专利名称：用于减少由基片处理弯液面留下的进入和/或离开的痕迹的载具的制作方法
用于减少由基片处理弯液面留下的i4^和/或离开的
痕迹的载具
背景4支术在半导体芯片制造工业中，在制造工序进行后必须清洁
制造工序的示例包括等离子蚀刻(例如，钨回蚀(WEB))和化学 机械抛光(CMP)。在CMP中，基片设在夹具中，其将基片表面抵 着抛光表面。该抛光表面使用由化学制剂和研磨材料组成的浆液。 不幸的是，CMP工艺往往会在基片表面留下浆液颗粒的聚集物和残 余物。如果留在基片上，这些不该有的残余材#+和颗粒会产生缺陷。 在有些情况下，某些缺陷会使得基片上的器件不能工作。在制造工 序之后清洁基片去除不该有的残余物和纟鼓粒。在基片湿法清洁之后，基片必须有效地干燥以防止水或 者清洁流体(下文中称为"流体")残留部分在基片上留下残余物。 如果允许基片表面上清洁流体蒸发，如通常在液滴形成所发生的， 那么之前溶解在该流体中的残余物或污染物会在蒸发后留在基片 表面上并形成斑点。为了防止蒸发发生，必须尽可能快地去除清洁 流体而不会在基片表面上形成液滴。在一种实现上述目的的尝试 中，采用多个不同的干燥技术之一，如离心干燥(spin-drying )、 IPA 或马兰格尼(Marangoni)干燥。所有这些干燥技术都采用某种形式 的在基片表面上的移动液体/气体分界面，如果正确的保持这个分界 面，就可以干燥基片表面而不会形成斑点。不幸的是，如果该移动液体/气体分界面崩溃，正如所有前面提到的干燥方法经常发生的那 样，就会形成液滴并且发生蒸发，导致污染物留在基片表面。鉴于前面所述，需要改进的清洁系统和方法，其4是供有 效清洁的同时降低留下干燥的流体液滴痕迹的可能性。
发明内容
大体上说，本发明通过提供多种用于减小由基片处理弯 液面留下的干燥流体液滴导致的进入和/或离开痕迹的技术满足这
些需求。应当认识到，本发明可以许多方式实现，包括工艺、设 备、系统、装置或方法。下面描述本发明多个创新性实施例。在一个实施例中，4是供一种用于在由上部和下部临近头 形成的弯液面处理期间支撑基片的载具。该载具包括框架，其具有 尺寸设为容纳基片的开口 ，以及多个在该开口内支撑该基片的支撑 销。该开口稍大于该基片从而在该基片和该开口之间存在间隙。提 供减少进入和/或离开痕迹的大小和频次的构造(means ),该构造帮 助和促进来自该弯液面的液体4非出该间隙。在另 一实施例中，提供一种使用由上部和下部临近头形 成的弯液面处理基片的方法。将基片设在载具上，其具有尺寸设为 容纳基片的开口和多个在该开口内支撑该基片的支撑销。该开口稍 大于该基片乂人而在该基片和该开口之间存在间隙。通过促进来自该 弯液面的液体排出该间隙而减少进入和/或离开痕迹至少之一 的大 小和频次。由于本受让人介绍了移动由在清洁、处理和干燥半导体晶片中4吏用的临近头产生的弯液面的用途，就可能以非常^f氐的在该 基片表面上形成液滴的风险润湿和干燥基片。这个才支术对防止任何 液滴在去除该弯液面后留在该晶片的有效器件区域是非常成功的。
出区域上、在进入和/或离开位置留下小液滴。该排出区域是该基片 的边缘，其从该有效器件区域延伸至该基片的周界，在那里没有升
i夕
成孩t电子结构。有时，进入和离开痕迹会变成主要的表面痕迹，尤 其是在亲水性的晶片上。所以，优选是减少或消除这种进入和/或离 开痕迹的情况。本发明的优点将在下面结合附图、作为本发明示例说明
的具体描述中变得更加明显。
通过下面结合附图的详细描述将容易理解本发明，以及
类似的参考标记标示类似的结构元件。图1是临近头设备的示范性实现的立体视图。
图2示出上部临近头的示意性表示。图3A、 3B、 3C和3D说明离开由上部和下部临近头产生
的弯液面的基片。图4示出载具和基片之间间隙的立体视图。
图5示出正在完成向载具的寿争移的弯液面的4黄断面图。
图6A 、 6B和6C示出载具的示范性实施例的立体/剖面— 见 图，具有减少进入和/或离开痕迹的大小和频次的构造，该构造包括 在邻近基片前缘和后缘的唇缘部的厚度减小。图7A、 7B、 7C和7D示出载具的可选实施例，具有减少 进入和/或离开痕迹的大小和频次的构造，其包括在基片的前缘和后 缘附近的挖去部分。图8A、 8B、 8C和8D示出载具的可选实施例，该载具具 有减少进入和/或离开痕迹的大小和频次的构造，其包括在基片后缘 附近的亲水表面。图9A和9B示出具有减少进入和/或离开痕迹的大小和频 次的构造的载具，这些构造包括至少一个邻近该基片的前缘和后缘 之一或两者的真空端口 。图10示出 一 示范性构造的立体一见图，该构造恰好在该弯 液面完全转移离开基片到载具上时向真空端口施加吸力。图11 A和11B示出减少进入和/或离开痕迹的大小和频次 的构造的第一可选实施例，该构造包括多孔边缘。
具体实施例方式在下面的描述中，阐述许多具体细节以4是供对本发明的 书刀底理解。然而，对于本4贞i或才支术人员，显然，本发明可不利用这 些具体细节的一些或者全部而实施。在有的情况下，/>知的工艺步 骤和/或结构没有说明，以避免不必要的混淆本发明。这里所使用的 术语"弯液面"指的是在某种程度上由液体的表面张力划界并封闭 的 一定容积的液体。该弯液面还是可以控制的并且可以该封闭的形
9状在表面移动。在具体的实施例中，该弯液面通过将流体传送到表 面同时还移动该流体而保持，乂人而该弯液面保持可控制。此夕卜，该 弯液面形状可通过^青确的流体传送及去除系统来控制，该系统可在 某种程度上与控制器、计算系统通过接口连接，它们可以形成网络连接。图1是临近头设备100—个示范性实现的立体视图。在这 个例子中，基片160位于载具150内，其包括具有中间开口的框架， 该开口的尺寸设为容纳基片160。载具150在箭头166的方向通过上 部临近头110和下部临近头120之间。上部和下部临近头IIO、 120在 它们之间形成流体的弯液面。载具150连接到一些设备(未示)用 以-使得载具150在箭头152的方向在上部和下部临近头110、 120之间 移动。在一个实施例中，在临近头IIO、 120—侧的第一位置将基片 160放置在载具150上，以及当载具150到达临近头110、 120相对侧 的第二位置时移走该基片。载具150然后向回穿过临近头110、 120， 或A人临近头llO、 120上方、下方或旁边回到该第一4立置，在那里》文 置下一个基片，并且重复该过程。载具150包括多个支撑销152 (在图7A示出)，每个具有 基片支撑和定心结构(未示)，以确保在基片160和载具150之间具 有一致的载具-基片间隙158。在一个实施例中，载具150在前侧 (leading side) 154和后侧(trailing side) 156具有斜边以防止在载 具150进入和离开该弯液面时弯液面液体的体积突然改变。例如， 载具150有六个边，其中两个前缘(leading edge) 157,每个与横向 倾4+角度0,例如15° ，并且共同形成中间点(centrally-located point), 以及对应的后缘(trailing edge ) 159每个形成角度0且共同形成中间 点。其他不会导致弯液面液体快速位移的形状也是可以的，如梯形 或平4亍四边形，其中前纟彖和后纟彖与该载具运动方向所成角度为非直 角，或与该弯液面的前^彖和后乡彖成一角度(即，不与之平4亍)。
应当注意，尽管在图l所示的示例中，该基片在箭头166 方向移动通过临近头IIO、 120，但是也可以是该基片保持静止而该 临近头IIO、 120在该基片上面和下面通过，只要该基片相对该临近 头移动。此外，该基片当其在该临近头之间通过时的方位是任意的。 也就是，不要求该基片水平定向，而是可以垂直或者以任意角度定 向。在某些实施例中，控制器130 (其可以是通用或专用计算 机系统，其功能由逻辑电路、软件或者两者确定)控制向着上部和 下部临近头110 、 120的载具150移动以及流体流动。图2示出上部临近头110的示意性表示，其是下部临近头 120(图1)的镜像。每个临近头包括多个中心喷嘴，通过其提供形 成弯液面200的'液体。该液体可以是去离子7jc、清洁;容液或是为了 处理、清洁或冲洗基片160设计的其他液体。多个真空端口114在弯 液面200的周边应用真空。真空端口 114乂人弯液面200和周围的流体 (如由喷嘴112提供的空气或其他气体)吸出液体。在某些实施例 中，喷嘴112围绕真空端口114并且提供异丙醇蒸汽、氮气、其混合 物或其他气体，或者两相气/液流体。这些喷嘴112和从其提供的流 体帮助在弯液面200表面保持连贯的液/气分界面。图3A至3D说明离开由上部和下部临近头IIO、 120产生的 弯液面200的基片160。在这些图中，基片160和载具150相对于上部 和下部临近头IIO、 120向左边移动。在图3A所示的位置，基片160 完全贯穿弯液面200,从而基片160的前缘162和后缘164位于弯液面 200相对的侧面，以及液面200的前纟彖232正在4妄近基片160的后纟彖 164。应当注意，通常，基片160是圓形的，以及尽管载具150示为 在弯液面200外面，但是载具150—部分可与弯液面200接触，虽然 在这个图中看不出来。
ii
在图3B中，弯液面200正从基片160转移到载具150。在这 个位置，后缘164在弯液面200里面。在一个实施例中，载具150的 横断面可以比基片160稍厚。例如，基片160可以是大约0.80mm厚， 然而该载具可以是大约1.5mm厚。因此，随着弯液面200转移到载具 150上， 一定量的弯液面液体^皮载具150取"代。在图3C中，弯液面200完全转移离开基片160到载具150 上。此时，弯液面200的后^彖234仍与基片160的后缘164^妄触。在这
个位置适时地作用在弯液面200上的力在下面参照图5描述。在图3D,该弯液面完全4争移离开基片160,在基片160的 后缘164处、基片160的排除区域上留下弯液面液体的小液滴202。 如果允"i午千燥，液滴202会留下由〉容解或夹杂成分形成的斑点，在 这里将该斑点称为离开痕迹。如果该基片表面是亲水性的，液滴202 会移往该基片的有效器件区域，这会在其上形成的器件中产生缺 陷。相信许多因素对在基片160的后缘164处液滴202的出现以及大 小起作用。应当注意，在前缘162处的进入痕迹在前缘162离开弯液 面200时会以类似的方式形成。图4示出载具150和基片160之间的载具-基片间隙158的 立体视图。弯液面周界204示出该弯液面与载具150和基片160的接 触区i或。该弯液面在箭头208指示的方向^于进。随着该弯液面津争移 离开基片160，载具-基片间隙158中的弯液面流体被该弯液面的边缘 沿箭头206的方向扫过。当弯液面周界204的后缘2IO到达基片160的 后缘164时，将流体朝向载具-基片间隙158中邻近该基片的后缘164 的点212引导。应当i人识到随着弯液面转移到载具150上，弯液面液 体不断地流出载具-基片间隙158。所以，不能期望液体完完全全沿 着箭头206,然而这个流的矢量分量位于箭头206上，z使得流体在点 212聚集。
图5示出弯液面200当其完全转移到载具150时在点212的 剖视图。在这个点，弯液面200仍附着于基片160的后缘164。载具 150可以稍厚于基片160，阻止该液体流沿箭头214离开基片160。真 空端口114吸走流体，包括弯液面液体和周围的气体，在弯液面液 体上施加箭头216指示的力。流体离开喷嘴112 (图2)施加额外的 力，其向内作用于弯液面200气/液分界面，如箭头218所示。重力220 也施加在弯液面200上。以及，如果基片160是亲水性的，那么对弯 液面液体的吸引会使得氢键合力将水回拉到基片160上，如箭头222 所表示的。图6A、 6B和6C示出载具示范性实施例的立体/剖面一见图， 其具有通过增强该弯液面完全转移离开该基片时来自该载具-基片 间隙的弯液面液体;危来减少进入和/或离开痕迹的大小详口频次的构 造。在图6A中，载具250具有减少进入和/或离开痕迹的大小和频次 的构造，其包括在邻近基片160的前缘和后》彖的唇》彖部(lip portion ) 252的减小的厚度。具体地，该载具250的下表面逐渐变薄为靠近基 片160的点161的薄唇缘部252,这个点可以是前缘162或后缘164(图 7A)。在这些位置的变薄的载具可以通过降〗氐该弯液面转移离开基 片160时由载具250导致的阻碍而减少进入痕迹及离开痕迹两者的 大小和频次。这允i午流体更容易流过载具250边》彖以及流出在载具 250和基片160之间形成的间隙，如箭头254所指示。这可与图5对比， 在图5中载具150会限制来自该间隙的弯液面液体流。在图6B,载具260具有减少进入和/或离开痕迹的大小和 频次的构造，其包括靠近点161的斜面部262，其中上部和下部表面 倾斜以形成位于载具260的上部和下部表面之间的刀》彖(knife edge ) 264。该刀缘264^是供变薄的载具部分，其可以在该基片160前*彖和 后缘每一个附近形成。在图6C中，栽具270具有减少进入和/或离开 痕迹的大小和频次的构造，其包括「《,形部分272，其中4又一个载具270的表面倾斜以在基片160的点161附近形成凿锋(chisel edge) 274。在一个实施例中，该下部载具表面276向上倾斜；在另一实施 例中，该上部载具表面278向下倾杀牛。应当注意这里介绍的实施例仅是示范性的，可以设想各 种各样的变化。例如，载具150 (图l )的整个内界可通过提供唇缘、 斜面、锥形等而变薄，而不只是在靠近点161的区i或。该变薄的载 具部分可增强除点161之外的区域中来自该载具-基片间隙的弯液面
液体流。图7A示出具有减少进入和/或离开痕迹的大小和频次的 构造的载具280的俯视图，其包括靠近基片160的前缘162和后缘164 的挖去部分282。挖去部分282去除由该基片载具导致的任何阻碍， 其可能会妨碍弯液面流体最初进入以及最终离开该载具-基片间隙。 挖去部分282可以模制或机加工在载具280中。图7A中，该挖去部分 282为凹口形状。图7B示出图7A的一部分281， ^旦是采用载具280的 可选实施例，其中挖去部分284是V形。图9C,图7A的部分281具有 载具280的另一可选实施例，其中该挖去部分包括邻近该基片160的 前缘和后缘(示出后缘)的多个狭缝或凹槽286。狭缝或凹槽可以 形成或涂覆亲水性的材料，其将利用毛细作用将流体吸出该间隙， 如下面参照图8A-8D描述的。图7D,提供袋形的挖去部分286。应 当注意，图7A-7D中呈现的实施例仅是示范性的。此外，挖去部分 可以提供在该前纟彖或该后缘之一或两者上。此夕卜，在前缘可以提供 一个尺寸或形状的挖去部分，而在该后缘提供不同尺寸或形状的挖 去部分。通常，希望该载具对该处理流体是疏水性的，因为这帮 助在处理期间该弯液面总体上的保持。另外，公知的是当亲水性区 域与疏水性区域通过液体膜接触时，流体会由于表面张力作用而优 先i皮吸进该亲水性的区i或。如果该载具是疏水性的，那么该基片-比'
该间隙去除。此外，如果该基片是亲水性的而该载具是疏水性的， 那么表面张力作用将促进流体迁移出该间隙并且到达该基片上，因 此加重进入和离开痕迹的形成。在某些实施例中，设计该载具边缘 的疏水性/亲水性特性以便使用表面张力作用来协助该弯液面液体 排出该栽具-基片间隙并且流到该载具，由此减少离开痕迹。图8A示出具有减少进入和/或离开痕迹的大小和频次的 构造的载具300,该构造包括亲水性的表面。亲水性的表面由容易 与液体(如水)形成氢4建的材料形成的，所以比疏水性的表面更可 湿。例如，亲水性的表面可定义为4妄触角小于40。，而疏水性的表面 可定义为接触角大于60。。如通常所知，接触角可以通过在平的水平 表面上设置小水滴并且测量该液/气分界面在其接触该表面的点处 的切线与水平线所形成的角度来测量。测量疏水性和亲水性的其他 方法是已知的，以及可使用其他临界值来确定具体的材3牛是疏水性
的或亲7JM生的。载具300包括减少进入和Z或离开痕迹的大小和频次的构 造，该构造包括总体上是亲水性的表面，其在图8A-8D中由水平的 散列标记指出。在一个实施例中，该载具300的上部和下部表面通 过选^t奪用于载具300的本身亲水性的材料而总体上亲水。这种材剩-的示例包4舌Si02、 Al;j03和SiC。当然，其<也亲水性的材泮+是已知的 并且可以同样使用，如处理过的聚四氟乙烯(PTFE)等材料。在另 一实施例中，载具300通过将亲水性的涂层施加到疏水性的基片上 而总体上亲水。这种涂层可乂人聚合物和其他材坤+形成，并且通常容 易通过商业途径获得。亲水性的载具300可以降j氐,人该基片-栽具间 隙流出的流体回到该晶片上的任何趋势。在载具300比基片160更亲 水的情况下，该弯液面液体随着其转移离开基片160将^皮吸到载具 300上。
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图8B中，载具310包括减少进入和/或离开痕迹的大小和 频次的构造，其包括邻近基片160的前缘162的疏水性的区域312和 邻近基片160的后缘164的亲水性的区域314。在一个实施例中，基 片160由疏水性的材料形成，^f旦是通过应用石圭树脂涂层或另 一疏水 性的材料涂层(如聚醚醚酮(PEEK)、聚偏二氟乙烯(PVDF)或 聚四氟乙烯(PTFE))而使疏水性的区域312更加疏水。图8C中，载具320包括减少进入和/或离开痕迹的大小和 频次的构造，该构造包括除邻近基片160的后纟彖164的亲水性区域 322之外总体疏水性的载具。亲水性的区域322可以通过使用已知材 料施加亲水性的涂层形成。在一个实施例中，载具320由疏水性的 材料形成。在另一实施例中，载具320由疏水性的材料(如塑料) 形成并涂覆甚至更疏水的材料，如硅树脂或含硅树脂聚合物。亲水 性的区域322可以通过应用亲水性的材料形成。与上面参照图8B描 述的载具310—样，亲水性的区域322利用表面张力作用将弯液面液 体抽离基片160并达到载具320上。类似地，图8D中，减少进入和/ 或离开痕迹的大小和频次的构造包括V形亲水性的区域332,使得弯 液面液体抽离基片160并到达载具330。应当认识到可设想疏水性的和亲水性的区域形状的变化 以减少进入和/或离开痕迹的大小和频次。此外，亲水性的和疏水性 的区域可以单独4吏用，或结合参照图7A至7D描述的凹口 、参照图 6A至6C描述的变薄的或锥形轮廓使用。图9A和9B示出具有减少进入和/或离开痕迹的大小和频 次的构造的载具350,该构造包括至少一个邻近基片160前缘162(未 示)或后^彖164设置的真空端口352。尽管只有后》彖164在这些图中 示出，但是类似的布置可以提供在载具靠近基片160的前缘162的位 置。每个真空端口352通过内部通道354与远端的真空端口356流体
16连通。内部通道354可以通过任4可合适的构造形成。例如，基片160 可以4吏用底层形成，该底层带有才莫制或刻在其上的通道354,该底 层然后使用摩擦焊接、粘结或其他方式层压到该顶层。远端端口356 可以才莫制或成形在该顶层中。在一个实施例中，远端端口356连接到柔性管(未示)， 其转而连4妄到真空源(未示)。当载具350在该上部和下部临近头之 间通过时，就在该弯液面完全转移离开基片160时激活该真空源或 打开阀门。在另一实施例中，远端端口356布置为当该弯液面專争移 离开基片160时与真空对准。因此，可以通过真空端口352抽出该基 片-载具间隙中的流体并因此防止粘附到基片160上。在另一实施例中，例如，压缩的干燥空气(CDA)或其 他气体如氮气、氦气、氩气等，提供到内部通道354,文丘里(venture ) (未示)产生^是供至端口352的真空。该组合的压缩气体和p及出的 流体然后可通到或引导至合适的容器或进4于弯液面处理的室的无
害区域。图10示出 一示范性构造的立体视图，其恰好在该弯液面 完全转移离开基片160到载具350上时向真空端口352施加吸力。在 这个示范性实施例中，在上部和下部临近头IIO、 120与基片160的 后缘164对准以及该弯液面完全转移离开基片160到载具350上时， 远端端口356与真空源360对准。此时，真空源360将与真空端口352 (图9A)流体连通，并且将弯液面液体从该载具-基片间隙抽出。图11 A示出减少进入和/或离开痕迹的大小和频次的构造 的第 一可选实施例，该构造包括多孑L边》彖357。多孔边纟彖357可以由 烧结金属或具有开口孔结构的陶瓷或聚四氟乙烯(PTFE )基材料形 成。可提供通道358以沿多孔边缘357的长度平均分布压降。多孔边纟彖357示为具有杀牛面的刀纟彖形状，然而可纟是供其他形状，如具有半 圓形截面、方形截面或不对称截面。图11B,减少进入和/或离开痕迹的大小和频次的构造的 第二可选实施例包括具有真空端口352的锥形边缘359。其他边纟彖形 状也是可以的，如参照图6A-6C描述的那些。应当注意，该上部和下部临近头以及该载具之一或两者 可通过计算机系统控制，从而该载具相对该临近头的行进速率可以 不变或根据该载具相对该临近头的位置变化。例如，在一些实施例 中，该载具的4亍进速率可以随着该弯液面转移到以及离开该基片而 降低，由此为弯液面液体流出该载具-基片间隙提供额外的时间。另 外，来自该载具中真空端口352的真空也可计算^L控制，或者定时 启动/停止吸出，或者根据该载具相对于该临近头的相对位置改变流 率。该计算机控制可使用硬件逻辑，或者结合通用计算机处理器， 使用编写的计算机程序来实现，以控制移动和/或吸力的施加。在某 些实施例中，计算4几程序还可控制施加到弯液面的流体的体积和/ 或组份。因此，该计算机程序可为多个给定的应用定义特别定制的 ;^l/^酉己》。考虑到上述实施例，应到理解本发明可以采用各种利用 到存储在电脑系统中的数据的由电脑完成的操作。这些操作是指那 些需要对物理量进行物理处理的操作。尽管不是一定要这样，但通 常来"i兌，这些物理量采用电子信号或》兹信号的形式，可以一皮存4诸， 传输，联合，比较和操作。而且，进行的操作一般指生产、识别、 决定或比较等。这里描述的组成发明的部分的任何操作通常都是有用 的机器操作。本发明还涉及执行这些操作的器件或装置。该装置可 以是根据所需的目的特别建造的，也可以是由存储在电脑中的电脑
18程序选4奪性地激活或配置过的通用目的的电脑。特别地，各种通用 机器可以结合与本教导相对应的电脑程序加以使用，也可以更方便 地建造更专门的装置来执行所需的操作。本发明还可以实现为计算机可读介质上的计算机可读代 码。该计算机可读介质是可以存储#:据的任何数据存4诸装置，这些 数据之后可由计算机系统读取。该计算机可读介质还包括电f兹载 波，其中嵌入计算机代码。该计算机可读介质的实例包括硬盘驱动 器、网络连接存储器(NAS )、只读存储器、随机访问存储器、 CD-ROM、 CD-R、 CD-RW、磁带以及其他光学和非光学数据存储 装置。该计算机可读介质还可在网络连接的计算机系统上分发，从本发明的实施方式可以在单一电脑上处J里，或4吏用多台 互耳关的电脑或电脑元件处理。这里所i兌的电脑应当包4舌有自己的处 理器，自己的记忆体，自己的存^诸器的独立电脑系统，也可以是^是 供电脑资源至网络终端的分布式电脑系统。在一些分布式电脑系统 中， 一个电脑系统的用户实际上可以访问那些多个用户间共享的元 件部分。因此用户可以通过网络访问虚拟电脑，该虚拟电脑对用户 来说像是对单一用户定制和专属的一个电脑。尽管为了清楚理解的目的对前述发明进4亍相当详细地描 述，4旦是显然，在所附冲又利要求的范围内可以进行某些改变和^f奮改。 故而，当前的实施例应当认为是说明性的而不是限制性的，并且本 发明不限于这里给出的细节，而是可以在所附权利要求的范围和等 同方式内+爹改。
权利要求
1. 一种载具，用于在使该载具通过由上部和下部临近头形成的弯液面而处理基片时支撑基片，该载具包括框架，其具有尺寸设为容纳基片的开口和多个用于在该开口内支撑该基片的支撑销，该开口稍大于该基片从而在该基片和该开口之间存在间隙；以及用于减少进入或离开至少之一的痕迹的大小和频次的构造，该构造帮助和促进来自该弯液面的液体排出该间隙。
2. 根据权利要求1所述的载具，其中该载具的形状设为当通过该弯-液面时该载具的前纟彖和后纟彖至少 一个与该弯'液面的前缘和后缘不平^亍。
3. 根据权利要求1所述的载具，其中用于减少进入或离开至少之一的痕迹的大小和频次的构造使得来自该弯液面的液体在该基片的前缘离开该弯液面后缘时离开该间隙，由此减少进入痕迹的大小禾p频;欠。
4. 才艮据权利要求1所述的载具，其中用于减少进入或离开至少之一的痕迹的大小和频次的构造使得来自该弯液面的液体在该基片的后*彖离开该弯液面的后*彖时离开该间隙，由此减少离开痕迹的大小禾口频次。
5. 根据权利要求1所述的载具，其中用于减少进入或离开至少之一的痕迹的大小和频次的构造包括最接近该基片前缘或后缘至少一个的变薄的载具部分。
6. 根据权利要求5所述的载具，其中该变薄的载具部分是连续的且围绕形成该载具中开口的内界延伸。
7. 根据权利要求5所述的载具，其中该变薄的部分凭借该载具的上和下杀牛面逐)新变细成刀纟泉。
8. 根据权利要求5所述的载具，其中该变薄的部分凭借该载具的上或下斜面之一逐渐变细成凿4奪。
9. 根据权利要求1所述的载具，其中用于减少进入或离开至少之一的痕迹的大小和频次的构造包括最接近该基片前缘或后缘至少一个的4t去部分。
10. 根据权利要求9所述的载具，其中该挖去部分是凹口形状。
11. 根据权利要求9所述的载具，其中该挖去部分是V形。
12. 根据权利要求9所述的载具，其中该挖去部分包括多个狭缝或凹槽。
13. 根据权利要求9所述的载具，其中该挖去部分是袋形。
14. 根据权利要求1所述的载具，其中用于减少进入或离开至少之一的痕迹的大小和频次的构造包4舌最4妾近该基片后舌彖的亲水性的表面。
15. 根据权利要求14所述的载具，其中该亲水性的表面是由为该载具选择的亲水性的材料形成。
16. 根据权利要求14所述的载具，其中该亲水性的表面通过利用亲水性的材料涂覆该载具形成。
17. 根据权利要求14所述的载具，其中该载具整个上部和下部表面是亲水性的。
18. 根据权利要求14所述的载具，其中除了最接近该基片后缘的亲水性的表面外，该载具是疏水性的。
19. 根据权利要求14所述的载具，其中该载具在最接近该基片前纟彖处是疏7jC性的。
20. 根据权利要求14所述的载具，其中该载具具有亲水性表面的区i或是V形。
21. 根据权利要求1所述的载具，其中用于减少进入或离开至少之一的痕迹的大小和频次的构造包括至少一个最接近该基片前缘和后纟彖至少 一 个的真空端口 ，该真空端口与真空源流体连通用以/人it间隙p及走液体。
22. 根据权利要求21所述的载具，其中该载具具有远端真空端口 ，其设置并配置为与柔性管连接用以连4妄到该真空源。
23. 根据权利要求21所述的载具，其中该载具具有远端真空端口 ，其i殳置并配置为当该弯液面是完全转移离开该基片时与固定真空端口，于准，该固定真空端口与该真空源流体连通，该固定真空端口相对于该上部和下部临近头^争止。
24. 根据权利要求21所述的载具，其中该至少一个真空端口设在多孔材料后面，该多孔材料具有开口孔结构，其用以将该弯液面液体传送通过该多孔材料并进入该至少一个真空端口 。
25. —种是用由上部和下部临近头形成的弯液面处理基片的方法，该方法包者括将基片设在载具上，该载具具有尺寸设为容纳基片的开口和多个在该开口内支撑该基片的支撑销。该开口稍大于该基片，从而设置该基片后，在该基片和该开口之间存在间隙；以及通过促进来自该弯液面的液体排出该间隙而减少进入和/或离开痕迹的至少一个的大小和频次。
26. 根据权利要求25所述的方法，其中该减少包括4吏得来自该弯液面的液体在该基片前缘离开该弯液面后缘时离开该间隙，由此减少进入痕迹的大小和频次。
27. 根据权利要求25所述的方法，其中该减少包括使得来自该弯液面的液体在该基片后^彖离开该弯液面后乡彖时离开该间隙，由此减少离开痕迹的大小和频次。
28. 根据权利要求25所述的方法，其中该减少包括形成最接近该基片前缘或后缘至少 一个的变薄的载具部分。
29. 根据权利要求25所述的方法，其中该减少包括形成最接近该基片前缘或后缘至少一个的挖去部分。
30. 根据权利要求25所述的方法，其中该减少包括提供最接近该基片后缘的亲水性的表面。
31. 根据权利要求25所述的方法，其中该减少包括向至少一个形成在最接近该基片前缘和后缘至少一个的载具内的真空端口施力口吸力。
32. 根据权利要求31所述的方法，其中在该弯液面完全转移离开该基片时施力o该吸力。
全文摘要
描述一种载具，用于在由上部和下部临近头形成的弯液面处理期间支撑基片。该载具包括具有尺寸设为容纳基片的开口的框架，和多个用于在该开口内支撑该基片的支撑销。该开口稍大于该基片从而在该基片和该开口之间存在间隙。提供减少进入和/或离开痕迹的大小和频次的构造，该构造帮助和促进来自该弯液面的液体排出该间隙。还提供减少进入和/或离开痕迹的大小和频次的方法。
文档编号H01L21/304GK101523563SQ200780036306
公开日2009年9月2日 申请日期2007年9月27日 优先权日2006年9月29日
发明者亚历山大·A·艾斯科尔, 埃里克·伦兹, 罗伯特·奥唐奈, 迈克·拉维肯, 马克·威尔考克森 申请人:朗姆研究公司