白色有机发光二极管及其制备方法

专利名称：白色有机发光二极管及其制备方法
技术领域：
本发明涉及一种白色有机发光二极管(OLED)及其制备方法，更具体地，本发明涉及一种白色OLED，其发光层的结构和材料得到改善，使得白色OLED的发光效率和寿命提高。
背景技术：
通常，有机发光二极管(OLED)包括基底、阳极、包括发光层的有机层和阴极。OLED是自发发光显示器，它通过发光层中电子和空穴的复合发光。OLED是有利的，因为它们可以在低电压下驱动、具有快的响应速度并具有宽视角。OLED可以应用于轻薄的信息显示器件如移动电话，以显示具有高画面质量的图像。
有效地发出白光的OLED可以用于多种广泛的应用中，如LCD显示器的背光光源、车辆的内部光源和办公室的照明器。白光OLED可以与原色滤光片如红色、蓝色和绿色滤光片一起用于彩色平板显示器中。
根据第一种OLED制备方法，发光层可以由发射红、蓝和绿光的多层构成。然而，难于形成多层，并且为了得到白光，发光层的厚度必须通过反复试验获得。而且，光的颜色没有规律，它会随着电压变化而显著改变。此外，白色OLED的稳定性会恶化，使得白色OLED的寿命很短。
根据第二种OLED制备方法，发光层基质材料掺有或混有有机发光颜料。第二种方法的工艺比第一种方法的工艺简单。然而，在第二种方法中，发白光的薄膜也必须通过反复试验得到。而且，因为掺杂浓度非常小，所以在批量生产过程中难于控制掺杂浓度。并且，掺杂剂浓度的微小改变会导致颜色变化。
因此，仍然需要具有优异的发光效率和长寿命的白色OLED。

发明内容
本发明提供一种发光效率得到改善且寿命提高的白色有机发光二极管(OLED)及其制备方法。
本发明另外的特征将在下面的说明部分中描述，并且部分地将从说明部分中显而易见，或者可以通过本发明的实施来理解。
本发明公开一种白色有机发光二极管，其包括位于第一电极和第二电极之间的发光层，其中该发光层包括蓝色发光层和非蓝色发光层(emission layerexcluding blue)，所述发光层能够发白光，其中所述非蓝色发光层包含磷光材料以及含有空穴迁移材料和电子迁移材料的混合物。
本发明还公开一种制备白色有机发光二极管的方法，该方法包括在基底上形成第一电极；在第一电极上形成蓝色发光层；在蓝色发光层上形成非蓝色发光层；及在非蓝色发光层上形成第二电极，其中所述非蓝色发光层是通过将空穴迁移材料和电子迁移材料的混合物与磷光材料掺杂在一起而形成的。
应该理解上述的概述和下面的详述是示例性的和解释性的，意在提供对所要求权利的本发明的进一步解释。


附示了本发明的实施方案，并与说明书一起用来解释本发明的原理，包括附图是为了进一步理解本发明，附图引入到本说明书中且构成其一部分。
图1是根据本发明示例性实施方案的白色有机发光二极管(OLED)的结构剖视图。
图2是根据本发明示例性实施方案的白色OLED的结构剖视图。
图3是根据本发明示例性实施方案的白色OLED的结构剖视图。
图4是根据本发明示例性实施方案的白色OLED的发光特性的曲线图。
具体实施例方式
在下文中参考附图更全面描述本发明，附图中图示了本发明的实施方案。然而，本发明可以以许多不同的形式实施，并不仅限于本文中所列的实施方案。相反，提供这些实施方案，使得本发明的公开完全，并且对于本领域的技术人员将全面传达本发明的范围。在附图中，为了清楚起见，各层和区域的尺寸和相对尺寸可以放大。附图中相同的附图标记表示相同的元件。
将会理解，当元件如层、膜、区域或基底称为“在另一元件上”时，它可以直接在另一元件上或者也可以存在插入元件。相反，当元件称为“直接在另一元件上”时，则不存在插入元件。
根据本发明示例性实施方案的白色OLED，可以包括在第一电极(阳极)和第二电极(阴极)之间的双层发光层，该双层发光层是通过层叠发出蓝光的发光层(蓝色发光层)和不发出蓝光的另一发光层(非蓝色发光层)而得到的。非蓝色发光层可以包括磷光材料以及空穴迁移材料和电子迁移材料的混合物。
根据本发明的示例性实施方案，空穴注入层和/或空穴迁移层可以顺序地层叠在第一电极和发光层之间。而且，空穴阻挡层、电子迁移层和/或电子注入层可以顺序地层叠在发光层和第二电极之间。可以在任意两层之间插入中间层，以改善层间界面特性。
根据本发明的示例性实施方案，发光层可以具有双层结构，其中蓝色发光层层叠在黄色发光层上，或者其中黄色发光层层叠在蓝色发光层上。根据另一个示例性实施方案，发光层可以具有双层结构，其中蓝色发光层层叠在红色和绿色混合发光层上或者红色和绿色混合发光层层叠在蓝色发光层上。根据另一个示例性实施方案，发光层可以具有三层结构，其中蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层顺序地层叠，或者其中红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层顺序地层叠。
蓝色发光层可以包括荧光材料或磷光材料。例如，可以使用铱(Ir)衍生物，如二(氟代苯基吡啶)吡啶甲酸合铱(FIrpic)作为蓝色发光层。可以使用蒽衍生物如二苯基蒽，及苯乙烯基苯衍生物如作为荧光材料的4，4′-双(二苯基氨基)1，2-二苯乙烯(PAS)作为蓝色发光层。
非蓝色发光层可以包括空穴迁移材料和电子迁移材料的混合物作为基质，也可以包括磷光材料作为掺杂剂。
可以使用包括咔唑单元的物质作为空穴迁移材料。例如，可以采用至少一种选自1，3，5-三咔唑基苯，4，4′-二咔唑基联苯，聚乙烯咔唑，间-二咔唑基联苯，4，4′-二咔唑基-2，2′-二甲基联苯，4，4′，4″-三(N-咔唑基)三苯胺，1，3，5-三(2-咔唑基苯基)苯，1，3，5-三(2-咔唑基-5-甲氧基苯基)苯，二(4-咔唑基苯基)硅烷中的物质。
可以使用有机金属基物质如铝、锌、铍或钾基物质，包括二唑单元的物质，包括三嗪单元的物质，包括三唑单元的物质，及包括螺芴单元的物质作为电子迁移材料。例如，可以采用至少一种选自二(8-羟基喹啉)联苯氧基铝；二(8-羟基喹啉)苯氧基铝；二(2-甲基-8-羟基喹啉)联苯氧基铝；二(2-甲基-8-羟基喹啉)苯氧基铝；二(2-(2-羟基苯基)喹啉)锌；2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-二唑；2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)；2，4，6-三(二芳基氨基)-1，3，5-三嗪；及3-苯基-4-(1′-萘基)-5-苯基-1，2，4-三唑中的物质。
空穴迁移材料和电子迁移材料可以以约1∶9～9∶1的重量比相互混合。当空穴迁移材料与电子迁移材料的混合比偏离上述范围时，其中采用空穴迁移材料和电子迁移材料作为基质的二极管的性能不会得到改善。
当使用黄色发光层作为非蓝色发光层时，可以采用二(苯基喹啉)乙酰丙酮根合铱(Ir(pq)2acac)作为黄色磷光掺杂剂。当使用红色和绿色混合发光层或红色层和绿色层作为非蓝色发光层时，可以采用二(苯基异喹啉)乙酰丙酮根合铱(Ir(piq)2acac)作为红色磷光掺杂剂并采用三(苯基吡啶)铱(Irppy3)作为绿色磷光掺杂剂。
磷光材料的量可以为空穴迁移材料和电子迁移材料的混合物的约1～20％重量(wt％)。当磷光材料的量小于约1wt％时，会难于控制掺杂浓度。当磷光材料的量大于约20wt％时，效率和颜色特性会恶化。
根据本发明的示例性实施方案，整个发光层可以为约20～60nm厚。蓝色发光层可以为约10～50nm厚，非蓝色发光层可以为约10～50nm厚。当非蓝色发光层少于约10nm厚时，发出的蓝色光太弱以致色度坐标会移至红色。当非蓝色发光层大于约50nm厚时，发出的蓝色光太强以致色度坐标会移至蓝色。当发光层为双层时，黄色发光层可以为约10～50nm厚，绿色和红色混合发光层可以为约10～50nm厚。当发光层具有三层时，绿色发光层可以为约5～45nm厚，红色发光层可以为约5～45nm厚。
图1、图2和图3示意地图示了根据本发明示例性实施方案的白色OLED的层叠结构。
参考图1，白色OLED可以包括层叠在基底10上的第一电极20，以及顺序地层叠在第一电极20上的空穴注入层30，空穴迁移层40，包括蓝色发光层50a和黄色发光层50b的发光层50，电子迁移层60，电子注入层70，及第二电极80。
图2的白色OLED可以包括层叠结构，其中红色和绿色混合发光层50c代替图1的白色OLED的黄色发光层50b。
图3的白色OLED可以包括层叠结构，其中三层发光层代替图1的双层发光层，该三层发光层包括蓝色发光层50a、绿色发光层50d和红色发光层50e。
尽管未在附图中示出，但是OLED可以包括空穴阻挡层和中间层，以改善层间界面特性。
现在将描述根据本发明示例性实施方案的白色OLED的制备方法。
首先，在基底10上形成构图的第一电极20。基底10可以是具有优异的透明性、表面平整性、易加工性和防水性的玻璃基底或透明塑料基底。基底可以为约0.3～1.1mm厚。
第一电极20可以由易于注入空穴的导电金属或其氧化物形成。实例包括氧化铟锡(ITO)，氧化铟锌(IZO)，镍(Ni)，铂(Pt)，金(Au)，及铱(Ir)。
可以清洗其上形成了第一电极20的基底，然后进行紫外(UV)/臭氧处理。可以使用有机溶剂，如异丙醇(IPA)或丙酮。可以在真空条件下等离子体处理清洗后的基底和电极。
空穴注入材料可以真空热沉积或旋涂在第一电极20上，形成空穴注入层30。空穴注入层30可以降低第一电极20和发光层50之间的接触电阻，并可以改善第一电极20相对于发光层50的空穴迁移特性。这样可以降低OLED的驱动电压并增加OLED的寿命。
空穴注入层30可以为约300～1500厚。当空穴注入层30的厚度小于约300时，OLED的寿命会降低，有机EL器件的可靠性会恶化，并且无源矩阵(PM)有机EL会产生像素短路。当空穴注入层30的厚度大于约1500时，所需的驱动电压会升高。
可以使用铜酞菁(CuPc)或星爆式胺如TCTA、m-MTDATA和IDE406(出光株式会社(Idemitsu Co.，LTD)的材料)作为空穴注入材料。
空穴迁移材料可以真空热沉积或旋涂在空穴注入层30上，形成空穴迁移层40。空穴迁移材料可以由N，N′-双(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-[1，1-二苯基]-4，4′二胺(TPD)，N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基联苯胺，N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基-联苯胺α-NPD)，或者IDE320(出光株式会社的材料)构成。空穴迁移层可以为约100～400厚。当空穴迁移层的厚度小于100时，空穴迁移性能会恶化。当空穴迁移层的厚度大于400时，驱动电压会升高。

发光层50可以通过真空热沉积或旋涂形成在空穴迁移层40上。
发光层50可以具有包括图1所示的蓝色发光层50a和黄色发光层50b，或图2所示的蓝色发光层50a以及绿色和红色混合的发光层50c的双层结构，或者可以具有包括图3所示的蓝色发光层50a、绿色发光层50d和红色发光层50e的三层结构。
蓝色发光层50a可以由本领域已知的材料构成，如带有咔唑-联苯(CBP)基质的FIrpic。
可以使用空穴迁移材料和电子迁移材料的混合物作为包括在黄色发光层50b，绿色和红色混合发光层50c，绿色发光层50d，及红色发光层50e中的基质材料。可以使用发出各种颜色光的磷光材料作为掺杂剂材料。
可以使用包括咔唑单元的物质作为空穴迁移材料。例如，可以使用选自1，3，5-三咔唑基苯，4，4′-二咔唑基联苯，聚乙烯咔唑，间-二咔唑基联苯，4，4′-二咔唑基-2，2′-二甲基联苯，4，4′，4″，-三(N-咔唑基)三苯胺，1，3，5-三(2-咔唑基苯基)苯，1，3，5-三(2-咔唑基-5-甲氧基苯基)苯，及二(4-咔唑基苯基)硅烷中的至少一种。可以使用有机金属基物质如铝、锌、铍或钾基物质，包括二唑单元的物质，包括三嗪单元的物质，包括三唑单元的物质，及包括螺芴单元的物质作为电子迁移材料。例如，可以采用选自二(8-羟基喹啉)联苯氧基铝，二(8-羟基喹啉)苯氧基铝，二(2-甲基-8-羟基喹啉)联苯氧基铝，二(2-甲基-8-羟基喹啉)苯氧基铝，二(2-(2-羟基苯基)喹啉)锌，2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-二唑，2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)，2，4，6-三(二芳基氨基)-1，3，5-三嗪，及3-苯基-4-(1′-萘基)-5-苯基-1，2，4-三唑中的至少一种。
可以使用Ir(pq)2acac作为黄色磷光掺杂剂，可以使用Ir(piq)2acac作为红色磷光掺杂剂，可以使用Irppy3作为绿色磷光掺杂剂。
空穴迁移材料和电子迁移材料可以以约1∶9～9∶1的重量比相互混合。磷光材料的量可以为空穴迁移材料和电子迁移材料混合物的约1～20wt％。
根据本发明的示例性实施方案，整个发光层50可以为约20～60nm厚。随着发光层变厚，驱动电压增加，因此发光层50的厚度不应超过约60nm。蓝色发光层50a可以为约10～50nm厚。黄色发光层50b可以为约10～50nm厚。红色和绿色混合发光层50c可以为约10～50nm厚。绿色发光层50d可以为约5～45nm厚。红色发光层50e可以为约5～45nm厚。
尽管在图1、图2或图3中未示出，但空穴阻挡材料可以真空沉积或旋涂在发光层50上，形成空穴阻挡层。所采用的空穴阻挡材料应该具有高于发光化合物的电离电势，并应该具有电子迁移性能。例如，可以使用Balq、BCP和TPBI作为空穴阻挡材料。空穴阻挡层可以为约30～70厚。当空穴阻挡层的厚度小于约30时，不会实现空穴阻挡性能。当空穴阻挡层的厚度大于约70时，驱动电压会升高。

电子迁移材料可以真空沉积或旋涂在发光层50或空穴阻挡层上，形成电子迁移层60。可以使用Alq3作为电子迁移材料。
电子迁移层60可以为约150～600厚。当电子迁移层60的厚度小于约150时，电子迁移性能会恶化。当电子迁移层60的厚度大于600时，驱动电压会升高。
电子注入层70可以层叠在电子迁移层60上。电子注入层70可以由LiF，NaCl，CsF，Li2O，BaO或Liq形成。电子注入层70可以为约5～20厚。当电子注入层70的厚度小于约5时，电子注入层70不能有效地起作用。当电子注入层70的厚度大于约20时，驱动电压会升高。
形成充当第二电极80的阴极的金属可以真空热沉积在电子注入层70上，完成白色OLED。
可以使用Li，Mg，Al，Al-Li，Ca，Mg-In，或者Mg-Ag作为用于阴极的金属。
现在将参考下面的实施例描述本发明。然而，本发明不限于这些实施例。
实施例1将得自康宁公司(Corning Company)的15Ω/cm2(1200)的ITO玻璃基底切割为50mm×50mm×0.7mm的尺寸。ITO玻璃基底用异丙醇和纯水的溶液超声清洗5分钟，然后用UV和臭氧清洗30分钟。在清洗工艺后，将ITO玻璃基底在不大于0.1毫托的真空中等离子体处理9分钟。
将得自出光株式会社的IDE406真空热沉积在基底上，形成700厚的空穴注入层。接着，将NPD真空热沉积在空穴注入层上，形成150厚的空穴迁移层。
将掺有15wt％FIrpic的CBP(4，4′-二咔唑基联苯)真空热沉积在空穴迁移层上，形成300厚的蓝色发光层。接着，将CBP和BCP(2，9-二甲基-4，7-二苯基-9，10-菲咯啉)的1∶1混合物与10wt％Ir(pq)2acac掺杂在一起，在蓝色发光层上通过真空热沉积形成100厚的黄色发光层。
接着，将Alq3沉积在黄色发光层上，形成250厚的电子迁移层。将10LiF和800Al顺序地真空热沉积在电子迁移层上，形成LiF/Al电极并完成OLED。
实施例2得自康宁公司的15Ω/cm2(1200)的ITO玻璃基底切割为50mm×50mm×0.7mm的尺寸，ITO玻璃基底用异丙醇和纯水的溶液超声清洗5分钟，然后用UV和臭氧清洗30分钟。在清洗工艺后，将ITO玻璃基底在不大于0.1毫托的真空中等离子体处理9分钟。
将得自出光株式会社的IDE406真空热沉积在基底上，形成700厚的空穴注入层。接着，将NPD真空热沉积在空穴注入层上，形成150厚的空穴迁移层。
将掺有15wt％FIrpic的CBP真空热沉积在空穴迁移层上，形成300厚的蓝色发光层。将Irppy3和Ir(piq)2acac以8∶2的比例相互混合。接着，将10wt％Irppy3和Ir(piq)2acac的混合物与CBP和BCP的1∶1的混合物混合在一起，通过真空热沉积形成100厚的绿色和红色混合发光层。
接着，将Alq3沉积在绿色和红色混合发光层上，形成250厚的电子迁移层。将10LiF和800Al顺序地真空热沉积在电子迁移层上，形成LiF/Al电极并完成OLED。
实施例3将得自康宁公司的15Ω/cm2(1200)的ITO玻璃基底切割为50mm×50mm×0.7mm的尺寸。ITO玻璃基底用异丙醇和纯水的溶液超声清洗5分钟，然后用UV和臭氧清洗30分钟。在清洗工艺后，将ITO玻璃基底在不大于0.1毫托的真空中等离子体处理9分钟。
将得自出光株式会社的IDE406真空热沉积在基底上，形成700厚的空穴注入层。接着，将NPD真空热沉积在空穴注入层上，形成150厚的空穴迁移层。
将掺有15wt％FIrpic的CBP真空热沉积在空穴迁移层上，形成300厚的蓝色发光层。接着，将CBP和BCP的1∶1混合物与5wt％Irppy3掺杂在一起，在蓝色发光层上通过真空热沉积形成100厚的绿色发光层。接着，将CBP和BCP的1∶1混合物与10wt％Ir(piq)2acac掺杂在一起，在绿色发光层上通过真空热沉积形成100厚的红色发光层。
接着，将Alq3沉积在红色发光层上，形成250厚的电子迁移层。将10LiF和800Al顺序地真空热沉积在电子迁移层上，形成LiF/Al电极并完成OLED。
对比例1将得自康宁公司的15Ω/cm2(1200)的ITO玻璃基底切割为50mm×50mm×0.7mm的尺寸。ITO玻璃基底用异丙醇和纯水的溶液超声清洗5分钟，然后用UV和臭氧清洗30分钟。在清洗工艺后，将ITO玻璃基底在不大于0.1毫托的真空中等离子体处理9分钟。
将得自出光株式会社的IDE406真空热沉积在基底上，形成700厚的空穴注入层。接着，将NPD真空热沉积在空穴注入层上，形成150厚的空穴迁移层。
将掺有15wt％的FIrpic的CBP真空热沉积在空穴迁移层上，形成300厚的蓝色发光层。接着，通过真空热沉积，采用掺有10wt％Ir(pq)2acac的CBP，在蓝色发光层上形成100厚的黄色发光层。
接着，将Alq3沉积在黄色发光层上，形成250厚的电子迁移层。将10LiF和800Al顺序地真空热沉积在电子迁移层上，形成LiF/Al电极并完成OLED。
实验例1通过下列方法检测根据实施例1～3和对比例1制得的白色OLED的驱动电压、效率(电流密度)和半衰期，结果示于下表1中。
亮度通过BM5A(Topcon)亮度计测量。
驱动电压通过238(Keithley)高电流源测量单元(HIGH CURRENTSOURCE MEASURE UNIT)测量。
通过以10mA/cm2将直流电(DC)由10提高到100mA/cm2来测量电流密度，同一OLED中测量不少于9个点。
当施加DC 50mA/cm2的电流密度时，通过研究将各OLED的亮度降至初始值的50％所需的时间来测量半衰期。半衰期结果的重现性通过3个或多个具有相同结构的OLED来确认。
色度坐标由PR650分光计来确认。
表1

从表1中发现，实施例1～3的OLED的效率和半衰期大于对比例1的OLED的效率和半衰期。
实验例2研究了由实施例2制得的OLED的发光特性，结果示于图4所示的曲线图中。
对于本领域的技术人员来说，显而易见可以在本发明中进行各种改进和变化，而不脱离本发明的构思或范围。因而，本发明意在覆盖对本发明的改进和变化，只要它们落入所附的权利要求书及其等价物的范围内。
权利要求
1.一种白色有机发光二极管，包括位于第一电极和第二电极之间的发光层，其中该发光层包括蓝色发光层和非蓝色发光层，所述发光层可以发出白光，其中该非蓝色发光层包含磷光材料以及含有空穴迁移材料和电子迁移材料的混合物。
2.根据权利要求1的白色有机发光二极管，其中所述非蓝色发光层包括黄色发光层。
3.根据权利要求1的白色有机发光二极管，其中所述非蓝色发光层包括绿色和红色混合发光层。
4.根据权利要求1的白色有机发光二极管，其中所述非蓝色发光层包括绿色发光层和红色发光层。
5.根据权利要求1的白色有机发光二极管，其中所述蓝色发光层包含至少一种选自FIrpic，二苯基蒽，及4，4′-双(二苯基氨基)1，2-二苯乙烯中的物质。
6.根据权利要求1的白色有机发光二极管，其中所述空穴迁移材料包括至少一种选自1，3，5-三咔唑基苯；4，4′-二咔唑基联苯；聚乙烯咔唑；间-二咔唑基联苯；4，4′-二咔唑基-2，2′-二甲基联苯；4，4′，4″-三(N-咔唑基)三苯胺；1，3，5-三(2-咔唑基苯基)苯；1，3，5-三(2-咔唑基-5-甲氧基苯基)苯；及二(4-咔唑基苯基)硅烷中的物质。
7.根据权利要求1的白色有机发光二极管，其中所述电子迁移材料包括至少一种选自二(8-羟基喹啉)联苯氧基铝；二(8-羟基喹啉)苯氧基铝；二(2-甲基-8-羟基喹啉)联苯氧基铝；二(2-甲基-8-羟基喹啉)苯氧基铝；二(2-(2-羟基苯基)喹啉)锌；2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-二唑；2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)；2，4，6-三(二芳基氨基)-1，3，5-三嗪；及3-苯基-4-(1′-萘基)-5-苯基-1，2，4-三唑中的物质。
8.根据权利要求1的白色有机发光二极管，其中所述空穴迁移材料与电子迁移材料的重量比为约1∶9～9∶1。
9.根据权利要求1的白色有机发光二极管，其中所述磷光材料包括至少一种选自Ir(pq)2acac，Ir(piq)2acac，及Irppy3中的物质。
10.根据权利要求1的白色有机发光二极管，其中所述磷光材料的量为空穴迁移材料和电子迁移材料的混合物的约1～20％重量。
11.根据权利要求1的白色有机发光二极管，其中所述蓝色发光层为约10～50nm厚。
12.根据权利要求2的白色有机发光二极管，其中所述黄色发光层为约10～50nm厚。
13.根据权利要求3的白色有机发光二极管，其中所述绿色和红色混合发光层为约10～50nm厚。
14.根据权利要求4的白色有机发光二极管，其中所述绿色发光层为约5～45nm厚，及所述红色发光层为约5～45nm厚。
15.一种制备白色有机发光二极管的方法，该方法包括在基底上形成第一电极；在第一电极上形成蓝色发光层；在蓝色发光层上形成非蓝色发光层；及在非蓝色发光层上形成第二电极，其中所述非蓝色发光层是通过将空穴迁移材料和电子迁移材料的混合物与磷光材料掺杂在一起而形成的。
16.根据权利要求15的方法，还包括在第一电极和蓝色发光层之间形成空穴注入层或空穴迁移层；及在非蓝色发光层和第二电极之间形成空穴阻挡层、电子迁移层或电子注入层。
17.根据权利要求15的方法，其中所述非蓝色发光层包括黄色发光层，绿色和红色混合发光层，或者绿色发光层和红色发光层。
18.根据权利要求15的方法，其中所述磷光材料的量为空穴迁移材料和电子迁移材料的混合物的约1～20％重量。
全文摘要
白色有机发光二极管(OLED)包括发光层，该发光层包括蓝色发光层和非蓝色发光层。该非蓝色发光层包含磷光材料以及空穴迁移材料和电子迁移材料的混合物。
文档编号H01L51/54GK1905238SQ20061015156
公开日2007年1月31日 申请日期2006年7月17日 优先权日2005年7月15日
发明者李俊烨, 金美更 申请人:三星Sdi株式会社