专利名称：发光显示器及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种发光显示器及其制造方法，更具体地讲，涉及一种能够防止外来物如水、氧气等通过发光显示器的第一绝缘层流入发光二极管的发光显示器，及其制造方法。
背景技术：
和阴极射线管(CRT)一样，传统发光显示器的响应速度快于无源发光二极管如需要独立光源的液晶显示器(LCD)。
相对于其它平板显示器，平板显示器(FPD)中的发光显示器由于它的工作温度范围更大、抗冲击或振动的稳定性更好、视角更宽和响应速度更快，所以它可以提供栩栩如生的运动画面。根据材料和结构，发光显示器分为具有无机发光层的无机发光显示器和具有有机发光层的有机发光显示器。有机发光显示器通过使半导体中的电子和空穴发生电子-空穴复合来产生光。载流子被激发到更高的能级，激发后降为基态。
以下，将参照附图来详细描述传统的发光显示器。
图1是示意性示出传统发光显示器的平面图，图2是沿图1中的线II-II’截取的侧面剖视图。如图1所示，传统的发光显示器100包括基底110；图像显示部分111，具有有机发光二极管(OLED)(未示出)；焊盘部分112，具有在基底110一侧面形成的多个焊盘；电源线115，沿着基底110的边框形成，除了形成有焊盘部分112的区域；扫描驱动器113；和数据驱动器114。
更具体地讲，参照图2，传统的发光显示器100包括顺序形成在基底110上的缓冲层120、半导体层130、131和132、栅极绝缘层125、中间绝缘层135、源极141、漏极142、第一绝缘层145、OLED 150和透射面板155。
首先，包括氧化膜的缓冲层120形成在基底110上，半导体层130、131、132通过形成多晶硅层并将多晶硅层图案化形成在缓冲层120上。栅极绝缘层125形成在包括半导体层130、131、132的缓冲层120上，栅极金属层沉积在栅极绝缘层125上，通过将沉积的栅极金属层图案化来形成栅极140。
中间绝缘层135形成在栅极140上，通过沉积源极/漏极金属层并使源极/漏极金属层图案化来形成源极1 41和漏极142。通常，数据线(未示出)和电源线115与源极141和漏极142同时形成。在其上形成有源极141、漏极142和电源线115的中间绝缘层135上，为了去除由于图案化如源极、漏极和电源线的图案化而形成的图案弯曲，形成第一绝缘层145，在第一绝缘层145上形成通常具有红(R)、绿(G)和蓝(B)颜色的OLED 150。
此外，在其上形成有OLED 150的第一绝缘层145的上方，提供了用于覆盖OLED 150的透射面板155，以防止上面的区域被暴露。在透射面板155的下表面上，即，在面向OLED 150的上面的区域的表面上，形成了透射吸湿剂156。透射面板155和第一绝缘层145通过沿着它们的外围涂覆在表面上的密封剂160使它们相互结合。
然而，在传统的发光显示器中，为了去除由于每层的图案弯曲导致的台阶状部分而形成的第一绝缘层通常由硅或苯并环丁烯(BCB)、丙烯酸、聚酰亚胺等制成，由于这些材料的特性导致它们的附着性相对弱，所以当将密封剂涂覆在第一绝缘层的表面或透射面板的表面上并将第一绝缘层与透射面板结合时，会劣化第一绝缘层和透射面板之间的附着性。因此，在高温或高湿度的条件下，潮气或氧气可从外部渗透到发光显示器中。
此外，在传统显示器中，当潮气渗透到发光显示器中时，渗透的潮气可沿着第一绝缘层直接接触OLED，从而劣化OLED的发光效率并缩短了OLED的使用寿命。
发明内容
因此，发光显示器可包括用于阻挡外来物从外部流入第一绝缘层的阻挡部分，使得含有潮气的外来物不能与有机发光二极管(OLED)直接接触。下面还描述一种制造这种显示器的方法发光显示器还可以包括在第一绝缘层上形成的无机绝缘层，用于提高第一绝缘层和在OLED上方形成的透射面板之间的附着性，形成第一绝缘层是为了减少图案的台阶状部分。下面还描述一种制造这种显示器的方法。
本发明的前述和/或其他方面通过提供一种发光显示器来实现，该发光显示器包括形成在基底上的薄膜晶体管、沉积在薄膜晶体管上的第一绝缘层、在第一绝缘层上用于形成图像显示部分的至少一个OLED。阻挡部分邻近于图像显示部分的至少一个侧面形成以防止外来物流入OLED。
在一个实施例中，发光显示器还包括在形成像素电极前在第一绝缘层上形成的无机绝缘层。阻挡部分可为穿过第一绝缘层的狭缝形通孔，该通孔可形成在第一绝缘层和无机绝缘层中，并具有至少2μm的宽度。在一个实施例中，无机绝缘层从SiNx和SiOx中选择。
阻挡部分的高度可等于第一绝缘层的厚度或者大于或小于第一绝缘层的厚度。
在另一实施例中，发光显示器包括形成在基底上的薄膜晶体管、薄膜晶体管上方的第一绝缘层、形成在第一绝缘层上的无机绝缘层、在无机绝缘层上用于形成图像显示部分的至少一个OLED。沿由OLED形成的图像显示部分的外围在第一绝缘层中形成至少一个阻挡部分，以基本防止外来物流入OLED。
制造发光显示器的方法的又一实施例包括制备基底；在基底上形成包括源极和漏极的薄膜晶体管；在薄膜晶体管上形成第一绝缘层；在第一绝缘层中形成接触孔；在包括由薄膜晶体管驱动的至少一个OLED的图像显示部分的至少一侧中形成至少一个阻挡部分；形成在第一绝缘层上形成并通过接触孔电连接到源极或漏极的像素电极。
在一个实施例中，该方法还包括在形成像素电极前在第一绝缘层上形成无机绝缘层。阻挡部分可与形成接触孔同时形成。阻挡部分可与形成接触孔分开形成。
下面通过结合附图详细地描述本发明的实施例的示例，本发明的这些和/或其它方面和特征将会变得清楚并且更易于理解，其中图1是示意性示出传统发光显示器的平面图；图2是沿图1中的线II-II’截取的侧面剖视图；图3是示出根据本发明实施例的发光显示器的平面图；
图4是沿图3中的线IV-IV’截取的侧面剖视图；图5是示出根据本发明另一实施例的发光显示器的侧面剖视图；图6A至图6E是示出制造图3中示出的发光显示器的步骤的侧面剖视图；图7A至图7C是示出制造根据本发明又一实施例的发光显示器的步骤的侧面剖视图；图8是示出根据本发明另一实施例的发光显示器的平面图；图9是沿图8中的线IX-IX’截取的侧面剖视图；图10是示出根据本发明另一实施例的发光显示器的侧面剖视图。
具体实施例方式
以下，将参照附图来描述根据本发明的实施例的示例。图3是示出根据本发明实施例的发光显示器的平面图，图4是沿图3中的线IV-IV’截取的侧面剖视图，图5是示出根据本发明另一实施例的发光显示器的侧面剖视图。这里，为了避免重复描述，相同的标号始终表示相同的元件。
如图3所示，发光显示器400包括基底410；图像显示部分411，具有在形成在基底410上的扫描线S和数据线D的交叉区域中形成的由至少一个薄膜晶体管(未示出)驱动的至少一个子像素；焊盘部分412，形成在基底410的一侧；电源线415，形成在基底410上除了焊盘部分412之外；扫描驱动器413，形成在图像显示部分411和电源线415之间；数据驱动器414，形成在图像显示部分411和焊盘部分412之间。
如图3至图5所示，发光显示器400包括形成在基底410上的缓冲层420、半导体层430和431、栅极绝缘层425、栅极440、中间绝缘层435、源极和漏极441、OLED 450。发光显示器500包括形成在基底510上的缓冲层520、半导体层530和531、栅极绝缘层525、栅极540、中间绝缘层535、源极和漏极541、OLED 550。
缓冲层420、520形成在基底410、510上，半导体层430、530和431、531形成在缓冲层420、520上，并包括源区和漏区431、531。栅极绝缘层425、525形成在其上形成有半导体层430、530和431、531的缓冲层420、520上，栅极440、540形成在栅极绝缘层425、525上。
中间绝缘层435、535形成在栅极绝缘层425、525上，并包括用于暴露源区和漏区431、531的第一接触孔(未示出)。经第一接触孔接触源区和漏区431、531的源极和漏极441、541形成在中间绝缘层435、535上。通常，电源线415、515与源极和漏极441、541同时形成。
第一绝缘层445、545形成在其上形成有源极和漏极441、541以及电源线415、515的中间绝缘层435、535上，从而可以减少由于源极和漏极441、541以及电源线415、515的图案化而导致的图案弯曲。在第一绝缘层445、545上，形成用于暴露源极和漏极441、541之一的第二接触孔447、547。OLED 450、550形成在第一绝缘层445、545上，并且通常具有三种颜色如红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)。用于形成OLED 450、550的象素电极(未示出)经形成在第一绝缘层445、545上的第二接触孔447、547连接到源极和漏极441、541。
在第一绝缘层445、545中，为了防止外来物通过第一绝缘层445、545流入OLED 450、550，阻挡部分470(图4)或571(图5)在图像显示装置的图像显示部分411的一侧上或多侧上，通过OLED 450、550和薄膜晶体管使图像显示在图像显示装置的图像显示部分411上。阻挡部分470(或571)沿着图像显示部分411、扫描驱动器413、513、和数据驱动器414、514的外围形成在电源线415、515和焊盘部分412的内侧。
图4中示出的阻挡部分470是通过蚀刻形成在第一绝缘层445的沉积厚度，即第一绝缘层445的整个厚度上的通孔，并且可以在形成第二接触孔447时形成。在一个实施例中，阻挡部分470的宽度是2μm到50μm，并且可以在考虑到发光显示器的其它元件的排列的情况下在设计工艺允许的范围内设计。
图5中示出的阻挡部分571可以形成为厚度小于第一绝缘层545的沉积厚度的凹槽。凹形的阻挡部分571可利用分离掩模或通过半色调方法形成。凹形的阻挡部分571还可以与第二接触孔547同时形成或者单独地形成，在一个实施例中，凹形的阻挡部分571的蚀刻宽度大于2μm。
参照图4和图5，在其上形成有OLED 450、550的第一绝缘层445、545的上方，形成了用于覆盖OLED 450、550的透射面板455、555，从而OLED450、550的上部区域没有暴露到外部。在透射面板455、555的下侧，即，在面向OLED 450、550的上部区域的表面上，形成有透射吸湿剂456、556。通过沿透射面板455、555和第一绝缘层445、545的外围的至少一侧涂覆密封剂，将透射面板455、555和第一绝缘层445和545结合。
通过在图3至图5中所示的结构，因为即使包括湿气的外来物渗入第一绝缘层445、545，外来物也被沿阻挡部分470、571引导，所以外来物不能直接接触OLED 450、550。此外，流入第一绝缘层445、545并被沿阻挡部分470、571引导的湿气可通过形成在透射面板455、555的下部区域上的吸湿剂456、556来去除。
在上面的实施例中，尽管阻挡部分470、571在形成第一绝缘层445、545和OLED 450、550之前形成，但是阻挡部分470、571可以在第一绝缘层445、545上形成OLED 450、550之后形成。此外，在图4和图5中，为了示出的目的，相对宽地示出了OLED 450、550和透射面板455、555之间的间隙。
图6A至图6E是示出在制造根据图3和图4中示出的实施例的发光显示器的步骤的侧面剖视图。
首先，如图6A和图6B所示，为了制造发光显示器600，设置了基底610，缓冲层620和半导体层630和631形成在基底610上。通常，基底610由玻璃基底或绝缘基底如合成树脂制成，通过沉积非晶硅并将沉积的非晶硅图案化来形成半导体层630和631。
如图6B所示，栅极绝缘层625形成在包含半导体层630和631的缓冲层620上，栅极640通过沉积栅极金属并将沉积的栅极金属图案化来形成在栅极绝缘层625上。接着，通过离子注入将n型或p型杂质注入到半导体层中，从而源极部分和漏极部分631形成在半导体层上。
接着，如图6C所示，在形成有源极部分和漏极部分631的缓冲层620上，通过沉积方法如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)来形成中间绝缘层635，在下一步骤中形成用于连接源极和漏极641的第一接触孔636。通过蚀刻中间绝缘层635来形成第一接触孔636。
如图6D所示，通过使沉积在中间绝缘层635上的源极金属和漏极金属图案化，在形成电源线615的同时在中间绝缘层635上形成源极和漏极641。源极和漏极641分别通过第一接触孔636接触源极部分和漏极部分631。
接着，如图6E所示，为了减轻源极和漏极641的图案弯曲，第一绝缘层645形成在中间绝缘层635上。在第一绝缘层645上，形成了将在下一个步骤中形成的第二接触孔647，第二接触孔647用于将源极和漏极641与OLED 650电连接。在第一绝缘层645中，为了防止外来物流入OLED 650，沿着在第一绝缘层645的厚度的上方由OLED 650形成的图像显示部分的外部边缘在任何位置形成阻挡部分670。第二接触孔647和阻挡部分670可同时形成或者单独形成。
阻挡部分670是由执行一次蚀刻形成的并延伸到第一绝缘层645的沉积厚度的夹缝形通孔。在一个实施例中，通孔681的宽度是2μm到50μm，并且可以在考虑到发光显示器的其它元件的排列的情况下在设计工艺允许的范围内设计。在这个实施例中，尽管孔形的阻挡部分形成在第一绝缘层645的整个厚度的上方，但是阻挡部分670也可以以凹槽的形式形成。凹槽形的阻挡部分670可利用分离掩模或半色调方法形成。
图7A至图7C是示出制造根据本发明另一实施例的发光显示器的步骤的侧面剖视图。在图7A至图7C中示出的制造工艺中，为了示出方便，示出与图6A至图6E中示出的工艺相同的工艺的附图被省略并且也省略了对它们的描述。此外，相同的标号表示与图6A至图6E的相关描述的元件相同的元件。
将参照图7A至图7C来描述根据本发明实施例的形成薄膜晶体管的工艺，该薄膜晶体管形成了发光显示器。如图7A所示，发光显示器700的薄膜晶体管包括半导体层730和731、形成在缓冲层720上的栅极绝缘层725、栅极740、中间绝缘层735、源极和漏极741。
如图7B所示，电源线715形成在中间绝缘层735上，第一绝缘层745形成在中间绝缘层735上，无机绝缘层780形成在第一绝缘层745上。阻挡部分形成在第一绝缘层745和无机绝缘层780中，用来防止外来物经第一绝缘层745流入OLED 750。阻挡部分770、781是在第一绝缘层745和无机绝缘层780的整个厚度上延伸的通孔。孔形阻挡部分770、781可通过蚀刻与第二接触孔同时形成或者单独形成。
此外，在这个实施例中，尽管阻挡部分770和781在使第一绝缘层745和无机绝缘层780均形成叠层后形成，但是在第一绝缘层745中形成阻挡部分770并使无机绝缘层780形成叠层之后，也可以在层叠的无机绝缘层780中形成连接到阻挡部分770的阻挡部分781。在这个实施例中，阻挡部分781也是通过蚀刻形成的通孔。阻挡部分770和781可与第二接触孔747同时形成或者也可以单独形成。
第一绝缘层745由热固性树脂如丙烯酸树脂、BCB等制成，第一绝缘层745是平坦的，并且起绝缘层和保护层的作用。这里，无机绝缘层780由SiNx和SiOx之一制成，并且沉积厚度为200到500(1＝10-10m)。在形成无机绝缘层780后，OLED 750电连接到在第一绝缘层745和无机绝缘层780中形成的第二接触孔747。
接着，如图7C所示，围绕OLED 750的上部的透射面板755形成在无机绝缘层780上。用于吸收潮气并透射OLED 750产生的光的透明的吸湿剂756形成在透射面板755的下表面上，即，形成在面向OLED 750的上侧的表面上。通过沿透射面板755和无机绝缘层780的外围在它们的至少一个的侧面上涂覆密封剂760，将透射面板755和无机绝缘层780结合。
图8是示出根据本发明另一实施例的发光显示器的平面图，图9是沿图8中的线IX-IX’截取的侧面剖视图。为了避免重复描述，将省略对与图3至图5中的相同元件的描述。
如图8所示，发光显示器800包括基底810、由OLED形成的图像显示部分811、焊盘部分812、电源线815、扫描驱动器813和数据驱动器814。如图8和图9所示，发光显示器800还包括形成在基底810上的缓冲层820、半导体层830和831、栅极绝缘层825、栅极840、中间绝缘层835、源极和漏极841、第一绝缘层845和OLED 850。
在这个实施例中，第一绝缘层845形成在源极和漏极841上，以减少由源极和漏极841及电源线815导致的图案弯曲。源极和漏极841及电源线815形成在中间绝缘层835上。
用于暴露源极和漏极841的任何一个的第二接触孔847形成在第一绝缘层845中。OLED 850形成在第一绝缘层845上，并通常具有如红(R)、绿(G)和蓝(B)的颜色。用作OLED 850的元件的像素电极(未示出)经形成在第一绝缘层845上的第二接触孔847电连接到源极和漏极841。
在第一绝缘层845中，为了防止外来物经第一绝缘层845流入OLED 850，沿图像显示部分811的外围形成一对阻挡部分870和871。阻挡部分870和871相互分隔开，沿图像显示部分811、扫描驱动器813和数据驱动器814的外围在电源线815和焊盘部分812内形成两条线。
图9中示出的阻挡部分870和871的每个是通过在第一绝缘层845的整个沉积厚度上蚀刻形成的通孔，并且可以在形成第二接触孔847时同时形成。在一个实施例中，阻挡部分的宽度是2μm到50μm。基于在考虑到发光显示器的其它元件的排列的情况下的设计工艺，形成阻挡部分。
如图8和图9所示，虽然所有的阻挡部分870和871以穿过第一绝缘层845的通孔的形式形成，但是阻挡部分870和871之一可是通孔，另一个可是凹槽，或者二者均为通孔。当阻挡部分870和871的至少一个以凹槽的形式形成时，可使用分离掩模或半色调方法。此外，当以凹槽的形式形成阻挡部分时，阻挡部分可与第二接触孔847同时形成或者单独形成，在一个实施例中，阻挡部分的宽度是2μm到50μm。在其上形成有OLED 850的第一绝缘层845的上方，为了防止OLED 850被暴露到外部，形成了透射面板855。在透射面板855的下表面上形成了吸湿剂856。
图10是示出根据本发明另一实施例的发光显示器的侧面剖视图。为了示出的目的，将省略对与图7A至图7C中的元件相同的元件的详细描述，并将对发光显示器的描述重点放在这个实施例的特有结构上。
如图10所示，发光显示器900包括形成在基底910上的缓冲层920、半导体层930和931、栅极绝缘层925、栅极940、中间绝缘层935、源极和漏极941、第一绝缘层945、无机绝缘层980、OLED 950和其上形成有吸湿剂956的透射面板955。
在这个实施例中，第一绝缘层945形成在基底910上，在基底910上形成了包括半导体930和931、栅极940、源极和漏极941的薄膜晶体管，在第一绝缘层945和无机绝缘层980中形成了一对阻挡部分970和971，该对阻挡部分970和971用于阻挡将经第一绝缘层945被引入的外来物。
阻挡部分970和971是通过蚀刻形成并在第一绝缘层945和无机绝缘层980的整个厚度上延伸的通孔。孔形阻挡部分970和971可与接触孔947同时形成或者单独形成，在一个实施例中，阻挡部分970和971的宽度是2μm到50μm或者在考虑到其它元件的排列的情况下的设计工艺允许的范围内。图10中示出的阻挡部分970和971可是与图8和图9中示出的阻挡部分870和871一样的通孔，它们之一可是通孔并且另一个可是凹槽，或者二者均为通孔。
在根据图8至图10中示出的实施例的发光显示器800和900中，由于含由潮气的外来物从外部通过各个发光显示器800和900的第一绝缘层845和945流入，并被阻挡部分870、871、970和971引导，所以可防止通过第一绝缘层845和945流入的外来物直接接触OLED 850和950。
在以上的实施例中，尽管发光显示器包括第一绝缘层，阻挡部分形成在该第一绝缘层中，或者包括第一绝缘层和无机绝缘层，此时阻挡部分在整个第一绝缘层和无机绝缘层中延伸，但是阻挡部分可分别形成在第一绝缘层和无机绝缘层中。
在本发明的以上实施例中，尽管阻挡部分以线形形成并互相连接以形成“U”形，但是阻挡部分可以以各种相互分离的虚线形状形成。
在实施例的以上示例中的阻挡部分形成在第一绝缘层上，从而可以防止外来物经第一绝缘层直接接触OLED。因此，可以提供一种能够提高发光效率并延长OLED使用寿命的发光二极管及其制造方法。
根据本发明的这些实施例，为了减少图案的弯曲部分，无机绝缘层形成在第一绝缘层上，使得第一绝缘层和透射面板之间的附着性提高以防止外来物从外部流入发光显示器。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例的几个示例，但是本领域的技术人员应该理解，在不脱离本发明的原理和精神，可以对这些实施例进行修改，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。
权利要求
1.一种发光显示器，包括薄膜晶体管，形成在基底上；第一绝缘层，沉积在所述薄膜晶体管上；至少一个有机发光二极管，在所述第一绝缘层上并形成图像显示部分；阻挡部分，邻近所述图像显示部分的侧面以基本防止外来物流入所述至少一个有机发光二极管。
2.根据权利要求1所述的发光显示器，其中，所述阻挡部分的高度近似等于所述第一绝缘层的厚度。
3.根据权利要求2所述的发光显示器，其中，所述阻挡部分包括穿过所述第一绝缘层的通孔。
4.根据权利要求1所述的发光显示器，其中，所述阻挡部分的高度小于所述第一绝缘层的厚度。
5.根据权利要求4所述的发光显示器，其中，所述阻挡部分包括形成在所述第一绝缘层中的凹槽。
6.根据权利要求1所述的发光显示器，其中，所述阻挡部分的宽度是2μm到50μm。
7.一种发光显示器，包括薄膜晶体管，形成在基底上；第一绝缘层，设置在所述薄膜晶体管的上方；无机绝缘层，形成在所述第一绝缘层上；至少一个有机发光二极管，在所述无机绝缘层上形成图像显示部分；至少一个阻挡部分，邻近于所述图像显示部分的侧面形成在所述第一绝缘层中，以基本防止外来物流入所述至少一个有机发光二极管。
8.根据权利要求7所述的发光显示器，其中，所述阻挡部分的高度基本等于所述第一绝缘层和所述无机绝缘层的总厚度。
9.根据权利要求8所述的发光显示器，其中，所述阻挡部分包括穿过所述无机绝缘层和所述第一绝缘层的通孔。
10.根据权利要求7所述的发光显示器，其中，所述阻挡部分的高度小于所述无机绝缘层和所述第一绝缘层的总厚度。
11.根据权利要求10所述的发光显示器，其中，所述阻挡部分包括形成在所述无机绝缘层和所述第一绝缘层中的凹槽。
12.根据权利要求7所述的发光显示器，其中，所述无机绝缘层包含SiNx或SiOx。
13.一种制造发光显示器的方法，所述方法包括制备基底；在所述基底上形成包括源极和漏极的薄膜晶体管；在所述薄膜晶体管上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层中形成接触孔；形成图像显示部分，所述图像显示部分包括由所述薄膜晶体管驱动的至少一个有机发光二极管；形成邻近于所述图像显示部分的侧面的至少一个阻挡部分；在所述第一绝缘层上形成像素电极，所述像素电极经所述接触孔电连接到所述源极或所述漏极。
14.根据权利要求13所述的方法，还包括在形成所述像素电极前，在所述第一绝缘层上形成无机绝缘层。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述阻挡部分形成在所述第一绝缘层和所述无机绝缘层中。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述阻挡部分与所述第一绝缘层和所述无机绝缘层同时被蚀刻。
17.根据权利要求14所述的方法，其中，所述阻挡部分与形成所述接触孔同时形成。
18.根据权利要求14所述的方法，其中，所述阻挡部分与形成所述接触孔单独形成。
19.根据权利要求13所述的方法，其中，所述阻挡部分的高度基本等于所述第一绝缘层的厚度。
20.根据权利要求13所述的方法，其中，所述阻挡部分的高度小于所述第一绝缘层的厚度。
全文摘要
本发明提供了一种发光显示器，该发光显示器包括形成在基底上的薄膜晶体管、沉积在薄膜晶体管上的第一绝缘层、在第一绝缘层上用于形成图像显示部分的至少一个有机发光二极管。至少一个阻挡部分邻近于图像显示部分的至少一个侧面以基本上防止外来物流入有机发光二极管。本发明还提供了一种制造发光显示器的方法，该方法包括制备基底；形成薄膜晶体管、第一绝缘层、第一绝缘层中的接触孔、图像显示部分、邻近于图像显示部分的侧面的至少一个阻挡部分和像素电极。
文档编号H01L21/82GK1841762SQ200610066018
公开日2006年10月4日 申请日期2006年3月21日 优先权日2005年3月21日
发明者李树美, 李宽熙 申请人:三星Sdi株式会社