专利名称：发光二极管的封装结构的制作方法
技术领域：
本实用新型是有关于一种发光二极管，且特别是有关于一种发光二极管的 封装结构。
背景技术：
发光二极管是一种节约能源的环保照明光源，其具备了高耐久性、寿命长、 轻巧、耗电量低等特性，是一极为理想的新时代照明光源。尤其在目前能源费 用逐渐高涨的状况下，发光二极管更为受到产业界的重视及利用，借以取代以 往耗电量较大的其他发光器件。此外，发光二极管种类繁多、用途广泛，早已 成为现代生活中不可或缺的重要工具。
发光二极管封装的主要目的在于确保发光二极管芯片和封装结构之间正 确地连接和电性接触，通过封装结构保护芯片不受到机械、热、潮湿及其他种 种的外来冲击。由于发光二极管主要用于照明，所以在封装时该如何有效地提 升其发光或投射的亮度和均匀度，以提高视觉效果，是发光二极管封装中的重 要课题。
实用新型内容
本实用新型一方面在于提供一种发光二极管的封装结构，其包含基板、凹 槽、导电垫和导电栓塞。基板的材质为绝缘物质，而在基板的一端以镭射形成 凹槽，用以容纳发光二极管芯片。凹槽的内壁有一金属层，以反射发光二极管 芯片发出的光。导电垫位于基板的表面上，电性连接凹槽的底部，其材质包含 金属。基板的另一端为导电栓塞，导电栓塞贯穿基板，且电性隔绝于凹槽和导 电垫。其中，当发光二极管芯片放置于凹槽中时，发光二极管芯片的二电极分 别电性连接至导电栓塞和凹槽的底部。
通过凹槽中的金属层反射发光二极管的光，而提升整体发光亮度。另外， 由于发光二极管收纳于凹槽中，因此封装结构的厚度得以縮减。本实用新型另一方面在于提供一种发光二极管的封装结构，其包含基板、 贯穿孔、导电垫和导电栓塞。贯穿孔位于基板的一端，且贯穿基板。贯穿孔的 内壁上，电镀上一层金属层。导电垫位于基板的一表面上，遮覆贯穿孔的开口。 导电栓塞位于基板的另一端，且贯穿基板，并电性隔绝于导电垫。其中，发光 二极管芯片放置在由贯穿孔和导电垫所包围的空间中，且发光二极管芯片的两 个电极分别电性连接至导电栓塞和导电垫。
根据以上所述，本发明通过在贯穿孔内壁镀上一层金属层，以反射发光二 极管发出的光，而使整体发光效率更好。
本实用新型的有益效果在于，通过凹槽或贯穿孔容纳发光二极管芯片，以 縮小封装结构的厚度。而且，通过凹槽或贯穿孔内壁上的金属层反射发光二极 管的光，而提升发光亮度。
以下结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细描述，并对本实用新型 提供更进一步的解释。但不作为对本实用新型的限定。
为使本实用新型上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所 附附图的详细说明如下
图1A所示为依照本实用新型的一实施例的发光二极管的封装结构的立体
图1B所示为根据图1A中AA'连线的剖面图2所示为根据本实用新型的另一实施例的发光二极管的封装结构的剖 面图。
其中，附图标记
100:封装结构110 :基板
112: 表面114 :表面
120:凹槽130 :导电垫
140: 导电栓塞150 :贯穿孔
152: 开口154 :开口
160:空间170 :金属层200: 发光二极管芯片 202:电极
204: 电极
具体实施方式
为了使本实用新型的叙述更加详尽与完备，可配合附图参照下列各种实施 例，图标中相同号码代表相同的组件。另一方面，众所周知的电路组件并未描 述于实施例中，以避免造成本实用新型不必要的限制。
为了使二极管发光组件的整体发光效率更好，本实用新型的一实施例中， 通过在基板上产生一个凹槽，以容纳发光二极管，凹槽内壁镀上一层金属层以 增加凹槽的反射率，而使整体发光效率更好。
请参考图1A和图1B。图1A所示为依照本实施例的发光二极管的封装结 构100的立体图，图1B所示为根据图1A中AA，连线的剖面图。封装结构100 中有一基板110、 一凹槽120、 一导电垫130和一导电栓塞140，依序说明如 下。
封装结构100的基板110的材质是绝缘物质，其包含酰胺三氮杂苯树脂 (Bismaleimide-Triazine; BT)。基板110的一端以镭射形成一凹槽120，以将发 光二极管芯片200容纳于其中。由于发光二极管芯片200是固定于凹槽120 中，而非固定于基板110上，因此封装结构100的厚度得以下降。
在本实施例中，凹槽120的内壁上以电镀的方式镀上一层金属，而形成金 属层170。金属的反射系数高，因此金属层170可反射发光二极管所发出的光， 以提高发光亮度。而且，由于金属的导热性佳，因此金属层170可将发光二极 管芯片200所发出的热迅速散出。金属层170的材质可为铜、镍或银等金属， 其中以银为佳。
在基板110的表面112上有一导电垫130，电性连接凹槽120的底部，用 来电性连接电源供应电路(未绘示)。当发光二极管芯片200固定于凹槽120中 时，发光二极管芯片200的一个电极202电性连接凹槽120的底部，且通过导 电垫130电性连接到电源供应电路。同时，发光二极管芯片200发出的热亦会 透过导电垫130而传出。由此可知，导电垫130的材质以导电性和导热性高的 金属为佳，例如铜、镍和银。本实施例中，导电垫130由三层金属所构成，其 材质分别为铜、镍和银。基板110的另一端有一导电栓塞140，导电栓塞140垂直贯穿整个基板 110，亦电性连接电源供应电路，且和导电垫130及凹槽120电性隔绝。发光 二极管芯片200的另一个电极204电性连接导电栓塞140，而电性连接到电源 供应电路。导电栓塞140的材质为导电物质，例如铜、镍或银等金属或多晶硅。 在本实施例中，导电栓塞由三层金属构成，此三层金属分别为铜、镍和银。
本实施例中，以一凹槽120来容纳发光二极管芯片200。在另一实施例中， 则以镭射在基板110上形成一个贯穿基板110的孔，来容纳发光二极管芯片 200。
请参考图2，其所示为根据本实用新型另一实施例的封装结构100的剖面 图。在此实施例中，在基板110的一端以镭射打孔，形成一个垂直贯穿基板 110的贯穿孔150，其开口 152和开口 154分别位在基板110的表面112和表 面114上。
导电垫130位于表面112上，遮覆贯穿孔150的开口 152，而形成一个空 间160。发光二极管芯片200则放置于由导电垫130和贯穿孔150所包围的空 间160中。发光二极管芯片200的电极202电性连接导电垫130，且发光二极 管芯片200所发出的热亦直接传导到导电垫130，再由导电垫130传到外界， 增进封装结构100的散热效率。导电垫130的材质以导电性和导热性高的金属 为佳，例如铜、镍或银。本实施例中，导电垫130由三层金属所构成，其材质 分别为铜、镍和银。
同样地，本实施例亦有一金属层170，环绕贯穿孔150的内壁，以反射发 光二极管所发出的光，提高发光亮度。金属层170的材质可为铜、镍或银等金 属，其中以银为佳。
由上述本实用新型两个实施例可知，应用本实用新型的封装结构，通过凹 槽或贯穿孔容纳发光二极管芯片，以縮小封装结构的厚度。而且，通过凹槽或 贯穿孔内壁上的金属层反射发光二极管的光，而提升发光亮度。
本实用新型还可有其它多种实施例，在不背离本实用新型精神及其实质的 情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本实用新型做出各种相应的改变和变 形，但这些相应的改变和变形都应属于本实用新型所附的权利要求的保护范 围。
权利要求1.一种发光二极管的封装结构，其特征在于，包含一基板，该基板的材质为绝缘物质；一凹槽，位于该基板的一端，以容纳一发光二极管芯片；一金属层，位于该凹槽的内壁，以反射该发光二极管芯片发出的光；一导电垫，位于该基板的一表面上，电性连接该凹槽的底部，该导电垫的材质包含金属；以及一导电栓塞，位于该基板的另一端，相对于该凹槽，且贯穿该基板，并电性隔绝于该导电垫和该凹槽；其中，该发光二极管芯片的二电极分别电性连接至该导电栓塞和该凹槽的底部。
2. 根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该金属层的材质为银。
3. 根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该导电垫的材质包含铜、 镍和银。
4. 根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该导电栓塞的材质为金属。
5. 根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，该导电栓塞的材质包含 铜、镍和银。
6. 根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该基板的材质包含酰胺 三氮杂苯树脂。
7. —种发光二极管的封装结构，其特征在于，包含 一基板，该基板的材质为绝缘物质；一贯穿孔，位于该基板的一端，贯穿该基板； 一金属层，环绕该贯穿孔的内壁；一导电垫，位于该基板的一表面上，遮覆该贯穿孔的一开口，该导电垫的 材质包含金属，其中一发光二极管芯片放置于该贯穿孔和该导电垫所包围的一 空间中；以及一导电栓塞，位于该基板的另一端，相对于该贯穿孔，且该导电栓塞贯穿 该基板，并电性隔绝于该导电垫；其中，该发光二极管芯片的二电极分别电性连接至该导电栓塞和该导电垫。
8. 根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，该金属层的材质为银。
9. 根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，该导电垫的材质包含铜、 镍和银。
10. 根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，该导电栓塞的材质 包含铜、镍和银。
专利摘要发光二极管的封装结构包含基板、凹槽、导电垫和导电栓塞。凹槽位于基板的一端，用以容纳发光二极管芯片。导电垫位于基板的表面上，电性连接凹槽的底部。基板的另一端为导电栓塞，导电栓塞贯穿基板，且电性隔绝于凹槽和导电垫。其中，当发光二极管芯片放置于凹槽中时，发光二极管芯片的二电极分别电性连接至导电栓塞和凹槽的底部。
文档编号H01L23/488GK201146196SQ200720309429
公开日2008年11月5日 申请日期2007年12月21日 优先权日2007年12月21日
发明者邹文杰 申请人:亿光电子工业股份有限公司