专利名称：微机电系统和有源电路的集成的制作方法
技术领域：
本发明涉及在晶片级的电器件的制造，更具体地，涉及微机电系统在晶片级被接合到有源半导体部件。
背景技术：
许多电器件是非常敏感的而且需要保护以免遭苛刻的外部条件和环境中的有害污染。对于诸如薄膜体声波谐振器(FBAR)、表面安装声波谐振器(SMR)、和表面声波(SAW)器件之类的微机电系统(MEMS)器件尤其如此。传统地，将这样的MEMS器件隔绝在气密封装中或者通过在MEMS器件之上设置微盖层以将器件从周围环境气密密封。
这样气密密封的MEMS器件必须也设置入口点使得可以进行电连接到MEMS器件。例如，在晶片封装中配置有微盖的FBAR器件必须设置有穿过微盖或其他地方的孔或过孔，使得可以将晶片封装内的FBAR器件进行电连接到诸如半导体部件之类的其他外部电部件。由于MEMS器件和有源半导体器件两者都需要专用的制造程序，所以将MEMS器件和有源电路两者直接构造在单个晶片上需要在性能、制造性和成本上有很大折衷。
由于这些及其他原因，存在对本发明的需求。
发明内容
本发明的一个方面提供了一种单个集成晶片封装，包括微机电系统(MEMS)晶片、有源器件晶片、和密封环。MEMS晶片具有第一表面并在其第一表面上包括至少一个MEMS部件。有源器件晶片具有第一表面并在其第一表面上包括有源器件电路。密封环与MEMS晶片的第一表面相邻使得围绕微机电系统部件形成气密密封。在晶片封装上设置外部触头。外部触头可从外部访问晶片封装且电耦合到有源器件晶片的有源器件电路。
包括附图以提供对本发明的进一步理解且附图被结合并组成此说明书的一部分。附示了本发明的实施例并与说明一起用于解释本发明的原则。由于通过参考以下详细说明而使本发明更好理解，将容易察觉到本发明的其他实施例和本发明的许多预期优点。附图的元件不必按照相对于彼此的比例绘制。相似的标号标示对应的相似部分。
图1图示了根据本发明，包括MEMS晶片和有源器件晶片的单个集成晶片封装的剖视图。
图2-图4图示了根据本发明，用于制造图1的单个集成晶片封装的处理步骤。
图5图示了根据本发明，包括MEMS器件和有源器件晶片的其他单个集成晶片封装的剖视图。
具体实施例方式
在以下详细描述中，对附图进行参考，附图形成为其的一部分，且其中通过图解，图示了本发明可以实现的具体实施例。在这点上，参考正被描述的一个或多个图的方向，使用方位术语，例如“顶”、“底”、“前”、“后”、“顶端”、“尾端”等等。由于本发明实施例的部件可以定位在多个不同方向上，所以方位术语用于解释的目的而非限制。应理解的是，可以利用其他实施例且可以进行结构或逻辑的变化而不偏离本发明的范围。因此，采用以下详细说明并不意味着限制，而本发明的范围由所附权利要求界定。
图1图示了根据本发明的单个集成晶片级封装10。晶片封装10包括有源器件晶片12和MEMS晶片20。在一个实施例中，MEMS晶片20是薄膜体声波谐振器(FBAR)衬底晶片而有源晶片12是互补金属氧化物半导体(CMOS)衬底晶片。晶片封装10将MEMS晶片20和有源器件晶片12结合为单个集成晶片封装，同时每个仍然在晶片级。晶片封装10接着包括外部触头(以下进一步讨论的25A、26A、27A、和28A)，其可从外部访问晶片封装10，这使得晶片封装10可以电耦合到其他外部部件。可以根据本发明形成多个晶片封装10(也引用为如“管芯”或“多个管芯”)。
在一个实施例中，有源器件晶片12包括第一互连14和第二互连16，其电耦合到诸如CMOS电路之类的有源器件电路。电介质层30沉积为与有源器件晶片相邻。蚀刻电介质层30以形成多个凸起部分或脊。具体地，环脊32位于有源器件晶片12的外周处，并绕整个外周延伸。还包括第一外脊34和第二外脊36，以及第一内脊38和第二内脊39。在一个实施例中，内脊38和39以及外脊34和36并不围绕管芯。
敷金属层40(图3中示出)沉积在电介质层30之上并被蚀刻，使得触头相对于电介质层30形成在一定位置处。通过剥离技术(lift-offtechnique)也可以沉积并图案化敷金属层40。通过敷金属层40形成的触头包括环触头42，其形成在与环脊32相邻的有源器件晶片12的外周处，并绕整个外周延伸。还形成第一外触头44和第二外触头46(与第一脊34和第二脊36相邻)，以及第一内触头48和第二内触头49(与第一内脊38和第二内脊39相邻)。
最后，在晶片封装10中，MEMS晶片20放置在有源器件晶片12、电介质层30、和敷金属层40的组合之上。在晶片封装10的一个实施例中，用热压焊接将MEMS晶片20接合在有源器件晶片12、电介质层30、和敷金属层40的组合之上。
MEMS晶片20包括诸如FBAR 21之类的MEMS部件。单个MEMS部件、多个部件或诸如SMR之类的其他MEMS部件，也可以或可选地设置在MEMS晶片20上。第一MEMS-晶片触头22和第二MEMS-晶片触头24也形成在MEMS晶片20上，且每个电耦合到FBAR 21。MEMS晶片20也包括第一外过孔25和第二外过孔26，以及第一内过孔27和第二内过孔28。孔25至28提供从器件外部到晶片封装10内部的访问。第一外MEMS-晶片触头25A和第二外MEMS-晶片触头26A设置在第一外过孔25内和第二外过孔26内，而第一内MEMS-晶片触头27A和第二内MEMS-晶片触头28A设置在第一内过孔27内和第二内过孔28内。MEMS-晶片触头25A至28A提供从晶片封装10外部到其内部的电触头。在一个实施例中，为了帮助形成MEMS晶片20到有源器件12的良好密封，MEMS晶片20可以设置有外周焊盘，其类似于环触头42并与环触头42对准。
在一个实施例中，晶片封装10外部的电接触提供到在有源器件晶片12上的有源器件电路。具体地，第一外MEMS-晶片触头25A和第二外MEMS-晶片触头26A耦合到第一外触头44和第二外触头46，第一外触头44和第二外触头46再耦合到第一互连14和第二互连16。第一互连14和第二互连16耦合到在有源器件晶片12上的有源器件电路。这样，第一外MEMS-晶片触头25A和第二外MEMS-晶片触头26A被设置在晶片封装10上以提供有源器件晶片12到外部器件的电连接。第一互连14和第二互连16意味着说明性的而并不意味着限制。例如，在一些应用中两个互连可能是有用的，但是本领域的技术人员将认识到可以采用与本发明一致的多个额外的互连。
在一个实施例中，晶片封装10外部的电接触也提供到在MEMS晶片20上MEMS部件，例如FBAR 21。具体地，第一内MEMS-晶片触头27A和第二内MEMS-晶片触头28A耦合到第一MEMS触头22和第二MEMS触头24，第一MEMS触头22和第二MEMS触头24再耦合到FBAR 21。这样，将第一内MEMS-晶片触头27A和第二内MEMS-晶片触头28A设置在晶片封装10上以提供MEMS部件FBAR 21到外部器件的电连接。
在可选的实施例中，电触头可以在晶片级直接设置在MEMS晶片20和有源器件晶片12之间。例如，电介质层30可以进一步蚀刻使得第一内触头48和第二内触头49向下延伸到在有源器件晶片12上的有源器件电路，从而将第一MEMS-晶片触头22和第二MEMS-晶片触头24耦合到有源器件电路。在这样的实施例中，可以取消第一内过孔27和第二内过孔28使得到MEMS晶片20的唯一电连接是经由到有源器件电路的直接内部连接。在其他可选实施例中，可以由通过有源器件晶片12的过孔、或多个过孔设置外部电触头。
在晶片封装10中，环脊32保护MEMS晶片20，同时外部电连接提供到有源器件晶片12，和/或MEMS晶片20。根据本发明，在晶片级制造晶片封装10使得当晶片封装10被整合时，有源器件晶片12和MEMS晶片20已经电耦合。以此方式，从而避免了在整合后将MEMS晶片20电耦合到有源器件晶片12的步骤。
电介质层30主要对MEMS部件FBAR 21提供保护和密封。具体地，电介质层30的环脊32在MEMS晶片20和有源器件晶片12之间围绕其紧邻环触头42的外周延伸。以此方式，环脊32围绕FBAR 21(以及各种通电触头)。这样，环脊32、环触头42、有源器件晶片12、和MEMS晶片20的组合形成密封室。在一个实施例中，此密封室是气密密封的。此室密封MEMS部件FBAR 21。
此外，也通过其他脊特征围绕过孔密封的方式来提供密封。具体地，第一外脊34和第二外脊36分别提供围绕第一外过孔25和第二外过孔26的密封。同样，第一内脊38和第二内脊39分别提供围绕第一内过孔27和第二内过孔28的密封。
根据一个制造程序的晶片封装10的制造图示在图2-4中。在图2中，图示有源器件晶片12在其表面上具有第一互连14和第二互连16。第一互连14和第二互连16电耦合到在有源器件晶片上的有源器件电路，例如CMOS电路。也图示了电介质层30，沉积为与有源器件晶片12相邻。在可选实施例中，电介质层30可以沉积在MEMS晶片20上，并蚀刻以形成密封。在一些其他的应用中，在MEMS晶片20上电介质层30的应用可能不实际。
在一个实施例中，电介质层必须足够厚以允许电介质层30的部分的蚀刻，以建立用于在附装到MEMS晶片之后密封MEMS部件的密封室。同样在一个实施例中，电介质层30必须能够经受接合条件，其可能将它曝露到300℃到425℃范围的温度中10Mpa到60Mpa的本地压强下。在一些情况中，其必须经受这些条件长达两小时。电介质层30可以是氮化硅、氧化硅和其他类似材料。
在一些可选实施例中，为帮助形成气密密封的密封室并提供蒸气屏障，一些附加的硅层可以溅射在电介质层30之上。所期望的是为避免在热作用在室中的蒸气上时可以使得气密室“爆”开的“爆米花效应(popcorn effect)”，在一些应用中将蒸气保持在气密室之外。在一些应用中，随着气密失效，可能发生FBAR器件性能的下降。不过，在根据本发明的其他MEMS器件中，可能不需要气密密封而使得不需要这些附加层。
图3图示了其中电介质层30已经被蚀刻以形成多个凸起部分或脊，从而形成垫圈结构的制造程序的后续步骤。在一个实施例中这可以通过在有源器件晶片12和电介质层30的组合上图案化掩模并蚀刻到最终的尺寸来完成。具体地，环脊32形成在有源器件晶片12的外周处并绕着整个外周延伸。第一外脊34和第二外脊36，以及第一内脊38和第二内脊39也在蚀刻处理中形成。在一个实施例中，内脊34和36以及外脊38和39不围绕晶片的外周延伸，而形成为与MEMS晶片的过孔相邻。可能在环脊32和第一外脊34之间需要掩模的额外图案化和额外蚀刻以确保它们被分离，使得通过电介质层30曝露第一互连14。相似地，可能在环脊32和第二外脊36之间需要额外的蚀刻以确保它们被分离，使得通过电介质层30曝露第二互连16。
敷金属层40接着沉积在电介质层30之上。敷金属层40可以沉积、掩蔽、和蚀刻，或者可以用剥离或相似处理建立。这样，相对于电介质层30在一定位置处形成触头。具体地，环触头42形成在有源器件晶片12的外周与环脊32相邻处，并围绕整个外周延伸。也形成第一外触头44和第二外触头46(与第一脊34和第二脊36相邻)，以及第一内触头48和第二内触头49(与第一内脊38和第二内脊39相邻)。
敷金属层40可以是金或某些其他敷金属，且其可以提供用于将有源器件晶片12接合到MEMS晶片20的敷金属并提供与第一互连14和第二互连16的触头。
图4图示了有源器件晶片12接合到MEMS晶片20的制造程序的后续步骤。晶片封装10包括MEMS晶片20和有源器件晶片12，电介质层30和敷金属层40被夹在其间。可以使用热压或其他焊接处理将MEMS晶片20接合到有源器件晶片12。
在一个实施例中，通过背面研磨图4中图示的晶片组合接着完成制造程序。具体地，MEMS晶片20的后侧，也即，与面对有源器件晶片12侧的相反侧，被向下研磨并接着被掩蔽和从后侧蚀刻出过孔25到28(图1示出)。接着，放置后侧敷金属层用于到MEMS部件的互连(放置用于与第一MEMS触头22和第二MEMS触头24连接的第一内MEMS-晶片触头27A和第二内MEMS-晶片触头28A)并用于到在有源器件层12上的有源器件电路的互连(放置第一外MEMS-晶片触头25A和第二外MEMS-晶片触头26A用于连接到第一外触头44和第二外触头46以及连接到第一互连14和第二互连16)。此后侧敷金属可以被沉积和蚀刻、图案金属化、或用剥离处理建立。
在可选实施例中，可以专有地使用某些通孔用于直接互连到有源器件基底晶片12，而可以使用其他过孔以接触MEMS晶片20，和其上的MEMS部件。在一些应用中，优选的是直接建立MEMS部件与有源器件晶片12的触头，而不用后侧过孔接触MEMS部件。在其他情况中，期望的是只是用过孔互连到MEMS部件，有源器件晶片12不使用过孔接触到MEMS部件。在其他实施例中，有源器件晶片12可以背面研磨，增加孔和敷金属以形成通过有源器件晶片12到MEMS部件和/或有源器件电路的电触头。
最后，根据本发明的一个实施例，管芯被整合并用在凸块焊接或导线焊接应用中。在晶片封装10中，MEMS晶片20、有源晶片12和环脊30的组合提供了气密密封以保护MEMS部件FBAR 21，而且也提供了与MEMS晶片20和有源器件晶片12两者的电连接。根据本发明的一个实施例，在晶片级制造晶片封装10使得当整合晶片封装10时，MEMS晶片20和有源器件晶片12已经电耦合了。以此方式，从而避免了在整合后将MEMS晶片20电耦合到有源器件晶片12的步骤，且晶片封装10设置有外部电触头。
图5图示了根据本发明的其他实施例的单个集成晶片级封装100。晶片封装100包括有源器件晶片112和MEMS晶片120。在一个实施例中，MEMS晶片120是薄膜体声波谐振器(FBAR)衬底晶片而有源器件晶片120是互补金属氧化物半导体(CMOS)衬底晶片。晶片封装100将MEMS晶片120和有源器件晶片112结合为单个集成晶片封装，同时每个仍然在晶片级。晶片封装100接着包括外部触头(以下进一步讨论的127A和128A以及互连114和116)，其可以从外部访问晶片封装100，这使得晶片封装100可以电耦合到其他外部部件。
在一个实施例中，有源器件晶片112包括第一互连114和第二互连116，其电耦合到诸如CMOS电路之类的有源电路。电介质层130沉积为与有源器件晶片112相邻。蚀刻电介质层130以形成多个凸起部分或脊。具体地，环脊132位于有源器件晶片112的外周处，并绕整个外周延伸。还包括第一内脊138和第二内脊139。
敷金属层沉积在电介质层130之上并被蚀刻，使得触头相对于电介质层130形成在一定位置处。具体地，环触头142形成在与环脊132相邻的有源器件晶片120的外周处，并绕整个外周延伸。还形成第一内触头148和第二内触头149(与第一内脊138和第二内脊139相邻)。
最后，在晶片封装100中，MEMS晶片120放置在有源器件晶片112、电介质层130、和敷金属层140的组合之上。MEMS晶片120包括诸如FBAR 121之类的MEMS部件。单个MEMS部件、多个部件或诸如SMR之类的其他MEMS部件，也可以或可选地设置在MEMS晶片120上。第一MEMS-晶片触头122和第二MEMS-晶片触头124也形成在MEMS晶片120上，且每个电耦合到FBAR 121。MEMS晶片120也包括第一内过孔127和第二内过孔128。过孔127和128提供从器件外部到晶片封装100内部的访问。第一内MEMS-晶片触头127A和第二内MEMS-晶片触头128A设置在第一内过孔127内和第二内过孔128内。MEMS-晶片触头127A和128A提供从晶片封装100外部到其内部的电接触。在一个实施例中，为了帮助形成MEMS晶片120到有源器件112的良好密封，MEMS晶片120可以设置有外周焊盘，其类似于环触头142并与环触头142对准。
在一个实施例中，晶片封装100允许在晶片侧上进行与有源器件晶片112的外部互连，而不是如图1-4中图示的实施例通过晶片管芯内部地互连。在可选实施例中，到MEMS晶片120的外部互连也可以利用以下进一步讨论的过孔127A和128A路由到该侧或者引出到晶片后侧之外。
对于图5图示的实施例，到有源器件晶片112的互连可以利用局部锯口或利用跟随有蚀刻处理的掩模来曝露。对于局部锯口，通过MEMS晶片120的切口相对于通过有源器件晶片112的切口偏移使得通过局部锯口设置了避开距离。换言之，在制作切口之后MEMS晶片120比有源器件晶片112窄。以此方式，在MEMS晶片120和有源器件晶片112之间的避开距离使得第一互连114和第二互连116曝露，从而使其可访问以用于将晶片封装100与外部电子器件连接。例如，通过导线焊接到互连114和116，可以进行到第一互连114和第二互连116的这样的“侧部连接”。用蚀刻处理，MEMS晶片120的端部可以被蚀刻以曝露第一互连114和第二互连116，同时蚀刻后侧MEMS晶片120以制作过孔127A和128A。
在一个实施例中，晶片封装100外部的电接触也提供到在MEMS晶片120上的MEMS部件，例如FBAR 121。具体地，第一内MEMS-晶片触头127A和第二MEMS-晶片触头128A耦合到第一触头122和第二触头124，第一触头122和第二触头124再耦合到FBAR 121。以此方式，第一内MEMS-晶片触头127A和第二MEMS-晶片触头128A设置在晶片封装100上以提供MEMS部件FBAR 121到外部器件的电连接。
在可选实施例中，电触头可以在晶片级直接设置在MEMS晶片120和有源器件晶片112之间。例如，电介质层130可以进一步蚀刻使得第一内触头148和第二内触头149向下延伸到在有源器件晶片112上的有源器件电路，从而将第一MEMS-晶片触头122和第二MEMS-晶片触头124耦合到有源器件电路。在这样的实施例中，可以取消第一内过孔127和第二内过孔128使得到MEMS晶片129的唯一电连接是经由到有源器件电路的直接内部连接。
在另一个实施例中，侧部互连可以放置在MEMS晶片120上，其代替地或附加地放置在有源器件晶片112上。换言之，互连可以设置在MEMS晶片120上，并接着可以与前述相同的方式利用局部锯口或利用跟随有蚀刻处理的掩模来曝露。对于局部锯口，通过有源器件晶片112的切口相对于通过MEMS晶片120的切口偏移使得通过局部锯口设置了避开距离，因此有源器件晶片112比MEMS晶片120窄。以此方式，在MEMS晶片120和有源器件晶片112之间的避开距离使得互连曝露。
在晶片封装100中，环脊132保护MEMS晶片120，同时提供外部电连接到有源器件晶片112、和/或MEMS晶片120。根据本发明的实施例，在晶片级制造晶片封装100使得在整合晶片封装100时，有源器件晶片112和MEMS晶片120已经电耦合。以此方式，从而避免了在整合后将MEMS晶片120电耦合到有源器件晶片112的步骤。
电介质层130主要对MEMS部件FBAR 121提供保护和气密密封。具体地，电介质层130的环脊132在MEMS晶片120和有源器件晶片112之间围绕其紧邻环触头142的外周延伸。以此方式，环脊132围绕FBAR121(以及各种通电触头)。这样，环脊132、环触头142、有源器件晶片112、和MEMS晶片120的组合形成气密室。此气密室气密地密封MEMS部件FBAR 121。
具有本发明的晶片封装不需要任何微盖晶片。这将节省处理步骤并简化制造，以及节约制造成本。
虽然已经图示并描述了具体实施例，但本领域的普通技术人员应该理解到的是多个变化和/或等价实施方式可以代替所述和所示的具体实施例而不偏移本发明的范围。此申请意图覆盖此处讨论的具体实施例的任何改造或变化。因此，意味着本发明仅由权利要求和其等价物所限。
本发明申请涉及与本申请同日提交，标题为微机电系统到有源电路的晶片接合的共同转让的发明专利申请号No.11/012,589，代理卷号no.10040862-1，其通过引用包含于此。
权利要求
1.一种单个集成晶片封装，包括具有至少一个微机电系统部件的微机电系统晶片；具有有源器件电路的有源器件晶片；夹在所述微机电系统晶片和所述有源器件晶片两者之间，使得围绕所述微机电系统部件形成密封室的密封环；和到所述晶片封装的外部触头，其中所述外部触头可从外部访问所述晶片封装且电耦合到所述有源器件晶片的所述有源器件电路。
2.如权利要求1所述的晶片封装，其中所述密封室是气密密封室。
3.如权利要求1所述的晶片封装，其中所述微机电系统晶片和所述有源器件晶片用热压焊接接合在一起。
4.如权利要求1所述的晶片封装，其中所述微机电系统部件是下述群组中的一个，所述群组包括薄膜体声波谐振器和固态安装声波谐振器。
5.如权利要求1所述的晶片封装，还包括被蚀刻以形成凸起脊的电介质层，所述凸起脊是形成围绕所述微机电系统部件的密封并帮助将所述晶片耦合在一起使得它们形成单个集成部件的密封环。
6.如权利要求5所述的晶片封装，其中所述密封是气密密封。
7.如权利要求5所述的晶片封装，其中在所述微机电系统晶片和所述有源器件晶片之间形成所述密封环的所述电介质层由包括氮化硅和氧化硅的群组材料制成。
8.如权利要求5所述的晶片封装，其中所述微机电系统晶片还包括多个过孔，通过所述过孔进行在所述有源器件电路和所述外部触头之间的电连接。
9.如权利要求5所述的晶片封装，其中所述微机电系统晶片还包括多个过孔，通过所述过孔进行在所述微机电系统部件和所述外部触头之间的电连接。
10.如权利要求5所述的晶片封装，其中所述有源器件晶片还包括多个过孔，通过所述过孔进行在所述有源器件电路和所述外部触头之间的电连接。
11.如权利要求5所述的晶片封装，其中所述有源器件晶片还包括多个过孔，通过所述过孔进行在所述微机电系统部件和所述外部触头之间的电连接。
12.如权利要求5所述的晶片封装，其中所述微机电系统晶片具有局部锯口使得在所述有源器件晶片上的互连作为侧部互连可访问。
13.如权利要求5所述的晶片封装，其中所述有源器件晶片具有局部锯口使得在所述微机电系统晶片上互连作为侧部互连可访问。
14.如权利要求5所述的晶片封装，其中在所述电介质层上形成敷金属层以利于在所述有源器件电路和所述微机电系统部件之间进行电连接。
15.一种用于制造晶片封装的方法，包括向有源器件晶片设置电耦合到有源器件电路的互连；将电介质层沉积在所述有源器件晶片之上；蚀刻所述电介质层以形成凸起脊，所述凸起脊形成围绕所述有源器件晶片外周的环；以及在晶片级将具有至少一个微机电系统部件的微机电系统晶片接合到所述有源器件晶片，其中一旦接合，所述凸起脊也形成围绕所述微机电系统部件的环，使得所述凸起脊、所述微机电系统晶片和所述有源器件晶片密封所述微机电系统部件。
16.如权利要求15所述的方法，还包括将敷金属层沉积在所述电介质层之上以帮助将所述微机电系统晶片接合到所述有源器件晶片。
17.如权利要求15所述的方法，其中由所述凸起脊在所述微机电系统晶片和所述有源器件晶片之间形成的密封是气密密封。
18.如权利要求15所述的方法，还包括在所述微机电系统晶片中制造通孔以提供到所述晶片封装的电触点，其可从外部访问所述晶片封装。
19.如权利要求15所述的方法，还包括在所述有源器件晶片中制造通孔以提供到所述晶片封装的电触点，其可从外部访问所述晶片封装。
20.如权利要求15所述的方法，还包括对所述微机电系统晶片制造局部锯口以提供到在所述晶片封装内的电触点的访问，所述电触点可从外部访问所述晶片封装。
21.如权利要求15所述的方法，还包括对所述有源器件晶片制造局部锯口以提供到在所述晶片封装内的电触点的访问，所述电触点可从外部访问所述晶片封装。
22.如权利要求15所述的方法，其中将所述微机电系统晶片接合到所述有源器件晶片包括用热压焊接将所述晶片接合在一起。
23.一种单个集成晶片封装，包括具有至少一个微机电系统部件的微机电系统晶片；具有有源器件电路的有源器件晶片；在所述微机电系统晶片和所述有源器件晶片之间的密封装置，用于形成围绕所述微机电系统部件的密封；和到所述晶片封装的外部触头，其中所述外部触头可从外部访问所述晶片封装且电耦合到下述群组中的一个，所述群组包括所述有源器件晶片的所述有源器件电路和所述微机电系统晶片的所述微机电系统部件。
全文摘要
本发明公开了一种单个集成晶片封装，包括微机电系统晶片、有源器件晶片和密封环。微机电系统晶片具有第一表面并在其第一表面上包括至少一个微机电系统部件。有源器件晶片具有第一表面并在其第一表面上包括有源器件电路。密封环与微机电系统晶片的第一表面相邻使得围绕微机电系统部件形成密封。在晶片封装上设置外部触头。外部触头可从外部访问晶片封装且电耦合到微机电系统器件或有源器件晶片的有源器件电路。
文档编号H01L21/56GK1789109SQ20051011732
公开日2006年6月21日 申请日期2005年11月1日 优先权日2004年12月15日
发明者罗纳德·S·法齐欧, 托马斯·E·邓根 申请人:安捷伦科技有限公司