专利名称：薄膜晶体管阵列板和液晶显示器的制作方法
技术领域：
本发明涉及具有薄膜晶体管阵列板的液晶显示器。
背景技术：
液晶显示器包括两个显示板，一个具有像素电极，另一个具有公共电极，具有介电各向异性的液晶层在他们之间。像素电极以矩阵布置，并连接到开关元件例如薄膜晶体管(TFT)。数据电压依次施加到像素电极的行。公共电极被提供以公共电压。像素电极、公共电极和各向异性介电液晶层形成液晶电容器结构。液晶电容器和与其连接的开关元件构成像素单元。
当电压施加到液晶显示器的两个电极时，在液晶层中产生电场。电场强度控制光穿过液晶层的透射率，由此显示所需图像。为了防止显示的衰减，每一帧、每一列或每个像素周期地反转数据电压相对于公共电压的极性。
液晶显示器包括传递栅极信号以控制开关元件的栅极线、传递将被施加到电场生成电极的数据电压的数据线、产生栅极信号的栅极驱动器、以及产生数据电压的数据驱动器。一般地，栅极驱动器和数据驱动器由多个驱动器IC芯片构成。
发明内容
为了减少驱动器IC芯片的数量并由此降低制造成本，减少数据驱动器IC芯片的数量尤为重要，因为数据驱动器IC芯片比栅极驱动电路芯片更贵。
根据本发明一实施例，对每三个像素列设置两条数据线，由此减少为数据线供给信号的数据驱动芯片的数量。虽然栅极线的数量翻倍，但因为栅极驱动芯片不贵，所以栅极驱动芯片数量的增加对制造成本没有显著影响。另外，由于为栅极线供给驱动信号的栅极驱动电路执行非常简单的功能，所以栅极驱动电路可以通过利用薄膜晶体管形成工艺集成到衬底中，由此减少栅极驱动芯片的数量。
薄膜晶体管阵列板包括对应于一行像素电极在行方向上延伸连接到开关元件的第一和第二栅极线、以及对应于三个像素列在列方向上延伸连接到开关元件的第一和第二数据线。关于三个像素列的组，第一和第二像素列中的像素电极经开关元件连接到第一数据线，第三像素列中的像素电极经开关元件连接到第二数据线。
薄膜晶体管阵列板包括向第一和第二栅极线供给栅极导通或栅极截止电压的栅极驱动电路。此外，向第一栅极线施加栅极导通电压时，栅极驱动电路向第二栅极线施加栅极导通电压。
薄膜晶体管阵列板还包括数据驱动电路，其向第一和第二数据线提供图像信号，并且数据驱动电路可提供两点反转驱动信号。
薄膜晶体管阵列板还可包括与第一至第三像素列对应的冗余数据线。冗余数据线可以连接到第一数据线，可以对冗余数据线施加预定电压。
薄膜晶体管阵列板还可包括连接部分，其每个把第一数据线连接到第二数据线；引线部分，其把第一和第二数据线连接到数据驱动电路；以及连接元件，其把引线部分连接到连接部分。至少部分第三数据线可以在引线部分与将被连接到数据驱动电路的连接部分之间通过。
当一个像素列组包括顺序布置的第一至第三像素列时，偶数像素列组的第三数据线可以在引线部分与将被连接到数据驱动电路的连接部分之间通过，并且奇数像素列组的第三数据线可以不在引线部分与连接部分之间通过。
每个像素电极可包括沿不同方向倾斜的两个平行四边形电极片，两个电极片的斜边可以彼此相交，从而形成一对曲边。
当用作一个像素电极的该对子像素电极被称作第一和第二子像素电极时，第一子像素电极可以与第一存储电极线交迭，第二子像素电极可以与第二存储电极线交迭。不同的电压可以施加到第一存储电极线和第二存储电极线。
该薄膜晶体管阵列板还可包括与第二子像素电极交迭的第三存储电极线。此外，不同的电压可以施加到第一存储电极线和第二存储电极线，相同的电压可以施加到第二存储电极线和第三存储电极线。
每个开关元件可包括连接到第一栅极线或第二栅极线的栅电极、连接到第一至第三数据线的任一个的源电极、以及在栅电极上与源电极相对且具有扩展部分的漏电极。在第一和第三像素列中漏电极的扩展部分可以与第一存储电极线交迭，在第二像素列中漏电极的扩展部分可以与第二存储电极线交迭。每个子像素电极可包括沿不同方向倾斜的两个平行四边形电极片，两个电极片的斜边可以彼此相交，从而形成一对曲边。
通过下面结合附图的详细描述，本发明的前述目的和特点将变得更加清晰，其中图1是示出根据本发明一示例性实施例的液晶显示器的框图；图2是根据本发明一示例性实施例的液晶显示器的一个像素的等效电路图；图3是示出根据本发明一示例性实施例的薄膜晶体管阵列板的电路图；图4是根据本发明一示例性实施例的薄膜晶体管阵列板的布局图；图5是薄膜晶体管阵列板沿图4的V-V′线截取的剖视图；图6是薄膜晶体管阵列板沿图4的VI-VI′线截取的剖视图；图7A和7B是时间图(timing chart)，示出根据本发明一示例性实施例的液晶显示器的驱动电压；图8-12以及图14和15是布局图，示出根据本发明另一示例性实施例的薄膜晶体管阵列板的布局图；图13是沿图12的XIII-XIII线截取的剖视图。
具体实施例方式
下面将结合附图对本发明作全面的描述，附图中示出了本发明的优选实施例。为了清楚起见，附图中夸大了层、膜、板、区的厚度。整个说明书中用相似的附图标记表示相似的元件。应理解，当诸如层、膜、区或衬底的元件被称为在另一元件“上”时，它可以直接位于另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当一个元件被称为“直接”在另一元件“上”时，则不存在中间元件。
如图1所示，根据本发明一示例性实施例的液晶显示器包括液晶板组件300、连接到液晶板组件300的栅极驱动器400和数据驱动器500、连接到数据驱动器500的灰度电压发生器800、以及用于控制上述部件的信号控制器600。在等效电路图中，液晶板组件300连接到多个显示信号线G1-1-Gn-2以及D1-1-Dm-2，并且包括基本以矩阵布置的多个像素。
显示信号线G1-1-Gn-2以及D1-1-Dm-2包括用于传递栅极信号(称作“扫描信号”)的多个栅极线G1-1-Gn-2和用于传递数据信号的多个数据线D1-1-Dm-2。栅极线G1-1-Gn-2基本在行方向上延伸，从而彼此平行，数据线D1-1-Dm-2基本在列方向上延伸，从而彼此平行。
每个像素包括连接到显示信号线G1-1-Gn-2以及D1-1-Dm-2之一的开关元件Q、连接到开关元件Q的液晶电容器CLC、以及存储电容器CST。如果需要的话，可以省去存储电容器CST。
开关元件Q是三端子元件，例如薄膜晶体管，且设置在下板100上。开关元件Q的控制端子连接到栅极线G1-1-Gn-2，其输入端子连接到数据线D1-1-Dm-2，其输出端子连接到液晶电容器CLC和存储电容器CST。
液晶电容器CLC有两个端子，下板100的像素电极191和上板200的公共电极270，液晶层3在两电极之间作为电介质材料。像素电极191连接到开关元件Q，公共电极270形成在上板200的整个表面上并被提供以公共电压Vcom。与图2所示的结构不同，公共电极270可设置在下板100上，在该情况下，两电极191和270中的至少一个可形成为线形或条形。
充当液晶电容器CLC的辅助元件的存储电容器CST包括设置在下板100上的信号线(未示出)、像素电极191和置于其间的绝缘体。对信号线施加预定电压例如公共电压Vcom。供选地，存储电容器CST可以是像素电极191、绝缘体和形成在绝缘体上的前栅极线的叠置结构。
如图3所示，每对栅极线G1-n和G1-(n+1)(n是自然数)依次设置在像素191的对应行之下。每条数据线D1-1、D1-2、D2-1、D2-2等设置在相邻的两列像素之间。假设三个像素列属于一个像素列组，则数据线的对D1-1和D1-2、D2-1和D2-2等被包括在一个像素列组中，从而没有数据线设置在一个像素列组和另一像素列组之间。像素电极191、栅极线G1-1-Gn-2和数据线D1-1-Dm-2将在后面详细描述。
多对栅极线G1-1-Gn-2设置在像素电极191a、191b和191c下面，并且经布置在像素电极191a、191b和191c下面的开关元件Qa、Qb和Qc连接到像素电极191a、191b和191c。在此结构中，当一对栅极线Gn-1和Gn-2的上栅极线称作第一栅极线Gn-1，其下栅极线称作第二栅极线Gn-2时，第一栅极线Gn-1连接到像素列组的第一像素列中的像素电极191b，第二栅极线Gn-2连接到像素列组的第一和第三像素列中的第一和第三像素电极191a和191c。
设置在像素电极191a、191b和191c之间的多对数据线D1-1-Dm-2经布置在像素电极191a、191b和191c下面的开关元件Qa、Qb和Qc连接到对应的像素电极191a、191b和191c。在此结构中，当一像素列组中两条数据线的左数据线称作第一数据线Dm-1且其右数据线称作第二数据线Dm-2时，第一数据线Dm-1连接到设置在第一数据线Dm-1两侧的第一和第二像素列中的像素电极191a和191b，并且第二数据线Dm-2连接到设置在第二数据线Dm-2右侧的第三像素列中的像素电极191c。
即，第一像素列中的开关元件Qa连接到第二栅极线Gn-2、第一数据线Dm-1以及第一像素列中的像素电极191a，第二像素列中的开关元件Qb连接到第一栅极线Gn-1、第一数据线Dm-1以及第二像素列中的像素电极191b。此外，第三像素列中的开关元件Qc连接到第二栅极线Gn-2、第二数据线Dm-2和第三像素列中的像素电极191c。
为了进行彩色显示，每个像素具体显示一种基色(空间划分)，或者像素随时间交替显示基色(时间划分)，这使基色被空间或时间合成，由此显示所需颜色。作为空间划分的示例，图2示出每个像素在与像素电极191对应的区域中具有用于显示红、绿和蓝之一的滤色片230。与图2所示的结构不同，滤色片230可设置在下板100的像素电极191之上或之下。
在图3中，优选一像素列组的第一至第三像素列分别为红、绿和蓝像素列。供选地，第一至第三像素列可以由红、绿和蓝像素列的不同组合形成。
用于使光偏振的偏振片(未示出)安装到液晶板组件300的两个显示板100和200中至少一个的外表面。
接下来将参考图4-6详细描述液晶板组件300的薄膜晶体管阵列板100的结构。图4是布局图，示出根据本发明一示例性实施例的薄膜晶体管阵列板，图5是薄膜晶体管阵列板的沿图4的V-V′线截取的剖视图，图6是薄膜晶体管阵列板的沿图4的VI-VI′线截取的剖视图。
如上所述，根据本发明一示例性实施例的液晶显示器包括薄膜晶体管阵列板100、与薄膜晶体管阵列板100相对的公共电极板200、以及置于薄膜晶体管阵列板100和公共电极板200之间的液晶层3。
接下来将详细描述薄膜晶体管阵列板100。多对栅极线121和122以及防漏光元件126形成在由例如透明玻璃制成的绝缘基板110上。
成对的栅极线121和122在水平方向上延伸。每条栅极线121的部分向上突出，从而形成栅电极124b，并且每条栅极线122的部分向下突出，从而形成栅电极124a和124c。栅极线121连接到集成于基板110中的栅极驱动电路(未示出)，栅极线122的一端129具有较大的宽度，用于与其它层或外部器件的连接。
在彼此相邻的两对栅极线121和122之间沿垂直方向纵向地形成防漏光元件126，且在每个像素的像素区的两侧设置两个防漏光元件126。
栅极线121和122以及防漏光元件126可以由例如诸如铝(Al)或铝合金的铝基金属材料、诸如银(Ag)或银合金的银基金属材料、诸如铜(Cu)或铜合金的铜基金属材料、诸如钼(Mo)或钼合金的钼基金属材料、铬(Cr)、钽(Ta)或钛(Ti)形成。供选地，栅极线121和122以及防漏光元件126可包括具有不同物理属性的两层膜，即下层(未示出)和上层(未示出)。上层可以由低电阻金属材料例如，诸如铝(Al)或铝合金的铝基金属材料、诸如银(Ag)或银合金的银基金属材料、诸如铜(Cu)或铜合金的铜基金属材料形成，以减小栅极线121和122以及防漏光元件126中的信号延迟或电压降。相反，下层可以由与形成上层的材料不同的材料形成，即可以用尤其与ITO(氧化铟锡)和IZO(氧化铟锌)具有良好接触特性的材料例如铬、钼(Mo)、钼合金、钽(Ta)或钛(Ti)形成。铬/铝-钕(Nd)合金可以作为下层与上层结合的示例。
栅极线121和122以及防漏光元件126的侧表面相对于基板110的表面倾斜，优选倾斜30°-80°角。
由例如氮化硅(SiNx)形成的栅极绝缘层140形成在栅极线121和122以及防漏光元件126上。
由氢化非晶硅(缩写为a-Si)或多晶硅形成的多个半导体岛154a、154b和154c例如形成在栅极绝缘层140上。半导体岛154a、154b和154c分别位于栅电极124a、124b和124c之上，两半导体154a和154b之间的连接部分覆盖栅极线121和122。半导体154c延伸从而覆盖两条栅极线121和122。
在半导体154a、154b和154c上形成由含硅化物或高浓度掺杂的n型杂质的n型氢化非晶硅形成的多个欧姆接触岛163a、163b、165a和165b。在半导体岛154a和154b上分别设置一对欧姆接触163a和165a以及一对欧姆接触163b和165b。在半导体154c上形成一对岛状欧姆接触(未示出)。
半导体154a、154b和154c以及欧姆接触163a、163b、165a和165b的侧表面也相对于基板110的表面倾斜，优选以约30°-80°角倾斜。
在欧姆接触163a、163b、165a和165b以及栅极绝缘层140上分别形成多对数据线171和172以及多个漏电极175a、175b和175c。
数据线171和172在垂直方向上延伸从而交叉栅极线121和122并传递数据电压。每条数据线171和172的端部179具有较大宽度，用于到其他层或外部器件的连接。从数据线171和172沿右和左方向延伸到漏电极175a、175b和175c的多个钩形分支分别形成源电极173a、173b和173c。漏电极175a、175b和175c每个具有一个具有线形的末端和一个具有较大宽度用于连接到其他层的末端。数据线171具有沿右和左方向延伸的源电极173a和173b，源电极173a和173b分别设置在半导体154a和154b上。数据线172具有沿右方向延伸的源电极173c，源电极173c设置在半导体154c上。
栅电极124a、124b和124c，源电极173a、173b和173c，以及漏电极175a、175b和175c与半导体岛154a、154b和154c一起形成薄膜晶体管(TFT)。薄膜晶体管的沟道形成在源电极173a、173b和173c与漏电极175a、175b和175c之间在半导体岛154a、154b和154c中。
数据线171和172以及漏电极175a、175b和175c可以由难熔金属材料例如钼基金属材料、铬、钽或钛形成，或者他们可具有多层结构，上层具有低电阻，下层具有良好的接触特性。
数据线171和172以及漏电极175a、175b和175c的侧表面也倾斜约30°-80°，类似于栅极线121和122。
欧姆接触163a、163b、165a和165b仅设置在布置于欧姆接触之下的半导体154a、154b和154c与布置于欧姆接触之上的数据线171以及漏电极175a、175b和175c之间，用于降低接触电阻。
如上所述，半导体岛154a、154b和154c覆盖栅极线121和122与数据线171和172或漏电极175a、175b和175c之间的边界，从而防止数据线171和172中断。
在数据线171和172，漏电极175a、175b和175c，以及半导体154a、154b和154c的暴露部分上形成钝化层180。钝化层180由具有良好的平坦化特性和光敏性的有机材料，具有小于4.0的低介电常数的绝缘材料例如通过等离子增强化学气相沉积(PECVD)形成的a-Si∶C∶O或a-Si∶O∶F，或无机材料例如氮化硅形成。供选地，钝化层180可以形成为有机材料膜和氮化硅膜的两层结构。
在钝化层180中形成多个接触孔185a、185b、185c和182，使得数据线171和172的端部179以及漏电极175a、175b和175c被暴露，并且还在钝化层180中形成多个接触孔181以暴露栅极线122的端部129和栅绝缘层140。
在钝化层180上形成例如由ITO或IZO形成的多个像素电极191a、191b和191c以及多个接触辅助件81和82。
像素电极191a、191b和191c经接触孔185a、185b和185c物理连接且电连接到漏电极175a、175b和175c，分别从漏电极175a、175b和175c提供数据电压。被提供以数据电压的像素电极191a、191b和191c以及被提供以公共电压Vcom的显示板200的公共电极270产生电场，这导致像素电极191a、191b和191c与公共电极270之间的液晶层3的液晶分子重新排列。
像素电极191a、191b或191c和公共电极270形成液晶电容器CLC，液晶电容器CLC在薄膜晶体管截止后维持施加到其上的电压。为了增强电压维持性能，存储电容器CST并联连接到液晶电容器CLC。存储电容器CST通过使像素电极190和与像素电极190相邻的前栅极线122交迭来形成。
像素电极191a、191b和191c分别覆盖漏电极175a、175b和175c的扩展端部，防漏光元件126布置地与每个像素电极191a、191b和191c的左右侧交迭。防漏光元件126防止光由于数据线171和172的电压而从数据线171和172泄漏。
接触孔81和82分别经接触孔181和182连接到栅极线122的端部129和数据线171和172的端部179。接触辅助件81和82用于确保外部器件与栅极线122以及数据线171和172的端部129和179之间的连接，并保护连接部分。当用于向栅极线122提供扫描信号的栅极驱动器(未示出)集成到显示板中时，接触辅助件81可以充当用于将栅极驱动器连接到栅极线122的端部129的元件。如果需要，接触辅助件81可以被省去。
根据本发明另一示例性实施例，像素电极191a、191b和191c由透明导电聚合物形成。在反射型液晶显示器中，像素电极可以由不透明反射金属形成。在此情况下，接触辅助件81和82可由与形成像素电极191a、191b和191c的材料特别地ITO和IZO不同的材料形成。
在像素电极191a、191b和191c上形成配向层(未示出)以配向液晶层3。
在具有上述结构的薄膜晶体管阵列板中，对每三像素列形成两条数据线171和172。因此，可以将数据线的数量减少到常规薄膜晶体管阵列板中的三分之二。因此，用于向数据线提供信号的数据驱动芯片的数量也减少，产生较低的制造成本。相反，栅极线的数量翻倍，导致栅极驱动芯片的数量翻倍。但是，因为栅极驱动芯片不贵，所以这对制成成本没有显著影响。另外，因为用于向栅极线121供给驱动信号的栅极驱动电路执行非常简单的功能，所以可以利用薄膜晶体管形成工艺把栅极驱动电路集成到基板110中，这能够防止栅极驱动芯片数量的增加。
在具有上述结构的薄膜晶体管阵列板中，当属于一个像素列组的三像素列布置成对应于红绿蓝像素列时，红绿蓝像素在整个显示区具有相同的形状。因此，可以确保显示的均匀性并提高显示质量。接下来，将参考图1-3描述具有上述薄膜晶体管阵列板的液晶显示器的驱动。
参见图1，灰度电压发生器800产生与像素的透射率有关的两对灰度电压。其中一对灰度电压相对于公共电压Vcom具有正值，另一对灰度电压相对于公共电压Vcom具有负值。
栅极驱动器400连接到液晶板组件300的栅极线G1-1-Gn-2，并且施加栅极信号给栅极线G1-1-Gn-2，每个栅极信号包括外界提供的栅极导通电压Von和栅极截止电压Voff的组合。栅极驱动器400由多个IC构成。
数据驱动器500连接到液晶板组件300的数据线D1-1-Dm-2，选择灰度电压发生器800产生的灰度电压，并将选取的灰度电压作为数据信号施加给像素。
栅极驱动IC或数据驱动IC的每个可以以芯片的形式安装在FPC基板上，FPC基板可以安置在液晶板组件300上。供选地，他们可以直接安装在玻璃基板上，不使用FPC基板(玻璃上芯片(COG)安装法)，或者执行与这些IC相同功能的电路可以与像素的薄膜晶体管一起直接形成在液晶板组件300中。信号控制器600控制栅极驱动器400和数据驱动器500。
接下来将详细描述液晶显示器的操作。信号控制器600从外部图形控制器(未示出)接收输入图像信号R、G和B以及输入控制信号，用于控制输入图像信号R、G和B的显示。例如，下列信号的任一种可以用作输入控制信号垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync、主时钟信号MCLK、以及数据使能信号(enable signal)DE。信号控制器600根据输入控制信号将输入图像信号R、G和B处理为适于液晶板组件300的工作条件从而产生例如栅极控制信号CONT1和数据控制信号CONT2。然后，信号控制器600将栅极控制信号CONT1传递给栅极驱动器400，并将数据控制信号CONT2和处理过的图像信号DAT传递给数据驱动器500。图像信号R、G和B的处理包括根据液晶板组件300的像素分布重新布置图像信号R、G和B。
栅极控制信号CONT1包括指示栅极导通电压Von开始输出的扫描起始信号STV和用于控制栅极导通电压Von的输出时间和输出电压的至少一个时钟信号。
数据控制信号CONT2包括指示开始传递图像信号DAT的水平同步起始信号STH、允许向数据线D1-1-Dm-2施加数据电压的加载信号TP、用于反转数据电压相对于公共电压Vcom的极性(以下将“数据电压相对于公共电压的极性”简称为“数据电压的极性”)的反转信号RVS、以及数据时钟信号HCLK。
数据驱动器500响应于从信号控制器600传递的数据控制信号CONT2顺序接收用于一行像素的图像数据DAT的组，从灰度电压发生器800产生的灰度电压中选择对应于每个图像数据DAT的灰度电压，把图像数据DAT转变成对应的数据电压，以及将数据电压施加给数据线D1-1-Dm-2。
栅极驱动器400根据来自信号控制器600的栅极控制信号CONT1将栅极导通电压Von顺序施加到栅极线G1-1至Gn-2，从而导通连接到栅极线G1-1-Gn-2的开关元件Q。然后，施加到数据线D1-1至Dm-2的数据电压通过处于导通状态的开关元件Q应用到对应的像素。
施加到像素的数据电压与公共电压Vcom之间的差是液晶电容器CLC的充电电压，即像素电压。液晶分子的排列方向依赖于像素电压的水平，这导致通过液晶层3的光的偏振发生改变。偏振的变化导致安装在显示板100和200上的偏振片(未示出)对光的透射率的变化。
在此结构中，用于像素列组的第一和第二像素列的图像数据经第一数据线Dm-1传递，用于像素列组的第三像素列的图像数据经第二数据线Dm-2传递。经第一数据线Dm-1传递的图像数据通过经第一和第二栅极线G1-1-Gn-2传递的扫描信号被选取，且然后被提供给第一列或第二列中的像素。经第二数据线Dm-2传递的图像数据通过经第二栅极线Gn-2传递的扫描信号被选取，且然后被提供给第三列的像素。
栅极线Gn-1和Gn-2的数量是与根据本发明示例性实施例的薄膜晶体管阵列板具有相同分辨率的常规薄膜晶体管阵列板的两倍。因此，给予每条栅极线的导通时间与栅极线数量的增加成比例地缩短。随着栅极导通时间变短，对像素电极充电所需的时间也缩短。但是，当栅极导通时间过短时，像素电极可能达不到目标电压。为了解决此问题，可以进行交迭驱动，如图7A和7B所示。
图7A和7B是时间图，示出根据本发明示例性实施例的液晶显示器的驱动电压。在图7A中，栅极导通电压同时施加给第一栅极线Gn-1和第二栅极线Gn-2，以对第一和第三像素列预充电，同时第二像素列也被充电。即使在施加给第一栅极线Gn-1的栅极导通电压变为栅极截止电压后，栅极导通电压施加到第二栅极线Gn-2预定的时间，使得第一和第三像素列被充电。即，栅极导通电压被连续施加给第二栅极线Gn-2第一栅极线Gn-1的导通时间以及栅极导通时间之后的预定时间。
在图7B中，在施加给第一栅极线Gn-1的栅极导通电压变为栅极截止电压之前，栅极导通电压施加给第一栅极线Gn-1，且栅极导通电压还施加给第二栅极线Gn-2，从而对第一和第三像素列预充电，同时第二像素列也被充电。即使在施加给第一栅极线Gn-1的栅极导通电压变为栅极截止电压之后，栅极导通电压施加到第二栅极线Gn-2预定的时间，使得第一和第三像素列被充电。即，栅极导通电压被连续施加到第二栅极线Gn-2第一栅极线Gn-1的导通时间以及栅极导通时间之后的预定时间。
此交迭驱动对于两点反转驱动、即按照+、+、-、-、+、+、-、-顺序的反转驱动是有用的。在两点反转驱动中，可以用具有相同极性的电压对第一和第三像素列进行预充电和主充电。
接下来将参考图8-14详细描述根据本发明另一示例性实施例的薄膜晶体管阵列板。图8是布局图，示出根据本发明另一示例性实施例的薄膜晶体管阵列板。
图8所示的像素布置类似于图4所示的像素布置。即，在一行像素电极191a、191b和191c之下顺序布置一对栅极线121和122，并且对每三个像素列设置两条数据线171和172。
本示例性实施例与图4所示的示例性实施例的不同之处在于为第三像素列供给图像信号的数据线172设置在第三像素列的右侧。本示例性实施例的特征在于像素区域中在左侧的防漏光元件128连接到栅极线122。当前栅极线用于形成存储电容器时，防漏光元件128和栅极线122之间的连接使得能够增大存储电容器的电容。因此，在本示例性实施例中，栅极线122的宽度与图4所示的示例性实施例相比可以被窄化，这能够提高开口率(apertureratio)。半导体具有与数据线171和172以及漏电极175a、175b和175c基本相同的平面图案，并且在源电极173a、173b和173c以及漏电极175a、175b和175c之间具有暴露部分154a、154b和154c。光阻挡元件127形成在数据线171和172之下。光阻挡元件127防止当背光发射的光入射到形成于数据线171和172之下的半导体上时产生的光电子引起的光泄漏。
与图4所示的示例性实施例类似，图8所示的本实施例可以减少数据驱动芯片的数量，并因而降低制造成本。此外，根据本实施例，可以在整个显示区以相同结构形成红绿蓝像素并因而确保显示的均匀性。
图9是布局图，示出根据本发明再一示例性实施例的薄膜晶体管阵列板。下面将描述图9所示的薄膜晶体管阵列板与图4所示的薄膜晶体管阵列板之间的差异。
存储电极线131在形成栅极线121和122的相同层中形成为与栅极线121和122分隔开。存储电极线131具有向上和向下突出的多个存储电极133a。
用于对第一像素列，即属于一个像素列组的三个像素列中的右像素列供给图像信号的数据线172设置在第一像素列的左侧，用于向第二像素列和第三像素列提供图像信号的数据线171设置在第二像素列和第三像素列之间。除了数据线171和172之外，在第一像素列和第二像素列之间形成不连接到薄膜晶体管的冗余数据线174。冗余数据线174在显示区以外连接到数据线171。漏电极175a包括具有较大宽度的扩展部分177a，扩展部分177a设置成交迭存储电极133a。提供扩展部分以增大存储电容器的电容。
在数据线171、172和174以及漏电极175a上形成预定厚度的由有机绝缘材料制成的钝化层(未示出)。像素电极191a、191b和191c以较大宽度形成在钝化层上，从而交迭数据线171、172和174以及栅极线122。由有机绝缘材料形成的较大厚度的钝化层能够减少数据线171、172和174与像素电极191a、191b和191c之间的耦合。因此，像素电极191a、191b和191c可以形成为部分覆盖数据线171、172和174，这能够确保高开口率。
冗余数据线174可以防止光从两相邻像素列之间的边界处泄漏。
在第三像素列中，因为栅极线121交迭下一行的像素电极，所以能够防止由于像素电极与当前行中的栅极线的交迭导致的寄生电容的增加，该寄生电容会造成闪烁(flicker)。
图10是布局图，示出根据本发明又一示例性实施例的薄膜晶体管阵列板。
与图9所示的示例性实施例相比，图10所示的示例性实施例的特征在于公共电极电压Vcom施加到冗余数据线174。因为两条栅极线121和122设置在下一行的像素电极191a、191b和191c之下，所以可以防止由于像素电极191a、191b和191c与当前行中的栅极线121和122的交迭导致的寄生电容的增加，该寄生电容会造成闪烁。
图11是布局图，示出根据本发明又一示例性实施例的薄膜晶体管阵列板。
与图9所示的示例性实施例相比，图11所示的示例性实施例的特征在于薄膜晶体管形成为连接到冗余数据线174，而不是在数据线171的左侧形成薄膜晶体管，且冗余数据线174经薄膜晶体管连接到设置在冗余数据线174右侧的像素电极191a。但是，因为冗余数据线174在显示区外连接到数据线171，图11所示的示例性实施例采用与图9所示的示例性实施例相同的驱动方法。即，将被提供给第一像素列和第二像素列的图像信号在导通信号被提供给栅极线122时施加到数据线171、172和174，将被提供给第三像素列的图像信号在导通信号被提供给栅极线121时施加到数据线171和174。根据图11所示的示例性实施例的薄膜晶体管阵列板可以执行图7A或7B所示的交迭驱动。
图12是根据本发明又一示例性实施例的液晶显示器的布局图，图13是沿图12的XIII-XIII线截取的剖视图。
图12和13所示的液晶显示器是垂直配向型液晶显示器的一个示例，其中液晶分子的主轴垂直于显示板100和200的表面配向，电介质突出物或切除部分用作当施加电场时控制液晶分子的配向的配向控制装置。
参见图12和13，根据本发明一示例性实施例的液晶板组件包括薄膜晶体管阵列板100、公共电极板200、以及置于显示板100和200之间的液晶层3。
首先将详细描述薄膜晶体管阵列板100。多对栅极线121和122以及多条存储电极线131形成在由例如透明玻璃形成的绝缘基板110上。
栅极线121和122传递栅极信号，并且基本沿水平方向延伸。在像素之上和之下分别形成一对栅极线121和122。每条栅极线121包括向下凸出的多个栅电极124a和124c，每条栅极线122包括向上凸出的多个栅电极124c。
存储电极线131被提供以预定电压，并基本平行于栅极线121和122延伸，从而彼此相邻。每条存储电极线131包括向上和向下凸出的存储电极133a、133b和133c。存储电极线131的形状和布置可以改变。
栅极线121和122以及存储电极线131可以由诸如铝(Al)或铝合金的铝基金属材料、诸如银(Ag)或银合金的银基金属材料、诸如铜(Cu)或铜合金的铜基金属材料、诸如钼(Mo)或钼合金的钼基金属材料、铬(Cr)、钽(Ta)或钛(Ti)形成。供选地，栅极线121和122以及存储电极线131可包括具有不同物理特性的两个导电层(未示出)的多层结构。两导电层之一可以由具有低电阻率的金属材料形成，例如铝基金属材料、银基金属材料或铜基金属材料，以减少信号延迟或电压降。相反，另一层可由与形成所述一层的材料不同的材料形成，即，具有良好的化学、物理特性以及尤其与ITO(氧化铟锡)和IZO(氧化铟锌)有良好电接触特性的材料，例如钼基金属材料、铬、钽或钛。例如，铬层和铝(合金)可以分别用作下层和上层，或者铝(合金)层和钼(合金)层可以分别用作下层和上层。但是，栅极线121和122以及存储电极线131可以由上述金属材料以外的导体或金属材料形成。栅极线121和122以及存储电极线131的侧表面相对于基板110的表面倾斜，优选倾斜30°-80°角。
例如由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)形成的栅绝缘层140形成在栅极线121和122以及存储电极线131上。
在栅绝缘层140上形成多个半导体条151，半导体条151例如由氢化非晶硅(非晶硅简称为a-Si)或多晶硅形成。半导体条151包括分别位于栅电极124a、124b和124c之上的凸出部分154a、154b和154c。
在每个半导体条151之上形成多个欧姆接触条161和欧姆接触岛165。欧姆接触条161具有在半导体条151的凸出部分154a、154b或154c之上与欧姆接触岛165相对的凸出部分163。欧姆接触条161例如可以由诸如重掺杂以n型杂质的n+氢化非晶硅或硅化物的材料形成。
每个半导体条151以及欧姆接触161和165的侧表面相对于基板110的表面倾斜约30°-80°。
在欧姆接触161和165以及栅绝缘层140上形成包含多条数据线171、172、174、171′、172′和174′以及多个漏电极175a、175b和175c的数据导体。
数据线171、172、174、171′、172′和174′传递数据信号且基本沿垂直方向延伸，从而交叉栅极线121和122以及存储电极线131。数据线171、172和174包括分别朝向栅电极124a、124b和124c延伸且具有U形的源电极173a、173b和173c，开口部分面向右侧。数据线171和174通过连接部分171a彼此连接，并且数据线171′和174′通过连接部分171a′彼此连接。连接部分171a和171a′的端部扩展。
漏电极175a、175b和175c与数据线171、172、174、171′、172′和174′分隔开，从而分别以栅电极124a、124b和124c为中心与源电极173a、173b和173c相对。两漏电极175a和175c分别从围绕两漏电极175a和175c的源电极173a和173c向栅极线121延伸，并以90°角向下方向弯曲。漏电极175b从围绕漏电极175b的源电极173b向栅极线121延伸，并以90°角向上方向延伸。漏电极175a、175b和175c在与存储电极133a、133b和133c交迭的位置分别具有扩展部分177a、177b和177c。扩展部分177a、177b和177c用于增大存储电容器的电容。驱动信号引线178和178′在显示区外形成于栅绝缘层140上。
假设一个像素列组由三个像素列组成，用于驱动奇数像素列组的数据线171、172和174的引线部分具有与用于驱动偶数像素列组的数据线171′、172′和174′的引线部分不同的布置结构。即，数据线172直线形成在与引线178和连接部分171a之间的空间分隔开的位置。但数据线172′以直角弯曲两次，从而在引线178′和连接部分171a′之间通过。
数据线171、172、174、171′、172′和174′在奇数像素列组和偶数像素列组中以不同布置结构形成的原因是，当用数据驱动芯片来驱动根据本发明该示例性实施例的液晶显示器时，执行一致的点反转驱动。
数据线171、172、174、171′、172′和174′，漏电极175a、175b和175c，以及驱动信号引线178和178′具有与欧姆接触161和165基本相同的平面图案，且还具有与半导体151基本相同的平面图案，除了在源电极173a、173b和173c与漏电极175a、175b和175c之间以外。
栅电极124a、124b或124c，源电极173a、173b或173c，以及漏电极175a、175b或175c与半导体154a、154b或154c一起形成薄膜晶体管(TFT)。薄膜晶体管的沟道形成在源电极173a、173b或173c与漏电极175a、175b或175c之间在半导体154a、154b或154c中。
数据导体171、172、174、171′、172′、174′、175a、175b和175c可以由难熔金属材料例如钼、铬、钽、钛、或其合金形成，或者它们可具有难熔金属层(未示出)和具有低电阻的导电层(未示出)的多层结构。多层结构的例子包括以铬或钼(合金)层作为下层，以铝(合金)层作为上层的两层结构，以及以钼(合金)层作为下层，以铝(合金)层作为中间层，以钼(合金)层作为上层的三层结构。但是，数据导体171、175a、175b可以由除上述金属材料以外的各种导体或金属材料形成。
优选数据导体171、172、174、171′、172′、174′、175a、175b和175c的侧表面相对于基板110的表面以30°-80°角倾斜。
欧姆接触161和165仅设置在半导体151、154a、154b和154c与数据导体171、172、174、171′、172′、174′、175a、175b和175c之间，以降低其间的接触电阻。半导体151、154a、154b和154c分别暴露于源电极173a、173b和173c与漏电极175a、175b和175c之间，并且还具有不被数据导体171、172、174、171′、172′、174′、175a、175b和175c覆盖的暴露部分。
在数据导体171、172、174、171′、172′、174′、175a、175b和175c上以及半导体154a、154b和154c的暴露部分上形成钝化层180。钝化层180有小介电常数，并由较大厚度的有机绝缘体形成。以此方式，即使当像素电极191a、191b和191c分别与数据线171、172和174交迭时，像素电极191a、191b和191c与数据线171、172和174之间的距离增大，并且电介质材料的介电常数减小，这导致小的电容。优选有机绝缘体具有小于4.0的介电常数，且其可以具有光敏性。钝化层180可以由非有机绝缘体形成。此外，钝化层180可以具有下无机层和上有机层的双层结构，以提高有机层的绝缘特性并防止暴露的半导体154a、154b和154c被损坏。
在钝化层180中形成用于暴露数据线连接部分171a和171a′的多个接触孔181，用于暴露漏电极175a、175b和175c的扩展部分177a、177b和177c的多个接触孔185，以及用于暴露引线部分178和178′的多个接触孔182。在钝化层180和栅绝缘层140中形成用于暴露栅极线121的端部的多个接触孔(未示出)、在钝化层180上形成多个像素电极191a、191b和191c以及多个连接元件84和86。像素电极和连接元件可以由透明导电材料例如ITO或IZO形成，或者由反射性金属材料例如铝、银、铬或它们的合金形成。
像素电极191a、191b和191c每个包括沿不同方向倾斜的两个平行四边形电极片。两个电极片的斜边彼此交叉，从而形成一对弯曲边缘。
像素电极191a、191b和191c经接触孔185分别连接到漏电极175a、175b和175c。
像素电极191a、191b和191c，上板200的公共电极270，以及置于其间的液晶层3形成液晶电容器CLC。液晶电容器CLC在薄膜晶体管截止后保持所施加的电压。
像素电极191a、191b和191c以及连接到像素电极191a、191b和191c的漏电极175a、175b和175c分别交迭存储电极133a、133b和133c，从而形成存储电容器CST。存储电容器CST提高了液晶电容器CLC的电压保持特性能。
连接元件84通过接触孔181和182与连接部分171a和引线178接触，从而连接连接部分171a和引线178。连接元件86经接触孔181和182与连接部分171a′和引部分178′连接，且跨过数据线172′连接连接部分171a′和引线178′。奇数像素列组的连接部分171a和引线178可以彼此直接连接。但是，奇数像素列组的连接部分171a和引线178经连接元件84彼此连接，以便使布线负载与偶数像素列组匹配。
接下来描述上板200。在例如由透明玻璃或塑料形成的绝缘基板210上形成光阻挡元件220。光阻挡元件220可包括与像素电极191a、191b和191c的弯曲边缘对应的弯曲部分(未示出)以及与薄膜晶体管对应的四边形部分(未示出)。光阻挡元件220防止光在像素电极191a、191b和191c之间泄漏，并定义与像素电极191a、191b和191c相对的开口区。
在基板210和光阻挡元件220上形成多个滤色片230。滤色片230设置在被光阻挡元件220包围的区域中，并且可以沿像素电极191a、191b和191c的列延伸。每个滤光片230可以显示红绿蓝三基色之一。
公共电极270形成在滤色片230和光阻挡元件220上。公共电极270由透明导电材料例如ITO或IZO形成。
在公共电极270上形成凸起271a、271b和271c。凸起271a、271b和271c可以由有机材料或无机材料形成。凸起271a、271b和271c的数量取决于设计因素。光阻挡元件220与凸起271a、271b和271c交迭，这使得能够防止光从凸起271a、271b和271c泄漏。凸起271a、271b和271c的每个在平面图中布置在把像素电极191a、191b或191c沿水平方向分成两部分的位置，并且包括在平面图中与像素电极191a、191b或191c的上和下侧交迭的弯曲部分、以及在中心沿垂直方向横向延伸的中心部分。
分别在显示板100和200的内表面上形成配向层(未示出)。配向层11和21可以是垂直配向层。
在显示板100和200的外表面上设置偏振片(12、22)。两偏振片的偏振轴彼此正交。优选偏振轴相对于像素电极191a、191b和191c的曲边以约45°角倾斜。在反射型液晶显示器中，可以省去两个偏振片中的一个。
液晶显示器可以包括用于向偏振片12和22、延迟层、显示板100和200以及液晶层3提供光的背光单元(未示出)。
液晶层3具有负介电各向异性。当不施加电场时，液晶层3的液晶分子排列地使其主轴相对于两显示板的表面垂直。
凸起271a、271b和271c可以被形成于公共电极270中的切除部分(未示出)或者被凹陷部分(未示出)替代。凸起271a、271b和271c可以设置在场发生电极191和270之下。凸起271a、271b和271c改变公共电极270与像素电极191a、191b和191c之间产生的电场，从而控制液晶的排列。
在具有上述结构的薄膜晶体管阵列板中，因为两条数据线171和174彼此相连，所以用于向数据线供给信号的数据驱动芯片的数量小于常规薄膜晶体管阵列板中的情形，这使得能够降低制造成本。相反，栅极线的数量翻倍，造成栅极驱动芯片的数量翻倍。但是，因为栅极驱动芯片不贵，所以对制造成本没有显著影响。另外，因为用于向栅极线121供给驱动信号的栅极驱动电路执行非常简单的功能，所以利用薄膜晶体管形成工艺可以把栅极驱动电路集成到基板110中，这使得能够防止栅极驱动芯片数量的增加。
在具有上述结构的薄膜晶体管阵列板中，当属于一个像素列组的三个像素列布置成对应于红绿蓝像素列时，红绿蓝像素在整个显示区具有相同的形状。因此，能够确保显示的均匀性并因而提高显示质量。
图14是布局图，示出根据本发明又一示例性实施例的液晶显示器。与图13所示的示例性实施例相比，图14所示的示例性实施例的特征在于数据线172和172′不与成对的数据线171、174、171′和174′交叉，无论是奇数像素阵列组还是偶数像素阵列组。
当通过用于两点反转驱动的数据驱动芯片驱动具有上述结构的液晶显示器时，三点反转驱动如图3所示地进行。
图15是布局图，示出根据本发明又一示例性实施例的液晶显示器。根据图15所示的示例性实施例的液晶显示器的层结构基本类似于根据图12和13所示的示例性实施例的液晶显示器，因而将省去对他们的完整描述。因此下面将仅描述液晶显示器的层的布置结构。
多对栅极线121和122沿水平方向延伸。多组存储电极线131a、131b和131c平行于栅极线121和122形成。栅极线121具有多个栅电极124a和124b，栅极线122具有多个栅电极124c。存储电极线131a、131b和131c分别具有存储电极131a、133b和133c。
多条数据线171、172和174与栅极线121和122以及存储电极线131a、131b和131c交叉，从而不与其电连接。数据线171具有多对源电极173bd和173bu，数据线172具有多对源电极173cd和173cu，数据线174具有多对源电极173ad和173au。两条数据线171和174在显示区之外彼此连接。
多对漏电极175ad和175au在源电极173ad和173au以及栅电极124a上彼此相对。漏电极175ad和175au分别向下和向上延伸，且在其端部具有与存储电极133a和133c交迭的扩展部分177ad和177au。多对漏电极175bd和175bu在源电极173bd和173bu以及栅电极124b上彼此相对。漏电极175bd和175bu分别向下和向上延伸，且在其端部具有分别与存储电极133b和133c交迭的扩展部分177bd和177bu。多对漏电极175cd和175cu在源电极173cd和173cu以及栅电极124c上彼此相对。漏电极175cd和175cu分别向下和向上延伸，并在其端部具有分别与存储电极133b和133c交迭的扩展部分177bd和177bu。
形成薄膜晶体管的接触辅助件(未示出)和半导体(未示出)的结构与上述示例性实施例中的相同，因此将省去其描述。
在属于一个像素列组的三个像素列的第一像素列中形成多对子像素电极191cu和191cd。在第二像素列中形成多对子像素电极191au和191ad。在第三像素列中形成多对子像素电极191bu和191bd。
子像素电极191au、191ad、191bu、191bd、191cu和191cd每个包括沿不同方向倾斜的两个平行四边形电极片。两电极片的斜边彼此相交从而形成一对弯曲边缘。子像素电极191au和191ad、191bu和191bd、或191cu和191cd相对于栅极线121具有反演对称(inversion symmetry)。
子像素电极191au和191ad分别经接触孔185au和185ad连接到漏电极的扩展部分177au和177ad。子像素电极191bu和191bd分别经接触孔185bu和185bd连接到漏电极的扩展部分177bu和177bd。子像素电极191cu和191cd分别经接触孔185cu和185cd连接到漏电极的扩展部分177cu和177cd。
上板的凸起271au、271ad、271bu、271bd、271cu和271cd布置在沿水平方向将每个子像素电极191au、191ad、191bu、191bd、191cu和191cd划分开的位置。每个凸起包括在平面图中与子像素电极191au、191ad、191bu、191bd、191cu和191cd的上下边交迭的弯曲部分和在中心沿垂直方向横向延伸的中心部分。
在液晶显示器中，当对栅极线121施加电压时，第一像素列和第二像素列中的子像素电极191au、191ad、191cu和191cd被充以图像信号电压。然后，当对栅极线121施加截止电压并对栅极线122施加导通电压时，第三像素列中的子像素电极191bu和191bd被充以图像信号电压。每对子像素电极191au和191ad、191bu和191bd、191cu和191cd形成一个像素电极。因此，为了用图像信号电压对一个像素行充电，栅极导通电压必须施加到一对栅极线121和122。
在图像信号电压被冲到一像素行中的所有子像素电极191au、191ad、191bu、191bd、191cu和191cd的同时，存储电极线131a、131b和131c保持在浮置状态。随后，当对下一栅极线121施加栅极导通电压从而用图像信号电压对下一像素行中的子像素电极191au、191ad、191bu、191bd、191cu和191cd充电时，对前一像素行中处于浮置状态的存储电极线131a、131b和131c施加预定电压。在此情况下，相同的电压被施加到两条存储电极线131a和131b，但是不同的电压被施加到存储电极线131c。如果需要，不同的电压可以被施加到存储电极线131a和131b。
当对处于浮置状态的存储电极线131a、131b和131c施加电压时，处于浮置状态的像素电极191au、191ad、191bu、191bd、191cu和191cd的电压改变。此时，不同的电压施加到存储电极线131a和131b以及存储电极线131c，这导致上子像素电极191au、191bu和191cu的电压与下子像素电极191ad、191bd和191cd的电压不同。然后，在一个像素中形成具有不同电压的两个区域，这导致侧表面中咖玛曲线的畸变减小。
在具有上述结构的薄膜晶体管阵列板中，因为两条数据线171和174彼此连接，用于向数据线供给信号的数据驱动芯片的数量小于常规薄膜晶体管阵列板的情形，这使得能够降低制造成本。相反，栅极线的数量翻倍，这导致栅极驱动芯片的数量翻倍。但是，因为栅极驱动芯片不贵，所以对制造成本没有显著影响。另外，因为用于向栅极线121供给驱动信号的栅极驱动电路执行非常简单的功能，所以可以利用薄膜晶体管形成工艺把栅极驱动电路集成到基板110中，这使得能够防止栅极驱动芯片的数量增加。
在具有上述结构的薄膜晶体管阵列板中，当属于一个像素列组的三个像素列布置成对应于红绿蓝像素列时，红绿蓝像素在整个显示区中具有相同的形状。因此，能够确保显示的均匀性并由此提高显示质量。
与常规薄膜晶体管阵列板相比，根据本发明的示例性实施例，能够减少向数据线供给信号的数据驱动芯片的数量，由此降低制造成本。在具有上述结构的薄膜晶体管阵列板中，当属于一个像素列组的三个像素列布置成对应于红绿蓝像素列时，红绿蓝像素在整个显示区具有相同的形状。因此，能够确保显示的均匀性并因而提高显示质量。
应理解，虽然结合示例性实施例描述了本发明，但在不脱离本发明思想和范围的前提下，本领域的技术人员可以对本发明做各种修改和等效布置。
本申请要求享有2005年10月17日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2005-0097704的优先权，在此引用其全部内容作为参考。
权利要求
1. 一种薄膜晶体管阵列板，包括多个像素，包括以行和列的矩阵布置的像素电极，具有连接到该像素电极的开关元件；沿行方向延伸的第一和第二栅极线，连接到该开关元件；以及沿列方向延伸的第一和第二数据线，用于服务于所述矩阵的三个像素列，所述开关元件将该第一和第二像素列中的像素电极连接到该第一数据线且将该第三像素列中的像素电极连接到该第二数据线。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列板，其中该第一和第三像素列中的所述像素电极经各个开关元件连接到所述第一栅极线，该第二像素列中的所述像素电极经各个开关元件连接到所述第二栅极线。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列板，还包括栅极驱动电路，向所述第一和第二栅极线供给栅极导通电压或栅极截止电压，该栅极导通电压施加到所述第一栅极线预定时间，同时一栅极导通电压施加到该第二栅极线。
4.如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列板，还包括向该第一和第二数据线提供图像信号的数据驱动电路，其中该数据驱动电路提供两点反转驱动信号。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列板，还包括与所述第一至第三像素列对应的冗余数据线。
6.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列板，其中该冗余数据线连接到该第一数据线。
7.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列板，其中预定电压施加到该冗余数据线。
8.一种薄膜晶体管阵列板，包括多个像素，包括以矩阵布置的像素电极和连接到该像素电极的开关元件；第一和第二栅极线，连接到该开关元件，服务于一行像素电极；与三像素列对应连接到所述开关元件的第一至第三数据线，该第一像素列中的像素电极经某些开关元件连接到该第一数据线，该第二像素列中的像素电极经另一些开关元件连接到该第二数据线，该第三像素列中的像素电极经另一些开关元件连接到该第三数据线，所述第一和第二数据线彼此电连接。
9.如权利要求8所述的薄膜晶体管阵列板，其中该第一和第三像素列中的所述像素电极经某些开关元件连接到所述第一栅极线，且该第二像素列中的所述像素电极经另一些开关元件连接到所述第二栅极线。
10.如权利要求9所述的薄膜晶体管阵列板，还包括栅极驱动电路，向所述第一和第二栅极线提供栅极导通电压或栅极截止电压，其中，在施加所述栅极导通电压到该第一栅极线的同时，该栅极驱动电路施加所述栅极导通电压到所述第二栅极线。
11.如权利要求10所述的薄膜晶体管阵列板，还包括数据驱动电路，向所述第一和第二数据线提供图像信号，其中该数据驱动电路提供两点反转驱动信号。
12.如权利要求8所述的薄膜晶体管阵列板，还包括连接部分，其每个将所述第一数据线连接到所述第二数据线；引线部分，将该第一和第二数据线连接到该数据驱动电路；以及连接元件，将该引线部分连接到该连接部分，其中至少部分该第三数据线在该引线部分和将被连接到该数据驱动电路的该连接部分之间通过。
13.如权利要求8所述的薄膜晶体管阵列板，其中，当一个像素列组包括顺序布置的所述第一至第三像素列时，偶数像素列组的所述第三数据线在该引线部分和将被连接到该数据驱动电路的该连接部分之间通过，且奇数像素列组的所述第三数据线不通过该引线部分和该连接部分之间。
14.如权利要求8所述的薄膜晶体管阵列板，其中所述像素电极的每个包括沿不同方向倾斜的两个平行四边形电极片，且该两个电极片的斜边彼此相交从而形成一对曲边。
15.一种薄膜晶体管阵列板，包括以矩阵布置的多对子像素电极，一对子像素用作一个像素电极；连接到该子像素电极的多个开关元件；第一和第二栅极线，连接到该开关元件，沿行方向延伸，且对应于一行像素电极；对应于一行像素电极的第一和第二存储电极线；以及第一至第三数据线，连接到该开关元件，沿列方向延伸，且对应于三个像素列，其中，当所述三个像素列被称为第一至第三像素列时，在该第一像素列中的所述子像素电极经某些开关元件连接到该第一数据线，在该第二像素列中的所述子像素电极经另一些开关元件连接到该第二数据线，在该第三像素列中的所述子像素电极经再一些开关元件连接到该第三数据线，且该第一和第二数据线彼此电连接。
16.如权利要求15所述的薄膜晶体管阵列板，其中在该第一和第三像素列中的所述子像素电极经某些开关元件连接到该第一栅极线，且在该第二像素列中的所述子像素电极经另一些开关元件连接到该第二栅极线。
17.如权利要求16所述的薄膜晶体管阵列板，其中，当用作一像素电极的一对子像素电极被称为第一和第二子像素电极时，该第一子像素电极与所述第一存储电极线交迭，且该第二子像素电极与该第二存储电极线交迭。
18.如权利要求17所述的薄膜晶体管阵列板，其中不同的电压施加到该第一存储电极线和该第二存储电极线。
19.如权利要求17所述的薄膜晶体管阵列板，还包括与所述第二子像素电极交迭的第三存储电极线。
20.如权利要求19所述的薄膜晶体管阵列板，其中对该第一存储电极线和该第二存储电极线施加不同的电压，且对该第二存储电极线和该第三存储电极线施加相同的电压。
21.如权利要求20所述的薄膜晶体管阵列板，其中所述开关元件的每个包括栅电极，连接到该第一栅极线或该第二栅极线；源电极，连接到该第一至第三数据线中的任一个；以及漏电极，在所述栅电极之上与所述源电极相对且具有扩展部分，其中该第一和第三像素列中该漏电极的所述扩展部分与该第一存储电极线交迭，且所述第二像素列中该漏电极的所述扩展部分与该第二存储电极线交迭。
22.如权利要求15所述的薄膜晶体管阵列板，其中所述子像素电极的每个包括沿不同方向倾斜的两个平行四边形电极片，且所述两个电极片的斜边彼此交叉从而形成一对曲边。
全文摘要
本发明涉及一种薄膜晶体管阵列板，包括多个像素，包括以矩阵布置的像素电极以及连接到该像素电极的开关元件；连接到该开关元件的第一和第二栅极线，沿行方向延伸且对应于一行像素电极；以及连接到该开关元件的第一和第二数据线，沿列方向延伸且对应于三个像素列。在该薄膜晶体管阵列板中，当所述三个像素列被称为第一至第三像素列时，在该第一和第二像素列中的所述像素电极经所述开关元件连接到该第一数据线，且该第三像素列中的所述像素电极经该开关元件连接到该第二数据线。
文档编号H01L29/786GK1952764SQ20061013595
公开日2007年4月25日 申请日期2006年10月17日 优先权日2005年10月17日
发明者金东奎 申请人:三星电子株式会社