有机发光显示器及其制造方法以及移动装置的制作方法

专利名称：有机发光显示器及其制造方法以及移动装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及有机发光显示器及其制造方法以及移动装置，更具 体地说，本发明涉及一种薄的有机发光显示器，以及能够制造薄的 有机发光显示器的制造方法以及移动装置。
背景技术：
有机发光显示器是一种平板显示器件，它能够通过向荧光或磷 光有机化合物施加电流并使电子和空穴复合来产生自发光。有机发 光显示器能够通过电压或者电流驱动有机发光二极管，例如，nxm 矩阵的有机发光二极管来显示图像。如

图1所示，有机发光二极管具有阳极(ITO)、有机薄层和阴 极电极(金属)。有机薄层可以包括发光层(EML)，它能够通 过电子和空穴的耦合并产生激子来发光；电子传输层(ETL),它能 够适当地控制电子的运动速度；以及空穴传输层(HTL)，它能够适 当地控制空穴的运动速度。用于改善电子注入效率的电子注入层 (EIL)还可以形成在电子传输层上，以及用于改善空穴注入效率的 空穴注入层(HIL)还可以形成在空穴传输层上。有机发光显示器可以广泛地应用于许多种运动图像平板显示器 件，因为它具有宽视角、高响应速度、自发光能力以及其它等等特 点。此外，有机发光显示器还具有低功耗的特点，并且由于它不需 要背光而可以制造得更轻、更薄。另外，有机发光显示器可以在低 温下制造并且由于它的制造工艺十分简单而使得制造成本很低廉。除此之外，随着电子设备，例如，手机、个人数字助理(PDA)、
笔记本电脑、计算机监视器、电视机等等，变得越来越小，则平板 显示器件(例如，有机发光显示器)也应该制造得更薄(或者更小)，例如，其厚度可以小于大约1mm。然而，在典型的有机发光显示器 中，很难制造出其厚度小于1mm的有机发光显示器，因为需要保护 和/或封装有机发光显示器的元件层(例如，半导体层、有机发光二 极管，等等)。发明内容本发明的一个方面是提供一种薄的有机发光显示器，制造该薄 的有机发光显示器的方法以及移动装置。本发明的另一方面是通过减小制造工艺的时间来提高产量和降 低制造成本。本发明的另一方面是通过阻止(或防止)与衬底中心的物理接 触来阻止(或防止)衬底在制造工艺中的变形现象以及阻止(或防 止)衬底的损坏和断裂现象。根据本发明 一个实施例的有机发光显示器包括具有第 一表面 和第二表面的衬底；设置在衬底第一表面上的有机发光二极管、绝 缘层和半导体层，该绝缘层放置在有机发光二极管和半导体层之间； 以及设置在衬底第二表面上的非透射层。这里，非透射层可用于阻 止UV射线。在一个实施例中，有机发光显示器还包括设置在衬底第一表 面上的緩冲层，设置在緩冲层上的半导体层；设置在半导体层上的 栅极绝缘层；设置在栅极绝缘层上的栅极电极；设置在栅极电极上 的层间介质层；以及设置在层间介质层上的源极/漏极电极，设置在 源极/漏极电极上的绝缘层和设置在绝缘层上的有机发光二极管。在另一个实施例中，有机发光显示器还包括设置在衬底第一 表面上的緩冲层，设置在緩冲层上的栅极电极；设置在栅极电极上 的栅极绝缘层；设置在栅极绝缘层上的半导体层；设置在半导体层 上的层间介质层；以及设置在层间介质层上的源极/漏极电极，设置 在源极/漏极电极上的绝缘层和设置在绝缘层上的有机发光二极管。衬底的厚度可以从大约0.05mm到大约1mm。衬底可以包括选自玻璃、塑料、聚合体、钢4失及其组合的材料。
非透射层的厚度可以从大约500A到大约3000A。非透射层可以包括uv射线保护剂。 非透射层可以包括选自不能够透射uv射线的金属、透明的uv 射线保护剂、不透明的uv射线保护剂，及其组合的材料。非透射层可以包括选自铬(Cr)、三氧化二铬(Cr2〇3)、铝(Al)、 金(Au)、银(Ag)、氧化镁(MgO)、银合金，及其组合的材料。 磁层还可以设置在非透射层的下表面上。 磁层的厚度可以从大约10|jm到大约100|jm。 防摩擦层还可以设置在磁层的下表面上。 防摩擦层还可以设置在非透射层的下表面上。 防摩擦层的厚度可以从大约10|jm到大约100|jm。 防摩擦层可以包括选自有机材料和无机材料的材料。 密封剂可以设置在衬底第一表面的四周，并且将封装衬底粘结 着密封剂。根据本发明 一个实施例的有机发光显示器的制造方法包括提 供第一衬底和第二衬底；在第一衬底的下表面上形成第一非透射层； 在第二衬底的下表面上形成第二非透射层；将第一衬底和第二衬底 黏合在一起使得第一和第二非透射层相互面对面；在第一黏合衬底 的上表面上形成第一半导体层；在第二黏合衬底的上表面上形成第 二半导体层；在第一半导体层上形成第一有机发光二极管；在第二 半导体层上形成第二有机发光二极管；采用密封剂将封装衬底粘结 在已形成各个有机发光二极管的表面上；切割未形成第一和第二半 导体层以及第 一和第二有机发光二极管的第 一和第二衬底的边缘部 分；以及将第一和第二黏合衬底分离成第一制成后的衬底和第二制 成后的^)"底。第一衬底或者第二衬底中至少一个衬底可以具有从大约0.05mm 到大约1mm的厚度。第 一衬底或者第二衬底中至少一个衬底可以包括选自由包含玻 璃、塑料、聚合体、钢铁及其组合的族中的材料。第一非透射层或者第二非透射层中至少一个非透射层可以形成 具有从大约500A到大约3000A的厚度。第一非透射层或者第二非透射层中至少一个非透射层可以通过 在第一衬底或第二衬底中至少一个衬底的下表面上涂覆uv射线保护 剂来形成。第一非透射层或者第二非透射层中至少一个可以通过在第一衬 底或第二衬底中至少一个衬底的下表面上形成选自包含不能透射uv 射线的金属、透明的uv射线保护剂、不透明的uv射线保护剂及其 组合材料的族中的材料来形成。第一非透射层或者第二非透射层中至少一个非透射层可以通过 在第一村底或第二衬底中至少一个衬底的下表面上形成选自包含铬(Cr)、三氧化二铬(Cr203)、铝(Al)、金(Au)、银(Ag)、 氧化镁(MgO)、银合金，及其组合材料的族中的材料来形成。第一非透射层或者第二非透射层中至少一个非透射层的形成可 以通过在第一非透射层或者第二非透射层中至少一个非透射层的下 表面上还形成磁层来进行。第一非透射层或者第二非透射层中至少一个非透射层的形成可 以通过在磁层的下表面上还形成防摩擦层来进行。第一非透射层或者第二非透射层中至少一个非透射层的形成可 以通过在第一非透射层或者第二非透射层中至少一个非透射层的下 表面上还形成具有从10nm到100Mm厚度范围的磁层来进行。第一非透射层或者第二非透射层中至少一个非透射层的形成可 以通过在第 一衬底或第二衬底中至少 一个衬底的下表面上还形成防 摩擦层来进行。第一非透射层或者第二非透射层中至少一个非透射层的形成可 以通过在第一衬底或者第二衬底中至少一个村底的下表面上还形成 具有从10ijm到100ijm厚度范围的防摩擦层来进行。第一非透射层或者第二非透射层中至少一个非透射层的形成可 以通过在第一非透射层或者第二非透射层中至少一个非透射层的下 表面上还形成选自包含有机材料和无机材料的族中的材料的防摩擦 层来进行。在第一和第二村底的l占合中，第一和第二衬底可以通过在第一和第二衬底之间插入黏合剂使之相互黏合在 一起。第 一和第二衬底的|占合可以通过使用环氧粘结剂作为黏合剂来进行。
第 一和第二衬底的黏合可以通过在第 一衬底或第二衬底中至少一个衬底的边缘部分上形成黏合剂来进行。第一和第二衬底的翻合可以通过采用多个线条的方式在第一衬底或第二衬底中至少 一个衬底的内部四周上形成黏合剂来进行。在第 一衬底或第二衬底中至少 一个衬底的下表面上形成的防摩 擦层可以包括在第 一村底的下表面上形成第 一 防摩擦层和在第二衬 底的下表面上形成第二防摩擦层，以及第一和第二衬底的黏合可以 通过形成在第 一和第二衬底上的第 一和第二防摩擦层的相互接触来 进行。在粘结封装衬底中所使用的封装衬底所具有的面积可以小于第 一衬底或第二衬底中至少 一个衬底所具有的面积。在粘结封装衬底中所使用的封装衬底中至少两个相对的边缘可以在第 一衬底或第二衬底中至少 一个衬底的向内方向上比其短3cm 到8cm。切割可以在对应于第一半导体层或第二半导体层中至少一个半 导体层和第 一有机发光二极管或第二有机发光二极管中至少 一个有 机发光二极管的外围四周的位置上切割第 一衬底或第二衬底中至少 一个衬底和封装衬底来进行。切割可以采用激光束来进行。切割可以通过从第 一衬底或第二衬底中至少 一个衬底去除黏合 剂来进行。制造方法可以还包括在分离第一和第二衬底之后去除防摩擦 层、^磁层和/或第一非透射层或第二非透射层中至少一个非透射层。制造方法还包括在分离第一和第二衬底之后去除第一非透射层 或第二非透射层中至少一个非透射层。制造方法还包括在将第一和第二衬底相互黏合在一起之后在第 一和第二衬底之间注入液体防摩擦层。适用于根据本发明一个实施例的有机发光显示器的移动装置包 括具有形成在其一侧上的开孔的移动主体，并且在该开孔的四周 上设置具有 一定深度的台阶，以便于可以容纳由两个黏合衬底所形 成的有机发光显示器；以及至少一个振动吸收部件，它从移动主体 的台阶延伸出 一定距离并且适合于吸收振动和阻止黏合后的有机发
光显示器变形。移动装置还可以包括防滑动垫片，它设置在移动主体台阶上并 且适合于容纳黏合后的有机发光显示器和阻止黏合后的有机发光显 示器的滑动。防滑动垫片可以包括选自包含橡胶、硅及其组合材料的族的材料。移动装置还包括粘结在面对着黏合后的有机发光显示器的振动 吸收部件的区域上的》兹条。移动装置还包括设置在振动吸收部件与移动主体的耦合区域上 的弹性部件。弹性部件可以是选自包含弹簧、空气滚柱、振动吸收垫片及其 组合的族的部件。同样，根据本发明一个实施例的有机发光显示器，通过在从0.05mm到1mm厚度范围内的衬底上形成有机发光显示器，就可以 迅速地应用于各种不同的电子显示设备中，例如，手机、PDA、笔 记本、计算机监视器以及薄的(或者小的)电视机。此外，在一个实施例中，有机发光显示器可以通过在衬底上形 成非透射层来阻止(或防止)UV射线在使用过程中透过衬底影响半 导体层和/或有机发光二极管。根据一个实施例的有机发光显示器的制造方法可以通过将两个 (或各自)具有从0.05mm到1mm厚度范围的衬底黏合在一起以 及同时(或同步)进行半导体形成工艺和有机薄膜层形成工艺(在 一个实施例中，各个工艺可包括清洗操作、刻蚀操作、曝光操作、 显影操作、热处理操作以及其它等等)，将整个加工工艺时间减小 大约50%。此外，制造方法可以通过在村底的下表面上形成非透射层来阻 止(或防止)在制造加工工艺期间由于曝光操作所引起的UV射线对 另一相对的有机发光显示器的影响。此外，制造方法可以通过在衬底的下表面上形成非透射层和磁 层并利用在制造加工工艺过程中的磁层和移动装置的移动磁层之间 的排斥力来阻止(或防止)由于重力所引起的有机发光显示器的变 形或损坏。
此外，制造方法可以通过在衬底的下表面上形成非透射层、磁 层和防摩擦层或者非透射层和防摩擦层来阻止(或防止)在黏合两 个衬底时衬底或者形成在衬底上的金属的相互接触，并因此可以阻 止(或防止)衬底的损坏。根据一个实施例的有机发光显示器的移动装置可以通过采用具 有较高弹性的防滑动垫片支撑没有形成半导体层和/或有机发光二极 管的衬底边缘部分以及采用振动吸收部件以非接触的方式支撑已形 成半导体层和/或有机发光二极管的衬底中心区域的方法来阻止或防 止衬底的变形或损坏。此外，移动装置可以通过在振动吸收部件上安装磁条使之与在 两个勦合衬底上所形成的磁层相互排斥的方法，来阻止或防止没有 被防滑动垫片所支撑的衬底中心区域与振动吸收部件的接触，和保 持在搬运或者加工工艺过程中衬底中心区域的平整状态。附图简述用于图示说明本发明示例性实施例的附图与本发明说明书及其 详细描述一起解释本发明的原理。图1示出了有机发光二极管的示意图。图2a、 2b、 2c、 2d和2e示出了根据本发明实施例的有机发光 显示器的剖面示意图。图3a、 3b、 3c、 3d和3e示出了根据本发明实施例的有机发光 显示器完成封装操作后的剖面示意图。图4示出了根据本发明一个实施例的有机发光显示器的制造方 法的流程图。图5a、 5b、 5c、 5d、 5e、 5f、 5g、 5h和5i示出了根据本发明 一个实施例的有机发光显示器的制造顺序的剖面示意图。图6a和6b示出了根据本发明一个实施例的有机发光显示器的 移动装置的顶部示意图，以及图6c是沿着图6b的线A-A所截取 的剖面图。图7是显示縣合衬底处于移动装置中的振动吸收器支撑状态下 的局部放大剖面示意图。图8示出了根据本发明一个实施例的有机发光显示器的一部分
的剖面示意图。
具体实施方式
在以下的详细描述中，以图示说明的方式，仅仅只显示和说明 了本发明的 一些示例性实施例。正如本领域的技术人员所能意识到 的那样，本发明可以嵌入在许多不同的方式中，并且不应该限制于 本文所阐述的实施例。同样，在本发明的上下文中，当一个元件被 称之为"在另一元件之上"时，它可以是直接在另一元件之上或者 也可以是间接在另 一元件之上且在两者之间插入一个或多个中间元 件。在全文中，相同的标号指定相同的元件。图2a至2e示出了根据本发明实施例的有机发光显示器101、 102、 103、 104和105的剖面示意图。正如图2a所示，有机发光显示器101包括村底110;形成在 衬底110上的緩冲层120;形成在緩冲层120上的半导体层130; 形成在半导体层130上的栅极绝缘层140;形成在4册极绝缘层140 上的栅极电极150;形成在栅极电极150上的层间介质层160;形 成在层间介质层160上的源极/漏极电极170;形成在源极/漏极电极 170上的绝缘层180;形成在绝缘层180上的有机发光二极管190; 以及形成在有机发光二极管190外围四周上的绝缘层180上的象素 定义层200。衬底110的上下表面都是基本平整的，并且在上表面和下(下 方的)表面之间的厚度可以从大约0.05mm到大约1mm。在一个实 施例中，如果衬底110的厚度是小于大约0.05mm，则衬底110会 由于清洗、刻蚀和热处理加工工艺而损坏，并且衬底110具有较低 的承受外力的强度。在另一实施例中，如果衬底110的厚度是大于 大约1mm,则就很难将该衬底应用于各种较薄(或者较小)的显示 设备中。此外，衬底110可以由选自玻璃、塑料、聚合体、钢铁及 其等效的材料所形成，但并不限制于此。緩冲层120可以形成在衬底110的上表面上。緩冲层120可用 于减小(或者防止)潮气(H20)、氬气(H2)或者氧气(02)等 等通过衬底110渗入和渗透到半导体层130或有机发光二极管190。 为此目的，緩沖层120可以由选自在半导体工艺中容易形成的氧化
层(Si02)或者氮化层(Si3N4)及其等效物质的任意层来形成，但 并不限制于此。在一个实施例中，緩沖层120可以省略。半导体层130可以形成在緩冲层120的上表面上。半导体层130 可以包括在半导体层130两个相对侧所形成的源极/漏极部分132和 在源极/漏极部分132间所形成的沟道部分134。在一个实施例中， 半导体层130可以是薄膜晶体管的一部分。薄膜晶体管可以由选自 非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管、微硅树 脂薄膜晶体管及其等效的任意晶体管所形成，但并不限制于此。此 外，在多晶硅薄膜晶体管的情况下，多晶硅薄膜晶体管可以采用在 低温下使用激光的结晶方法、使用金属的结晶方法、使用高压的结 晶方法及其等效方法来结晶，但并不限制于此。使用激光的结晶方 法包括受激准分子激光退火(ELA)方法、顺序侧向固化(SLS)方 法、薄的束定向结晶(TDX)方法，等等，但并不限制于此。此外， 使用金属的结晶方法可以包括固相结晶(SPC)方法、金属介入结 晶(MIC)方法、金属介入侧向结晶(MILC)方法，以及超晶粒硅 树脂(SGS)方法，但并不限制于此。在一个实施例中，薄膜晶体 管可以是选自PMOS、 NMOS及其等效的任意MOS，但并不限制 于此。栅极绝缘层140可以形成在半导体层130的上表面上。在一个 实施例中，片册极绝缘层140也可以形成在半导体层130外围四周的 緩冲层120上。此外，栅极绝缘层140可以由选自在半导体工艺过 程中容易形成的氧化层、氮化层及其等效的任意层来形成，但并不 限制于此。栅极电极150可以形成在栅极绝缘层140的上表面上。更具体 地说，栅极电极150可以形成在对应于半导体层130的沟道部分134 的栅极绝缘层140上。栅极电极150可通过对栅极绝缘层140下层 部分中的沟道部分134施加电场从而在沟道部分134中形成空穴或 者电子沟道。此外，栅极电极150可以由选自金属(例如，MoW、 Ti、 Cu、 AINd、 Al、 Cr、 Mo合金、Cu合金、Al合金等等)、掺杂 多晶硅及其等效的任意材料来形成，但并不限制于此。层间介质层160可以形成在栅极电极150的上表面上。在一个 实施例中，层间介质层160也可以形成在栅极电极150外围四周上
的栅极绝缘层140上。此外，层间介质层160可以由选自基于聚合 体的绝缘材料、基于塑料的绝缘材料、基于玻璃的绝缘材料及其等 效的任意材料来形成，但并不限制于此。源极/漏极电极170可以形成在层间介质层160的上表面上。在 一个实施例中，导电的触点176可以贯穿层间介质层160且形成在 半导体层130和源极/漏极电极170之间。也就是说，半导体层130 可以通过(或者借助于)导电的触点176与源极/漏极电极170电耦 合。此外，源极/漏极电极170可以由金属材料形成，该金属材料与 栅极电极150的材料基本相同，但并不限制于此。同样，半导体层 130 (即，薄膜晶体管)可以具有常规的共面结构。然而，本发明所 讨论的半导体层130并不限制于共面结构。半导体层可以具有任何 适用于薄膜晶体管的合适结构，例如，可以选自反相的共面结构、 交错的结构、反相的交错结构及其等效的任意结构，但并不限制于 此。作为一个实例，根据本发明一个实施例的反相共面结构如图8 所示。在图8中，有机发光显示器101'包括衬底110';形成在衬 底110'上的緩冲层120';形成在緩冲层120'上的栅极电极150';形 成在栅极电极150'上的栅极绝缘层140';形成在栅极绝缘层140'上 的半导体层130';形成在半导体层130'上的层间介质层160';形成 在层间介质层160'上的源极/漏极电极170';形成在源极/漏极电极 170'上的绝缘层(例如，层180);形成在绝缘层上的有机发光二极 管(例如，二极管190);以及形成在有机发光二极管外围四周上的 绝缘层上的象素定义层(例如，层200)。半导体层130'可以包括 在半导体层130'的两个相对侧所形成的源极/漏极部分132'以及在源 极/漏极部分132'之间所形成的沟道部分134'。在一个实施例中，半 导体层130'可以是薄膜晶体管的一部分。在一个实施例中，导电的 触点176'可以贯穿层间介质层160'且形成在半导体层130'和源极/漏 极电极170'之间。也就是说，半导体层130'通过(或者借助于)导 电的触点176'与源极/漏极电极170'电耦合。再参考图2a,根据一个实施例的衬底110的上下表面都是基本 平整的，并且在上表面和下(下方的)表面之间的厚度可以从大约 0.05mm至大约1mm。在一个实施例中，如果衬底110的厚度是小
于大约0.05mm，则衬底110会因为清洗、刻蚀和热处理加工工艺 而损坏，该衬底110只具有较低的承受外力的强度。在另一个实施 例中，如果衬底110的厚度是大于1mm，则就很难将衬底应用于较 薄(或4艮小)的各种不同的显示设备中。此外，衬底110可以选自 玻璃，塑料、聚合体、钢铁及其等效的任意材料所形成，但并不限 制于此。緩冲层120可以形成在衬底110的上表面上。緩沖层120可以 用于减小(或防止)潮气(H20)、氢气(H2)或氧气(02)等渗 透衬底110和渗入半导体层130或有机发光二极管190。为此目的， 緩冲层120可以由选自在半导体工艺中容易形成的氧化层(Si02) 或者氮化层(Si3N4)及其等效的任意层来形成，但并不限制于此。 在一个实施例中，緩冲层120可以省略。半导体层130可以形成在緩冲层120的上表面上。半导体层130 可以包括在半导体层130两个相对侧所形成的源极/漏极部分132和 在源极/漏极部分132之间所形成的沟道部分134。在一个实施例中， 半导体层130可以是薄膜晶体管的一部分。薄膜晶体管可以由选自 非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管、微硅树 脂薄膜晶体管及其等效的任意晶体管所形成，但并不限制于此。此 外，在多晶硅薄膜晶体管的情况下，多晶硅薄膜晶体管可以采用在 低温下使用激光的结晶方法、使用金属的结晶方法、使用高压的结 晶方法及其等效方法来结晶，但并不限制于此。使用激光的结晶方 法包括受激准分子激光退火(ELA)方法、顺序侧向固化(SLS)方 法、薄的束定向结晶(TDX)方法，等等，但并不限制于此。此外， 使用金属的结晶方法可以包括固相结晶(SPC)方法、金属介入结 晶(MIC)方法、金属介入侧向结晶(MILC)方法，以及超晶粒硅 树脂(SGS)方法，但并不限制于此。在一个实施例中，薄膜晶体 管可以是选自PMOS、 NMOS及其等效的任意MOS,但并不限制 于此。栅极绝缘层140可以形成在半导体层130的上表面上。在一个 实施例中，栅极绝缘层140也可以形成在半导体层130外围四周的 緩沖层120上。此外，栅极绝缘层140可以由选自在半导体工艺过 程中容易形成的氧化层、氮化层及其等效的任意层来形成，但并不限制于此。栅极电极150可以形成在栅极绝缘层140的上表面上。更具体 地说，栅极电极150可以形成在对应于半导体层130的沟道部分134 的栅极绝缘层140上。栅极电极150可通过对栅极绝缘层140下层 部分中的沟道部分134施加电场从而在沟道部分134中形成空穴或 者电子沟道。此外，栅极电极150可以由选自金属(例如，MoW、 Ti、 Cu、 AINd、 Al、 Cr、 Mo合金、Cu合金、Al合金等等)、掺杂 多晶硅及其等效的任意材料来形成，但并不限制于此。层间介质层160可以形成在栅极电极150的上表面上。在一个 实施例中，层间介质层160也可以形成在栅极电极150外围四周上 的栅极绝缘层140上。此外，层间介质层160可以由选自基于聚合 体的绝缘材料、基于塑料的绝缘材料、基于玻璃的绝缘材料及其等 效的任意材料来形成，但并不限制于此。源极/漏极电极170可以形成在层间介质层160的上表面上。在 一个实施例中，导电的触点176可以贯穿层间介质层160且可以形 成在半导体层130和源极/漏极电极170之间。也就是说，半导体层 130可以通过(或者借助于)导电的触点176与源极/漏极电极170 电耦合。此外，源极/漏极电极170可以由金属材料形成，该金属材 料与栅极电极150的材料相同，但并不限制于此。同样，半导体层 130 (即，薄膜晶体管)可以具有常规的共面结构。然而，本发明所 讨论的半导体层130并不限制于共面结构。半导体层可以具有任何 适用于薄膜晶体管的合适结构，例如，可以选自反相的共面结构、 交错的结构、反相的交错结构及其等效的任意结构，但并不限制于 此。绝缘层180可以形成在源极/漏极电极170的上表面上。绝缘层 180可以包括保护层182和形成在保护层182上表面上的平整层 184。保护层182可用于覆盖源极/漏极电极170和层间介质层160 并用于保护源极/漏极电极170和栅极电极150及其它等等。保护层 化2可以由选自无机层及其等效的任意层来形成，但并不限制于此。 平整层184覆盖着保护层182。平整层184可用于使保护层182 (或 者在平整层184上方和/或下方的器件)的整个(或者基本上整个)
表面平整，并且可以由选自苯环丁烯(BCB)、丙烯(醛基)及其等效的任意材料来形成，但并不限制于此。有机发光二极管190可以形成在绝缘层180的上表面上。有机 发光二极管190可以包括阳极192、形成在阳极192上表面上的有 机发光薄层194和形成在有机发光薄层194上表面上的阴极196。 阳极192可以由选自氧化铟锡(ITO) 、 ITO/Ag、 ITO/Ag/ITO及其 等效的任意材料来形成，但并不限制于此。ITO是一种工作特性(work function)稳定以及注入有机发光薄层194的空穴注入势垒较小的透 明导电材料(或层)，而在顶部发射系统中，Ag是一层可以将由有 机发光薄层194发出的光反射到显示器101的上表面的材料。另夕卜， 有机发光薄层194可以包括用于通过电子与空穴的结合并形成激子 而发出光的发射层(EML)，可适当调节电子运动速度的电子传输 层(ETL)，以及可用于适当调节空穴运动速度的空穴传输层(HTL)。 此外，用于提高电子的注入效率的电子注入层(EIL)可以形成在电 子传输层上，以及用于提高空穴注入效率的空穴注入层(HIL)也可 以形成在空穴传输层上。此外，阴极196可以由选自Al、 MGAg合 金、MgCa合金及其等效的任意材料来形成，但并不限制于此。如果 采用顶部发射系统，且阴极由AI形成，则阴极(或Al阴极)的厚度 应该足够薄。然而，在这种情况下，Al阴极的电阻是相当高的，并 因此电子注入势垒可以变得相当大。MgAg合金具有比Al要小的电 子注入势垒，而MgCa合金具有比MgAg更小的电子注入势垒。然 而，MgAg合金和MgCa合金应该与外界是完全隔离(封装或者屏 蔽)起来的，因为它们对周围环境十分敏感并且会氧化而形成一层 绝缘层。另夕卜，有机发光二极管190的阳极192和源极/漏极电极170 可以通过贯穿绝缘层180 (保护层182和平整层184)的导电通孔 电耦合。另外，尽管已经讨论了图2a所示的实施例，该实施例是基 于顶部发射系统的，在该顶部发射系统中，光是以从衬底110的下 半部分向上半部分的方向发射的；但是本发明也可以应用于底部发 射系统，在底部发射系统中，光是以从衬底110的上半部分向下半
部分发射的；本发明也可以应用于双发射系统，在双发射系统中， 光是以从衬底110的下半部分向上半部分和从上半部分向下半部分 同时发射的。象素定义层200可以形成在有机发光二极管190外围四周上的 绝缘层180的上表面上。象素定义层200定义在红色有机发光二极 管、绿色有机发光二极管和蓝色有机发光二极管之间的边界，并因 此定义在象素之间的发光边界。此外，象素定义层200可以由选自 聚酰亚胺及其等效的任意材料来形成，但并不限制于此。接着，正如图2b所示，有机发光显示器102基本上相同于有机 发光显示器101，但它还提供形成在衬底110下表面上的非透射层形成半导体层130和有机发光二极管190及其它(以下将作更加详 细的讨论，正如图5h所示)时UV射线(紫外射线)透射(或大部 分透射)到与设置非透射层210的衬底110相对的另一衬底110。 在一个实施例中，在两个衬底110相互分离之后，非透射层210也 可用于阻止(或防止)外界UV射线透射(或基本透射)到半导体层 130和/或有机发光二极管190。也就是说，在一个实施例中，非透 射层210可用于屏蔽另 一衬底110避免UV射线(紫外射线)和/或 屏蔽半导体层130和/或有机发光二极管190避免外界UV射线。非 透射层210可以基本上是由含有UV射线保护剂及其等效的任意适 当材料来形成。此外，非透射层210也可以由含有不能透射UV射 线的金属、透明的UV射线保护剂、不透明的UV射线保护剂和/或 等效的任意材料来形成。此外，如果非透射层210是金属，它可以 由选自铬(Cr)、氧化铬(Cr203、铝(Al)、金(Au)、银(Ag)、 氧化镁(MgO)、银合金及其等效的任意材料来形成，但并不限制 于此。在一个实施例中，非透射层210的厚度是从500A至3000A。 在一个实施例中，如果非透射层210的厚度小于500A，则UV射线 的保护因子就低，因此在制造工艺的过程之中或之后，就会影响半 导体层130或有机发光二极管190。在另一个实施例中，如果非透
射层的厚度大于3000A，则非透射层就会因为过分厚而没有增加任 何有利于提高UV射线保护因子的条件。此外，正如图2c所示，有机发光显示器103基本上相同于有机 发光显示器102，但它还提供形成在非透射层210的下表面上的磁 层220。该磁层220可用于阻止(或防止)衬底110在通过使用两 个衬底110来形成半导体层130和有机发光二极管190 (以下将作 更加详细的讨论)时衬底110所出现的变形。也就是说，衬底110 可以通过定位磁条来阻止其变形(或阻止出现的扭曲)，所采用的 磁条具有与磁层220相同的磁极以排斥在衬底110下表面上的磁层 220。该磁层220可以由选自AINiCo磁铁、铁氧体磁铁、稀土磁铁、 橡胶磁铁、塑料磁铁及其等效磁铁中的至少一种磁铁来形成，但并 不限制于此。也就是说，根据本发明的一个实施例，不是永久性磁 铁的电磁铁可以形成在非透射层210的下表面上或者可以在其表面 上形成电磁铁的图形，并因此来替代磁层。在一个实施例中，磁层220 的厚度是从10|jm至100pm。在一个实施例中，如果^f兹层220的厚 度小于10ijm,则就很难获得足以阻止(或防止)衬底110在制造力口 工工艺过程中的变形(或扭曲)的磁力。在另一个实施例中，如果 磁层220的厚度是大于100|jm,则磁层将过分厚。此外，正如图2d所示，有机发光显示器104基本上相同于有机 发光显示器103,但是它还提供形成在磁层220下表面上的防摩擦 层230。防摩擦层230可用于阻止(或防止)两个衬底110在通过 黏合两个衬底110来形成半导体层130和有才几发光二极管190及其 它(以下将作更加详细的讨论)时所出现的相互接触。也就是说， 形成在两个衬底110上的非透射层210或磁层220都不允许相互接 触，从而阻止(或防止)对衬底110的损坏。防摩擦层230可以由 选自有机材料、无机材料及其等效的任意材料来形成，但并不限制 于此。此外，在一个实施例中，防摩擦层230的厚度是从10|jm至 100|jm。在一个实施例中，如果防摩擦层230的厚度是小于10|jm， 则衬底110的非透射层210或磁层220就会接触到另一衬底110的
非透射层210或磁层220。在另一个实施例中，如果防摩擦层230 的厚度是大于lOOpm,则衬底110的总的厚度就变得过分大。此外，正如图2e所示，有机发光显示器105基本上相同于有机 发光显示器104,但它还提供形成在衬底110下表面上的非透射层 210和防摩擦层230 (而没有磁层220)。由于以上已经讨论了非透 射层210和防摩擦层230的材料和厚度，因此将不再提供有关它们 的解释。这里，如果衬底110的面积是较小的且因此衬底110能够 变形(或扭曲)的几率几乎没有，则有可能不需要在非透射层210 和防摩擦层230之间设置磁层220。在一个实施例中，在所有的有 机发光显示器中都可以省去磁层220。也就是说，如果在许可的范围 内形成的非透射层210和防摩擦层230可以相当厚，则黏合衬底110 的粗糙度就会增加，并因此衬底就不会在各种制造工艺过程中出现 变形。图3a至3e示出了根据本发明各个实施例的具有分别粘结封装 衬底的有机发光显示器的视图。正如图3a所示，根据本发明一个实施例的有机发光显示器101a 可以通过在衬底110的表面上形成半导体层130、有机发光二极管 190及其它并随后将封装衬底240与其粘结在一起来形成。在一个 实施例中，密封剂235可以设置在衬底110和封装衬底240之间。 封装衬底240可以由选自玻璃、塑料、聚合体及其等效的任意材料 来形成，但并不限制于此。此外，密封剂235可以是选自环氧粘结 剂、UV射线固化粘结剂、玻璃料及其等效粘结剂中的至少一种粘结 剂，但并不限制于此。如果使用玻璃料作为密封剂235的话，则就 需要以一定的温度(这可以是预先确定的)来加热玻璃料，并随后 可使用激光束(即，提供热量)来进行密封的操作。也就是说，当 玻璃料设置在衬底110和封装衬底240之间并随后在其一侧使用激 光束进行辐射时，则玻璃料就会熔化，并随后将衬底110牢固地粘 结在封装衬底240上。同样，正如图3b所示，根据本发明一个实施例的有机发光显示
器102a还提供形成在衬底110的下表面上的非透射层210。此外，正如图3c所示，根据本发明一个实施例的有机发光显示 器103a还继续提供形成在衬底110下表面上的非透射层210和磁 层220。另外，正如图3d所示，根据本发明一个实施例的有机发光显示 器104a还继续提供形成在衬底110下表面上的非透射层210、磁层 220和防摩擦层230。此外，正如图3e所示，根据本发明一个实施例的有机发光显示 器105a还继续提供形成在衬底110下表面上的非透射层210和防 摩擦层230。由于形成在衬底110下表面上的非透射层210、磁层220和防 摩擦层230已经进行了上述讨论，因此就不再提供有关它们的解释。此外，封装衬底240的下表面还可以提供透明的潮气吸收层。 也就是说，由于有机发光二极管190非常容易受潮，因此可以在封 装村底240的下表面上形成透明的潮气吸收层，该潮气吸收层不会 阻止光的透射但可以吸收潮气。在一个实施例中，只要能够确保封 装村底240的透明性，透明的潮气吸收层可以逐渐变(或者生长) 得更厚(例如，随着它吸收潮气而改变)，并且在一个实施例中， 透明的潮气吸收层的厚度是从0.1iJm至300iJm。在一个实施例中， 如果透明的潮气吸收层的厚度小于0.1|jm，则透明的潮气吸收层就 不能具有足够的潮气吸收能力。在另一个实施例中，如果透明的潮 气吸收层的厚度是大约300pm，则透明的潮气吸收层就存在着接触 到有机发光二极管190的危险。此外，透明的潮气吸收层可以由选 自，但并不限制于，碱金属氧化物、碱土金属氧化物、金属卣化物、 金属硫酸盐和金属高氯酸盐、五氧化二磷(P205)及其等效材料中 至少一种材料来形成，且在一个实施例中，这些材料的平均颗粒直 径小于100 nm，而在一个实施例中，其平均颗粒直径是从20nm至 100nm。此外，根据本发明的一个实施例，有可能采用选自层状的无机物
质、聚合体、硬化剂及其等效材料中的至少 一种材料来填充在衬底110和封装衬底240之间空间的方法，替代在封装衬底240上形成透明 的潮气吸收层的方法，来吸收潮气。在一个实施例中，在采用材料 填充了空间之后，进行热处理加工工艺，以便于固化这些材料。此外，根据本发明的一个实施例，将偏振薄膜粘结在各个封装衬 底240的表面上，以便于阻止(或防止)由于外界光线所引起的光 反射现象。图4示出了根据本发明一个实施例的有机发光显示器的制造方 法的流程图。正如图4所示，该制造方法包括提供衬底的步骤S1;形成非 透射层的步骤S2;都合衬底(即，将第一衬底110与第二或者另一 衬底110教合在一起)的步骤S3;形成半导体层的步骤S4;形成 有机发光二极管的步骤S5;粘结封装衬底的步骤S6;切割(或锯开) 的步骤S7;分离衬底的步骤S8;以及去除非透射层(和/或防摩擦 层)的步骤S9。图5a至5i示出了根据本发明一个实施例的有机发光显示的制造 顺序的示意图。以下将依次讨论根据本发明 一个实施例的有机发光 显示器的制造方法。正如图5a所示，在衬底制备的步骤S1中，提供衬底110,它 具有基本平整的上下表面以及一定的厚度(这些都是预定的)。在一个实施例中，衬底110的厚度是从大约0.05mm至大约 1mm。在一个实施例中，如果衬底110的厚度小于0.05mm，则衬 底110就会由于在制造加工工艺过程中因清洗、刻蚀和热处理工艺 而损坏，该衬底110具有较低的承受外力的强度，因此处理衬底就 十分困难。在另一个实施例中，如果村底110的厚度大于大约1mm， 则就很难将它应用于各种很薄(或很小)的显示设备。此外，衬底110 可以由选自常规的玻璃、塑料、聚合体、钢铁及其等效的任意材料 来形成，但并不限制于此。正如图5b所示，在形成非透射层的步骤S2中，具有一定厚度(这是预先确定)的非透射层210形成在衬底110的下表面上。非透射层210可用于阻止(或防止)UV射线(紫外射线)在通 过黏合两个衬底110来形成半导体层和有机发光二极管及其它时透 射(或基本透射)到与设置非透射层210的衬底110相对的另一衬 底110上。在一个实施例中，非透射层210也可用于阻止(或防止) 外界的UV射线在两个衬底110相互分离之后透射(或基本透射) 到半导体层和/或有机发光二极管上。非透射层210可以基本通过在 衬底110的表面上涂覆含有UV射线保护剂及其等效材料中至少一 种材料来形成。此外，非透射层210也可以采用在衬底110的表面 上沉积或者涂覆含有不会透射UV射线的金属、透明的UV射线保护 剂、不透明的UV射线保护剂和/或等效材料中至少一种材料来形成。 此外，如果非透射层210是金属的，则它可以通过在衬底110的表 面上沉积或涂覆选自铬(Cr)、氧化铬(0203)、铝(AI)、金(Au)、 银(Ag)、氧化镁(MgO)、银合金及其等效材料中至少一种材料 来形成。在一个实施例中，非透射层210的厚度是从500A至3000A。 在一个实施例中，如果非透射层210的厚度是小于500A,则UV射 线的保护因子就较低，因此在制造加工工艺过程之中或之后就会影 响半导体层或有机发光二极管。在另一个实施例中，如果非透射层210 的厚度是大于3000A，则非透射层就会过分厚，而没有增加任何有 利于提高UV射线保护因子的条件(即，UV射线保护因子远小于 3000A)。此外，在形成非透射层的步骤S2中，磁层220可以形成在非 透射层210的下表面上，或者磁层220和防摩擦层230可依次形成 在非透射层210的下表面上，或者防摩擦层230还可以形成在非透 射层210的下表面上。这里，磁层220可用于阻止(或防止)衬底110在形成半导体 层130和有机发光二极管190及其它以及黏合两个衬底110时所出 现的变形(或扭曲)。也就是说，通过设置磁条可以使衬底110阻 止变形(或阻止已出现的扭曲)，该^磁条可具有与》兹层220相同的
磁极，以便于在制造加工工艺过程中排斥在衬底110下表面上的磁层220的磁极。磁层220可以由选自AINiCo磁铁、铁氧体磁铁、 稀土磁铁、橡胶磁铁、塑料磁铁及其等效磁铁中至少一种磁铁来形 成，但并不限制于此。在一个实施例中，使用电磁铁作为磁性层220。 在一个实施例中，磁层220的厚度是从10|jm至100|jm。在一个实 施例中，磁层220的厚度是小于10jjm,则它就很难获得足以阻止(或 防止)在加工工艺过程中衬底110出现变形所需要的磁力。在另一 个实施例中，如果磁层220的厚度是大于100|jm,则磁层就会过分 厚。此外，防摩擦层230可用于阻止(或防止)两个衬底110在通 过翁合两个衬底110来形成半导体层和有机发光二极管及其它时的 相互接触。也就是说，形成在两个衬底110上的非透射层210或磁 层220不允许相互接触，从而减小(或防止)对衬底110的损坏。 防摩擦层230可以由选自有机材料、无机材料及其等效材料中的至 少一种材料来形成，但并不限制于此。此外，在一个实施例中，防 摩擦层230的厚度是从10|jm至100|jm。在一个实施例中，如果防 摩擦层230的厚度小于10|jm，则衬底110上的非透射层210或磁 层220就接触到另一衬底110上的非透射层210或磁层220。在另 一个实施例中，如果防摩擦层230的厚度大于100ym，则衬底110 的整个厚度就变得过大。正如图5c所示，在黏合衬底的步骤S3中，提供两个相同的(或 基本相同的)衬底110并将两者相互黏合在一起，在这两个相同的 (或基本相同的)衬底110上已经形成了非透射层210;非透射层210 和磁层220;非透射层210，磁层220和防摩擦层230;或者非透射 层210和防摩擦层230。这里，图5c显示了非透射层210、磁层220 和防摩擦层230依次形成在衬底110的各层上。同样，黏合剂260可以插入在两个衬底110之间，使得在黏合 加工工艺过程中衬底110不会相互分离开。黏合剂260可以由选自 常规的环氧树脂粘结剂、UV射线固化粘结剂及其等效粘结剂中至少 一种粘结剂来形成，但并不限制于此。此外，黏合剂260可以只仅 仅形成在一个或者多个衬底110的边缘部分(或边缘)上，黏合剂 也可以多条线状的方式形成在两个衬底110各自的内部四周上，以 便于将衬底110相互更加稳定地黏合在一起。图5c显示了多种黏合 剂(例如，四种黏合剂)形成在两个衬底110之间。此外，防摩擦层230可以不在形成非透射层210的步骤S2中 形成，而是在黏合衬底110的步骤S3中形成。也就是说，如果两个 衬底110是通过插入在两者之间的黏合剂260来相互黏合在一起并 随后将液体防摩擦层230注入在两个衬底110之间的话，则液体防 摩擦层就利用毛细管现象渗入到在两个衬底110之间所形成的间隙 中。在一个实施例中，在形成液体防摩擦层230之后，可通过以一 定的预设温度热处理衬底110来固化液体防摩擦层230。此外，在 一个实施例中，在黏合村底110的步骤S3中，在两个衬底110上 所形成的防摩擦层230相互黏合在一起。也就是说，在一个实施例 中，形成在两个衬底110上的防摩擦层230是相互靠近接触的，从 而阻止(或防止)衬底110在翻合村底110移动过程中的变形或者 相互摩擦。正如图5d所示，在形成半导体层的步骤S4中，半导体层130 形成在相互黏合后的两个衬底110的表面上。也就是说，用于驱动 有机发光显示器的半导体层130分别形成在两个衬底110面对着已 经形成防摩擦层230表面的表面上。在一个实施例中，緩沖层可以 在形成半导体层130之前形成在衬底110的表面上。此外，在形成 半导体层130之后，形成栅极绝缘层、栅极电极层、层间介质层、 源极/漏极电极、绝缘层及其它等等。由于以上已经讨论了这些结构， 因此就不再提供有关的解释。半导体层130可以分别形成在一个衬底110上，并随后形成在 另一个衬底110上。也就是说， 一个半导体层130可以形成在一个 衬底110上，而另一个半导体层130可以形成在另一个衬底110上， 或反之亦然。此外，半导体层130也可以同时(或同步)形成在两 个衬底110上，只要工艺设备允许即可。
正如图5e所示，在形成有机发光二极管的步骤S5中，有机发 光二极管190形成在各自半导体层130的上表面上。更加具体地说， 将一个阳极、 一个有机薄层和一个阴极依次形成在绝缘层上，正如 以上说讨论的那样。在一个实施例中，在形成有机发光二极管190 之后，形成象素定义层200。这里，由于以上已经讨论了有机发光二 极管190的结构和形成方法，因此将不再提供有关的解释。有机发光二极管190可以分别形成在一个衬底110上并随后形 成在另一个衬底110上。也就是说，将一个有机发光二极管190形 成在一个衬底110上，并随后将另一个有机发光二极管190形成在 另一个衬底110上，或者反之亦然。此外，有机发光二极管190可 以同时(或同步)地形成在两个衬底110上，只要工艺设备允许即 可。正如图5f所示，在粘结封装衬底的步骤S6中，采用密封剂235的表面上。这里，封装衬底240可以由选自常规的玻璃、塑料、聚 合体及其等效材料的任意材料来形成，但并不限制于此。在一个实施例中，封装衬底240所具有的面积基本小于村底110所具有的面 积。更具体地说，封装衬底240的边缘(例如，封装衬底240的至 少两个相对的边缘)可以在向内的方向上比衬底110的边缘短3cm 至8cm,并因此在后续的切割(或者锯开)的工艺过程中，可以更 快地锯开衬底110的边缘部分(或边缘)。此外，密封剂235可以 由选自环氧树脂粘结剂、UV射线固化粘结剂、玻璃料及其等效粘结 剂中至少一种粘结剂来形成，但并不限制于此。另外，如果玻璃料 用作为密封剂235的话，这就需要以一定的温度(这是预先确定的) 来加热玻璃料，并因此要使用激光束来进行密封操作。此外，尽管图5f显示了集成后的封装衬底240,但是可以通过 密封由各个封装衬底240所形成的各个半导体层130和有机发光二 极管190的各个区域来进行密封加工工艺。在该实施例中，由于各 个封装衬底240应该是通过各个密封剂235来粘结的，所以就会增 加操作工艺的数量。同样，封装衬底240的下表面还可以提供透明的潮气吸收层。 也就是说，由于有机发光二极管190非常容易受潮，所以透明的潮 气吸收层可以形成在封装村底240的下表面上，该透明的潮气吸收 层不会阻挡光的透射且可以吸收潮气。在一个实施例中，透明的潮 气吸收层可以逐渐变(或生长)得更厚，只要确保封装衬底240的 透明性即可，并且在一个实施例中，透明的潮气吸收层的厚度是从 0.1|jm至300|jm。在一个实施例中，如果透明的潮气吸收层的厚度 小于0.1pm ，则透明的潮气吸收层就不能具有足够的潮气吸收能力。 在另一个实施例中，如果透明的潮气吸收层的厚度大于300|jm，则 透明的潮气吸收层就会出现接触到有机发光二极管190的危险。此 外，透明的潮气吸收层可以由选自，但并不限制于，碱金属氧化物、 碱土金属氧化物、金属卣化物、金属硫酸盐和金属高氯酸盐、五氧 化二磷(P205)及其等效材料中至少一种材料来形成，且在一个实 施例中，这些材料的平均颗粒直径小于100nm,而在一个实施例中， 其平均颗粒直径是从20nm至100nm。此外，根据本发明的一个实施例，有可能采用选自层状的无机物 质、聚合体、硬化剂及其等效材料中的至少一种材料来填充在衬底110和封装衬底240之间空间的方法，替代在封装衬底240上形成透明 的潮气吸收层的方法，来进行封装工艺。在一个实施例中，在采用 材料填充了空间之后，进行热处理加工工艺，以便于固化这些材料。此外，根据本发明的一个实施例，将平整的薄膜粘结在各个封装 衬底240的表面上，以便于阻止(或防止)由于外界光所引起的光 反射现象。正如图5g所示，在切割(或锯开)的步骤S7中，锯开衬底110, 以便于分离成有机发光显示器的各个单元。也就是说，在切割的步 骤中，定位在半导体层130和有机发光二极管190外围四周上的衬 底110和封装衬底240 —起锯开。正如以上所讨论的那样，在一个 实施例中，各个封装衬底240可以只仅仅粘结在对应于各个半导体 层130和各个有机发光二极管190的区域，并且通过只切割对应的 衬底110就可以获得有机发光显示器的各个单元。此外，由于切割步骤，要去除将衬底110相互黏合在一起的黏 合剂260。在一个实施例中，在切割工艺的过程中，有可能黏合剂260 自身也被切割(或锯开来)，并且在被切割(或锯开)的衬底110 上会保留部分黏合剂260。此外，这种切割操作可以采用选自金刚石 割刀、激光束及其等效机械装置中的至少一种机械装置来进行，但 并不限制于此。在图5g中，显示了一个或多个激光束发射器270。正如图5h所示，在分离衬底的步骤S8中，将已经锯开的两个 衬底110相互分离开来。在一个实施例中，各个分离后的衬底110 具有非透射层210;非透射层210和磁层220;非透射层210、磁层 220和防摩擦层230;或者非透射层210和防摩擦层230。参照图5h， 衬底110的下表面上具有非透射层210、磁层220和防摩擦层230。这里，如果在黏合衬底的步骤之前将各个防摩擦层230形成在 各个村底110上，则衬底就可以更加容易地相互分离开来。然而，如果在黏合衬底110之后注入液体防摩擦层230，则衬 底就会不容易相互分离开来。因此，在这种情况下，可以采用能够 溶解防摩擦层230的化学溶剂来去除防摩擦层230。为此目的，在 一个实施例中，防摩擦层230可以由容易被化学溶剂所溶解的有机 材料来形成。根据本发明的一个实施例，分离衬底110的步骤是最后的步骤。 也就是说，在分离衬底110的步骤之后，就有可能提供能够进行单 元测试、FPC (柔性印刷电路)黏合、模块测试以及可靠性测试的 产品。在一个实施例中，单元测试也可以通过在切割步骤之前分别 形成适用于单元测试的测试区域来进行。同样，如果采用分离衬底110的步骤作为最后的步骤，则最终 的有才几发光显示器(例如，有才几发光显示器101 )就可以具有非透射 层210;非透射层210和磁层220;非透射层210、磁层220和防 摩擦层230;或者非透射层210和防摩擦层230。
正如图5i所示，在去除非透射层的步骤S9中，非透射层210 可以采用刻蚀或者研磨的操作方法来去除。更具体地说，如果只有 非透射层210是形成在衬底110的下表面上的话，则去除非透射层 210。此外，如果非透射层210和磁层220是形成在衬底110的下 表面上的话，则可以仅仅只将磁层220去除，或者将非透射层210 和磁层220 —起去除。此外，如果非透射层210、磁层220和防摩 擦层230是形成在衬底110的下表面上的话，则可以仅仅只去除防 摩擦层230，、或者将防摩擦层230和磁层220 —起去除，或者将 防摩擦层230、磁层220和非透射层210 —起去除。在一个实施例 中，如果非透射层210和防摩擦层230是形成在衬底110的下表面 上的话，则可以仅仅只去除防摩擦层230，或者将防摩擦层230和 非透射层210—起去除。图6a和6b是根据本发明一个实施例适用于有机发光显示器的 移动装置的顶部示意图，而图6c是沿着图6b所示的A-A线所截 取的剖面示意图。正如图6a和6b所示，适用于有4几发光显示器的移动装置300 包括移动主体310和振动吸收部件320。现在，也参照图6c, —个或多个开孔311形成在移动主体310 的一侧上，并且具有一定深度(这可以是预先确定的)的台阶312 沿着开孔311的四周形成，以便于容纳两个私合衬底110。此外， 防滑动垫片314还可以形成在台阶312上，以便于容纳黏合衬底110 和防止(或阻碍)衬底110在搬运过程中的滑动。防滑动垫片314 可以由选自常规的橡胶、硅及其等效材料中的任意材料来形成，但 并不限制于此。此外，振动吸收部件320从移动主体310的台阶312延伸一定 的长度(这可以是预先确定的)，以便于阻止(或防止)黏合衬底110 由于衬底110的重量而在向下的方向上变形。磁条322可以进一步 粘结在面向着黏合衬底110的振动吸收部件的区域内。因此，如果 ^磁层220形成在黏合衬底110上的话，则它就会排斥振动吸收部件320的磁条322。为此目的，形成在黏合衬底110上的磁层220和 安装在振动吸收部件320上的^f兹条322应该具有相同的^f兹极。此外， 形成在振动吸收部件320上的磁条322可以是永久磁铁或者电磁铁， 但并不限制于此。另外， 一个或者多个弹性部件324可以设置在振动吸收部件320 和移动主体310之间的边界上，使得振动吸收部件320自身也可以 移动(例如，向上和向下的移动) 一定的距离(这可以是预先确定 的)。也就是说，当移动装置300进行搬运操作时，移动装置300 会因为外力或移动装置自身的振动而振动。因此。容纳在移动装置300 中的衬底110也会振动。这里，由于振动吸收部件320的磁条322 排斥衬底110的磁层220,因此振动吸收部件320也会由于弹性部 件324而移动(例如，向上和向下移动) 一定的距离(这可以是预 先确定的)。为此目的，弹性部件324可以由选自弹簧、空气滚柱、 振动吸收垫片及其等效机械装置中的至少 一种装置来形成，这些结 构可以形成在移动主体310的耦合区域上，但并不限制于此。图7显示了由根据本发明一个实施例的移动装置中的振动吸收 部件所支撑的衬底的状态。正如图7所示，磁层220形成在衬底110相互面对面的表面上。 此外，振动吸收部件320具有粘结着的磁条322，它定位在对应于 磁层的下半区域中。因此，如果不发生振动的话，则衬底110的磁 层220排斥振动吸收部件320的磁条322，并因此振动吸收部件320 阻止或防止衬底110的中心变形(例如，以非接触的方式向下变形)。同样，如果在搬运操作的过程中出现振动，则衬底110也会振 动，并因此振动吸收部件320也会振动(例如，向上和向下的振动)。 也就是说，振动吸收部件320也会由形成在振动吸收部件320上的 弹性部件324以衬底110的振动方向移动。因此，振动吸收部件320 就不会接触到衬底110的表面，并因此可以阻止(或防止)衬底110 的损坏。通过在具有厚度从0.05mm至1mm的衬底上形成有机发光显
示器，根据本发明一个实施例的有机发光显示器可以迅速地应用于各种不同的电子显示设备，例如，手机、PDA、笔记本、计算机监 视器以及薄的(或小的)电视机。此外，在一个实施例中，通过在衬底上形成非透射层，有机发光 显示器可以阻止(或防止)UV射线在使用过程中通过衬底影响半导 体层和/或有机发光二极管。根据本发明一个实施例的有机发光显示器的制造方法，通过黏合 具有(或各自具有)厚度从0.05mm至1 mm的两个衬底并且同时(或 同步)进行半导体形成工艺和有机薄层形成工艺(在一个实施例中， 各个工艺包括清洗操作、刻蚀操作、曝光操作、显影操作、热处理 操作以及其它等等)，可以将整个加工工艺时间减小大约50%。此外，通过在衬底的下表面上形成非透射层，该制造方法可以阻 止(或防止)在制造加工工艺过程中由于曝光操作所引起的UV射线 影响另一个相对的有机发光显示器。另外，通过在衬底的下表面上形成非透射层和一磁层，该制造方法 可以利用在磁层和移动磁层的移动装置之间的排斥力来阻止(或防 止)有机发光显示器在制造加工工艺过程中由于重力所引起的变形 或损坏。另外，通过在衬底的下表面上形成非透射层、磁层和防摩擦层或 者非透射层和防摩擦层，该制造方法可以阻止(或防止)衬底或形 成在衬底表面上的金属在黏合两个衬底时的相互接触，并因此可以 阻止(或防止)衬底的损坏。根据本发明一个实施例的有机发光显示器的移动装置，可通过利 用具有相当高的弹性的防滑动垫片来支撑没有形成半导体层和/或有 机发光二极管的衬底边缘部分，以及通过利用振动吸收部件以非接 触的方式来支撑已经形成半导体层和/或有机发光二极管的衬底中心 区域，来阻止或防止衬底的变形或损坏。此外，通过在振动吸收部件上安装磁条，使之排斥形成在两个黏 合村底上的磁层，移动装置就可以阻止或防止在搬运或者加工工艺过程中没有被防滑动垫片所支撑的衬底中心区域接触到振动吸收部 件并且保持衬底中心区域的平整状态。虽然已经展现和讨论了本发明的一些方面，但是本领域内的技术人员应该意识到可以在不背离本发明原理和精神的条件下对上述 方面进行改变，因此本发明的范围将由权利要求以及等同的内容所 限定。
权利要求
1.一种有机发光显示器，它包括具有第一表面和第二表面的衬底；设置在所述衬底的第一表面上的有机发光二极管、绝缘层和半导体层，所述绝缘层设置在所述有机发光二极管和所述半导体层之间；以及设置在所述衬底的第二表面上的非透射层；其中，所述非透射层适用于阻止UV射线。
2. 如权利要求1所述的有机发光显示器，其特征在于，还包括 设置在所述衬底的第一表面上的缓冲层，所述半导体层设置在所述緩冲层上；设置在所述半导体层上的栅极绝缘层；设置在所述栅极绝缘层上的栅极电极；设置在所述栅极电极上的层间介质层；以及设置在所述层间介质层上的源极/漏极电极，所述绝缘层设置在 所述源极/漏极电极上以及所述有机发光二极管设置在所述绝缘层 上。
3. 如权利要求2所述的有机发光显示器，其特征在于，所述衬 底具有从大约0.05mm至大约1mm的厚度范围。
4. 如权利要求2所述的有机发光显示器，其特征在于，所述衬 底包括选自包含玻璃、塑料、聚合体、钢铁及其组合的族中的材料。
5. 如权利要求2所述的有机发光显示器，其特征在于，所述非 透射层具有从大约500A至大约3000A的厚度范围。
6. 如权利要求2所述的有机发光显示器，其特征在于，所述非 透射层包括UV射线保护剂。
7. 如权利要求2所述的有机发光显示器，其特征在于，所述非 透射层包括选自包含不能透射UV射线的金属、透明的UV射线保护 剂、不透明的UV射线保护剂及其组合的族中的材料。
8. 如权利要求2所述的有机发光显示器，其特征在于，所述非 透射层包括选自包含铬(Cr)、氧化铬(Cr203)、铝(AI)、金(Au)、 银(Ag)、氧化镁(MgO)、银合金、及其组合的族中的材料。
9. 如权利要求2所述的有机发光显示器，其特征在于，还包括 设置在所述非透射层的下表面上的^兹层。
10. 如权利要求9所述的有机发光显示器，其特征在于，所述 磁层的厚度具有从10pm至100|jm的厚度范围。
11. 如权利要求9所述的有机发光显示器，其特征在于，防摩 擦层还可以形成在所述磁层的下表面上。
12. 如权利要求2所述的有机发光显示器，其特征在于，还包 括设置在所述非透射层的下表面上的防摩擦层。
13. 如权利要求12所述的有机发光显示器，其特征在于，所述 防摩擦层具有从大约10|jm至大约100|jm的厚度范围。
14. 如权利要求12所述的有机发光显示器，其特征在于，所述 防摩擦层包括选自包含有机材料和无机材料的族中的材料。
15. 如权利要求2所述的有机发光显示器，其特征在于，还包 括设置在所述衬底的第一表面的四周上的密封剂，以及粘结密封剂 的封装衬底。
16. 如权利要求1所述的有机发光显示器，其特征在于，还包括设置在所述衬底的第一表面上的緩冲层，设置在所述緩沖层上的 栅极电极；设置在所述栅极电极上的栅极绝缘层；设置在所述栅极绝缘层上的半导体层；设置在所述半导体层上的层间介质层；以及设置在所述层间介质层上的源极/漏极电极，设置在所述源极/漏 极电极上的绝缘层以及设置在所述绝缘层上的有机发光二极管。
17. —种有机发光显示器的制造方法，该方法包括 提供第一衬底和第二衬底；在所述第一衬底的下表面上形成第一非透射层； 在所述第二衬底的下表面上形成第二非透射层； 将所述第一衬底与所述第二衬底黏合在一起，使得所述第一和第 二非透射层相互面对面；在所述第一黏合衬底的上表面上形成第一半导体层；在所述第二黏合衬底的上表面上形成第二半导体层；在所述第 一半导体层上形成第 一有机发光二极管；在所述第二半导体层上形成第二有机发光二极管；采用密封剂将封装衬底粘结在形成各个有机发光二极管的表面上；切割所述第一和第二衬底的边缘部分，在所述边缘部分上没有形 成所述第一和第二半导体层以及所述第一和第二有机发光二极管； 以及将所述第一和第二黏合衬底分离成第一制成后的衬底和第二制成 后的衬底。
18. 如权利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述第一非 透射层或所述第二非透射层中的至少一个非透射层形成具有从大约 500A至3000A的厚度范围。
19. 如权利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述第一非 透射层或所述第二非透射层中的至少一个非透射层可以通过在所述 第 一衬底或所述第二衬底中的至少 一个衬底的下表面上涂覆UV射线 保护剂来形成。
20. 如权利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述第一非 透射层或者所述第二非透射层中至少一个非透射层可以通过在所述 .第一衬底或者所述第二衬底中的至少一个衬底的下表面上形成选自包含不能透射UV射线的金属、透明的UV射线保护剂、不透明的UV 射线保护剂及其组合的族中的材料来形成。
21. 如权利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述第一非 透射层或所述第二非透射层中的至少一个非透射层可以通过在所述4 第 一衬底或所述第二衬底中的至少 一个衬底的下表面上形成采用选自包含铬(Cr)、氧化铬(0203)、铝(Al)、金(Au)、银(Ag)、 氧化镁(MgO)、银合金、及其组合的族中的材料来形成。
22. 如权利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述第一非 透射层或所述第二非透射层中的至少一个非透射层的形成还通过在 所述第一非透射层或所述第二非透射层中的至少一个非透射层的下 表面上形成,兹层来进行。
23. 如权利要求22所述的制造方法，其特征在于，所述第一非 透射层或所述第二非透射层中的至少一个非透射层的形成还通过在 所述磁层的下表面上形成防摩擦层来进行。
24. 如权利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述第一非 透射层或所述第二非透射层中的至少一个非透射层的形成还通过在 所述第一衬底或所述第二衬底中的至少一个衬底的下表面上形成防 摩擦层来进行。
25. 如权利要求17所述的制造方法，其特征在于，在粘结所述 封装村底中所使用的所述封装衬底所具有的面积小于所述第一衬底 或者所述第二衬底中的至少 一个衬底所具有的面积。
26. 如权利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述切割是 通过在对应于所述第 一半导体层或所述第二半导体层中的至少 一个 半导体层以及所述第一有机发光二极管或所述第二有机发光二极管中的至少 一个有机发光二极管的外围四周的位置上来切割所述第一 衬底或所述第二衬底中的至少 一个衬底和封装衬底来进行的。
27. —种适用于有机发光显示器的移动装置，它包括 移动主体，它具有形成在其一侧上的开孔且在开孔的四周上设置具有一定深度的台阶，以便于容纳由两个黏合后的衬底所形成的有 机发光显示器；以及至少一个振动吸收部件，它从所述移动主体的台阶延伸出一定的 距离并且适用于吸收振动和阻止翁合后的有机发光显示器变形。
28. 如权利要求27所述的移动装置，其特征在于，还包括设置在所述移动主体上的台阶上且适用于容纳黏合后的有机发光显示器 和阻止黏合后的有机发光显示器滑动的防滑动垫片。
29. 如权利要求27所述的移动装置，其特征在于，还包括粘结 上的》兹条。
30. 如权利要求27所述的移动装置，其特征在于，还包括设置 在所述振动吸收部件和所述移动装置的耦合区域上的弹性垫片。
31. —种有机发光显示器的制造方法，该制造方法包括在第一衬底的第一表面上形成第一非透射层； 在第二衬底的第一表面上形成第二非透射层；将所述第一衬底和所述第二衬底黏合在一起，使得所述第一和第 二非透射层相互面对面；在所述第一黏合衬底的第二表面上形成第一半导体层和第一有机 发光二极管；在所述第二黏合衬底的第二表面上形成第二半导体层和第二有机 发光二极管；采用密封剂将第一封装衬底粘结在已形成所述第一有机发光二极 管的表面上；采用密封剂将第二封装衬底粘结在已形成所述第二有机发光二极 管的表面上；切割所述第一衬底的边缘部分和所述第二衬底的边缘部分，在该 边缘部分上没有形成所述第一和第二半导体层以及所述第一和第二 有机发光二极管；以及将所述第 一和第二黏合衬底分离成第 一制成后的衬底和第二制成 后的衬底。
全文摘要
一种有机发光显示器，它包括衬底；设置在衬底上表面上的缓冲层；设置在缓冲层上的半导体层；设置在半导体层上的栅极绝缘层；设置在栅极绝缘层上的栅极电极；设置在栅极电极上的层间介质层；设置在层间介质层上的源极/漏极电极；设置在源极/漏极电极上的绝缘层；设置在绝缘层上的有机发光二极管；以及设置在衬底下表面上的非透射层。
文档编号H01L27/32GK101154678SQ20071010137
公开日2008年4月2日 申请日期2007年4月20日 优先权日2006年9月28日
发明者金钟允 申请人:三星Sdi株式会社