半导体激光器装置及其制造方法

专利名称：：半导体激光器装置及其制造方法
技术领域：
：本发明涉及半导体激光器装置及其制造方法。
背景技术：
：为了扩大光盘的记录容量，而要求将数据的读出/写入所必要的激光的波长缩短。在当前正普及着的DVD播放器和录像机中，广泛使用波长660nm带的红色半导体激光器，该红色半导体激光器，通过使例如InGaAlP系化合物半导体在GaAs基板上外延生长来制造。近年来，为了进一步扩大DVD记录容量，正在努力开发下一代的光盘。作为这种下一代光盘用的光源，要求稳定地发射比红色光波长更短的蓝紫色激光(波长400nm带)。波长400nm带的GaN系半导体激光器，作为Blu-rayDisk(蓝光光盘)(商标)等的下一代光盘的记录再生用光源而最被期待。在专利文献1中，公开了适于作为光盘装置中的短波长光源使用的半导体激光器装置。专利文献1特开2003-59087号公报。为了将能够长时间稳定地发射波长比红色光更短的激光的半导体激光器装置实用化，必须解决几个问题。特别是，为了进一步提高半导体激光器的可靠性，迫切需要实现实用上充分长的寿命。然而，本发明人认识到，若将发射蓝紫色激光的半导体激光器芯片在由封盖气密密封的状态下动作，则元件寿命会因主体(stem)和封盖的种类而显著缩短。本发明正是为解决上述课题而提出的，其提供一种能够实现长寿命化，并能够稳定地发射短波长激光的半导体激光器装置以及其制造方法。
发明内容本发明的半导体激光器装置，其中，具备半导体激光器芯片，其发射激光；主体，其支撑所述半导体激光器芯片；多个端子电极，其被插入到设于所述主体的贯通孔，用于对所述半导体激光器芯片进行供电；封盖，其具有透射所述激光的光学窗，并且以覆盖所述半导体激光器芯片的方式固接于所述主体；以及，绝缘玻璃，其被设于所述主体和所述端子电极之间，当所述绝缘玻璃被加热到700℃以上850℃以下的温度时放出的氟化硅气体的总量，为1.0μg以下。在优选的实施方式中，在由所述主体和封盖所围成的空间的内部，密封与所述半导体激光器芯片接触的环境气体，所述绝缘玻璃中，与所述环境气体接触的表面中的氟化硅的浓度，比所述绝缘玻璃内部的氟化硅的浓度低。在优选的实施方式中，所述绝缘玻璃，不含有氟化硅。在优选的实施方式中，所述封盖的内周缘端和所述绝缘玻璃的外周面的间隔，为50μm以下。在优选的实施方式中，所述激光的波长，是500nm以下。在优选的实施方式中，所述绝缘玻璃中、与所述环境气体接触的表面的氟化硅的浓度，是所述绝缘玻璃内部的氟化硅的浓度的十分之一以下。在优选的实施方式中，所述环境气体，是氮气和/或惰性气体。在优选的实施方式中，所述环境气体含有氧气。本发明的光盘装置，具备如上所述的半导体激光器装置；以及，光学系统，其将从所述半导体激光器装置发射的激光汇聚于光盘上。在优选的实施方式中，在受到所述激光照射的区域中，不具有由含有会因所述激光而产生光化学反应的物质的材料形成的构件。本发明的制造方法，用于制造半导体激光器装置，该半导体激光器装置，具备半导体激光器芯片，其发射激光；主体，其支撑所述半导体激光器芯片；多个端子电极，其被插入到设于所述主体的贯通孔，用于对所述半导体激光器芯片进行供电；以及，封盖，其具有透射所述激光的光学窗，并且以覆盖所述半导体激光器芯片的方式固接于所述主体，所述制造方法包括工序(A)，采用当被加热到700℃以上850℃以下的温度时不会放出氟化硅气体的绝缘玻璃，将所述端子电极与所述主体绝缘；以及工序(B)，将所述封盖固接于所述主体。在优选的实施方式中，在所述工序(A)和所述工序(B)之间，实施用己烷对所述主体和封盖的表面进行清洗的工序。在优选的实施方式中，在所述工序(A)和所述工序(B)之间，实施用波长500nm以下的光对所述主体和封盖的表面进行照射的工序。通过本发明，能够实现使发射波长500nm以下的激光的半导体激光器装置延长寿命的效果。图1是概略地表示本发明的实施方式中的半导体激光器装置的结构的局部分解立体图。图2是表示实施方式1中的半导体激光器装置的主要部分的剖面图。图3是表示通过紫外线照射进行的清洗处理的图。图4是示意性地表示从粘结层10放出Si，并形成低Si浓度区域的状态的部分剖面。图5是表示实施方式2中的半导体激光器装置的主要部分的剖面图。图6(a)是剖面SEM(扫描电子显微镜照片)，(b)是示意性地表现(a)的剖面SEM的像的图。图7(a)和(b)，分别是表示I切割型封装和半切割型封装的基底上面的俯视图。图8(a)，是表示为了降低熔点而添加SiFx的低熔点绝缘玻璃的加热温度、与从该绝缘玻璃释放出的Si含有物质(SiOH、SiFx)的检测强度的关系的曲线图；(b)是表示不含有SiFx的高熔点绝缘玻璃的加热温度、与从该高熔点绝缘玻璃释放出的Si含有物质(SiOH、SiFx)的检测强度的关系的曲线图。图中1-激光器芯片，2-辅助支架，3-散热器(主体)，4-基底(主体)，5-封盖，6-光学窗，7-端子电极，8-绝缘玻璃，10-低熔点玻璃的粘结层，10a-低Si浓度区域，10b-低Si浓度区域，20-防护膜，50-UV光源。具体实施例方式在详细地观察半导体激光器芯片(以下，称“激光器芯片”)中的劣化的光出射端面时得知，半导体激光器装置的劣化的原因在于，如图6(a)和(b)所示的那样，在光出射端面的发光区域上附着有“异物”。因半导体激光器装置的不同，有时在不产生这种劣化，一开始，并不清楚在激光器芯片的光出射端面上形成附着物的理由。在分析附着于光出射端面的异物时得知，在附着物中含有较多的Si(硅)，且附着物中的Si，来自用于对包覆激光器芯片的封装进行组装的Si含有构件中(特别是含有Si的低熔点玻璃)。这种Si含有构件，虽然也被用于发射红色光的半导体激光器装置，但是那种情况下，观察不到在在激光器芯片的光输出端面上附着有较多地含有Si的异物的情况。为此得知，在接受波长比500nm更长的激光的照射的情况下，Si含有构件并不会引起所述劣化现象。与此相对，一般认为，在像蓝色激光那样波长较短(500nm以下，典型的是420nm以下)的激光的情况下，会引起所述劣化现象。也就是说，Si含有构件在接受波长500nm以下的短波长激光后引起光化学反应，结果是，将成为附着物的起因的物质(主要是Si)供给到环境气体中。此外，一般认为，这种短波长激光，还会加剧异物在光输出端面的发光区域上的附着。虽然尚未弄清楚由短波长激光引起光化学反应的详细机理，但是可以确认，通过将Si含有构件从被照射激光的部位排除，能够解决由含有Si的异物引起的端面劣化问题。此外，本发明人发现，除了通过将Si含有构件从被照射波长为500nm以下的激光的区域排除来解决上述端面劣化的问题的方法以外，采用以下所示的解决手段，也能够解决上述端面劣化的问题。(1)在密封前的阶段，对Si含有构件照射具有激光波长以下的波长的光(例如紫外线)，从而使Si或含有Si的物质从Si含有构件的一部分中放出，使Si含有构件的表面中的Si浓度降低。藉此，由于Si含有构件中与封装内的气体接触的表面中的所述物质的浓度相比于Si含有构件的内部的Si浓度降低，因此在密封后，即使照射激光，也能抑制在封装内放出Si或Si含有物质。(2)用不会因激光的照射而产生光化学反应的稳定的材料所构成的膜，包覆Si含有材料的表面。虽然该膜，例如可以通过与用于包覆激光器芯片的端面的涂层膜相同的材料来构成，但是也可以是对激光进行吸收·反射的膜。通过用对激光进行吸收或反射的膜覆盖Si含有构件，能够得到如下效果抑制由激光引发的光化学反应，同时将Si含有构件与环境气体隔离，并将引起异物的物质封闭于Si含有构件内。(实施方式1)以下说明本发明的半导体激光器装置的实施方式。图1是示意性地表示本实施方式的半导体激光器装置的结构的局部分解立体图。所图示的半导体激光器装置，是备有以下部分的can-型激光器，这些部分包括发射波长405nm的蓝紫色激光的激光器芯片1；安装激光器芯片1的辅助支架2；固定辅助支架2的散热器3；包覆激光器芯片1的封盖5；以及，支撑散热器3和封盖5的基底(base)4。散热器3和基底4整体构成“主体(stem)”。激光器芯片1，是具有例如宽度350μm×长度(谐振器长)700μm×厚度100μm的矩形形状的激光器二极管元件，具有在GaN、SiC、或蓝宝石等的基板上外延生长的氮化物半导体的层叠构造。构成层叠构造的氮化物半导体的组成和层的厚度，可以采用公知的结构。本实施方式的激光器芯片1，为了得到405nm的振荡波长而备有活性层，该活性层具有交替层叠厚度3nm的In0.1Ga0.9N量子阱层和厚度9nm的In0.02Ga0.98N势垒层得到的量子阱构造。辅助支架2，是由热传导性高的材料(例如SiC和AlN)形成的块体状构件，具有将激光器芯片1所产生的热迅速导散至散热器3和基底4的功能。封盖5，由软钢等金属材料形成，具有近似圆筒状的形状，在设于上端面的开口部中，安装有使从激光器芯片1发射的激光透过的光学窗(封盖玻璃)6。通过高电场施压等，将封盖5固接(熔接)在基底4的上面。基底4，最好由铜和铁等金属材料构成，并固定有多个端子电极(导出管脚leadpin)7。端子电极7，通过接合线等与激光器芯片1的电极(未图示)电连接。通过端子电极7，从外部的驱动电路向激光器芯片1供给电流，并在激光器芯片1内引起激光振荡。另外，为了将端子电极7与基底4电绝缘，而在端子电极7和基底4之间设置绝缘玻璃8。图2是表示本实施方式的半导体激光器装置的主要部分的剖面图。如图2所示，透射激光的光学窗6，由具有厚度约0.25mm、直径约3.1mm的尺寸的圆盘状玻璃板构成，并借助低熔点玻璃层(以下，称“粘结层”)10，粘结于封盖5的内壁面。因为由封盖5、基底4和光学窗6所围成的空间，在与大气隔离的状态下收置激光器芯片1，因此可以说封盖5、基底4和光学窗6，构成了用于激光器芯片1的一个“封装”。在该封装的内部空间，封入氮等非活性气体。在本实施方式中，将光学窗6粘结于封盖5的低熔点玻璃的粘结层10，由含有接受激光后会产生光化学反应的物质(Si或Si含有物质)的材料构成。例如为了封装上的便利，使用被加工为料片(tablet)状的低熔点粉末玻璃，来形成这种低熔点玻璃的粘结层10。在将粉末玻璃与结合树脂混合之后，通过烧结形成粉末玻璃的料片。虽然结合树脂通过烧结前的加热工序(脱粘结剂工序)被除去，但是树脂的一部分残存于粘结层10中。在本实施方式中，为了将低熔点玻璃的粘结层10中、至少与环境气体接触的表面中的Si含有物质的浓度降低，如图3所示，使用UV光源50来照射紫外线(UV)。该紫外线的波长，约为200nm～350nm的范围，波长与激光器芯片1所发射的光大约相同或比其短。紫外线的照射时间，被设定为例如10～60分钟的范围。通过用这种短波长光照射低熔点玻璃的粘结层10，Si或Si含有物质被从粘结层10气化后放出。在进行紫外线照射时，由于封盖3处于尚未安装于基底4的状态，因此从粘结层10放出的物质被释放到大气中。通过充分地进行对粘结层10的紫外线照射，能够如图4所示那样，在粘结层10中形成Si浓度比其他部分相对较低的区域10a、10b。以下，将该区域10a、10b称为“低Si浓度区域”。低Si浓度区域10a、10b，优选为粘结层10的内部的Si浓度的十分之一以下。图4中的黑粗箭头，示意性表示Si(或Si化合物等Si含有物)因紫外线照射从粘结层10脱离的样子。若使用实施过这种紫外线照射处理后的封盖3来组装图2所示的半导体激光器装置，则即使在半导体激光器装置的动作中从激光器芯片1发射出的激光或其散射光(杂光)对粘结层10进行照射，也几乎不产生Si附着于激光器芯片1的光输出端面而使激光器特性劣化的问题。结果，即使在将含有Si的低熔点玻璃作为粘结层10使用的情况下，也能够实现半导体激光器装置的长寿命化。另外，粘结层10中的Si浓度的分布，并不需要在低Si浓度区域10a、10b与其他区域(Si浓度相对较高的区域)的边界急剧地变化。重要的一点是，只要在形成由封盖3封闭的空间后，即使接受来自激光器芯片1的激光的照射，Si也几乎不会被从粘结层10供给到上述空间即可。在本实施方式中，虽然用紫外线那样波长较短的光照射粘结层10，但是从含有Si等具有光化学反应性的物质的构件中，尽可能去除该种物质的手段，并不限于光照射。例如，有时替代光照射或与光照射同时，进行加热处理也很有效。如图3所示的那样，可将一端开放的状态中的封盖3加热到例如100～600℃，并保持大约10～60分钟左右。通过这种加热处理，使具有光化学反应性的物质从粘结层10气化(逸散)，能够将与图4所示的构造相同的构造附着于粘结层10。作为粘结层10的材料，也可以使用Si含有物质容易因加热处理而逸散的材料(硝化纤维等低分子材料或含氧物质)，来代替低熔点玻璃。(实施方式2)以下，参照图5，说明本发明的半导体激光器装置的第二实施方式。本实施方式的半导体激光器装置和实施方式1的半导体激光器装置，除了以下所说明的不同点以外具有共通的结构。为此，这里仅详细地说明不同点。在本实施方式的半导体激光器装置中，为了隔离被封入到由封盖5所形成的空间中的气体(氮气)与粘结层10的接触，用防护膜20覆盖本来在封盖5的内部暴露的粘结层10的表面。本实施方式中的防护膜20的作用是，在受到激光照射的粘结层10中产生Si或Si含有物质的气化·脱离现象的情况下，这种Si或Si含有物质不会泄漏到氮气中。为此，防护膜20，优选由发挥气密效果的致密材料形成。例如，氧化铌(Nb2O5)等材料适于作为防护膜20的材料来使用。防护膜20的厚度，从约10～100nm左右的范围中适当选择。若防护膜20的厚度比10nm小，则由于不能够得到充分的隔离效果(气密性)，因此不优选。另外，若防护膜20的厚度超过100nm而过厚，则将来会因热膨胀系数差等在防护膜20中产生裂纹，防护膜20可能会被局部地剥离。防护膜20，可以通过剥离(liftoff)法等形成，但可在堆积防护膜20之前，进行实施方式1所说明的UV照射和加热处理。在激光器芯片1的光出射端面上，为了调整反射率而堆积各种反射涂层膜和保护膜。这些膜，作为即使受到激光也不易反应的稳定的材料，由可靠性高的材料构成。为此，优选通过与可用于激光器芯片1的光出射端面的膜相同的膜，形成防护膜20。另外，虽然防护膜20，是透射从激光器芯片1发射出的激光的膜，但是若由对该激光吸收或反射的材料形成，则能够降低到达粘结层10的激光的量，因此还能够得到抑制光化学反应的效果。作为有效地吸收本实施方式中所使用的激光的材料，优选使用例如金(Au)等金属。在防护膜20由对激光进行反射的材料形成的情况下，会产生对激光器芯片1的返回光而有可能产生噪声。为此，在由具有反射性的材料形成防护膜20的情况下，优选以反射光不易返回到激光器芯片1的方式，设计防护膜的形状和尺寸。防护膜20，可以具有层叠构造和复合构造。例如，可以通过层叠反射激光的金属层和吸收激光的树脂层，来形成具有层叠构造的防护膜20。另外，也可以通过将例如微小的金属微粒分散于绝缘膜中，来形成具有复合构造的防护膜20。另外，防护膜20的表面没有必要是平滑的，也可以形成微细的凹凸来表现出光散射性。在像这样防护膜20由吸收或反射激光的材料形成的情况下，如图5所示的那样，在应该使激光透过的区域中，不应该设置防护膜20。但是，在由对激光而言为透明的材料形成防护膜20的情况下，也可以由防护膜20覆盖整个光学窗4。以上，就利用含有Si的低熔点玻璃的粘结层10将光学窗6粘结于封盖5的实施方式，说明了本发明，但本发明不限于这种情况。含有Si的低熔点玻璃的粘结层10，可以用于粘结封装内部中光学窗6以外的构件。(实施方式3)以下，说明本发明的半导体激光器装置的再另一实施方式。如参照图3对首个实施方式说明的那样，对封盖5照射紫外线，并降低封盖5的粘结层10中的Si含有物质的浓度，在延长半导体激光器装置的寿命上十分有效。然而，本发明者进一步研究的结果发现，在将封装小型化时(即减小基底4的上表面尺寸时)，仅对封盖5进行紫外线照射，有时并不能够充分抑制激光器芯片的光出射端面上的异物的附着。以下，对像这样进行封装的小型化时产生的问题及其解决方法进行说明。首先，参照图1。如图1所示，在基底4上，固定有多个端子电极(导出管脚)7。这些端子电极7中的两个端子电极7，被插入到设于基底4的贯通孔中，并借助低熔点的绝缘玻璃(防护玻璃)8固接于基底4上。封盖5，通过高电场施压被熔接于基底4上。在高电场施压装置中，由热传导性高的铜(Cu)形成熔接部附近的构件，另外进行冰冷等，以抑制在熔接时有大量的热流入到基底4。然而，封盖5的周端部中的熔接构件，由熔点达到大约1000℃左右的科瓦铁镍钴合金(kovar)材料形成，因此不能避免熔接部的高温化。其结果，若将基底4小型化，则由于将封盖5熔接于基底4时的加热，端子电极7的周围的绝缘玻璃8的温度有可能会局部地急剧上升。但是，在实施方式1中，由于使用φ5.6mm的基底4，因此封盖5的周缘端和绝缘玻璃8的外周面的距离约为100～150μm左右。一般认为，在这种情况下，即使将封盖5熔接于基底4，端子电极7的周围的绝缘玻璃8的温度也不会超过700℃。但是，在基底4的外径是例如大约φ3mm的情况下，绝缘玻璃8与封盖5的周缘端的距离缩短至约50μm或其以下。此时，绝缘玻璃8的温度有可能超过大约700℃左右大幅上升，由此可以推测含于绝缘玻璃的Si含有物质会显著地释放出来。图7(a)和(b)，分别是表示小型封装的I切割(I-cut)型封装和半切割(half-cut)型封装的基底上面的俯视图。这些基底4中，端子电极7和封盖5(虚线部)的内周缘端的距离较短，端子电极7的周围的绝缘玻璃8，易因将封盖5熔接于基底4时的热，被局部地高温化。在该种类型的封装中，在将封盖5熔接于基底4时，无论尺寸如何，位于端子电极7附近的绝缘玻璃8易被加热，因而易于释放出Si含有物质。图8(a)是表示含有为了使熔点降低而添加有氟化硅(SiFx、x≥1)的、含有低熔点绝缘玻璃的φ5.6mm中的主体的加热温度，与从该主体放出的Si含有物质(SiOH、SiFx)的检测强度之间的关系。横轴是加热温度，纵轴是玻璃检测强度。将放入主体的容器排气至真空状态后，以50℃/分的升温速度将容器内的主体从室温加热到1000℃，并用质量分析装置检测出从该主体逸出的气体(脱出气体)。在图8(a)和图8(b)中，作为硅氧烷的代表例，例示了质量数为45的SiOH，作为氟化硅的代表例示出了质量数47的SiF。得知，在加热温度为700℃以下时，从主体释放出SiOH(硅氧烷的一种)，但是没有放出SiFx(x≥1，试验中为x＝1.3)。另一方面，若加热温度超过700℃后继续上升，则从主体(绝缘玻璃)的SiFx的放出活跃化，并占据主导。另外，所谓“硅氧烷”，是以D2SiO为基本结构单位的、以硅和氧为主要成分的有机或无机化合物群。这里，D是烷基(通常为甲基)。图8(b)是表示含有不含SiFx的(高熔点)绝缘玻璃的主体的加热温度，与从该主体释放出的Si含有物质(SiOH、SiFx)的检测强度的关系的曲线图。如图8(b)所示的那样，不论加热温度如何，SiFx的释放均被大幅度地降低。根据以上说明可知，在端子电极7的周围的绝缘玻璃8含有SiFx的情况下，若端子电极7的附近不被加热到超过700℃的温度，则能够抑制SiFx的放出。因此，在封装较为大型的情况下，从端子电极7周围的绝缘玻璃放出的SiFx，并不那么重要。另外，在使用不含有SiFx的绝缘玻璃作为这种绝缘玻璃的情况下，只要将加热温度抑制为800℃以下，就能够将Si含有物质(硅氧烷等)的释放抑制得相对较低。根据以上可知，在基底4的外径为φ5mm以下的情况下，或者在采用I-切割(I-cut)型封装和半切割(half-cut)型封装的情况下，由于用于端子电极7的周围的绝缘玻璃8易于放出SiFx，由此产生了半导体激光器装置的寿命变短的问题。为了解决这种问题，在本实施方式中，采取以下说明的各种对策。首先，在本实施方式中，借助通常的低熔点绝缘玻璃8将端子电极7固接于基底4后，进行旨在降低该绝缘玻璃8中所包含的SiFx的浓度的特别处理。具体来说，对基底4(存在于端子电极7的附近的绝缘玻璃8部分)，进行己烷清洗和UV照射。根据本发明者的试验，可知己烷清洗对于除去SiFx极为有效。通过对基底4进行清洗，能够将绝缘玻璃因封盖熔接时的加热而放出SiFx的量抑制到十分之一以下。另外，此时绝缘玻璃中与环境气体接触的表面中的氟化硅的浓度，为内部的浓度的十分之一以下。这种己烷清洗，对于附着于包含基底4的主体的表面的硅氧烷的去除也是有效的。因此，优选己烷清洗，还对封盖5等与UV照射一起进行。按照本实施方式，由于在将封盖5熔接于基底4前，将存在于基底4上的SiFx的浓度降低，因此在将封盖5熔接于基底4时，即使端子电极7的附近变成超过700℃的高温(例如900℃)，从绝缘玻璃等释放的SiFx的量也被大幅度降低，因此能够抑制封装内的激光器芯片的光出射端面的劣化。结果，即使在将封盖5熔接于基底4的表面的位置，与绝缘玻璃8的外周面的间隔为50μm以下的情况下，也能够有效地将半导体激光器装置的寿命延长至实用的水平。具体来说，优选加热到750℃以上、850℃以下的温度时的SiFx的释放总量，为1.0μg以下，进一步优选为0.1μg以下。另外，在本实施方式中，虽然使用了含有SiFx的绝缘玻璃，但终究还是优选使用不含SiFx的绝缘玻璃将端子电极7固接于基底4。不含SiFx的绝缘玻璃的熔点，与含有SiFx的绝缘玻璃的熔点相比更高，而为了防止激光器芯片的光出射端面的劣化，优选使用实质上不含SiFx的绝缘玻璃。另外，即使在这种情况下，也对包括基底4在内的主体全体进行己烷清洗和UV照射。这是因为，在主体表面因绝缘玻璃以外的途径存在Si含有物质的情况下，例如存在主体表面的镀层(Ni镀层或Au镀层)中或主体搬运时的来自外部的污染，将这种Si含有物质尽可能从主体表面除去，有助于延长半导体激光器装置的寿命。虽然在实施方式1～3中的封装内封入气体是氮气，但是也可以将混入氧的气体(例如空气)作为封入气体来使用。其原因是混入了氧后，抑制往激光出射端面的异物附着的效果较为明显。这是由于，由于氧在激光波长(500nm以下)处于活性，因此在因光化学反应分解后的Si附着于激光器端面之前发生反应，并发挥除气(gettering)效果。由于只要是对激光(波长500nm以下)呈现活性的气体，即通过波长500nm以下的激光产生光化学反应而分解的气体(氟、氯等)，也能够发挥同样的除气效果，因此可以将这些气体与氧一起、或者替代氧来添加。根据以上说明可知，随着激光的波长变得比500nm更短，对以往完全没有问题的各种材料，需要进行重新考虑。例如，由于含有Si的低熔点玻璃等材料，也被用于光盘装置所包含的光学系统(透镜等光学系统部件)中，因此若在从半导体激光器装置出射的激光的光路中、或虽然位于光路之外却被散射光(杂光)照射的区域存中，存在Si含有物质，则可能会因激光照射而释放出Si，并附着于透镜等光学系统构件的表面。因此，优选的是，对由含有会因受到激光而产生光化学反应的物质的材料形成的构件，用由不会产生光化学反应的稳定材料形成的膜进行覆盖，并进行改性(特别是表面改性)以防止发生光化学反应，并将其配置于被激光照射区域以外。以上，虽然只说明了因受到激光而产生光化学反应的物质是Si的情况，但是本发明不限于这种情况，对于像例如碳氢化合物(C)那样，因受到激光而释放其他物质，并附着于激光器芯片的光出射端面的情况也是有效的。本发明的半导体激光器装置，能够作为需要波长500nm以下的短波长激光的各种电子机器(光盘装置等)的光源来使用，并能够提高机器的可靠性。权利要求1.一种半导体激光器装置，其中，具备半导体激光器芯片，其发射激光；主体，其支撑所述半导体激光器芯片；多个端子电极，其被插入到设于所述主体的贯通孔，用于对所述半导体激光器芯片进行供电；封盖，其具有透射所述激光的光学窗，并且以覆盖所述半导体激光器芯片的方式固接于所述主体；以及绝缘玻璃，其被设于所述主体和所述端子电极之间，当所述绝缘玻璃被加热到700℃以上850℃以下的温度时放出的氟化硅气体的总量，为1.0μg以下。2.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，在由所述主体和封盖所围成的空间的内部，密封与所述半导体激光器芯片接触的环境气体，所述绝缘玻璃中，与所述环境气体接触的表面中的氟化硅的浓度，比所述绝缘玻璃内部的氟化硅的浓度低。3.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，所述绝缘玻璃，不含有氟化硅。4.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，所述封盖的内周缘端和所述绝缘玻璃的外周面的间隔，为50μm以下。5.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，所述激光的波长，是500nm以下。6.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，所述绝缘玻璃中，与所述环境气体接触的表面的氟化硅的浓度，是所述绝缘玻璃内部的氟化硅的浓度的十分之一以下。7.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，所述环境气体，是氮气和/或惰性气体。8.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，所述环境气体含有氧气。9.一种光盘装置，具备如权利要求1所述的半导体激光器装置；以及光学系统，其将从所述半导体激光器装置发射的激光汇聚于光盘上。10.根据权利要求9所述的光盘装置，其特征在于，在受到所述激光照射的区域中，不具有由含有会因所述激光而产生光化学反应的物质的材料形成的构件。11.一种制造方法，用于制造半导体激光器装置，该半导体激光器装置具备半导体激光器芯片，其发射激光；主体，其支撑所述半导体激光器芯片；多个端子电极，其被插入到设于所述主体的贯通孔，用于对所述半导体激光器芯片进行供电；以及封盖，其具有透射所述激光的光学窗，并且以覆盖所述半导体激光器芯片的方式固接于所述主体，所述制造方法包括工序(A)，采用当被加热到700℃以上850℃以下的温度时不会放出氟化硅气体的绝缘玻璃，将所述端子电极与所述主体绝缘；以及工序(B)，将所述封盖固接于所述主体。12.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，在所述工序(A)和所述工序(B)之间，实施用己烷对所述主体和封盖的表面进行清洗的工序。13.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，在所述工序(A)和所述工序(B)之间，实施用波长500nm以下的光对所述主体和封盖的表面进行照射的工序。全文摘要本发明公开一种半导体激光器装置，具备半导体激光器芯片(1)，其发射激光；主体(3、4)，其支撑半导体激光器芯片(1)；多个端子电极(7)，其被插入到设于主体(3、4)的贯通孔，用于对半导体激光器芯片进行供电；以及封盖(5)，其具有透射激光的光学窗(6)，并且以覆盖半导体激光器芯片(1的方式固接于主体(3、4)。该装置中，在主体(3、4)和端子电极(7)之间具备绝缘玻璃(8)，当被加热到700℃以上850℃以下的温度时不会放出氟化硅气体。文档编号H01S5/024GK1906819SQ200580001659公开日2007年1月31日申请日期2005年6月2日优先权日2004年6月2日发明者长谷川义晃,模川俊哉,矢岛浩义申请人:松下电器产业株式会社