基板处理装置和基板处理方法

专利名称：基板处理装置和基板处理方法
技术领域：
本发明涉及一种用于使由含有纯水的冲洗液进行了冲洗处理后的基板 干燥的基板处理装置和基板处理方法。成为待处理对象的基板例如包含半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子体显示器用基板、FED (Field Emission Display:场致发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基 板、光掩模用基板等。
背景技术：
在半导体装置和液晶显示装置的制造工序中，有时使用对半导体晶片或 液晶显示面板用玻璃基板等基板的表面逐个地实施使用处理液(药液或纯水 等冲洗液)的处理的单张式基板处理装置。作为这种基板处理装置，其包括近似水平地保持一张基板并使其旋转的 旋转卡盘、用于向被保持在该卡盘上的基板表面(上表面)供给处理液的喷 嘴、接近于被保持在该卡盘上的基板的表面而相对配置的圆板状遮蔽板(例 如日本特开平10—41261号公报)。在这种结构的基板处理装置中，例如，按顺序向处于旋转状态的基板的 表面供给药液和纯水，而进行药液处理和水洗处理。在实施了水洗处理后， 由接近于基板表面而相对配置的遮蔽板从周围环境遮蔽基板表面和遮蔽板 之间的空间。在此状态下，从形成在遮蔽板中央的喷出口，将IPA (异丙醇) 蒸汽供给到基板表面的旋转中心附近。被供给到基板表面的旋转中心附近的 IPA蒸汽沿着基板表面从上述旋转中心附近向基板的周缘扩展。附着在基板 表面上的纯水因基板的旋转而被甩到基板的周围。此外，没有被甩到基板的 周围而残存在基板表面上的纯水由IPA置换。通过IPA的蒸发，从而基板的 表面被干燥。然而，在上述处理方法中，在从实施了水洗处理后至向基板表面供给IPA 蒸汽期间，在基板表面和遮蔽板之间的空间存在含氧的环境，有可能该环境 的氧与附着在基板表面上的纯水、基板表面所包含的硅进行反应而在基板表 面上产生水渍。 发明内容本发明的目的是提供一种能够抑制水渍的产生的同时使基板良好地干 燥的基板处理装置和基板处理方法。本发明的基板处理装置包括板，其与基板的一个面隔着间隔而相对配置， 在与所述一个面相对置的对置面上形成有多个喷出口和吸引口 ；冲洗液供给 单元，其用于向所述板的所述喷出口供给含有纯水的冲洗液；吸引单元，其 用于对所述板的所述吸引口内进行吸引；干燥促进流体供给单元，其将用于 促进所述基板干燥用的干燥促进流体供给到所述一个面上；基板保持单元， 其配置在所述一个面的相反侧、即基板的另一个面侧，用于对所述基板进行 保持；供给控制单元，其对所述冲洗液供给单元进行控制，从所述喷出口朝 向所述一个面喷出冲洗液，通过冲洗液使所述一个面和对置面之间成为液密 状态，并且，对所述干燥促进流体供给单元进行控制，在所述一个面和对置 面之间成为液密状态的状态下，向所述一个面上供给干燥促进流体，而将所 述一个面和对置面之间的冲洗液置换为干燥促进流体。根据这种结构，在使板接近于基板的一个面而相对配置的状态下， 一边 由冲洗液供给单元从形成在板的对置面上的多个喷出口喷出含有纯水的冲 洗液而向所述一个面供给冲洗液的同时， 一边由吸引单元从形成在所述对置 面上的多个吸引口对所喷出的冲洗液进行吸引。因而，能够一边通过冲洗液 使所述一个面和对置面之间成为液密状态， 一边使介于所述一个面和对置面 之间的冲洗液产生给定的流动。从而，能够将冲洗液均匀地供给到所述一个 面上。进而，在通过冲洗液使所述一个面和对置面之间成为液密状态的状态 下，供给控制单元对干燥促进流体供给单元进行控制，向所述一个面供给用 于促进基板干燥的干燥促进流体。从而，由干燥促进流体将介于所述一个面 和对置面之间的冲洗液挤出，而将该冲洗液置换为干燥促进流体。因此，含 氧的环境气体不回进入所述一个面和对置面之间，而能够将所述一个面和对 置面之间的冲洗液置换为干燥促进流体。因而，在所述一个面干燥的期间， 能够抑制氧、纯水和基板表面包含的硅反应。所以，能够抑制水渍的产生的 同时，能够使基板良好地干燥。从所述干燥促进流体供给单元供给到所述一个面上的干燥促进流体可 以是液体，也可以是气体，也可以是液体和气体的混合流体。所述干燥促进流体供给单元也可以将含有挥发性比纯水高的有机溶剂 的液体作为干燥促进流体而供给到所述一个面上。另外，所述干燥促进流体 供给单元也可以将含有挥发性比纯水高的有机溶剂的蒸气作为干燥促进流 体而供给到所述一个面上。将含有挥发性比纯水高的有机溶剂的液体或蒸气供给到由含有纯水的 冲洗液进行了冲洗处理后的基板的一个面上。于是，将所述一个面和对置面 之间的冲洗液置换为干燥促进流体，从而能够促进基板的干燥。作为所述有机溶剂，可以是相对纯水具有溶解性的溶剂，也可以是相对 纯水不具有溶解性的溶剂。在所述有机溶剂是挥发性比纯水高且相对纯水具有溶解性的溶剂时，包 含在冲洗液内的纯水溶入到该溶剂内，同时将冲洗液置换为干燥促进流体， 而能够促进基板的干燥。另外，在所述有机溶剂是挥发性比纯水高且相对纯 水不具有溶解性的溶剂时，由于能够轻易地将所述一个面和对置面之间的冲 洗液挤出，因而能够可靠地将该冲洗液置换为干燥促进流体。作为挥发性比纯水高且相对纯水具有溶解性的有机溶剂，例如可以是甲 醇、乙醇、丙酮、IPA (异丙醇)、MEK (丁酮)等。另外，作为挥发性比纯水高且相对纯水不具有溶解性的有机溶剂，例如可以例举HFE (Hydro Fluoro Ether:氟醚)等。另外，作为所述冲洗液，例如可以例举DIW(被脱离子化的纯水)、碳酸 水、电解离子水、含氢水、磁水等功能水或稀浓度(例如lppm左右)的氨水等。所述干燥促进流体供给单元可以从干燥促进流体喷出口将所述干燥促 进流体供给到基板的一个面上，该干燥促进流体喷出口形成在所述对置面 上，并与所述一个面的中心相对置。在通过冲洗液使所述一个面和对置面之间成为液密状态的状态下，从干 燥促进流体喷出口向所述一个面的中心供给干燥促进流体。于是，因从所述 一个面的中心朝向基板周围扩散的干燥促进流体而将介于所述一个面和对 置面之间的冲洗液挤出到基板的周围。由此，含氧的环境气体不会进入到所 述一个面和对置面之间，而能够将冲洗液置换为干燥促进流体优选所述基板处理装置还包括基板旋转单元，该基板旋转单元使所述基 板保持单元保持的基板围绕与所述一个面交叉的轴线进行旋转。根据这种结构， 一边将冲洗液或干燥促进流体供给到基板的一个面上， 一边由基板旋转单元使基板旋转，从而能够均匀地将冲洗液和干燥促进流体 供给到所述一个面上。另外，在将干燥促进流体供给到所述一个面上后，如果以给定的旋转速 度使基板旋转，则能够由离心力将由所述干燥促进流体置换后的液体甩到基 板的周围。从而能够縮短基板干燥所需的时间。优选所述基板处理装置还包括板旋转单元，该板旋转单元使所述板围绕 与所述轴线近似相同的轴线旋转。根据这种结构， 一边从所述喷出口将冲洗液或干燥促进流体供给到基板 的一个面上， 一边由板旋转单元使板旋转，从而能够均匀地将冲洗液和干燥 促进流体供给到所述一个面上。在板旋转的同时旋转所述基板的情况下，所 述板和基板的旋转方向可以相同，也可以相反。此时，优选该板相对于基板 相对地进行旋转。本发明的基板处理方法包括冲洗液供给工序，从在与基板的一个面隔着 间隔而相对置的板的对置面上形成的多个喷出口向所述一个面上供给含有 纯水的冲洗液，并且，从在所述对置面上形成的多个吸引口对从所述喷出口 喷出的冲洗液进行吸引，通过冲洗液使所述一个面和对置面之间成为液密状态；干燥促进流体供给工序，在所述一个面和对置面之间通过冲洗液而成为液密状态的状态下，向所述基板的一个面上供给干燥促进流体，从而将所述 一个面和对置面之间的冲洗液置换为干燥促进流体。根据该方法，实施冲洗液供给工序，在使板接近于基板的一个面而相对 配置的状态下，从形成在板的对置面上的多个喷出口将含有纯水的冲洗液供 给到所述一个面上，并且，从形成在所述对置面上的多个吸引口对从所述喷 出口喷出的冲洗液进行吸引，从而使所述一个面和对置面之间通过冲洗液而 成为液密状态。由此， 一边通过冲洗液使所述一个面和对置面之间成为液密 状态， 一边在该冲洗液内产生给定的流动，从而能够将冲洗液均匀地供给到
所述一个面上。然后，实施干燥促进流体供给工序，在通过冲洗液使所述一个面和对置 面之间成为液密状态的状态下，向所述一个面供给用于促进基板干燥的干燥 促进流体，由干燥促进流体置换介于所述一个面和对置面之间的冲洗液。因 而，含氧的环境气体不会进入所述一个面和对置面之间，而能够将所述一个 面和对置面之间的冲洗液置换为干燥促进流体。因而，能够抑制氧、纯水与 基板表面所包含的硅发生反应，所以，能够抑制水渍的产生，同时使基板良 好地干燥。通过参照附图进行的以下实施方式的说明，本发明的上述或者进一步的 其它目的、特征以及效果变得更明确。


图1是用于说明本发明一实施方式的基板处理装置的结构的图。图2是表示板的对置面的仰视图。图3是用于说明图1的基板处理装置的电气结构的框图； 图4A 图4E是用于说明由图1的基板处理装置对基板进行处理的一个 示例的图；图5是表示本发明其它实施方式的基板处理装置的结构的一部分的示意图。
具体实施方式
图1是用于说明本发明一实施方式的基板处理装置的结构的图。该基板 处理装置是用于对如半导体晶片那样的近似圆形的基板W实施由处理液(药 液或纯水等冲洗液)进行的处理的单张式处理装置。该基板处理装置包括与 基板W的表面(上表面)隔着间隔而相对配置的板1、配置在基板w的背面(下表面)侧而将基板w保持为近似水平姿势并使该基板w旋转的真空型卡盘(以下称为"真空卡盘")2。真空卡盘2包括近似铅垂地配置的卡盘轴3、近似水平地固定在卡盘轴 3上端的圆板状的吸附底座4。卡盘轴3例如通过形成为圆筒状而在内部具 有吸气路径。卡盘轴3的吸气路径的上端通过形成在吸附底座4内部的吸附 路径而与形成在吸附底座4的上表面上的吸附口相连通。此外，将来自包含 马达的卡盘旋转驱动机构5的旋转力输入到卡盘轴3上。由此，真空卡盘2通过对吸附路径的内部进行排气而对基板W的背面进行真空吸附，在基板w的表面朝向上方的状态下，将基板w保持在吸附底座4上。并且，在此状态下，通过从卡盘旋转驱动机构5将旋转力输入到 卡盘轴3，从而使由吸附底座4所吸附保持的基板W围绕通过其表面的近似 中心的铅垂轴线(卡盘轴3的中心轴线)旋转。板1做成直径比基板W的直径大的圆板状。板1的下表面为与由真空 卡盘2保持的基板W的表面相对置的对置面8。在该对置面8上形成了多个 喷出口9和吸引口10。各喷出口9与沿板1的厚度方向(上下方向)贯通板 1的近似圆柱状的供给路径11相连通。另外，各吸引口 10与沿板1的厚度 方向(上下方向)贯通板1的近似圆柱状的吸引路径12相连通。另外，用 于有选择地供给作为药液的氢氟酸和作为冲洗液的DIW(被进行脱离子化的 纯水)的供给机构13与各个喷出口 9相连接。用于对从喷出口 9喷出的氢 氟酸或DIW进行吸引的吸引机构14与各吸引口 10相连接。供给机构13能够通过供给路径11有选择地对各个喷出口 9供给氢氟酸 和DIW。供给机构13包括集合供给管16、从集合供给管16分支并与各供 给路径11相连接的分支供给管17。药液供给管18和DIW供给管19与集合 供给管16相连接。从药液供给管18和DIW供给管19分别向集合供给管16 供给氢氟酸和DIW。药液供给管18从贮存了氢氟酸的药液罐22延伸出来。在药液供给管18 的中途部安装了用于从药液罐22吸出氢氟酸的药液泵23、用于对该药液供 给管18进行开闭的药液阀24。来自未图示的DIW供给源的DIW被供给到 DIW供给管19内。在DIW供给管19的中途部安装了用于对该DIW供给管 19进行开闭的DIW阀25。由此，通过关闭DIW阀25、打开药液阀24并驱动药液泵23，从而能 够将贮存在药液罐22内的氢氟酸供给到各喷出口 9。此外，通过关闭药液阀 24、打开DIW阀25，从而能够从DIW供给源将DIW供给到各喷出口 9。吸引机构14包括集合吸引管28、从集合吸引管28分支并与各吸引路径 12相连接的多个分支吸引管29。用于对集合吸引管28内进行吸引的真空发
生装置30、被吸引的药液(氢氟酸)进行流通的药液回收管31与集合吸引管28相连接。药液回收管31的前端(药液回收管31中流体流动方向的下 游端)与药液罐22相连接。在药液回收管31的中途部从集合吸引管28侧 起按顺序安装了对药液回收管31进行开闭的回收阀33、用于将在药液回收 管31内流通的氢氟酸中的异物除去的过滤器34、用于将氢氟酸引入药液回 收管31内的回收泵35。另外，在集合吸引管28上，在比药液回收管31的 连接部更靠前端侧的位置上安装了对该集合吸引管28进行开闭的吸引阀36。由此，在从各喷出口 9喷出氢氟酸或DIW的状态下，通过关闭回收阀 33、打开吸引阀36并驱动真空发生装置30，从而能够通过吸引口IO、吸引 路径12、分支吸引管29和集合吸引管28而将从各喷出口 9喷出的氢氟酸或 DIW吸引到真空发生装置30。此外，在从各喷出口9喷出氢氟酸的状态下， 通过关闭吸引阀36、打开回收阀33并驱动回收泵35，从而能够通过吸引口 10、吸引路径12、分支吸引管29、集合吸引管28和药液回收管31而将从 各喷出口 9喷出的氢氟酸回收到药液罐22内。板1固定在支持轴6的下端，该支持轴6沿着与真空卡盘2的卡盘轴3 相同的中心轴线。支持轴6为中空轴，在其内部以与支持轴6非接触的状态 插入有中心轴喷嘴40，该中心轴喷嘴40用于向基板W表面供给作为干燥促 进流体的HFE (氟醚、液体)，该干燥促进流体用于促进基板W的干燥。 用于将HFE供给到中心轴喷嘴40的HFE供给管41与中心轴喷嘴40相连接。 在HFE供给管41的中途部安装了用于对HFE供给管41进行开闭的HFE阀 42。中心轴喷嘴40的前端(下端)到达形成在板l中央的开口43。在中心 轴喷嘴40的前端设置了与基板W表面的中心附近相对置的HFE喷出口 44。 被供给到中心轴喷嘴40的HFE从HFE喷出口 44朝向基板W表面喷出。另外，在支持轴6和中心轴喷嘴40之间形成了作为被供给到基板W表 面的惰性气体的氮气进行流通的氮气供给路径45。从氮气供给管46向该氮 气供给路径45供给氮气。在氮气供给管46的中途部上安装了用于对氮气供 给管46进行开闭的氮气阀47。在氮气供给路径45内流通的氮气，从形成在 中心轴喷嘴40的前端和对开口 43进行划分的板1的内周面之间的氮气喷出 口 48朝向基板W的表面喷出。支持轴6与使支持轴6和板1升降的板升降驱动机构15相连接。由该板升降驱动机构15，能够使支持轴6和板1在接近位置(图1中双点划线所 示位置)和退避位置(图1中实线所示位置)之间进行升降，其中，接近位置是对置面8接近被保持在真空卡盘2上的基板W表面的位置，退避位置是 从基板W表面向上方远远退避的位置。使板1的对置面8接近基板W的表 面，并且从氮气喷出口 48将氮气导入到对置面8和基板W表面之间的狭窄 空间内，从而能够将基板W表面附近保持未氮气环境。图2是表示板1的对置面8的仰视图。喷出口 9有规则地排列在对置面 8上。各喷出口 9分别在沿着对置面8的给定方向和与该给定方向垂直方向 上等间距地配置成矩阵状。此外，各吸引口 10有规则地设置在各喷出口 9 的周围。各吸引口 10例如分别配置在以喷出口 9为中心的正六边形的顶点 上。如图2所示，从各喷出口 9喷出的氢氟酸和DIW朝向配置在各喷出口 9 周围的6个吸引口 IO近似均匀分散地流动。另外，设置在中心轴喷嘴40的前端的HFE喷出口 44被环状的氮气喷出 口 48包围。HFE喷出口 44和氮气喷出口 48被多个喷出口 9和吸引口 10包围。图3是用于说明上述基板处理装置的电气结构的框图。该基板处理装置 包括控制装置37。该控制装置37对卡盘旋转驱动机构5、板升降驱动机构 15、药液泵23、真空发生装置30、回收泵35的动作进行控制。另外，控制 装置37对药液阀24、 DIW阀25、 HFE阀42、氮气阀47、回收阔33和吸引 阀36的开闭进行控制。图4A 图4E是用于说明由上述基板处理装置对基板W进行处理的一 个示例的图。成为待处理对象的基板W由未图示的机械手搬送来，使器件形成面即 表面朝上而从搬送机械手交接到真空卡盘2上。此时，控制装置37对板升 降驱动机构15进行控制，使板1配置在向真空卡盘2的上方远远退避的退 避位置上。将基板W交接到真空卡盘2上后，真空卡盘2对基板W的背面进行真 空吸附，从而在基板W的表面朝向上方的状态下，将基板W保持在吸附底 座4上。
然后，控制装置37对板升降驱动机构15进行控制，使板1下降，从而使对置面8接近于基板W的表面。接着，控制装置37使DIW阀25、 HFE 阀42、氮气阀47关闭、打开药液阀24并对药液泵23进行驱动，从而将贮 存在药液罐22内的氢氟酸通过集合供给管16、分支供给管17、供给路径11 而供给到各个喷出口9，从各个喷出口9朝向基板W的表面喷出氢氟酸。与 此同时，控制装置37关闭吸引阀36、打开回收阀33并驱动回收泵35，从 而由吸引口 10吸引从各喷出口9喷出的氢氟酸。此时，基板W可以旋转， 也可以不旋转。由此，在被供给到基板W表面上的氢氟酸中产生参考图2所述那样的 流动。与此同时，如图4A所示，基板W的表面和对置面8之间充满氢氟酸。 也就是，刚从喷出口 9喷出的处理能力高的氢氟酸被均匀连续地供给到基板 W的表面上。由此，能够均匀、有效地对基板W的表面进行由氢氟酸带来 的处理。而且，通过从吸引口 10吸引从喷出口 9喷出的氢氟酸，从氢氟酸 不会飞溅到基板W的周围，而能够通过吸引路径12、分支吸引管29、集合 吸引管28和药液回收管31，将氢氟酸可靠地回收到药液罐22内。如果氢氟酸的供给进行给定的处理时间(例如30 60秒)，则控制装 置37关闭药液阀24，停止向基板W供给氢氟酸，并且，关闭回收阀33， 使回收泵35停止。然后，控制装置37打开DIW阀25，向各喷出口9供给 DIW、而从各喷出口 9向基板W的表面喷出DIW。与此同时，控制装置37 打开吸引阀36，并驱动真空发生装置30，而从吸引口 IO吸引从各喷出口 9 喷出的DIW。此时，基板W可以旋转，也可以不旋转。由此，如图4B所示，基板W的表面和对置面8之间充满DIW,并且在 DIW中产生上述流动。DIW被均匀供给到基板W的表面上。并且，由DIW 能够将附着在基板W表面上的所有氢氟酸有效地冲洗掉。另外，从各喷出 口 9喷出的DIW不会飞溅到基板W的周围，而能够由吸引口 IO吸引，并从 真空发生装置30废弃到未图示的废液设备内。如果DIW的供给进行在给定的水洗处理时间(例如60秒)，则控制装 置37关闭DIW阀25，停止向基板W供给DIW，并且关闭吸引阀36，使真 空发生装置30停止。与此同时，控制装置37打开HFE阀42，从中心轴喷 嘴40的HFE喷出口 44向基板W表面的中心附近喷出HFE，并且，对卡盘 旋转驱动机构5进行驱动，使保持在真空卡盘2上的基板W以给定的旋转速度(例如100 3000rpm)旋转。由此，如图4C所示，在基板W的表面和对置面8之间由DIW充满的 状态下，将HFE供给到基板W表面的中心附近。供给到基板W表面的中心 附近的HFE受到由基板W的旋转所引起的离心力，而从上述中心附近向基 板W的周缘扩散，将介于基板W的表面和对置面8之间的DIW挤出并排出 到基板W的周围。也就是，基板W的表面和对置面8之间保持为液密状态 不变，将基板W的表面和对置面8之间的DIW置换为HFE。然后，如图4D 所示，基板W的表面和对置面8之间由HFE充满。因而，在向基板W供给 DIW后至向基板W供给HFE之前，能够抑制含氧的环境气体进入到基板W 的表面和对置面8之间。另外，由于HFE是相对于纯水不具有溶解性的有机 溶剂，因而能够可靠地将介于基板W的表面和对置面8之间的DIW挤出。如果HFE的供给进行给定的置换处理时间(例如60秒)，则控制装置 37关闭HFE阀42，而停止向基板W供给HFE，并且打开氮气阀47，而从 氮气喷出口 48向基板W表面的中心附近供给氮气。然后，控制装置37对 卡盘旋转驱动机构5进行控制，使保持在真空卡盘2上的基板W以给定的 高旋转速度(例如3000rpm)旋转。由此，如图4E所示，在基板W的表面附近保持为氮气环境的状态下， 介于基板W的表面和对置面8之间的HFE受到由基板W的旋转所引起的离 心力，而被甩到基板W的周围。此外，没有被甩掉而残存在基板W表面上 的HFE由自身的挥发力而蒸发。由此，基板W的表面被干燥。此时，由于 被供给到基板W表面上的DIW在上述置换处理中被可靠地置换为HFE，因 而，与没有进行置换处理的情况相比，能够使基板W更快地干燥。而且， 由于基板W的表面附近被保持为氮气环境，因而能够抑制在基板W的表面 产生水渍等干燥不良情况。如果基板W的高速旋转进行给定的旋转干燥处理时间(例如60秒)， 则控制装置37关闭氮气阀47，而停止向基板W供给氮气，并且对卡盘旋转 驱动机构5进行控制，使基板W停止旋转。然后，控制装置37对板升降驱 动机构15进行控制，使板1升高。然后，由未图示的搬送机械手从真空卡 盘2将处理后的基板W搬走。
如上所述，根据该实施方式，在使板1接近基板W的表面而相对配置 的状态下，从形成在对置面8上的多个喷出口 9朝向基板W的表面喷出处理液(在本实施方式中，为氢氟酸或DIW)，同时，从形成在对置面8上的 多个吸引口 IO对所喷出的处理液进行吸引。因而，基板W的表面和对置面 8之间由处理液充满，同时能够在该处理液中产生给定的流动。从而，由于 能够均匀地向基板W的表面供给处理液，因而能够由处理液均匀地对基板 W的表面实施处理。另外，在由DIW实施水洗处理后，在基板W的表面和对置面8之间通 过DIW而成为液密状态的状态下，通过向基板W的表面供给HFE，从而能 够一边将基板W的表面和对置面8之间保持为液密状态， 一边能够将该DIW 置换为HFE。从而，在向基板W供给DIW之后到向基板W供给HFE之前， 能够抑制含氧的环境气体进入基板W的表面和对置面8之间，因而，能够 抑制DIW和基板W的表面所包含的硅与环境气体中的氧发生反应，也就是 能够抑制水渍的产生。此外，通过使用挥发性比纯水高且相对于纯水不具有溶解性的有机溶剂 即HFE作为干燥促进流体，从而能够可靠地将介于基板W的表面和对置面 8之间的DIW置换为HFE，能够加速基板W的干燥。以上，说明了本发明的一个实施方式，但是本发明也可以用其它实施方 式来实施。例如，在上述实施方式中，以将作为干燥促进流体的HFE (液体)供给 到基板W的表面的情形为例进行了说明，但是干燥促进流体也可以是含有 HFE (液体)的液体，也可以是含有HFE蒸气的气体，也可以是含有HFE (液体)和HFE蒸气的混合流体。而且，干燥促进流体也可以是包含甲醇、 乙醇、丙酮、IPA (异丙醇)、MEK (丁酮)等挥发性比纯水高且相对于纯 水具有溶解性的有机溶剂的流体、或也可以是包含象HFE那样的挥发性比纯水高且相对于纯水不具有溶解性的有机溶剂的流体。另外，在上述基板W的处理的一个示例中，以将HFE供给到基板W后， 以给定的高旋转速度使基板W旋转而使基板W干燥为例进行了说明，但是， 在使用气体(例如IPA蒸气)作为干燥促进流体的情况下，也可以进行旋转 干燥处理，也可以不进行旋转干燥处理。在不进行旋转干燥处理的情况下，
将干燥促进流体供给到基板W后，通过使附着在基板W的表面上并包含干 燥促进流体的微量液体蒸发，而使基板W干燥。另外，在上述基板W的处理的一个示例中，以仅将作为干燥促进流体的HFE供给到基板W表面上为例进行了说明，但是也可以按顺序将多种干 燥促进流体供给到基板W的表面上。例如，也可以由DIW进行水洗处理后， 将IPA(液体)供给到基板W的表面上，供给IPA后，再将HFE供给到基板 W的表面上。具体地说，由DIW进行水洗处理后，在基板W的表面和对置面8之间 通过DIW而成为液密状态的状态下，从中心轴喷嘴40将IPA供给到正被旋 转的基板W的表面中心附近，而将介于基板W的表面和对置面8之间的DIW 置换为IPA。然后，在停止供给IPA后，从中心轴喷嘴40将HFE供给到正 被旋转的基板W的表面中心附近，而将介于基板W的表面和对置面8之间 的IPA置换为HFE。此时，通过使用相对于纯水具有溶解性的IPA分阶段地 将DIW置换为HFE，从而能够可靠地减少残留在基板W的表面上的DIW。另外，要将IPA供给到基板W的表面上，只要在中心轴喷嘴40上设置 用于供给IPA的IPA供给管49，由控制装置37进行控制来对安装在该IPA 供给管49的中途部上的IPA阀50开闭即可(参考图1和3)。另外，在上述实施方式中，以从插入在支持轴6内的中心轴喷嘴40向 基板W的表面供给HFE为例进行了说明，但是也可以在基板W的周围设置 用于将HFE供给到基板W的表面上的HFE喷嘴，从基板W的周围向基板 W的表面供给HFE，而将介于基板W的表面和对置面8之间的DIW置换为 HFE。另外，在上述实施方式中，以使用真空卡盘2作为基板保持单元为例进 行了说明，但是作为基板保持单元，例如也可以是如图5所示那样的由多个 夹持部件56对基板W的周端面进行夹持而对基板W进行保持的机械型旋转 卡盘57。具体地说，旋转夹盘57具有近似在铅垂方向上延伸的旋转轴58、安装 在旋转轴58上端的圆板状旋转底座59。上述多个夹持部件56设置在旋转底 座59上对应于基板W的外周形状的圆周上。多个夹持部件56通过在分别 不同的位置上与基板W的周端面相抵接，从而相互协作地对基板W进行夹持，能够将基板w保持为近似水平。另外，在使用机械型旋转卡盘57作为基板保持单元时，为了避免板1 与多个夹持部件56干涉，优选将板l做成如下这样的大小比基板W的外 径小，且至少能够覆盖整个器件形成区域(基板W的表面的周缘部之外的 区域)。另外，在上述实施方式中，以板1和支持轴6不旋转为例进行了说明， 但是也可以将板旋转驱动机构61 (参照图l)结合在支持轴6上，通过由控 制装置37对该板旋转驱动机构61进行控制(参考图3)，而使支持轴6和 板1围绕与卡盘轴3的中心轴线近似相同的轴线旋转。通过一边由板旋转驱 动机构61使板1旋转， 一边从各喷出口 9喷出氢氟酸或DIW,从而能够更 均匀地将氢氟酸和DIW供给到基板W的表面上。另外，在一边由基板保持单元使基板W旋转， 一边使板1旋转的情况 下，板1和基板W可以沿相同的方向旋转，也可以沿相反方向旋转。另外，在上述实施方式中，以将板1做成直径比基板W的大的圆板状 为例进行了说明，但是板1也可以比基板W小。此时，设置了用于使板1 移动的板移动机构，通过利用该板移动机构使板1的对置面8在基板W的 上方水平面内移动(扫描)，从而能够将氢氟酸等各种液体或气体均匀地供 给到基板W的表面的整个区域内。另外，在上述实施方式中，作为供给到基板W的表面上的药液，例举 了氢氟酸，但是并不局限于氢氟酸，也可以将蚀刻液、聚合物除去液或抗蚀 剂剥离液等其它药液供给到基板W的表面上。另外，在上述实施方式中，作为供给到基板W表面上的惰性气体，例 举了氮气，但是并不局限于氮气，也可以将氦气、氩气、干燥空气等其它惰 性气体供给到基板W表面上。另外，在上述实施方式中，作为供给到基板W表面上的冲洗液，例举 了 DIW，但是并不局限于DIW，也可以将碳酸水、电解离子水、含氢水、 磁水等功能水或稀浓度(例如lppm左右)的氨水等其它冲洗液供给到基板 W表面上。另外，在上述实施方式中，作为待处理对象的基板W例举了半导体晶 片，但是并不局限于半导体晶片，也可以将液晶显示装置用基板、等离子体 显示器用基板、FED用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光 掩模用基板等其它种类的基板作为待处理对象。虽然对本发明的实施方式进行了详细说明，但是这些仅是为了理解本发 明的技术内容而使用的具体例子，本发明并不局限于上述具体例子，本发明 的精神和范围由权利要求书的范围限定。本发明与2006年9月20日向日本特许厅提出的特愿2006_254913号 相申请对应，该申请的所有内容都结合在本发明申请中。
权利要求
1.一种基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置包括板，其与基板的一个面隔着间隔而相对配置，在与所述一个面相对置的对置面上形成有多个喷出口和吸引口；冲洗液供给单元，其用于向所述板的所述喷出口供给含有纯水的冲洗液；吸引单元，其用于对所述板的所述吸引口内进行吸引；干燥促进流体供给单元，其将用于促进所述基板干燥用的干燥促进流体供给到所述一个面上；基板保持单元，其配置在所述一个面的相反侧、即基板的另一个面侧，用于对所述基板进行保持；供给控制单元，其对所述冲洗液供给单元进行控制，从所述喷出口朝向所述一个面喷出冲洗液，通过冲洗液使所述一个面和对置面之间成为液密状态，并且，对所述干燥促进流体供给单元进行控制，在所述一个面和对置面之间成为液密状态的状态下，向所述一个面上供给干燥促进流体，而将所述一个面和对置面之间的冲洗液置换为干燥促进流体。
2. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于， 所述干燥促进流体供给单元将含有挥发性比纯水高的有机溶剂的液体作为干燥促进流体而供给到所述一个面上。
3. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于， 所述干燥促进流体供给单元将含有挥发性比纯水高的有机溶剂的蒸气作为干燥促进流体而供给到所述一个面上。
4. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于， 所述干燥促进流体供给单元从干燥促进流体喷出口将所述干燥促进流体供给到基板的一个面上，该干燥促进流体喷出口形成在所述对置面上，并 且与所述一个面的中心相对置。
5. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于， 该基板处理装置还包括基板旋转单元，该基板旋转单元使所述基板保持单元所保持的基板围绕与所述一个面交叉的轴线进行旋转。
6. 如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置还包括板旋转单元，该板旋转单元使所述板围绕与所述 轴线近似相同的轴线进行旋转。
7. —种基板处理方法，其特征在于，该基板处理方法包括冲洗液供给工序，从在与基板的一个面隔着间隔而相对置的板的对置面 上形成的多个喷出口向所述一个面上供给含有纯水的冲洗液，并且，从在所 述对置面上形成的多个吸引口对从所述喷出口喷出的冲洗液进行吸引，通过 冲洗液使所述一个面和对置面之间成为液密状态；干燥促进流体供给工序，在所述一个面和对置面之间通过冲洗液而成为 液密状态的状态下，向所述基板的一个面上供给干燥促进流体，从而将所述 一个面和对置面之间的冲洗液置换为干燥促进流体。
全文摘要
一种基板处理装置和基板处理方法，该装置包括板，与基板的一个面隔着间隔而相对配置，在与一个面相对置的对置面形成有多个喷出口和吸引口；冲洗液供给单元，向板的喷出口供给含有纯水的冲洗液；吸引单元，对板的吸引口内进行吸引；干燥促进流体供给单元，将促进基板干燥用的干燥促进流体供给到一个面；基板保持单元，配置在一个面的相反侧、即基板的另一个面侧，保持基板；供给控制单元，控制冲洗液供给单元，从喷出口朝向一个面喷出冲洗液，通过冲洗液使一个面和对置面之间成为液密状态，控制干燥促进流体供给单元，在一个面和对置面之间成为液密状态的状态下，向一个面供给干燥促进流体，将一个面和对置面之间的冲洗液置换为干燥促进流体。
文档编号H01L21/00GK101150047SQ20071015283
公开日2008年3月26日 申请日期2007年9月18日 优先权日2006年9月20日
发明者田中真人 申请人:大日本网目版制造株式会社