专利名称：：掺铬钼酸铝铯可调谐激光晶体的制作方法
技术领域：
：本发明涉及光电子功能材料
技术领域：
，尤其是涉及一种作为可调谐固态激光器中的工作物质的激光晶体材料。技术背景所谓可调谐激光是指这样一种效应由激光或泵浦灯激发掺入固体基质中的激活离子，以产生激光输出，采用棱镜调谐法、F-P标准具调谐法、光栅调谐法、滤光片调谐法和分布反馈系统调谐法等方法可获得可调谐的激光输出。1963年L.F.Johnson等人采用闪光灯泵浦，在掺N产的MgF2晶体中实现了第一个固态可调谐激光运转(L.F.JohnsonR.E.Dietz&H丄Guggenheim,J.Phys.Rev丄ett.，11(1963)318)。随后出现了很多可调谐激光晶体，如Ti3+:A1203、Cr3+:Mg2Si04、Cr3+:LiSrAlF6、03+:86八1204等，但由于各种原因，许多可调谐激光晶体只限于作实验室工具，无法推向工业应用。目前研究最多的、已进入应用领域的可调谐激光晶体是C一+:BeAl204(紫翠宝石)、Ti3+:A1203(掺钛蓝宝石)和Cr3+:LiCaAlF6、Cr3+:LiSrAlF6，但它们也都存在一些难以避免的缺陷，使得它们的应用范围受到限制。Cr3+:BeAl204(紫翠宝石)晶体的主要缺点是调谐范围在700800nm之间，发射截面小(6X10'21cm2)，所需的泵浦阈值高，而且还具有高损伤率和高热透镜效应等缺点，另外由于BeO剧毒，也给生长带来很大困难。Ti3+:A1203晶体的主要缺点是该晶体中T产-T产离子对的出现，使得在激光输出波段，即近红外波段出现吸收，影响了其激光性能，而且由于其激光上能级寿命短(只有3.2us)，需用短脉冲激光、Q开关激光、连续波激光或产生特别短脉冲的闪光灯泵浦，也进一步限制了它的应用。Cr3+:LiCaAlF6、Cr3+:LiSrAlF6晶体尽管具有调谐范围较宽，发射截面大，所需的泵浦阈值低等诸多优点。但也存在着吸收系数小、LD泵浦的激光效率低等问题。目前国内外都在积极寻找调谐波段更宽、能够直接使用闪光灯和LD泵浦的可调谐激光晶体材料。
发明内容本发明的目的就在于研制一种新的可调谐激光晶体，能够直接使用闪光灯和LD泵浦的、宽调谐的可调谐激光晶体材料。CsAl(Mo04)2属于三方晶系，具有PSml(D^)空间群结构，是-种很好的激光晶体基质材料，铬离子是作为掺杂离子可以很容易的取代铝离子的晶格位置。其掺杂浓度在0.2at。/c5at。/。之间。荧光寿命(t)为i730us，其荧光寿命是铬离子浓度的函数，可根据不同的需要掺入不同浓度的铬离子。实验结果表明其可调谐范围在7101000nm之间，可作为可调谐激光晶体。掺铬钼酸铝铯激光晶体及其制备方法我们经过实验找到了生长Cr3+:CSAl(Mo04)2晶体的较理想的助熔剂Cs2M0301(),以及最佳的生长条件，并生长出了高质量的晶体C一+:CsAl(Mo04)2(见实施例1和2)。具体的化学反应式如下-Cs2C03+A1203+4Mo03=2CsAl(Mo04)2+C02Cs2C03+3Mo03=Cs2Mo3O10+C02所用的原料纯度及厂家如下<table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table>Cr20399.95%中国医药集团上海化学试剂公司Cs2C0399.9%中国医药集团上海化学试剂公司Mo0399.99%中国医药集团上海化学试剂公司助熔剂方法生长掺铬钼酸铝铯激光晶体，其主要生长条件如下所用助熔剂为CS2M0301(),助熔剂总的浓度控制在6080ate/。之间，生长温度在650570"C之间，降温速率为l-5XV天，晶体转速为5~30rpm。将生长出的Cr3+:CSA1(M004)2晶体，在四圆衍射仪上进行了衍射数据的收集，结构分析表明，其属于三方晶系，a=5.551(l)A，c=8.(B7(2)A，V=214.47(8)A3，Dc=3.693g/cm3。采用油浸法测得其折射率为1.72。将生长出的Cr^CsAl(Mo04)2晶体，进行吸收光谱、荧光光谱及荧光寿命等的分析测试。从Cr":CsAl(Mo04)2晶体的室温下的吸收光谱，可见在400~570nm和580800nm之间有两个强的吸收谱带，其峰值分别为476nm和665nm，两个吸收带宽均约为150nm，而且可方便用闪光灯和LD进行泵浦，较宽的吸收峰有利于晶体对泵浦光的吸收，提高了输出功率。从C,:CsAl(Mo04)2晶体的室温下的荧光光谱，可见在820nm有很强的荧光发射，其峰宽为7001100nm，其半峰宽为147nm左右，发射截面为4.3X10—2°cm2，荧光寿命为21ps。可在7101000毫微米之间进行调谐。从上所述可见，本发明的掺铬钼酸铝铯可调谐激光晶体，具有能够用熔盐法非常容易地生长出质量优良的晶体，生长工艺稳定，具有良好的导热性能，有优良的光学特性，原料易得、可调谐激光波段宽、能够直接使用闪光灯和LD泵浦等诸多优点，该晶体可作为一种较好的激光晶体。具体实施例方式实施例1:以Cs2Mo3O10为助熔剂生长生长掺杂浓度为1.0at.。/。C的Cr3+:CsAl(Mo04)2激光晶体。生长原料为CsAl(Mo04)2:Cs2Mo30,。-l:2(摩尔比)，掺入1.0at。/。的Cr"离子。采用熔盐顶部籽晶法，在小60x50mm铂坩锅中，生长温度为640—57(TC之间，以2'C/天的降温速率，15转/分钟的晶体转速，生长出了尺寸为30X20X13mmi的高质量的C,:CsAl(Mo04)2晶体。经ICP(等离子发射光谱)分析表明晶体中Q^离子含量为1.0at%。。实施例2:以CS2M0301()为助熔剂生长生长掺杂浓度为2.0at.%Cr3+的Cr3+:CsAl(Mo04)2激光晶体。生长原料为CsAl(Mo04)2:K2Mo301()=1:2.0(摩尔比)，掺入2.0at。/。的Cr3+离子。采用熔盐顶部籽晶法，在(j)60x50mm铂坩锅中，生长温度为645—5S(TC之间，以3tV天的降温速率，20转/分钟的晶体转速，生长出了尺寸为30X15X16mm'i的高质量的Cr3+:CsAl(Mo04)2晶体。经ICP(等离子发射光谱)分析表明晶体中&3+离子含量为2.0at%。权利要求1.一种掺铬钼酸铝铯可调谐激光晶体，其特征在于该晶体的分子式为Cr3+:CsAl(MoO4)2，属于三方晶系，具有id="icf0001"file="A2006101353790002C1.gif"wi="10"he="4"top="38"left="119"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="no"/>(D3d3)空间群结构，晶胞参数为a＝5.551(1)id="icf0002"file="A2006101353790002C2.gif"wi="4"he="4"top="48"left="65"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="no"/>c＝8.037(2)id="icf0003"file="A2006101353790002C3.gif"wi="4"he="4"top="48"left="97"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="no"/>V＝214.47(8)id="icf0004"file="A2006101353790002C4.gif"wi="3"he="3"top="48"left="131"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="no"/>3，Dc＝3.693g/cm3，可产生可调谐激光。2.如权利要求1所述的掺铬钼酸铝铯可调谐激光晶体，其特征在于铬离子是作为掺杂离子，取代铝离子的晶格位置，其掺杂浓度在0.2at^5at。/。之间。3.如权利要求1所述的掺铬钼酸铝铯可调谐激光晶体，其特征在于作为掺杂离子的铬离子其价态为+3价。4.一种权利要求1所述的掺铬钼酸铝铯可调谐激光晶体的制备方法，其特征在于该晶体采用熔盐顶部籽晶法生长，所用助熔剂为Cs2Mo301()，浓度控制在20at40at^/。之间，生长温度在65057(TC之间，降温速率为K5XV天，晶体转速为530rpm。5.—种如权利要求1所述的掺铬钼酸铝铯可调谐激光晶体的用途，其特征在于该晶体用于可调谐固体激光器中作为工作物质，获得宽调谐的激光输出，其可调谐范围在7101000nm之间。6.如权利要求1或5所述的掺铬钼酸铝铯可调谐激光晶体的用途，其特征在于该晶体使用闪光灯或激光二极管作为泵浦源，激发产生可调谐激光输出。全文摘要掺铬钼酸铝铯可调谐激光晶体，涉及一种可调谐激光晶体掺铬铬钼酸铝钾晶体及其制备。该方法采用60～80at％Cs<sub>2</sub>Mo<sub>3</sub>O<sub>10</sub>为助熔剂，降温速率为1～5℃/天，转速为5～30转/分钟，生长出了高质量、较大尺寸的Cr<sup>3+</sup>:CsAl(MoO<sub>4</sub>)<sub>2</sub>晶体。该晶体属三方晶系，具有P3m1(D<sub>3d</sub><sup>3</sup>)空间群结构，折射率1.72。该晶体可作为可调谐激光晶体，其可调谐范围在710～1000nm之间，用该晶体制成的固体激光器可用于光谱学、生物医学、军事等诸多领域中。文档编号H01S3/16GK101212119SQ200610135379公开日2008年7月2日申请日期2006年12月27日优先权日2006年12月27日发明者林州斌,王国富,王国建,龙西法申请人:中国科学院福建物质结构研究所