专利名称：液晶显示板及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种液晶显示(LCD)板，更具体地，涉及这样的LCD板及其制造方法，其适于通过防止由液晶材料的膨胀导致的缺陷而提高保持单元间隙(cell gap)的可靠性。
背景技术：
通常，液晶显示(LCD)装置通过向液晶层施加电场而控制光透射率，从而显示图像。为此，LCD装置包括具有以矩阵形状设置的液晶晶元的LCD板、和用于驱动该LCD板的驱动电路。该LCD板包括设置成彼此面对的薄膜晶体管(TFT)阵列基板和滤色器阵列基板；设置成保持这两个基板之间固定单元间隙的间隔体；以及填充在该单元间隙中的液晶材料。
在过去几年中已提出各种类型的LCD板结构以解决特定问题。具体地，LCD板中的间隔体在TFT阵列基板与滤色器阵列基板之间提供了特定单元间隙。然而，由于在该间隙中的液晶受到高温时膨胀，因此保持该单元间隙的可靠性降低。为了解决这个问题，最近提出了一种用于LCD板的双间隔体结构。
图1是表示采用现有技术的双间隔体结构的LCD板的平面图。如图1所示，LCD板以TFT阵列基板和柱状间隔体为中心。图2A是表示沿图1的线I-I’截取的TFT阵列基板的剖视图，并且图2B表示沿线II-II’截取的TFT阵列基板的剖视图。
图1、图2A和图2B中所示的LCD板包括滤色器阵列基板60；TFT阵列基板70；以及液晶材料(未示出)，其被注入滤色器阵列基板60与TFT阵列基板70之间的内部空间中。滤色器阵列基板60包括黑底(blackmatrix)64、滤色器66、主柱状间隔体(column spacer)24、辅助柱状间隔体23、以及形成在上基板62上的上配向膜58。TFT阵列基板70包括薄膜晶体管6、像素电极18、以及形成在下基板42上的下配向膜52。
在滤色器阵列基板60中，黑底64形成在上基板62上与形成在下基板42上的选通线2、数据线4和TFT 6相对应的区域中，并且提供了待形成滤色器66的单元区域(cell area)。黑底64防止漏光并吸收外部光，从而增加对比度。在使用垂直方向电场的TN(扭转向列)型中，可以在滤色器66上形成公共电极(未示出)。相反，在使用水平方向电场的IPS(面内切换)型中，可以在TFT阵列基板70上形成公共电极(未示出)。
TFT阵列基板70包括选通线2和数据线4，它们形成在下基板42上以彼此交叉，在它们之间具有栅绝缘膜44；形成在各交叉部分处的TFT6；以及像素电极18，其形成在由所述交叉结构限定的单元区域中。TFT阵列基板70还包括形成在选通线2与下一级(next stage)像素电极18的交叠部分中的存储电容器。(图1显示了下一像素区域的存储电容器20。)TFT 6包括与选通线2相连的栅极8；与数据线4相连的源极10；与像素电极18相连的漏极12；以及形成在栅极8上的有源层14，在源极10与漏极12之间设有沟道。有源层14与数据线4、源极10和漏极12交叠，并且在源极10与漏极12之间包括沟道部分。还在有源层14上形成有欧姆接触层47，以与数据线4、源极10和漏极12欧姆接触。有源层14和欧姆接触层47限定了半导体图案48。
在TFT 6中，响应于供应给选通线2的选通信号，供应给数据线4的像素电压信号对像素电极18充电。为此，像素电极18通过贯穿钝化膜50的接触孔17与TFT 6的漏极12相连。像素电极18生成与公共电极(未示出)的电位差。该电位差使位于TFT阵列基板70与滤色器阵列基板60之间的液晶因介电各向异性而旋转。液晶的旋转将通过像素电极18从光源(未示出)入射的光发射到上基板上。
图1中所示的存储电容器20实际上是用于下一级像素的存储电容器。因此，存储电容器20包括前一级选通线2、和与该前一级选通线2交叠的像素电极18(部分示出)，在它们之间形成有栅绝缘膜44和钝化膜50。存储电容器20有助于保持在像素电极18中充电的像素电压，直到充有下一像素电压。
主柱状间隔体24位于与存储电容器20交叠的区域中，并且辅助柱状间隔体23位于与选通线2交叠的区域中。另外，主柱状间隔体24和辅助柱状间隔体23定位成与滤色器阵列基板60的黑底64交叠。
主柱状间隔体24与TFT阵列基板70接触以保持单元间隙。为此，存储电容器20位于主柱状间隔体24的下部，并通过由上存储电极54形成的台阶差限定，该上存储电极54由源/漏极图案和半导体图案形成。
辅助柱状间隔体23设置成通常浮在TFT阵列基板70上方，并用于防止在液晶膨胀时产生缺陷。另外，当向基板施加外部压力时，辅助柱状间隔体23开始与TFT阵列基板70接触，从而加强主柱状间隔体24以保持单元间隙。
在现有技术的具有双间隔体结构的LCD板中，如果TFT阵列基板70的钝化膜50由例如光丙稀(photo-acryl)的有机材料形成，则该双间隔体结构并不能适当地执行其功能。例如，图3中所示的LCD板具有由有机材料形成的TFT阵列基板70的钝化膜50。当钝化膜50由有机材料形成时，在TFT阵列基板70内不会生成台阶差。因此，在主柱状间隔体24与辅助柱状间隔体23之间不会有高度差。结果，在现有技术的采用有机钝化膜50的LCD板中，失去了防止因液晶膨胀导致的缺陷以及通过使用双间隔体结构而获得增加单元可靠性这样的优点。
发明内容
因此，本发明意在一种液晶显示(LCD)板，其基本上克服了由于现有技术的局限和缺点导致的一个或多个问题。
本发明的目的是提供一种LCD板，其适于增加保持单元间隙的可靠性并防止由于液晶膨胀导致的缺陷。
本发明的其它特征和优点将在下面描述中阐明，其部分根据该描述而明了，或者可以通过本发明的实施而得知。通过在所写说明书及其权利要求以及附图中具体指出的结构，将实现并获得本发明的目的和其它优点。
为了实现这些和其它优点并根据本发明的目的，如所具体实施和广义描述的，一种液晶显示板包括滤色器阵列基板，其具有第一柱状间隔体和第二柱状间隔体，该第一柱状间隔体部分插入到第一孔中；以及薄膜晶体管(TFT)阵列基板，其与该滤色器阵列基板面对并具有保护性钝化膜。
在另一方面中，一种液晶显示板的制造方法包括形成一滤色器阵列基板，该滤色器阵列基板具有第一柱状间隔体和第二柱状间隔体，该第一柱状间隔体部分插入到第一孔中；形成薄膜晶体管(TFT)阵列基板，其具有保护性钝化膜；以及将该滤色器阵列基板与TFT阵列基板附着在一起。
应该理解，上述总体描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的，旨在提供对所要保护的本发明的进一步说明。
包含附图以提供对本发明的进一步理解，并且将其并入，以构成本说明的一部分，附图显示了本发明的实施例并与说明书一起用于说明本发明的原理。在附图中图1是表示现有技术的采用双间隔体结构的液晶显示(LCD)板的平面图；图2A和图2B分别是沿着图1的线I-I’和II-II’截取的剖视图；图3是表示现有技术的具有有机钝化膜的LCD板的视图；图4是表示根据本发明第一示例性实施例的LCD板的视图；图5是表示当形成图4的红色滤色器时使用的示例性掩模的视图；图6A至图6E是用于说明本发明的LCD板的滤色器阵列基板的示例性制造方法的视图；图7是表示本发明的LCD板的薄膜晶体管(TFT)阵列基板的示例性制造方法的流程图；图8是表示根据本发明第二示例性实施例的LCD板的平面图；以及图9A和图9B分别是沿着图8的线III-III’和IV-IV’截取的剖视图。
具体实施例方式
下面将详细说明本发明的优选实施例，在附图中示出了其示例。
图4是表示根据本发明第一示例性实施例的液晶显示(LCD)板的剖视图。图4中所示的LCD板包括布置成彼此面对的滤色器阵列基板160和TFT阵列基板170，在它们之间具有主柱状间隔体124和辅助柱状间隔体123。TFT基板170包括选通线(未示出)和数据线104，它们形成在下基板142上彼此交叉，并在它们之间具有栅绝缘图案144；形成在各交叉部分处的TFT 106；以及像素电极118，其形成在由所述交叉结构限定的单元区域中。
TFT 106包括与选通线相连的栅极108；与数据线104相连的源极110；与像素电极118相连的漏极112；以及与栅极108交叠的有源层114，在源极110和漏极112之间形成有沟道。有源层114形成为与数据线104、源极110和漏极112交叠，并且在源极110和漏极112之间包括沟道。在有源层114上形成有欧姆接触层147，以与数据线104、源极110和漏极112欧姆接触。有源层114和欧姆接触层147限定了半导体图案148。
在TFT 106中，响应于供应给选通线102的选通信号，供应给数据线104的像素电压信号对像素电极118充电。为此，像素电极118通过贯穿钝化膜150的第一接触孔117与TFT 106的漏极112相连。像素电极118通过所充的像素电压而生成与公共电极(未示出)的电位差。该电位差使位于TFT阵列基板170与滤色器阵列基板160之间的液晶因介电各向异性而旋转，从而允许通过像素电极118从光源(未示出)入射的光发射到上基板上。
滤色器阵列基板160包括在上基板162上的黑底164，其限定了待形成滤色器166的单元区域。滤色器166形成在由黑底164分割的该单元区域中。主柱状间隔体124形成在滤色器166和黑底164上，而辅助柱状间隔体123形成在黑底164上。上配向膜158形成在上基板162的整个表面上。
黑底164形成在上基板162上的与下基板142的数据线(未示出)、选通线(未示出)和TFT 106区域相对应处，并提供待形成滤色器166的单元区域。黑底164防止漏光并吸收外部光，从而增加对比度。滤色器166形成在由黑底164分割的单元区域中。在使用垂直方向电场的TN(扭转向列)型中，可以在滤色器上以形成公共电极(未示出)。相反，在使用水平方向电场的IPS(面内切换)型中，可以在TFT阵列基板上形成公共电极(未示出)。因此，在TN型中，可以在滤色器与柱状间隔体123和124之间形成公共电极。
主柱状间隔体124与TFT阵列基板170接触，从而保持单元间隙。另一方面，辅助柱状间隔体123布置成浮在TFT阵列基板170上方，通常在它们之间具有指定距离，并且用于防止当液晶膨胀时产生缺陷。因此，当向基板施加外部压力时，辅助柱状间隔体123开始与TFT阵列基板170接触，从而加强主柱状间隔体124以保持单元间隙。为此，在滤色器阵列基板160上设置有指定的第一孔172，并且辅助柱状间隔体123部分地形成在该第一孔172中。
更具体地，该第一孔172形成在滤色器166(例如，红色(R)滤色器)的待形成辅助柱状间隔体123的区域中。如图5所示，通过使用掩模180执行光刻工艺。掩模180包括遮蔽部分180b，其阻截在待形成红色(R)滤色器的区域中的光；以及透射部分180a，其透射待形成辅助柱状间隔体123和红色R滤色器的区域之外的区域中的光。因此，红色(R)滤色器形成有凹槽172，该凹槽使得在相邻区域中的黑底164露出该红色(R)滤色器。然后，分别执行用于形成绿色(G)和蓝色(B)滤色器的光刻工艺，从而如图5所示，形成具有凹槽172的滤色器166。
在根据上述方法形成滤色器166之后，在TN型的情况下，可以形成公共电极(未示出，)或者在IPS型的情况下，形成保护层(overcoatlayer)。然后将辅助柱状间隔体123形成在第一孔172中，从而可以形成相对于上基板162的表面具有不同高度的主柱状间隔体124和辅助柱状间隔体123。
结果，即使在TFT阵列基板170中采用有机钝化膜150，也可以在滤色器阵列基板160中形成台阶差。这样，可以使得主柱状间隔体124与TFT阵列基板170接触，而辅助柱状间隔体123设置成浮在TFT阵列基板170上方，它们之间具有指定距离。因此，也可以将具有有机钝化膜150的LCD板制成为具有完全功能性的双间隔体结构，从而可以改善保持单元间隙的可靠性，同时防止因液晶膨胀导致的缺陷。
下面将参照图6A至图6E来说明本发明的LCD板的示例性制造方法。首先，在通过例如溅射(sputtering)的淀积方法在上基板162上形成不透明材料之后，使用掩模通过光刻工艺和蚀刻工艺对该不透明材料进行构图，从而形成黑底164，如图6A所示。以示例为目的，可以使用铬(Cr)，一种不透明树脂，作为黑底164材料。
在形成有黑底164的上基板162上淀积了红色树脂之后，将具有透射部分180a和遮蔽部分180b的掩模180(图5)在上基板162上方对齐。使用掩模180执行光刻工艺，从而形成具有使黑底164露出的第一孔172的红色(R)滤色器。
然后，在形成红色(R)滤色器和第一孔172的上基板162上淀积绿色树脂。通过光刻工艺和蚀刻工艺对该绿色树脂进行构图，从而形成绿色(G)滤色器。同样，在上基板162上在绿色(G)滤色器和红色(R)滤色器之间淀积蓝色树脂之后，通过光刻工艺和蚀刻工艺对该蓝色树脂进行构图，从而形成蓝色(B)滤色器。如图6B所示，形成具有红色(R)滤色器、绿色(G)滤色器和蓝色(B)滤色器以及第一孔172的滤色器166。
在TN型的情况下，如图6C所示，可以在滤色器166上形成公共电极163。在IPS型的情况下，形成保护层163而不是公共电极163。然后，在公共电极163上形成间隔体材料。如图6D所示，使用光刻工艺和蚀刻工艺，形成主柱状间隔体124和部分地插入到第一孔172中的辅助柱状间隔体123。
在另选例中，不脱离本发明的范围地，可以在形成主柱状间隔体124和辅助柱状间隔体123之后形成公共电极/保护层163。因此，如图6E所示，主柱状间隔体124和辅助柱状间隔体123可以直接形成在黑底164和滤色器166上。然而，不脱离本发明的范围地，公共电极/保护层也可以形成在黑底/滤色器与柱状间隔体之间。
在形成主柱状间隔体124和辅助柱状间隔体123之后，将例如聚酰亚胺的配向材料散布在上基板162的整个表面上。对该配向材料执行摩擦工艺，从而形成上配向膜158，如图6E所示。
图7是用于简要地说明形成TFT阵列基板170的过程的流程图。首先，使用掩模通过光刻工艺和蚀刻工艺在下基板142上形成例如栅极108和选通线(未示出)的栅极图案(S2)。在形成栅极图案之后，形成栅绝缘膜144。使用掩模通过光刻工艺和蚀刻工艺，在栅绝缘膜144上形成包括有源层114和欧姆接触层147的半导体图案148、以及形成在半导体图案148上的包括数据线104、源极110和漏极112的源/漏极图案，从而形成TFT 106(S4)。然后，在形成TFT 106之后，在下基板142的整个表面上淀积有机材料，以形成具有使TFT 106的漏极112露出的接触孔117的有机钝化膜150(S6)。在钝化膜150上形成像素电极118，使像素电极118通过接触孔117与漏极112接触(S8)。形成下配向膜152以覆盖像素电极118(S10)。
然后使TFT阵列基板170与滤色器阵列基板160结合。当将TFT阵列基板170与滤色器阵列基板160结合在一起时，主柱状间隔体124开始与TFT阵列基板170接触，而辅助柱状间隔体123并不与其接触。当向基板施加外部压力时，辅助柱状间隔体123开始与TFT阵列基板170接触，从而加强主柱状间隔体124以有助于保持单元间隙。这里，辅助柱状间隔体123和主柱状间隔体124设置在TFT阵列基板170的TFT 106的上方。
图8是根据本发明第二示例性实施例的公用上存储(storage-on-common)方法的LCD板的平面图。图9A和图9B分别是表示沿着线III-III’和IV-IV’截取的图8的LCD板的剖视图。
图8的公用上存储方法的LCD板包括滤色器阵列基板160和TFT阵列基板170，并具有主柱状间隔体124和辅助柱状间隔体123。滤色器阵列基板160具有与本发明第一示例性实施例相似的结构，而TFT阵列基板170包括形成为与用于显示图像的像素区域的中心交叉的存储电容器120。
如图9B所示，存储电容器120包括存储线155；栅绝缘膜144；以及上存储电极154，其由形成在下基板142上的半导体图案和源/漏极图案制成。上存储电极154通过贯穿有机钝化膜150的第二孔174露出，并且与下配向膜152接触。
根据本发明第二示例性实施例的LCD板在辅助柱状间隔体123与TFT阵列基板170之间形成较窄间隙(d3)，从而更有效地防止由于液晶膨胀导致的缺陷并增加保持单元间隙的可靠性。为此，主柱状间隔体124定位成部分插入到第一孔172中，该第一孔通过本发明第一示例性实施例的方法而设置在滤色器阵列基板160上，并且辅助柱状间隔体123布置在与设置在TFT阵列基板170的存储电容器120上方的第二孔174相对应的位置处。
主柱状间隔体124形成在深度(d1)大约为2.0～2.3μm(微米)的第一孔172上。辅助柱状间隔体123形成在深度(d2)大约为2.5～2.8μm的存储电容器120的第二孔174上方。结果，主柱状间隔体124可以与TFT阵列基板170接触，而辅助柱状间隔体123因存储电容器120上方的第二孔174而不与TFT阵列基板接触。因此，在辅助柱状间隔体123与TFT阵列基板170之间的分开间隙(d3)大约为0.3～0.5μm。大约为0.3～0.5μm的间隙(d3)是用于实现主柱状间隔体124和辅助柱状间隔体123的功能的最佳条件。
在根据本发明第二示例性实施例的LCD板中，主柱状间隔体124部分插入到滤色器阵列基板160中，并且辅助柱状间隔体123部分插入到TFT阵列基板170中。这样，可以使插入深度差最佳，以实现主柱状间隔体124和辅助柱状间隔体123的功能。因此，改善了保持单元间隙的功能，并且可以更有效地防止液晶膨胀导致的缺陷问题。
根据本发明第二示例性实施例的LCD板的制造方法，使用与本发明第一示例性实施例相同的方法形成了滤色器阵列基板160。通过不同的过程形成公用上存储方法的TFT阵列基板170。
公用上存储方法的TFT阵列基板170包括有机钝化膜150，该有机钝化膜具有使存储电容器120的上存储电极154露出的第二孔174。另选地，第二孔174可以用横过在存储电容器120上方的TFT阵列基板170形成的凹槽(未示出)替换，以在TFT阵列基板170与辅助间隔体123之间提供间隙距离。
如上所述，根据本发明的LCD板及其制造方法在滤色器阵列基板中形成第一孔，并且将间隔体部分插入到该第一孔中，以在具有有机钝化膜的LCD板中采用双间隔体结构。因此，在插入到第一孔中的间隔体与没有插入到第一孔中的间隔体之间形成台阶差，从而改善了保持单元间隙的可靠性，同时防止因液晶膨胀导致的缺陷。
另外，在公用上存储方法的LCD板中还形成贯穿有机钝化膜的第二孔或凹槽，以将所有的双间隔体插入到该指定第二孔或凹槽中，从而可以获得在TFT阵列基板与辅助柱状间隔体之间最佳的间隔距离。结果，可以进一步改善保持单元间隙的可靠性。
对于本领域技术人员来说，显然可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，对本发明的LCD板进行各种修改和变化。因此，本发明旨在涵盖落入所附权利要求及其等价物范围内的本发明的这些修改和变化。
本申请要求于2005年6月30日提出的韩国专利申请No.P2005-0058005的优先权，通过引用将其合并在本文中。
权利要求
1.一种液晶显示板，包括滤色器阵列基板，其包括滤色器层、第一柱状间隔体和第二柱状间隔体，该第一柱状间隔体部分插入到限定在该滤色器层中的第一孔中；以及薄膜晶体管(TFT)阵列基板，其与该滤色器阵列基板面对并包括保护性钝化膜。
2.根据权利要求1所述的液晶显示板，其中，所述滤色器阵列基板还包括上基板；以及在该上基板上的黑底，其限定单元区域，其中，所述滤色器层形成在由该黑底限定的单元区域中，并且所述第一孔贯穿所述滤色器层以使所述黑底露出。
3.根据权利要求2所述的液晶显示板，其中，所述第一孔贯穿红色滤色器以使黑底露出。
4.根据权利要求3所述的液晶显示板，其中，在所述第二柱状间隔体与黑底之间形成公共电极和保护层中的至少一个。
5.根据权利要求1所述的液晶显示板，其中，所述第二柱状间隔体总是与TFT阵列基板接触，而所述第一柱状间隔体适于在被施加外部压力时与TFT阵列基板接触。
6.根据权利要求1所述的液晶显示板，其中，所述TFT阵列基板还包括下基板；选通线和数据线，它们形成在该下基板上，彼此交叉，在它们之间具有栅绝缘膜；TFT，其形成在选通线和数据线的交叉区域中；在像素区域中的像素电极，其通过贯穿有机钝化膜的接触孔与该TFT相连；以及下配向膜，其形成在像素电极和有机钝化膜上。
7.根据权利要求6所述的液晶显示板，其中，所述TFT阵列基板还包括在像素区域中的存储电容器；以及第二孔，其贯穿有机钝化膜以使该存储电容器露出，其中，所述第二柱状间隔体位于该第二孔中。
8.根据权利要求7所述的液晶显示板，其中，所述第一柱状间隔体总是与TFT阵列基板接触，并且所述第二柱状间隔体适于在施加外部压力时与TFT阵列基板接触。
9.根据权利要求6所述的液晶显示板，其中，所述TFT阵列基板还包括在像素区域中的存储电容器；以及凹槽，其贯穿有机钝化膜以使该存储电容器暴露，其中，所述第二柱状间隔体位于该凹槽中。
10.根据权利要求9所述的液晶显示板，其中，所述第一柱状间隔体总是与TFT阵列基板接触，并且所述第二柱状间隔体适于在被施加外部压力时与TFT阵列基板接触。
11.一种液晶显示板的制造方法，包括形成滤色器阵列基板，该滤色器阵列基板包括滤色器层、第一柱状间隔体和第二柱状间隔体，该第一柱状间隔体部分插入到限定在该滤色器层中的第一孔中；形成薄膜晶体管(TFT)阵列基板，其包括保护性有机钝化膜；以及将该滤色器阵列基板与TFT阵列基板附着在一起。
12.根据权利要求11所述的制造方法，其中，所述形成滤色器阵列基板的步骤包括在上基板上形成限定单元区域的黑底；以及在由所述黑底限定的单元区域中形成所述滤色器层，其中，所述第一孔与滤色器同时形成，以使该黑底露出。
13.根据权利要求12所述的制造方法，包括在所述第一柱状间隔体与黑底之间形成公共电极和保护层中的至少一个。
14.根据权利要求11所述的制造方法，其中，所述第二柱状间隔体总是与TFT阵列基板接触，而所述第一柱状间隔体适于在被施加外部压力时与TFT阵列基板接触。
15.根据权利要求11所述的制造方法，其中，所述形成TFT阵列基板的步骤包括在下基板上形成包括栅极和选通线的栅极图案；形成栅绝缘膜以覆盖该栅极图案；在该栅绝缘膜上形成数据线以与所述选通线交叉；在选通线和数据线的交叉区域中形成TFT；在像素区域中形成像素电极，其通过贯穿有机钝化膜的接触孔与该TFT相连；以及在像素电极和有机钝化膜上形成下配向膜。
16.根据权利要求15所述的制造方法，其中，所述形成TFT阵列基板的步骤包括在像素区域中形成存储电容器；以及形成第二孔，其贯穿有机钝化膜以露出该存储电容器，其中，所述第二柱状间隔体位于该第二孔中。
17.根据权利要求16所述的制造方法，其中，所述第一柱状间隔体总是与TFT阵列基板接触，并且所述第二柱状间隔体适于在被施加外部压力时与TFT阵列基板接触。
18.根据权利要求15所述的制造方法，其中，所述TFT阵列基板还包括在像素区域中形成存储电容器；以及形成凹槽，其贯穿有机钝化膜以使该存储电容器露出，其中，所述第二柱状间隔体位于该凹槽中。
19.根据权利要求18所述的制造方法，其中，所述第一柱状间隔体总是与TFT阵列基板接触，并且所述第二柱状间隔体适于在被施加外部压力时与TFT阵列基板接触。
全文摘要
液晶显示板及其制造方法。液晶显示板包括滤色器阵列基板，其具有第一柱状间隔体和第二柱状间隔体，该第一柱状间隔体部分插入到第一孔中；以及薄膜晶体管(TFT)阵列基板，其与该滤色器阵列基板面对并具有保护钝化膜。
文档编号H01L29/786GK1892346SQ200510135070
公开日2007年1月10日 申请日期2005年12月23日 优先权日2005年6月30日
发明者金炳勳, 李荣勳, 金在旭 申请人:Lg.菲利浦Lcd株式会社