专利名称：芯片倒装型封装件的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种芯片封装结构。
背景技术：
QFN(无引线四方扁平封装)封装是在90年代中期，随着通讯及便携式小型数码电子产品的产生(数码相机、手机、PC、MP3)而发展起来的、适用于高频、宽带、低噪声、高导热、小体积，高速度等电性要求的中小规模集成电路的封装。QFN和CPS有些相似，但元件底部没有焊球，与PCB的电气连接是通过在PCB焊盘上先印刷焊膏，再将器件自动贴片在PCB板的对应位置，然后经过回流焊形成的焊点来实现的。
通用QFN芯片封装包括基岛、导电胶、芯片、框架内引脚、框架外引脚、金丝、塑封体；基岛和框架内引脚都不打弯，并且外露处于同一平面；所以芯片上的焊盘与框架内引脚较远，因此金线也较长，生产成本较高，并且塑封时容易交丝和坍丝。
实用新型内容本实用新型的目的是提供一种芯片倒装型封装件，以解决现有芯片封装结构存在的散热能力差、压焊金线较长、生产成本相对较高的问题。
本实用新型包括基岛、导电胶、芯片、框架内引脚、框架外引脚、金丝、塑封体，基岛通过导电胶与芯片相连，所述基岛和框架外引脚与塑封体下表面处于同一平面；所述芯片位于基岛的下方；芯片上的焊盘和框架内引脚通过金丝反向压焊连接；框架内引脚的顶端弯曲位于塑封体的中心；芯片下表面、金丝、框架内引脚、框架外引脚上表面被塑封体包围成一整体。
本实用新型框架内引脚反向打凹，根据封装厚度要求的大小打凹深度有所不同，用以提高塑封料与框架内引脚的结合牢度，并且可缩短金丝的长度，节约成本。基岛既可外露，也可不外露。本实用新型可增强散热性，提高功率因子，扩大应用范围。
以下结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。
图1是本实用新型第一种实施方式的结构示意图；
图2是本实用新型第二种实施方式的结构示意图；图3是本实用新型第三种实施方式的结构示意图。
具体实施方式
本实用新型包括基岛1、导电胶2、芯片3、框架内引脚5、框架外引脚6、金丝7、塑封体9，基岛1通过导电胶2与芯片3相连，基岛1和框架外引脚6与塑封体9下表面处于同一平面；外露，有利于散热。芯片3位于基岛1的下方；芯片3上的焊盘和框架内引脚5通过金丝7反向压焊连接；形成信号通道；框架内引脚5的顶端弯曲位于塑封体9的中心；用以提高塑封料与框架内引脚的结合牢度，并且可缩短金丝的长度，节约成本。芯片下表面、金丝7、框架内引脚5、框架外引脚上表面被塑封体9包围成一整体。
图1示出了本实用新型的第一种实施方式，基岛1位于塑封体9内部，与框架内引脚5的处于同一平面。
图2示出了本实用新型的第二种实施方式，基岛1与塑封体9的上表面处于同一平面，有利于散热。
图3示出了本实用新型的第三种实施方式，基岛1与塑封体9的上表面处于同一平面；基岛1顶面开有环形槽16；槽形部分覆盖有塑封料并与塑封体9相连，可阻止溢料渗透到基岛上。
权利要求1.一种芯片倒装型封装件，包括基岛、导电胶、芯片、框架内引脚、框架外引脚、金丝、塑封体，基岛通过导电胶与芯片相连；其特征在于所述基岛(1)和框架外引脚(6)与塑封体(9)下表面处于同一平面；所述芯片(3)位于基岛(1)的下方；芯片(3)上的焊盘和框架内引脚(5)通过金丝(7)反向压焊连接；框架内引脚(5)的顶端弯曲位于塑封体(9)的中心；芯片(3)的下表面、金丝(7)、框架内引脚(5)、框架外引脚(6)的上表面被塑封体(9)包围成一整体。
2.根据权利要求1所述的芯片倒装型封装件，其特征在于所述基岛(1)位于塑封体(9)内部，与框架内引脚(5)的处于同一平面。
3.根据权利要求1所述的芯片倒装型封装件，其特征在于所述基岛(1)与塑封体(9)的上表面处于同一平面。
4.根据权利要求1所述的芯片倒装型封装件，其特征在于所述基岛(1)与塑封体(9)的上表面处于同一平面；基岛(1)顶面开有环形槽(16)；槽形部分覆盖有塑封料并与塑封体(9)相连。
专利摘要本实用新型公开了一种芯片倒装型封装件，以解决现有芯片封装结构存在的散热能力差、压焊金线较长、生产成本相对较高的问题。本实用新型包括基岛、导电胶、芯片、框架内引脚、框架外引脚、金丝、塑封体，基岛通过导电胶与芯片相连，所述基岛和框架外引脚与塑封体下表面处于同一平面；所述芯片位于基岛的下方；芯片上的焊盘和框架内引脚通过金丝反向压焊连接；框架内引脚的顶端弯曲位于塑封体的中心；芯片下表面、金丝、框架内引脚、框架外引脚上表面被塑封体包围成一整体。本实用新型可增强散热性，提高功率因子，生产成本低，扩大了应用范围。
文档编号H01L23/28GK2911961SQ200620079178
公开日2007年6月13日 申请日期2006年6月13日 优先权日2006年6月13日
发明者慕蔚, 王永忠 申请人:天水华天科技股份有限公司