/金(Ti/Pt/Au)，带胶剥离形成p面电极图形，见图12中6。图12中1为n型铟磷(InP)衬底，2为吸收光栅层，3为铝铟镓砷(AlInGaAs)有源区，4为对p型铟磷(InP)盖层和重掺杂的P型铟镓砷(InGaAs)接触层经过离子注入形成的位于有源区两侧的电流限制部分，5为开有电极窗口的二氧化硅(SiO2)绝缘层，6为p面高频电极图形；13)对外延片背面减薄，蒸发金/锗/镍(Au/Ge/Ni)n面电极；14)解理外延片制作芯片。
权利要求
1.一种采用窄条选择外延生长技术制作铝铟镓砷(AlInGaAs)材料掩埋脊波导结构(BRS)分布反馈无致冷高速直调激光器的方法，其步骤如下1)在衬底上大面积制作分布反馈光栅；2)在制作了反馈光栅的外延片上，一次外延生长吸收层和缓冲层；3)在外延片上生长充当掩膜图形材料的介质膜；4)光刻得到窄条选择外延生长所需要的介质掩膜图形；5)利用窄条选择外延生长技术，在光刻了介质掩膜图形的外延片上二次外延依次生长n型铟磷(InP)层、铝铟镓砷(AlInGaAs)窄条台形有源区和p型铟磷(InP)包覆层；6)利用腐蚀液去掉形成掩膜图形的介质膜；7)三次外延生长p型铟磷(InP)盖层和重掺杂的P型铟镓砷(InGaAs)接触层；8)利用光刻胶形成对窄条台形有源区的掩蔽图形；9)对窄条台形有源区两侧进行离子注入，形成掩埋脊波导结构(BRS)；10)在外延片上生长介质膜绝缘层；11)对介质膜绝缘层进行光刻，开出电极窗口；12)制作p面金属高频电极；13)背面减薄，制作n面电极；14)解理外延片制作芯片。
2.一种采用窄条选择外延生长技术制作铝铟镓砷(AlInGaAs)材料掩埋脊波导结构(BRS)分布反馈无致冷高速直调激光器，其结构包括1)衬底上面是吸收型增益耦合光栅，吸收层可以是铟镓砷磷(InGaAsP)材料，也可以是铝铟镓砷(AlInGaAs)材料，吸收层材料的带隙波长大于所设计的量子阱带隙波长；2)光栅上面是宽度为1～3微米的窄条台形有源区部分，窄条台形有源区部分依次为n型铟磷(InP)层、n型铝铟砷(AlInAs)层、带隙渐变的本征的铝铟镓砷(AlInGaAs)下分别限制层、应变补偿的铝铟镓砷(AlInGaAs)有源区、带隙渐变的本征的铝铟镓砷(AlInGaAs)上分别限制层、p型的铝铟砷(AlInAs)层、P型铟磷(InP)包覆层；3)窄条台形有源区上面和两侧是p型铟磷(InP)盖层和P型铟镓砷(InGaAs)接触层，其中两侧的部分进行了离子注入，形成了对电流有限制层，同时，由于折射率的差异，两侧的部分对光子也有限制作用；4)铟镓砷(InGaAs)接触层上面是开有电极窗口介质膜绝缘层，电极窗口在窄条台形有源区的正上方，电极窗口的宽度略小于窄条台形有源区的宽度；5)开有电极窗口介质膜绝缘层上面是p面金属高频电极，可以采用带胶剥离技术，或者是刻蚀电极图形技术；6)衬底背面为n面电极。
全文摘要
本发明属于光电子技术领域，一种采用窄条选择外延生长技术制作铝铟镓砷(AlInGaAs)材料掩埋脊波导结构(BRS)分布反馈无致冷高速直调激光器的方法。关键技术为在铟磷(InP)衬底上制作吸收型光栅；采用窄条选择外延生长技术自动生成铝铟镓砷(AlInGaAs)应变补偿多量子阱窄条台形有源区，并用铟磷(InP)将该台面包覆起来；台形有源区形成后，大面积生长p型铟磷(InP)盖层和P型铟镓铟砷(InGaAs)接触层，然后对台形有源区两侧进行离子注入，形成掩埋脊波导结构(BRS)。
文档编号H01S5/343GK1870368SQ20051007398
公开日2006年11月29日 申请日期2005年5月27日 优先权日2005年5月27日
发明者冯文, 潘教青, 赵玲娟, 朱洪亮, 王圩 申请人:中国科学院半导体研究所