专利名称：：抛光组合物的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种例如在形成半导体器件线路的抛光中使用的抛光组合物。技术背景半导体器件线路形成的第一步是在具有沟槽的绝缘层上依次连续形成势垒层和导电层。然后，通过化学机械抛光除掉位于沟槽外部的至少部分导电层(导电层的外部)和位于沟槽外部的至少部分势垒层(势垒层的外部)。通常通过两个单独的步骤进行抛光除去至少导电层外部和势垒层外部第一抛光步骤和第二抛光步骤。在第一抛光步骤中，除去导电层的部分外部，暴露出势垒层的上表面。在其后的第二抛光步骤中，至少除去导电层剩余的外部和势垒层的外部，暴露出绝缘层并得到刨光面(planersurface)。当应去除导电层部分之外的导电层部分，尤其是，位于沟槽内的导电层部分被去除时，会发生导致导电层的上表面的高度降低的浅碟化现象。结果，导线电阻增加并且表面平整性降低。因此，专利文献1和2分别公开了一种可用于第一抛光步骤中抑制浅碟化的改进的抛光组合物。更具体地，专利文献l和2分别公开了一种包含诸如苯并三唑等保护膜形成剂、诸如过氧化氢等氧化剂和诸如甘氨酸等蚀刻剂的抛光组合物。但是，专利文献1和2不能满足消除浅碟化的需要并仍有改进的空间。专利文献l:日本公开专利号8-83780专利文献2:国际公开号WO00/39844
发明内容本发明的一个目的是提供一种更适合在形成半导体器件线路的抛光中使用的抛光组合物。为达到上述目的并根据本发明的一个方面，提供一种抛光组合物，包括保护膜形成剂，氧化剂，以及蚀刻剂。保护膜形成剂包含苯并三唑和苯并三唑衍生物中的至少一种化合物以及通式ROR'COOH和通式ROR'OP03H2表示的化合物中的至少一种化合物(其中R表示烷基或烷代苯基，R，表示聚氧乙烯基或聚氧丙烯基或聚(氧乙烯/氧丙烯)基》抛光组合物的pH值等于或大于8。图l(a)，l(b)和l(c)是被抛光物体的剖视图，用来说明形成半导体器件线路的方法；以及图2(a)是用来说明浅碟化的被抛光物体的剖视图。具体实施方式下面来说明一个实施例。首先，根据图l(a)至l(c)说明形成半导体器件线路的方法。半导体器件的线路通常以如下方式形成。首先，如图l(a)所示，在形成于半导体衬底(图中未示)上且具有沟槽11的绝缘层12上，依次连续形成势垒层13和导电层14。其后，通过化学机械抛光去除位于沟槽11外部的导电层14的至少部分(导电层14的外部)和位于沟槽11外部的势垒层13的至少部分(势垒层13的外部)。结果，如图l(c)所示，位于沟槽11内的势垒层13(势垒层13的内部)的至少部分和位于沟槽内的导电层14(导电层14的内部)的至少部分保留在绝缘层12上。在绝缘层12上保留的导电层部分14成为半导体器件的线路。绝缘层12由例如氧化硅、掺有氟的氧化硅(SiOF)或掺有碳的氧化硅(SiOC)形成。在导电层14形成之前，在绝缘层12上形成势垒层13以盖住绝缘层12的表面。势垒层13由例如钽、钽合金或氮化钽形成。势垒层13的厚度低于沟槽11的深度。势垒层13形成之后，在势垒层13上形成导电层14使得至少埋住沟槽11。导电层14例如由铜或铜合金形成。当通过化学机械抛光至少除去导电层14的外部和势垒层13的外部时，首先，去除导电层14的部分外部，如图l(b)所示，以暴露势垒层13外部的上表面(第一抛光步骤)。其后，如图l(c)所示，至少去除导电层14的剩余外部和势垒层13的外部，使得导电层12暴露，并得到刨光面(第二抛光步骤)。本实施例的抛光组合物在形成半导体器件线路的抛光中使用，更具体地，尤其适合用于第一抛光步骤。本实施例的抛光组合物通过混合预定数量的保护膜形成剂、氧化剂、蚀刻剂(复合形成剂)、抛光粉以及水生成，并使该抛光组合物的pH值等于或大于8。因此，本实施例的抛光组合物主要由保护膜形成剂、氧化剂、蚀刻剂、抛光粉和水组成。保护膜形成剂具有在被抛光物体的表面形成保护膜的作用，并形成导电层14表面的保护膜以抑制过度去除导电层14的内部，从而抑制浅碟化(参见图2)。抛光组合物中包含的保护膜形成剂包含苯并三唑和苯并三唑衍生物中的至少一种化合物以及以下通式(l)和通式(2)表示的化合物(阴离子表面活性剂)中的至少一种化合物。换句话说，所述抛光组合物包含由苯并三唑和苯并三唑中的至少一种化合物组成的第一保护膜形成剂，以及由通式(l)和式(2)表示的化合物中的至少一种化合物组成的第二保护膜形成剂。苯并三唑衍生物例如通过用其它原子基团替换与苯并三唑的5元环结构结合的氢原子而形成。ROR，COOH...(1)ROR，OP03H2...(2)在公式(1)和(2)中，R表示烷基或烷代苯基，R'表示聚氧乙烯基或聚氧丙烯基或聚(氧乙烯/氧丙烯)基。抛光组合物中包含的第一保护膜形成剂优选是苯并三唑以得到更强的浅碟化抑制作用。当抛光组合物中第一保护膜形成剂的含量小于0.001g/L，更特别是小于0.01g/L时，不会在导电层14的表面形成充分抑制导电层14过度抛光的保护膜。结果，浅碟化不能被充分抑制，或者说导电层14的表面会比较粗糙。因此，为了避免这些问题，抛光组合物中第一保护膜形成剂的含量优选的是等于或大于0.001g/L，更优选的是等于或大于0.01g/L。另一方面，当抛光组合物中第一保护膜形成剂的含量大于1g/L，更特别是大于0.1g/L时，在导电层14的表面形成过量保护膜，结果是过度抑制了导电层14的抛光。因此，为了确保导电层14适当的抛光去除率，抛光组合物中第一保护膜形成剂的含量优选的是等于或小于1g/L，更优选的是等于或小于0.1g/L。为了得到更强的浅碟化抑制作用，抛光组合物中包含的第二保护膜形成剂优选的是诸如聚氧乙烯月桂醚乙酸酯(polyoxyethylenelauryletheracetate)之类的聚氧乙烯烷基醚乙酸酯(polyoxyethylenealkyletheracetate)或聚氧乙烯烷基酚醚磷酸酯(polyoxyethylenealkylphenyletherphosphate)。'当抛光组合物中第二保护膜形成剂的含量小于0.05g/L，更特别是小于0.5g/L，最特别是小于lg/L时，浅碟化不能被充分抑制。因此，抛光组合物中第二保护膜形成剂的含量优选的是等于或大于0.05g/L，更优选的是等于或大于0.5g/L，最好是等于或大于1g/L。另一方面，当抛光组合物中第二保护膜形成剂的含量大于50g/L，更特别是大于30g/L，最特别是15g/L时，可能会过度抑制导电层14的抛光。因此，为了确保导电层14适当的抛光去除率，抛光组合物中第二保护膜形成剂的含量优选的是等于或小于50g/L，更优选的是等于或小于30g/L，最好是等于或小于15g/L。当抛光组合物中包含的第二保护膜形成剂的分子量小于200，更特别是小于400时，浅碟化抑制作用可能会不够强。因此，为了得到更强的浅碟化抑制作用，抛光组合物包含的第二保护膜形成剂的分子量优选的是等于或大于200，更优选的是等于或大于400。另一方面，当第二保护膜形成剂的分子量大于1000，更特别是大于700，第二保护膜形成剂可能不易溶解在水中。因此，为了提高抛光组合物中第二保护膜形成剂的溶解性，抛光组合物中第二保护膜形成剂的分子量优选的是等于或小于1000，更优选的是等于或小于700。如果第二保护膜形成剂中聚氧乙烯基团、聚氧丙烯基团或聚(氧乙烯/氧丙烯)基团的重复单元的数量小于2，更特别是小于3，第二保护膜形成剂较难溶于水中。因此，为了提高抛光组合物中第二保护膜形成剂的溶解性，第二保护膜形成剂中聚氧乙烯基、聚氧丙烯基或聚(氧乙烯/氧丙烯)基的重复单元的数量优选的是等于或大于2，更优选的是等于或大于3。如果第二保护膜形成剂的HLB(亲水/亲油平衡)值小于10，更特别是小于11.5，第二保护膜形成剂可能不易溶解在水中，导致处于乳化液状态。这是在抛光物体上形成平整保护膜所不期望的。因此，为了提高抛光组合物中第二保护膜形成剂的溶解性，抛光组合物中包含的第二保护膜形成剂的HLB值优选的是等于或大于IO，更优选的是等于或大于11.5。另一方面，抛光组合物中第二保护膜形成剂的HLB值大于16，更特别是大于14时，浅碟化抑制作用可能会不够强。因此，为了得到更强的浅碟化抑制作用，抛光组合物包含的第二保护膜形成剂的HLB值优选的等于或小于16，更优选的是等于或小于14。第二保护膜形成剂的HLB值可通过例如格里芬(griffin)方法得到。氧化剂具有氧化被抛光物的作用，并通过氧化导电层14有助于提高抛光组合物对导电层14的抛光性能。为了减少氧化剂对被抛光物体的金属污染，抛光组合物中包含的氧化剂最好是过氧化氢。当抛光组合物中氧化剂的含量小于0.3g/L，更特别是小于1.5g/L，最特别是小于3g/L时，抛光组合物对抛光导电层14的抛光性能提高不多。因此，为了以更高去除率来抛光导电层14，抛光组合物中氧化剂的含量优选的是等于或大于0.3g/L，更优选的是等于或大于1.5g/L，最好是等于或大于3g/L。另一方面，当抛光组合物中氧化剂的含量大于30g/L，更特别是大于15g/L，最特别是大于10g/L时，抛光组合物对导电层14的抛光性能过高，结果是可能发生浅碟化。因此，为了抑制浅碟化，抛光组合物中氧化剂的含量优选的是等于或小于30g/L，更优选的是等于或小于15g/L，最好是等于或小于10g/L。蚀刻剂具有蚀刻被抛光物体的作用，通过蚀刻导电层14有助于提高抛光组合物对导电层14的抛光性能。抛光组合物中包含的蚀刻剂可以是诸如甘氨酸、丙氨酸或缬氨酸等a-氨基酸。其中，甘氨酸更有利于以更高去除率来抛光导电层14。当抛光组合物中蚀刻剂的含量小于0.5g/L，更特别是小于lg/L，最特别是小于3g/L时，抛光组合物对于抛光导电层14的抛光性能可能提高不多。因此，为了以更高去除率来抛光导电层14，抛光组合物中蚀刻剂的含量优选的是等于或大于0.5g/L，更优选的是等于或大于1g/L，最好是等于或大于3g/L。另一方面，当抛光组合物中蚀刻剂的含量大于50g/L，更特别是大于30g/L，更特别是大于10g/L时，抛光组合物对于抛光导电层14的抛光性能过高，结果是可能发生浅碟化。因此，为了抑制浅碟化，抛光组合物中蚀刻剂的含量优选的是等于或小于50g/L，更优选的是等于或小于30g/L，最好是等于或小于10g/L、，抛光组合物中的抛光粉起到机械式抛光物体的作用，并有助于提高抛光组合物对于抛光导电层14的抛光性能。抛光组合物中包含的抛光粉可以是诸如煅烧硅粉、气相二氧化硅、胶体二氧化硅等的二氧化硅或诸如胶体氧化铝等的氧化铝。为了减少抛光后物体的表面缺陷，优选是二氧化硅。其中，尤其是胶体二氧化硅更好。当抛光组合物中抛光粉的含量低于O.Olg/L，特别是低于0.05g/L，更特别是低于0.1g/L时，抛光组合物抛光导电层14的性能提高不多。因此，为了以更高去除率来抛光导电层14，抛光组合物中抛光粉的含量优选的是等于或大于0.01g/L，更优选的是等于或大于0.05g/L，最好是等于或大于O.lg/L。另一方面，当抛光组合物中抛光粉的含量大于200g/L，特别是大于20g/L，更特别的是大于10g/L时，抛光组合物抛光导电层14的性能过高，结果是可能发生浅碟化。因此，为了抑制浅碟化，抛光组合物中抛光粉的含量优选的时等于或小于200g/L，更优选的是等于或小于20g/L，最好是等于或小于10g/L。平均原始颗粒直径小于1nm的抛光粉几乎没有抛光物体的性能。因此，为了以较高去除率来抛光物体，抛光组合物中抛光粉的平均原始颗粒直径最好等于或大于lnm。另一方面，当抛光组合物中包含的抛光粉的平均原始颗粒直径大于500nm时，由于表面粗糙度的增加和划痕的产生，抛光后物体的表面质量可能下降。因此，为了保持抛光后物体的表面质量，抛光粉的平均原始颗粒直径优选是等于或小于500nm。从例如通过BET方法检测出的抛光粉比表面积可计算出抛光粉的平均原始颗粒直径。具体地，当抛光组合物中包含的抛光粉是胶体二氧化硅时，包含在抛光组合物中作为抛光粉的胶体二氧化硅的平均原始颗粒直径可以如下。当包含在抛光组合物中作为抛光粉的胶体二氧化硅的平均原始颗粒直径小于3nm，特别是小于6nm时，抛光组合物对于导电层14的抛光性能提高不多。因此，为了以更高去除率来抛光导电层14，包含在抛光组合物中作为抛光粉的胶体二氧化硅的平均原始颗粒直径优选的是等于或大于3nm，更优选的是等于或大于6nm。另一方面，当包含在抛光组合物中作为抛光粉的胶体二氧化硅的平均原始颗粒直径大于200nm，特别是大于100nm，更特别的是大于50nm时，胶体二氧化硅可能会沉淀。因此，为了防止胶体二氧化硅沉淀，包含在抛光组合物中作为抛光粉的胶体二氧化硅的平均原始颗粒直径优选的是等于或小于200nm，更优选的是等于或小于100nm，最好是等于或小于50nm。当抛光组合物的pH值小于8时，不能以较高去除率来抛光导电层14，或者说抛光组合物的抛光粉会集聚，因此从实际角度出发很不利。因此，抛光组合物的pH值必须等于或大于8。另一方面，当抛光组合物的pH值过高时，抛光组合物中的抛光粉可能溶解。因此，为了防止抛光粉的溶解，抛光组合物的pH值优选的是等于或小于13，更优选的是等于或小于11。根据本发明的实施例，得到以下的优点。根据本实施例的抛光组合物包含苯并三唑和苯并三唑衍生物中的至少一种化合物之外，还包含了通式(l)和通式(2)表示的化合物中至少一种化合物，作为抑制浅碟化的保护膜形成剂。因此，相比现有的包含三唑作为保护膜形成剂但不包含通式(l)和通式(2)表示的化合物中至少一种化合物的抛光组合物，根据本实施例的抛光组合物能更强地抑制浅碟化。因此，根据本实施例的抛光组合物适合在形成半导体器件线路的抛光中使用。上述的实施例可作如下改动。可以去掉根据该实施例的抛光组合物中包含的抛光粉。在这种情况下，由于抛光组合物中包含的蚀刻剂和氧化剂的作用，可以保持抛光组合物抛光导电层14的性能。为了以较高去除率来抛光导电层14，在抛光组合物中最好包含抛光粉。可在根据该实施例的抛光组合物中添加下面通式(3)表示的化合物(非离子表面活性剂)。当加入通式(3)表示的化合物时，提高了抛光组合物对于导电层14的抛光性能。虽然通式(3)表示的化合物与通式(1)和(2)表示的化合物的作用类似，具有在待抛光物体的表面形成保护膜的作用，通式(3)表示的化合物形成的保护膜在保护作用上低于通式(1)和(2)表示的化合物形成的保护膜。因此，当通式(3)表示的化合物添加到根据本实施例的抛光组合物时，通式(3)表示的化合物形成的具有相对较低保护作用的保护膜部分替代了用于根据该实施例抛光组合物的通式(1)或(2)表示的化合物形成的具有相对较高的保护作用的保护膜。这可以被认为是通过在抛光组合物中添加通式(3)表示的化合物使抛光组合物对于导电层14的抛光性能得以改进的原因。为了以更高去除率来抛光导电层14，抛光组合物中包含的通式(3)表示的化合物最好是诸如聚氧乙烯月桂醚之类的聚氧乙烯烷基醚。ROR，...(3)在公式(3)中，R表示烷基或烷代苯基，R，表示聚氧乙烯基(polyoxyethylenegroup)或聚氧丙烯基(polyoxypropylenegroup)。当抛光组合物中通式(3)表示的化合物的含量大于50g/L，更特别是大于10g/L，最特别是大于5g/L时，可能降低通式(1)和(2)表示的化合物的浅碟化抑制作用。结果，可能发生浅碟化。另外，可能降低抛光组合物抛光导电层14的性能。为了避免这些问题，通式(3)表示的化合物在抛光组合物中的含量优选的是等于或小于50g/L，更优选的是等于或小于10g/L，最好的是等于或小于5g/L。当抛光组合物中包含的通式(3)表示的化合物的分子量小于300，特别是小于400，更特别是小于500时，抛光组合物抛光导电层14的性能可能不能提高很多。因此，为了以较高去除率抛光导电层14，抛光组合物中包含的通式(3)表示的化合物的分子量优选的是等于或大于300，更优选的是等于或大于400，最好是等于或大于500。另一方面，当通式(3)表示的化合物的分子量大于1500，更特别是大于1200，最特别是大于1000时，该化合物不易溶于水。另外，当通式(3)表示的化合物的分子量如上所述的那么大时，可能降低抛光组合物抛光导电层14的性能。因此，为了避免这些问题，通式(3)表示的化合物的分子量优选的是等于或小于1500，更优选的是等于或小于1200，最好是等于或小于1000。如果抛光组合物中包含的通式(3)表示的化合物的HLB(亲水/亲油平衡)值小于13，更特别是小于14，抛光组合物抛光导电层14的性能可能不能提高很多。因此，为了以较高去除率抛光导电层14，抛光组合物中包含的通式(3)表示的化合物的HLB值优选的是等于或大于13，更优选的是等于或大于14。另一方面，当抛光组合物中包含的通式(3)表示的化合物的HLB值大于18，更特别是大于17时，可能降低通式(1)和(2)表示的化合物的浅碟化抑制作用，导致可能发生浅碟化。因此，为了抑制浅碟化，抛光组合物包含的通式(3)表示的化合物的HLB值优选的是等于或小于18，更优选的是等于或小于17。通过例如格里芬(griffin)方法可得到通式(3)表示的化合物的HLB值。如有必要，可将pH值调节剂加入根据该实施例的抛光组合物中。可任意选择加入到抛光组合物中的pH值调节剂。但是，最好使用诸如氢氧化钾等碱金属氢氧化物或诸如氨水等碱，因为它们可提高抛光组合物抛光导电层14的性能。使用前，可以通过稀释浓縮的原液制备上述实施例的抛光组合物。原液的浓縮率最好等于或小于3倍。已知的添加剂诸如防腐剂和消泡剂都可根据需要添加到上述实施例的抛光组合物中。现在说明本发明的试验例和对照例。适当混合苯并三唑、聚氧乙烯月桂醚乙酸酯或其替代化合物、聚氧乙烯月桂醚、31%的过氧化氢溶液、甘氨酸、胶体二氧化硅和pH值调节剂，如果必要，用水稀释来制备对应试验例1到19和对照例1到12的抛光组合物。表格1中示出了各种抛光组合物中苯并三唑、聚氧乙烯月桂醚乙酸酯或其替代化合物、聚氧乙烯月桂醚、31%的过氧化氢溶液、甘氨酸、胶体二氧化硅和pH值调节剂的具体含量以及各种抛光组合物的pH值。表格1中"去除率"栏中示出的数值表示当直径为200mm的铜无图形硅片在表格2所示抛光条件下使用试验例1-19和对照例1-12中的抛光组合物进行抛光时的去除率。通过将抛光前和抛光后硅片的厚度差值除以抛光时间得到每个硅片的去除率。硅片的厚度通过国际电子系统服务公司(InternationalElectricSystemService)生产的"VR-120"型薄层电阻测量装置来测量。表格1中"浅碟化"栏所示的数值表示当SEMATEC生产的铜图形硅片(854个掩膜图形)使用试验例1-19和对照例1-12的各种抛光组合物进行抛光时的浅碟化量。更具体地，SEMATEC生产的铜图形硅片通过在具有沟槽^二氧化硅绝缘层上依次连续设置钽势垒层和厚度为10,000A的铜导电层形成'，并在上表面具有5,000A深度的初始凹陷部。在利用试验例l-19和对照例1-12的各种抛光组合物对铜图形硅片进行抛光之前，使用Fujimi股份公司生产的抛光材料"PLANERLITE-7105"在表格2所示的条件下对铜图形硅片进行预抛光，直到导电层的厚度降到300nm。接着，在表格2所示的条件下利用试验例1-19和对照例1-12的各种抛光组合物对预抛光后的铜图形硅片进行抛光直至势垒层的上层暴露。其后，利用接触型表面检测装置，KLATencor公司生产的断面仪"HRP340"，形成有独立的10(Him宽的沟槽的各个硅片区域中检测浅碟化量。表格1的"分散稳定性"一栏中示出的标记表示对于试验例1-19和对照例1-12的各种抛光组合物的分散稳定性的评估结果。更具体地，将试验例1-19和对照例1-12的抛光组合物在80°C的恒温室内存放30天，然后观察集聚和沉淀情况。根据观察结果，评估抛光组合物的分散稳定性。"分散稳定性"一栏中标记O表示集聚和沉淀都没观察到，标记X表示观察到集聚或沉淀。表格1<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>对照例31.00-001553Gl3.59.0187135〇对照例40.08-001553-06.5500200〇对照例51.00-001553-06.580140〇对照例61.00-0015203-06.5135160O对照例70.08Bl3.501553-06.51050〇对照例80.08B2001553Gl3.59.3550150〇对照例90.08B3001553Gl3.59.1600203〇对照例100.08Bl3.501553G33.53.3150134X对照例110.08Bl3.501553G33.53.183126X对照例120.08Bl3.501553G43.53.390160X表格1中，标记B1代表聚氧乙烯月桂醚乙酸酯，B2代表椰子油脂肪酸肌氨酸三乙醇胺(coconutoilfattyacidsarcosinetriethanolamine);B3代表聚氧乙烯月桂醚硫酸铵，Gl代表氢氧化钾，G2代表氨，G3代表乙醇酸(glycolacid)，并且G4代表硫酸。试验例和对照例中使用的聚氧乙烯月桂醚乙酸酯的分子量为441，聚氧乙烯基中重复单元的数量为2.5并且HLB的值为12.2。对照例中使用的椰子油脂肪酸肌氨酸三乙醇胺的分子量为444并且HLB值为9.8。对照例中使用的聚氧乙烯月桂醚硫酸铵的分子量为374.5，聚氧乙烯基中重复单元的数量为2.5并且HLB的值为10.9。试验例中使用的聚氧乙烯月桂醚的分子量为802并且HLB值为15.8。表格2_抛光机应用材料有限公司(AppliedMaterialsInc.)生产的单面CMP抛光机"Mirra"。抛光垫罗门哈斯公司(RohmandHaas)生产的聚亚胺酯制成的层压抛光垫"IC-1000/SubaIV"抛光压力大约28kPa^2psi)机器压盘的转速100rpm抛光组合物的进料速度200mL/分钟夹头转速100rpm_如表格l所示，试验例l-19提供的抛光组合物的浅碟化量等于或小于100nm，去除率不小于100nm/分钟。浅碟化效果和去除率满足实际需要。另外，试验例1-19的抛光组合物的储存稳定性结果令人满意。相反，对照例1-12中抛光组合物中，去除率和浅碟化的结果都不令人满意。权利要求1、一种抛光组合物包括保护膜形成剂；氧化剂；以及蚀刻剂；其中所述保护膜形成剂包含苯并三唑和苯并三唑衍生物中的至少一种化合物，以及通式ROR’COOH和通式ROR’OPO3H2表示的化合物中的至少一种化合物(其中R表示烷基或烷代苯基，R’表示聚氧乙烯基或聚氧丙烯基或聚(氧乙烯/氧丙烯)基)，并且所述抛光组合物的pH值等于或大于8。2、如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述通式ROR'COOH和通式ROR，OP03H2表示的化合物中的至少一种化合物是聚氧乙烯烷基醚乙酸酯或聚氧乙烯垸基酚醚磷酸酯。3、如权利要求1或2所述的抛光组合物，其特征在于，还包括通式ROR'表示的化合物(其中R表示烷基或烷代苯基，R'表示聚氧乙烯基或聚氧丙烯基)。4、如权利要求3所述的抛光组合物，其特征在于，所述通式ROR'表示的所述化合物是聚氧乙烯垸基醚。5、如权利要求1-4中任意一项所述的抛光组合物，其特征在于，还包括抛光粉。6、如权利要求1-5中任意一项所述的抛光fe合物，其特征在于，还包括碱。全文摘要一种抛光组合物包含保护膜形成剂，氧化剂，以及蚀刻剂。保护膜形成剂包含苯并三唑和苯并三唑衍生物中的至少一种化合物，以及通式ROR’COOH和通式ROR’OPO<sub>3</sub>H<sub>2</sub>表示的化合物中的至少一种化合物，其中R表示烷基或烷代苯基，R’表示聚氧乙烯基或聚氧丙烯基或聚(氧乙烯/氧丙烯)基。抛光组合物的pH值等于或大于8。所述抛光组合物适合在形成半导体器件线路的抛光中使用。文档编号H01L21/304GK101253606SQ20068003167公开日2008年8月27日申请日期2006年9月1日优先权日2005年9月2日发明者吴俊辉,崛和伸,浅野宏申请人:福吉米株式会社