专利名称：：衬底处理方法和衬底处理系统的制作方法
技术领域：
：本发明涉及衬底处理方法和衬底处理系统，其对诸如半导体晶片和LCD玻璃衬底之类的衬底执行光刻处理。
背景技术：
：在半导体器件的制造过程中，光学光刻处理通常用于在诸如半导体晶片和LCD玻璃村底之类的衬底上形成ITO(氧化铟锡)薄膜或电极图案。该光学光刻处理用光致抗蚀剂(在下文中简称为"抗蚀剂，，)涂覆衬底以形成抗蚀膜，曝光抗蚀膜以使将预定的电路图案转印到其上，并显影该抗蚀膜从而使得在该抗蚀膜中形成想要的图案。通常由涂覆及显影系统来执行上述步骤，该涂覆及显影系统包括各种类型的处理单元，诸如用抗蚀剂液体涂覆衬底的抗蚀剂涂覆单元；对已经经受抗蚀剂涂覆步骤的衬底以及已经经受曝光步骤的衬底执行加热处理的烘焙单元，以及通过在已曝光衬底上提供显影剂来显影已曝光衬底的显影单元，其中每种类型的处理单元的数目是多个。近年来，存在对器件图案进一步小型化的增长的需求。作为实现小型化的解决方法之一，所谓的执行两次或更多次光刻处理的多图案化(multi-patterning):技术已经#1研究。除了多个光刻处理之外，多图案化技术还需要对抗蚀剂的微细加工(microfabrication)进行蚀刻处理。在传统的已知系统中，衬底被传送给多个用于光刻处理的处理设备和刻蚀设备以使衬底经受光刻处理和刻蚀处理。某些这样的系统被配置为反复执行光刻处理(例如，参见JP7-66265A的权利要求和附图1)。在JP7-66265A所7>开的系统中，因为可以反复^L行光刻处理，所以可以在衬底上形成多个图案。然而，在该系统中，因为每个处理单元的处理进度表是在最优先考虑生产量的情况下确定的，所以用于第一次光刻处理的处理单元和用于第二次光刻处理的处理单元之间的关系没有得到管理。因此，可能存在下述问题，其中，由于处理单元之间的个体差异，所以可能会在由第一次光刻处理形成的图案和由第二次光刻处理形成的图案之间出现未对准或图案尺寸差异，从而导致最终获得的图案不够准确。
发明内容考虑到上述情况而做出了本发明，因此，本发明的目的就是提供可以提高小型化器件的图案化尺寸准确度的衬底处理方法和衬底处理系统。为了达到上述目的，本发明提供了衬底处理方法，其包含光刻处理和刻蚀处理，每个处理对一个衬底执4亍至少两次，其中光刻处理包^"用于在衬底上形成具有预定图案的掩模的多个步骤，其中刻蚀处理通过使用由光刻处理形成的掩才莫来刻蚀衬底，并且其中通过使用具有多个处理单元组的衬底处理系统来执行所述衬底处理方法，所述多个处理单元组分别被分配给所述多个处理步骤，并且每个处理单元组包括多个同一类型的处理单元，所述方法进一步包括下述步骤判断从现在开始将对衬底执行的光刻处理是对村底的第一次光刻处理，还是对衬底的第二次或更多次的光刻处理；如果所述判断步骤判断出从现在开始将要对衬底执行的光刻处理是第二次或更多次的对衬底的光刻处理的话，则通过按下述方式从每个处理单元组中选择一个处理单元来决定在从现在开始将要执行的光刻处理中将使用的处理单元，所述方式为在从现在开始将要对衬底执行的光刻处理中将使用的至少一个处理单元与在最近对衬底执行的光刻处理中使用的处理单元相同。此外，本发明提供了一种衬底处理系统，其包括衬底装载和卸栽部件，在该部件处，衬底#1装载到所述衬底处理系统中并从所述衬底处理系统中卸载；涂覆及显影部件，其包含由多个抗蚀剂涂覆单元组成的处理单元组，每个抗蚀剂涂覆单元具有基本相同的结构；由多个后曝光烘焙单元组成的处理单元组，每个后曝光烘焙单元具有基本相同的结构；以及由多个显影单元组成的处理单元组，每个显影单元具有基本相同的结构，该处理单元组因此被配置为能够执行除了曝光步骤之外的光刻处理的多个步骤；接口部件，其被提供以在曝光设备和涂覆及显影部件之间传送衬底；衬底传送装置，其被提供以在衬底装栽和卸载部件、涂覆及显影部件以及接口部件之间传送衬底，并将衬底传送到涂覆及显影部件中；控制部件，其被配置以至少控制多个处理单元和衬底传送装置；其中所述控制部件包括用于判断从现在开始将对衬底执行的光刻处理是对衬底的第一次光刻处理还是对衬底的笫二次或更多次的光刻处理的装置，以及如果所述判断装置判断出从现在开始将要对衬底执行的光刻处理是第二次或更多次的对衬底的光刻处理的话，则用于通过按下述方式从每个处理单元组中选择一个处理单元来决定在从现在开始将要执行的光刻处理中将使用的处理单元的装置，所述方式为在从现在开始将要对衬底执行的光刻处理中将使用的至少一个处理单元与在最近对衬底执行的光刻处理中使用的处理单元相同。优选地，第二次或更多次光刻处理使用按下述方式选出的处理单元，所述方式为抗蚀剂涂覆单元、后曝光烘焙单元和显影单元中的至少一个与在最近的光刻处理中所使用的单元相同。更优选地，所有将要使用的抗蚀剂涂覆单元、后曝光烘焙单元以及显影单元均与在最近的光刻处理中所使用的单元相同。当在衬底处理系统中加入多个刻蚀单元时，在笫二次或更多次刻蚀处理中，优选使用在最近的刻蚀处理中所使用的刻蚀单元。图1是示出了根据本发明的衬底处理系统的第一实施例中的抗蚀剂涂覆及显影系统的第一实施例的示意性平面图2是图1中所示的抗蚀剂涂覆及显影系统的示意性透视图；图3是图1中所示的抗蚀剂涂覆及显影系统的示意性正视图；图4是图1中所示的抗蚀剂涂覆及显影系统的示意性后视图；图5是示出了线宽测量装置的示意性侧视图；图6是示出了莱千報揾太劳印处理的流程L据本发郎和刻蚀处理的流程图8(a)是示出了第一图案形成的放大剖视图；图8(b)是示出了第二图案形成的放大剖-f见图9是根据本发明的衬底处理系统的抗蚀剂涂覆及显影系统的第二实施例的示意性平面图10是示出了衬底处理方法的第二实施例中的光刻处理和刻蚀处理的流程图。具体实施例方式下面将参考附图详细描述本发明的优选实施例。下面描述的是这样的情形，其中将本发明的衬底处理系统应用于半导体晶片的抗蚀剂涂覆及显影系统。图1是本发明的抗蚀剂涂覆及显影系统的第一实施例的示意性平面图。图2是其示意性透视图。图3是其示意性正视图。图4是其示意性后视图。抗蚀剂涂覆及显影系统包括承载块(装载和卸载部件)Sl，在该承载块处，承载器(carrier)20被装载到系统中或者从系统中卸栽，当衬底将被处理时，该承载器封闭地容纳多个例如25个半导体晶片W(在下文中简称为"晶片")；涂覆及显影块(涂覆及显影部件)S2(在下文中简称为"处理块S2"),其由垂直布置的多个例如4个单元块B1到B4组成；接口块(接口部件)S3,以及曝光设备S4。在承栽块Sl和处理块S2之间，抗蚀剂涂覆及显影系统还包括位于处理块S2的侧面上的刻蚀块(刻蚀部件)S5以及位于承载块Sl的侧面上的测量块(测量部件)S6。抗蚀剂涂覆及显影系统具有臂A1,A2,C,D和E(下面将描述)，其作为传送装置(传送系统)在各个块S1到S6之间、在块中的处理单元之间以及在刻蚀块S5的处理单元之间传送晶片W。在承载块S1中提供的是其上能放置多个(例如四个)承载器20的工作台21,位于工作台21的前面的墙体上的挡板(shutters)22("前面"意思是图1中的Y轴的正向，其在下面的描述中也适用)；以及带着晶片W从承载器20穿过所述挡板22的传送臂C。传送臂C能够在水平的X和Y方向以及垂直的Z方向移动，以及环绕垂直轴旋转，从而使得晶片W能被传送给位于测量块S6中的传送台TRS3以及从传送台TRS3传回晶片W。读取附着到承载器20上的标识(未示出)的探测装置23位于承载块S1的挡板22附近。如根据下述描述理解的那样，当标识被确定时，在承载器20中容纳的晶片W的处理历史(详细地，对晶片W执行的光刻处理和刻蚀处理的次数以及用于这些处理的处理单元)就能被确定了。探测装置23电连接到控制部件60,并且由探测装置23产生的探测信号被发送给控制部件60。因而能够判断出从现在开始将对晶片W执4亍的光刻处理的次数和刻蚀处理的次数。控制部件60可以由计算机构成。计算机具有存储部件。存储在存储部件中的是用于选择或决定要在对晶片W所进行的处理中使用的处理单元、用于选择或决定晶片传送进度表、以及用于控制处理单元和传送装置A1,A2,C,D和E与晶片传送进度表一致的控制程序。当计算机即控制部件60执行所述程序时，控制部件60产生命令以控制传送装置A1,A2,C,D和E的操作以及处理单元。存储在存储部件中的程序是被存储在诸如硬盘、光盘、磁光盘和存储卡之类的存储介质中。由外壳70包围的处理块S2通过测量块S6和刻蚀块S5连接到承载块Sl的前部。在处理块S2中堆积有第一单元块(CHM)Bl,其容纳诸如抗蚀剂液体和显影剂之类的化学液体的容器；第二单元块(也称为"DEV层")B2，其执行显影步骤；第三单元块(也称为"COT层，，)B3,其执行抗蚀剂液体涂覆步骤和清理步骤；以及第四单元块(也称为"COT层")，其执行抗蚀剂液体涂覆步骤和清理步骤；以该顺序往下。笫三单元块(COT层)B3可以由执行用于在抗蚀膜下面形成抗反射膜的步骤的单元块(BCT层)代替。执行用于在抗蚀膜上面形成抗反射膜的步骤的单元块可以进一步堆叠在第四单元块B4上。第一到第四单元块B1到B4配备有安装在处理块S2的右侧以执4亍各种液体处理步骤的多个液体处理单元；安装在处理块S2的左侧以执行作为液体处理的预处理和后处理的各种热处理的多个热处理单元(以及其他类型的处理单元)；以及主臂A1和A2，其是专用于在前述单元之间传送晶片W的衬底传送装置。在各个单元块B1到B4中的单元布局是基本上相同的。即，在各个单元块之间，放置在各个处理单元中的晶片W的中心位置(例如，旋转卡盘(即，用于在液体处理单元中将晶片W固定的装置)的中心位置、热处理单元的加热板和冷却板的中心位置)基本上是相同的。如图1中所示，晶片传送区域R1(主臂Al水平移动的区域)位于DEV层B2的基本中心区中以在DEV层B2的纵向(图1中的Y方向)上延伸，该传送区域R1的相对端分别与刻蚀块S5和接口块S3相联系。与DEV层B2类似，晶片传送区域R2(主臂A2水平移动的区域)(未示出)位于COT层B3和B4的基本中心区中以在COT层B3和B4的纵向(图1中的Y方向)上延伸，该传送区域R2与承载块Sl和接口块S3相联系。在传送区域R1(R2)的右侧("右"意思是图1中的X轴的负方向，其在下面的描述中也适用)，布置有作为用于执行显影步骤的液体处理单元的三个显影单元31a,31b和31c,四个抗蚀剂涂覆单元32a和32b以及两个清理单元(SCRs)(参见图1和3)。为了能够确定每个晶片W的处理历史(尤其是，为了能够确定在对每个晶片W进行的先前的处理步骤中所使用的单元)，将标识分别分配给显影单元3la，31b和31c以及抗蚀剂涂覆单元32a和32b。如图3中所示，标识"DEV1-1"、"DEV1-2"和"DEV1-3"分别被分配给DEV层B2中的显影单元31a,31b和31c。标识"COT2-l"和"COT2-2"分别被分配给COT层B3中的抗蚀剂涂覆单元32a,并且标识"COT3-l"和"COT3-2"分别被分配给COT层B4中的抗蚀剂涂覆单元32b。控制部件60在其存储部件中存储能够确定在对每个晶片W执行的先前的处理步骤中所使用的处理单元的数据(具体地讲，例如这样的数据，在该数据中，承载器的标识和单元的标识彼此相关)。如图1和4中所示，位于传送区域R1(R2)的左侧的是四个单元架U1,U2，U3和U4，每个单元架由垂直堆叠的多个热处理单元组成。如图4中明确地示出的那样，在与DEV层B2对应的位置处，堆叠有三个热处理单元，其用于执行由单元31a到31c执行的显影步骤的预处理步骤和后处理步骤。由传送区域Rl将显影单元31a到31c与单元架Ul到U4隔开。通过向传送区域R1喷射洁净空气以及从那里排出空气，将抑制传送区域R1中的微粒的悬浮。上迷用于执行显影步骤的预处理步骤和后处理步骤的单元包括后曝光烘焙单元(PEB)和后烘焙单元(POST),每个后曝光烘焙单元用于加热已曝光的晶片W，每个后烘焙单元用于加热已显影的晶片W以对晶片W脱水。每个热处理单元(PEB,POST等等)容纳在各个处理容器40中。每个单元架Ul到U4包括三个堆叠的处理容器40,其位于对应于DEV层B2的水平上。晶片装载和卸载端口41形成在每个处理容器40的面对传送区域R1的面上。热处理单元(PEB和POST)电连接到控制部件60,因而能够基于来自于控制部件60的控制信号来控制诸如加热温度和加热时间之类的加热条件。为了能够确定晶片W的处理历史，将标识分配给热处理单元(PEB和POST)。如图4中所示，标识"POSTl-r，、"POST1-2"和"POST1-3"被分配给单元架U1中的热处理单元。标识"POST2-l"、"POST2-2"和"POST2-3"分別被分配给单元架U2中的热处理单元。标识"PEB3-1"、"PEB3-2"和"PEB3-3"分别被分配给单元架U3中的热处理单元。标识"PEB4-1"、"PEB4-2"和"PEB4-3"分别被分配给单元架U4中的热处理单元。控制部件60存储数据，根据该数据，结合那些标识能够确定在对每个晶片W进行的先前的处理中所使用的热处理单元。主臂Al位于传送区域Rl上。主臂Al被配置为能够在水平的X和Y方向以及垂直的Z方向上移动，并能够围绕垂直轴旋转，从而使得晶片W能够在所有的这些位置(单元和台)之间传送，该所有的位置(单元和台)例如是单元架U1到U4中的热处理单元和显影单元31a到31c，在其上晶片W能够放置在DEV层B2中。因为主臂A1和A2具有同样的结构，所以仅描述主臂Al的结构。如图1中所示，主臂A1包括具有两个弯曲的臂件51的臂主体50，每个臂件用于支撑晶片W的后表面的外周区域。这些弯曲的臂件51可以独立地相对于未示出的基本工作台(basetable)向前和向后移动。该基本工作台被配置为能够围绕垂直轴旋转，在Y方向上移动以及在垂直方向上移动。因此，弯曲的臂件51能够在X方向上移动，在Y方向上移动，在垂直方向上移动，并能够围绕垂直轴旋转，以使晶片W能够在单元架U1到U4中的单元、位于承载块Sl的侧面上的单元架U5的传送台TRS1以及液体处理单元(COT、DEV和SCR)之间传送。根据来自于控制部件60的命令，由未示出的控制器控制主臂Al(A2)的驱动。为了避免在主臂Al(A2)中热量的集聚，可以由程序来可选地控制晶片W的传送顺序，上述热量的集聚可能是由加热单元产生的热量引起的。单元块B3和B4具有基本上相同的结构。单元块B3和B4分别包括用于执行抗蚀剂液体涂覆步骤的抗蚀剂涂覆单元32a和32b。在单元架U1到U4中，在对应于COT层B3和B4的水平上，布置有加热单元(CLHP)和疏水单元(ADH)，每个加热单元用于加热已经爿争抗蚀剂液体涂覆在其上的晶片W,每个疏水单元用于增强抗蚀剂液体和晶片W之间的粘附力。抗蚀剂涂覆单元32a和32b和单元架Ul到U4的加热单元(CLHP)以及疏水单元(ADH)被传送区域R2(在该区域中主臂A2水平移动)隔开。在COT层B3和B4中，由主臂A2在单元架U5的传送台TRSK抗蚀剂涂覆单元32a和32b以及单元架Ul到U4的各个单元之间传送晶片W。在HMDS气氛中执行气体(gas)处理的疏水单元(ADH)可以布置在单元块B3或B4的任一个上。为了能够确定晶片W的处理历史，将标识分配给加热单元(CLHP)。如图4中所示，标识"CLHPl-4"、"CLHPl-5"、"CLHPl-6"和"CLHPl-7"分别被分配给单元架Ul中的加热单元。标识"CLHP2-4"、"CLHP2-5"、"CLHP2-6"和"CLHP2-7"分别被分配给单元架U2中的加热单元。标识"CLHP3-4"、"CLHP3-5"、"CLHP3-6"和"CLHP3-7"分别被分配给单元架U3中的烘焙单元。标识"CLPH4-4"和"CLHP4-5"分别被分配给单元架U4中的加热单元。标识"ADH4-6"和"ADH4-7"分别被分配给单元架U4中的疏水单元。控制部件60存储数据，根据该数据，结合那些标识能够确定在对每个晶片W进行的先前的处理中使用的热处理单元。邻接于处理块S2放置的刻蚀块S5配备有与处理块S2的外壳70连接的外壳70a。在外壳70a中，堆叠有多个(本实施例中是四个)刻蚀单元80(干法刻蚀设备)。在外壳70a中，进一步布置有传送臂D和传送台TRS2,该传送臂D用于将晶片W装载到各个刻蚀单元80中以及从各个刻蚀单元80中卸载晶片W。传送臂D能够在水平的X和Y方向上以及垂直方向上移动，并可以;旋转，从而〗吏得可以在处理块S2中的单元架U5的传送台TRS1与刻蚀块S5中的传送台TRS2之间传送晶片W。在本实施例中，刻蚀单元80^皮配置为通过调节刻蚀处理条件来控制刻蚀速率，所述刻蚀处理条件例如是在真空环境中施加的高频波的频率和电压以及处理气压。如图4中所示，标识"ET-r、"ET-2"、"ET-3"和"ET-4"分别被分配给刻蚀单元80。控制部件60存储数据，根据该数据，结合那些标识能够确定在对每个晶片W进行的先前的处理中使用的刻蚀单元。刻蚀块S5的外壳70a具有用于阻断电磁波的护罩。因此，在干法刻蚀处理期间，刻蚀单元80产生的电磁波不可能泄露到外面并在对其造成不良影响。可以采用由导电金属或合成树脂制成的屏蔽板来作为该护罩。在本实施例中，由铝合金制成的屏蔽板81用于构成该外壳70a。位于承栽块Sl和刻蚀块S5之间的测量块S6配备有连接到承栽块Sl和刻蚀块S5的外壳70a的外壳70b。在该外壳？0b中，布置有作为用于测量处理结果的装置的线宽测量装置90,用于将晶片W装载到线宽测量装置卯中并从线宽测量装置90中卸载晶片W的传送臂E，以及传送台TRS3。传送臂E被配置为能够在水平的X和Y方向上以及垂直方向上移动，并可以旋转，从而使得可以在测量块S6中的传送台TRS3、刻蚀块S5中的传送台TRS2以及线宽测量装置90之间传送晶片W。如图5中所示，线宽测量装置90具有工作台91，其上能够水平放置晶片W。工作台91被构造作为X-Y台，因此能够在水平的X和Y方向上移动。位于工作台91上方的是向放置于工作台91上的晶片W倾斜地发射光束的光发射部件92，以及光接收部件93，其接收从光发射部件92发射且从晶片W反射而来的光束。由光接收部件93;^测到的反射光信息被输出给检测部件94。基于该反射光信息，检测部件94能够测量由晶片W上形成的图案反射的反射光的光强分布。线宽测量装置除了检测图案的线宽之外，还能检测晶片W上粘附的杂质和微粒。来自于检测部件94的信息被传送给控制部件60，控制部件60处理用于测量线宽的信息。控制部件60具有计算部件61、存储部件62和分析部件63。计算部件61能够基于诸如抗蚀膜的光学常数、图案形状和图案结构之类的已知信息来计算从具有不同线宽的多个虚(virtual)图案反射而来的反射光束的光强分布。存储部件62能存储已经由计算部件61计算出来的各个虛图案的光强分布，并创建光强分布库。由测量部件94测量的晶片W上的实图案的光强分布被输出给分析部件63.分析部件63将从检测部件94输出的实图案的光强分布与存储在存储部件62的库中的虚图案的光强分布进行比较。然后，分析部件63选择其光强分布与实图案的光强分布一致的虛图案，并根据所选择的虚图案的线宽是实图案的线宽的假定来决定线宽。如上所述已经测量的关于线宽的信息被发送给曝光设备S4，后曝光烘焙单元(PEB)和刻蚀单元80。曝光设备S4具有曝光控制部件(未示出)。由曝光控制部件基于各种预置的曝光条件参数来控制曝光设备S4，所述各种预置的曝光条件参数例如是晶片W上的曝光位置、曝光量和光学系统的曝光焦点。来自于控制部件60的控制信号被发送给曝光设备S4、后曝光烘焙单元(PEB)和刻蚀单元80。因此，在第二次或更多次光刻处理中，基于关于图案的线宽的信息，可以校正曝光步骤中的诸如曝光位置、曝光量和曝光焦点之类的曝光条件，可以校正后曝光烘焙步骤中的诸如加热温度和加热时间之类的加热条件，还可以通过校正刻蚀步骤中的诸如待施加的高频波的频率和电压以及处理气压之类的刻蚀处理条件来校正刻蚀速率。如图1中所示，在邻近于接口块S3的处理块S2的区域中，单元架U6位于主臂Al可以接近的位置处。单元架U6具有传送台TRS4以及另一具有冷却功能的传送台(未示出)，在传送台TRS4处，晶片W可以被传送给DEV层B2的主臂Al并从DEV层B2的主臂Al中传送回来。如图1和4中所示，两个边缘膝光单元(WEE)位于处理块S2的邻接于接口块S3的区域内。曝光设备S4通过接口块S3连接到处理块S2中的单元架U6的后部。接口块S3具有接口臂F，其用于在处理块S2中的DEV层B2的单元架U6的各个单元及台和曝光设备S4之间传送晶片W。接口臂F作为用于传送晶片W的装置，其位于处理块S2和曝光设备S4之间。接口臂F^皮配置为能够在水平的X和Y方向上以及垂直的Z方向上移动，并围绕垂直轴旋转，从而使得晶片W能够被传送给单元架U6的传送台TRS4等，并从单元架U6的传送台TRS4等传送回来。接下来，将参照图6和7中所示的流程图来描述由上述涂覆及显影系统对晶片W执行的处理。首先，容納待处理的晶片W的承载器20位于承载块Sl的工作台21上(批释放(LotRelease):步骤6-1)。在这种情形下，附着在承载器20上的标识被检测装置23检测，检测信号被发送给控制部件60。基于该标识，控制部件60判断从现在开始要对承栽器20中的晶片W执行的处理(光刻处理和刻蚀处理)是对晶片W的第一次处理，还是对晶片W的第二次或更多次处理(步骤6-2)。在本实施例中，控制部件60通过使用附着到承载器20上的标识来管理每个晶片的处理历史。如果步骤6-2判断出所述处理是第一次处理(是)，则决定用于在第一次处理中所釆用的各步骤的处理单元，并且创建晶片W的传送进度表(步骤6-3)。考虑到本发明的特征，因为能够在"第一次处理"中使用任何处理单元，所以可以随机地选择要使用的处理单元，或者是考虑到整个系统的生产量来选择要使用的处理单元。此外，可以使用事先已经准备好的一个传送进度表，或者是从事先准备好的多个传送进度表中选择出的一个传送进度表(在后一种情况中，由所选择的传送进度表事先决定要使用的处理单元)。基于所决定的传送进度表，在控制部件60的控制下，对承栽器20中的晶片W执行第一次光刻处理(步骤6-4)。下文中，将参考图7(a)来描述从第一次光刻处理中的抗蚀剂涂覆步骤起的处理步骤的进程。由传送臂C从承载器20中取出每个晶片W,并通过任何合适的路线将每个晶片W装载到疏水单元ADH之中。在晶片W已经在疏水单元ADH中经受疏水处理之后，晶片W被临时存储在单元架U5中提供的任意合适的存储位置。之后，由主臂A2从单元架U5中取出晶片W，并将其传送给抗蚀剂涂覆单元32a和32b之一，例如COT2-l。其中，对晶片W执行抗蚀剂涂覆步骤(步骤S-1),以使在晶片W上形成抗蚀膜。之后，由主臂A2将晶片W传送给加热单元(CLHP)，在其中执行预烘焙步骤(PAB),以使抗蚀膜中包含的溶剂从其中蒸发。随后，将晶片W传送给外周(peripheral)曝光单元(WEE),在其中执行边缘曝光步骤(步骤S-3),之后执行烘焙步骤(BAKE)(步骤S-4)。接下来，由接口臂F将晶片W传送给曝光设备S4，在其中对晶片W执行曝光步骤(步骤S-5)。由接口臂F将已曝光的晶片W传送给单元架U6的传送台TRS4，并且由DEV层B2的主臂Al从那里接收已曝光晶片W。将晶片W传送给DEV层B2的后曝光加热单元(例如PEB3-1),在其中执行后曝光加热步骤(步骤S-6)。之后，由主臂Al将晶片W传送给单元架U6中的冷却板(未示出)，在其中，晶片W的温度被调节为预定温度。然后，由主臂Al从单元架U6中取出晶片W，并将其传送给显影单元31a到31c中的一个，例如DEV1-1。其中执行显影步骤(用晶片W覆盖显影剂)(步骤S-7)。然后，由主臂Al将晶片W传送给后烘焙单元(POST),晶片W上的湿气被去除。将已经经受显影步骤的晶片W传送给单元架U5中的传送台TRS1,并由刻蚀块S5的传送臂D从那里接收晶片W。然后，将晶片W传送给刻蚀块S5的刻蚀单元80之一，例如ET-4，在其中通过把显影图案用作掩模来对晶片W执行刻蚀步骤(刻蚀处理)(步骤S-8)。由传送臂D从刻蚀单元80中取出已经经受刻蚀处理的晶片W,并将其传送给刻蚀块S5的传送台TRS2。然后由测量块S6的传送臂E从传送台TRS2接收晶片W，并将其传送给测量块S6的线宽测量装置卯。然后在其中测量晶片W上形成的图案的线宽(步骤S-9)。关于线宽的测量信息被发送给控制部件60,且被存储在控制部件60中。由传送臂E从线宽测量装置60中取出其线宽已被测量的晶片W，然后将该晶片W按次序传送给刻蚀块S5的传送台TRS2、传送臂D和处理块S2的传送台TRS1。此后，由处理块S2的主臂A2接收台TRS1上的晶片W，并将晶片W传送给清理单元(SCR)。在其中执行用于清理晶片W的清理步骤(步骤S-IO)。以这样的方式，光刻处理和刻蚀处理的一系列处理步骤就完成了。如图8(a)中所示，通过上述处理在晶片W的表面上形成具有间距(pitch)P的图案。将间距P的值设定为不小于临界值，该临界值确保在笫一次光刻处理中抗蚀剂PR不塌陷。在图8中，参考字符CD表示线宽，参考字符HM表示硬掩模。事实上，在晶片W已经变为图8(a)中所示的状态之后，由位于刻蚀块S5中的未示出的抗蚀剂灰化(ashing)单元或抗蚀剂剥除单元去除抗蚀剂PR。已经经受了第一次光刻处理和刻蚀处理的晶片W被传送到放置在承载块S1的工作台21上的空的承载器20中。再回到图6,如果步骤6-2判断"第二次或更多次处理(否)"，(为了简化描迷，在下文中该处理被假定是"笫二次"处理)，控制部件60读出传送进度表(即，传送历史)，该传送进度表被应用于最近对承载器20中的晶片W执行的处理(即第一次光刻处理和刻蚀处理)。即，控制部件60确定在第一次光刻处理和刻蚀处理的各步骤中使用的处理单元的标识(步骤6-5)。然后，控制步骤60基于在第一次光刻处理和刻蚀处理中使用的处理单元的标识来决定从现在开始在待执行的第二次光刻处理和刻蚀处理的各步骤中要使用的处理单元。从由同样规格的四个抗蚀剂涂覆单元COT2-l,COT2-2,COT3-l和COT3-2组成的抗蚀剂涂覆单元组中选择一个抗蚀剂涂覆单元作为用于执行抗蚀剂涂覆步骤的抗蚀剂涂覆单元。同样地，从由同样规格的多个处理单元组成的单元组中选择一个处理单元用于光刻处理的其他步骤(后曝光烘焙步骤、显影处理等等)中的每一个。此外，从由同样规格的四个刻蚀单元ET-l,ET-2，ET-3和ET-4組成的刻蚀单元组中选择一个刻蚀单元用于刻蚀处理。其后，基于所选择的处理单元，控制部件60创建传送进度表，根据该传送进度表执行第二次光刻处理和刻蚀处理。光刻处理和刻蚀处理的处理步骤包括某些步骤(具体来说是所示的抗蚀剂涂覆步骤，后曝光烘焙步骤，显影步骤以及刻蚀步骤)，在这些步骤中，可能由处理单元之间的个体差异引起的处理条件的微小变化可以显著地影响处理结果。因此，对于用于执行多图案化中的这些步骤的处理单元而言，优选的是在第二次处理(图案化)中将使用的处理单元与在第一次处理(图案化)中使用的那些处理单元相同。在本实施例中，在抗蚀剂涂覆步骤、后爆光烘焙步骤、显影步骤以及刻蚀步骤中使用的处理单元与在第一次处理中使用的那些处理单元相同。基于所选择的处理单元，控制部件60为第二次光刻处理和刻蚀处理创建传送进度表(步骤6-6)。此时，可以在考虑到整个系统的更有效的传送操作和更高的生产量的情况下来选择用于执行除了抗蚀剂涂覆步骤、后曝光烘焙步骤、显影步骤以及刻蚀步骤之外的步骤的处理单元。然后，基于这样创建的传送进度表，执行第二次光刻处理和第二次刻蚀处理(步骤6-7)。下面将参考图7(b)来描述第二次光刻处理。从固定已经经受第一次光刻处理和刻蚀处理的晶片W的承载器中卸载每个晶片W,将每个晶片W通过与笫一次处理的路线相同的路线进行传送，并将每个晶片W装载到抗蚀剂涂覆单元COT2-l之中，该抗蚀剂涂覆单元COT2-l在对晶片W进行的第一次光刻处理中被使用。然后，对晶片W执行抗蚀剂涂覆步骤(步骤S-ll)以形成抗蚀膜。因为通过使用在第一次抗蚀剂涂覆步骤中所使用的抗蚀剂涂覆单元COT2-l来执行第二次抗蚀剂涂覆步骤，所以可以使得由第二次抗蚀剂涂覆步骤形成的抗蚀剂的膜厚与由第一次抗蚀剂涂覆步骤形成的抗蚀剂的膜厚之间的差异最小化。然后，与第一次光刻处理相同，对其上已经形成抗蚀膜的每个晶片W按顺序执行预烘焙步骤(PAB)(步骤S-12)、边缘曝光步骤(WEE)(步骤S-13)、烘焙步骤(烘焙)(步骤S-14)以及曝光步骤(EXP)(步骤S-16)。然后，通过使用在第一次后曝光烘焙步骤中所使用的后曝光烘焙单元PEB3-1来对晶片W执行后曝光烘焙步骤(步骤S-16)。因为通过使用在第一次后曝光烘焙步骤中所使用的后曝光烘焙单元PEB3-1来执行第二次后曝光烘焙步骤，所以可以使得特别是当使用增强型化学抗蚀剂时在第一次和第二次后曝光烘焙步骤中影响氧化催化反应的诸如处理时间和处理温度之类的处理条件之间的差异最小化。将已经经受了后曝光烘焙步骤的每个晶片W传送给在第一次光刻处理中使用的显影单元DEV1-1,并对晶片W执行显影处理(步骤S-17)。因为通过使用在第一次显影步骤中所使用的显影单元DEV1-1来执行第二次显影步骤，所以可以使得在第一次和第二次显影处理中显影时间以及显影剂的供给量和浓度之间的差异最小化。在显影步骤之后，晶片W被后烘焙。将已显影的晶片W传送给在第一次刻蚀处理(刻蚀步骤)中所使用的刻蚀单元ET-4，对晶片W执行刻蚀步骤(步骤S-18)。这样，如图8(b)中所示，除了通过第一次光刻处理和刻蚀处理形成的具有间距P的图案外，在晶片W上还形成另一具有间距P的图案，借此能够普遍形成具有间距P/2的图案。如本领域技术人员能够理解的那样，图8(b)是简要地示出双图案化的示意图，在步骤S-18完成时，用抗蚀剂实际上填充了由笫一次图案化形成的孔。因为通过使用在第一次刻蚀处理中所使用的刻蚀单元ET-4来执行第二次刻蚀处理，所以可以使得第一次和第二次显影步骤中的刻蚀量之间的差异最小化。实际上，在步骤S-18之后，由位于刻蚀块S5中的未示出的抗蚀剂灰化单元或抗蚀剂剥离单元来移除抗蚀剂PR。在第一次刻蚀处理之后由线宽测量装置90测量的与图案的线宽有关的测量信息由控制部件60发送给曝光设备S4、烘焙单元(PEB)和刻蚀单元80,借此，在第二次或更多次光刻处理中，可以基于上述测量信息来校正曝光步骤中的诸如曝光位置、曝光量和曝光焦点之类的曝光条件，可以校正后曝光烘焙步骤中的诸如加热温度和加热时间之类的加热条件，以及可以校正刻蚀步骤中的诸如高频波的频率和电压以及处理气温度之类的刻蚀条件。可以执行上述所有的校正，或者是仅执行某些校正。由于这些校正，能够执行具有更高精确度的多(双)图案化。将已经经受了第二次光刻处理和刻蚀处理的晶片W传送给测量块S6的线宽测量装置90。其中，测量图案的线宽，并测量粘附到晶片W的表面的杂质和微粒(CDM/MCRO)(步骤S-19)。也将测量信息发送给控制部件60,借此，可以掌握实际上已在晶片W上形成的图案的形状和间距以及粘附在晶片w上的杂质和微粒的状况。由传送臂c将已经经受了第二次光刻处理和刻蚀处理的晶片w传送到放置在承载块Sl上的空承载器20中。通过这种方式来完成双(多)图案化的一系列处理步骤。本发明并不限于其中分别执行两次光刻处理和刻蚀处理的方法，而且可以应用于其中分别执行三次或更多次光刻处理和刻蚀处理的方法。在这种情形下，与上述方式类似，可以基于在第n-l次处理中使用的处理单元来决定在第n次处理中将使用的处理单元。同样在该情况下，可以获得与上述相同的效果。在笫一实施例中，在相同的系统中通过使用在其中结合有刻蚀单元80的抗蚀剂涂覆及显影系统来执行光刻处理和刻蚀处理。然而，本发明并不限于此。换言之，可以通过使用与抗蚀剂涂覆及显影系统分离的刻蚀单元(刻蚀设备)来执行继光刻处理之后的刻蚀处理。如图9中所示，通过从第一实施例中的抗蚀剂涂覆及显影系统中去除刻蚀块S5来构成第二实施例中的抗蚀剂涂覆及显影系统。刻蚀设备位于与抗蚀剂涂覆显影系统分离的位置。刻蚀设备具有基本上等同于第一实施例中抗蚀剂涂覆及显影系统的承载块S1和刻蚀块S5的组合的结构。在第二实施例中，与第一实施例的组成部件相同的组成部件用同样的附图标记示出，/人而将省去其"MM田描述。在第二实施例中，如图9中的实线所示，可以在抗蚀剂涂覆及显影系统和刻蚀设备之间传送晶片W。在该情况下，能够同时传送承载器20中容纳的多个晶片W。可替换地，可以一个接一个地传送晶片W。接下来，将参考图6和10中所示的流程图来描述第二实施例中的衬底处理方法。首先，容纳待处理晶片W的承载器20放置在承载块Sl的工作台21上(批释放步骤6=1)。在这种状况下5由检测装置23检测附着在承载器20上的标识，检测信号被发送给控制部件60。基于该标识，控制部件60判断从现在开始要对承载器20中的晶片W执行的处理(光刻处理和刻蚀处理)是对晶片W的第一次处理，还是对晶片W的第二次或更多次处理(步骤6-2)。当从现在开始要执行的处理被判断为"第一次，，时，则程序前进到步骤6-3。然后，基于此时为第一次光刻处理创建的传送进度表或先前已经创建的传送进度表来执行第一次光刻处理(步骤6-4)。下文中，将参照图10(a)来描述从第一次光刻处理的抗蚀剂涂覆步骤开始的处理步骤的进程。由主臂A2从单元架U5中取出已经经受疏水处理且被临时存储在单元架U5中的每个晶片W。然后将晶片W传送给抗蚀剂涂覆单元32a,32b之一，例如COT2-2，在其中形成了抗蚀膜(步骤2S-1)。由主臂A2将其上已经形成抗蚀膜的晶片W传送给烘焙单元(CLHP),在其中执行预烘焙步骤(PAB)(步骤2S-2)以从抗蚀膜中蒸发溶剂。之后，晶片W被传送给边缘曝光单元(WEE)并经受边缘曝光步骤(步骤2S-3)和加热步骤(步骤2S-4)。之后，由接口臂F将晶片W传送给曝光设备S4，在其中执行曝光步骤(步骤2S-5)。为了将晶片W传送到DEV层B2，由接口臂F将已经经受曝光步骤的晶片W传送给单元架U6的传送台TRS4。由DEV层B2的主臂Al来接收台TRS4上的晶片W。在DEV层B2的后曝光烘焙单元(例如PEB3-2)中，晶片W第一次经受后曝光烘焙步骤(步骤2S-6)。然后，由主臂A1将晶片W传送给单元架U6的冷却板(未示出)，将晶片W的温度调节到预定温度。之后，由主臂A1从单元架U6中取出晶片W,并将晶片W传送给显影单元31a到31c中的一个，例如DEVl-2。在其中，用显影剂涂覆晶片W(步骤2S-7)。在此之后，由主臂A1将晶片W传送给后烘焙单元(POST)，在其中加热晶片W，之后将其冷却(步骤2S-8和2S-9)。已经经受显影步骤的晶片W被传送到放置在承载块S1的工作台21上的空承载器20中，并从抗蚀剂涂覆及显影系统中卸载。已经经受由抗蚀剂涂覆及显影系统进行的第一次光刻处理的晶片W被传送给刻蚀设备。通过将显影图案用作掩模来使晶片W经受其中的刻蚀处理。之后，将晶片W传送到承载器20中，并再次将晶片W装载到抗蚀剂涂覆及显影系统的承载块Sl中。当容纳已经经受第一次光刻处理和刻蚀处理的晶片W的承载器20被放置在承栽块S1的台21上时，由检测装置23检测附着在承载器20上的标识。在该情况下，从现在开始晶片W将经受第二次光刻处理，并且控制部件60识别该事实(fact)。然后，控制部件60查阅先前的(第一次)光刻处理中的传送历史(在各个步骤中使用的单元的历史)(步骤6-5)。在识别了先前的传送历史之后，程序前进到步骤6-6。也就是说，控制部件60通过与上述第一实施例的方式相同的方式来决定在第二次光刻处理中将使用的处理单元，并创建传送进度表(步骤6-6)。基于该传送进度表，在控制部件60的控制下，执行第二次光刻处理(步骤6-7)。下面将参照附图10(b)来描述继第二次光刻处理的抗蚀剂涂覆步骤之后的进程。与第一次处理相同，当容纳已经经受第一次光刻处理和刻蚀处理的晶片W的承载器20被装载时，通过使用在第一次处理中所使用的抗蚀剂涂覆单元COT2-2来对每个晶片W执行抗蚀剂涂覆步骤(步骤2S-10),以形成抗蚀膜。因为通过使用在第一次处理中所使用的抗蚀剂涂覆单元COT2-2来执行抗蚀剂涂覆步骤，所以能够避免由第二次光刻处理形成的抗蚀膜厚度的变化。与第一次光刻处理相同，依序对其上已经形成有抗蚀膜的晶片W执行预烘焙步骤(PAB)(步骤2S-11)、边缘膝光步骤(WEE)(步骤2S-12)、烘焙步骤(BAKE)(步骤2A-13)和曝光步骤(EXP)(步骤2S-14)。之后，通过使用在第一次光刻处理中所使用的后曝光烘焙单元PEB3-2来对晶片W执行后曝光烘焙步骤(步骤2S-15)。因为通过使用在笫一次光刻处理中所使用的后曝光烘焙单元PEB3-2来执行后曝光烘焙步骤，所以当例如使用增强型化学抗蚀剂时，可以使得在第一次和笫二次后曝光烘焙步骤中影响氧化催化反应的诸如处理时间和处理温度之类的处理条件之间的差异最小化。在后曝光烘焙步骤之后，晶片W被传送给在第一次处理中所使用的显影单元DEVl-2，在其中对晶片W执行显影处理(步骤2S-16)。因为通过使用在第一次光刻处理中所使用的显影单元DEV1-2来执行显影步骤，所以可以在第一和第二显影步骤中得到恒定的诸如显影周期、显影剂的供给量和浓度之类的显影条件。然后，由主臂A1将已经经受显影处理的晶片W传送给后烘焙单元(POST)。在其中，晶片W被烘焙且冷却(步骤2S-17和2S-18)。之后，晶片W被传送给测量块S6的线宽测量装置90。在其中，测量图案的线宽，还测量粘附在晶片W表面上的杂质和微粒(CDM/MCRO)(步骤2S-19)。测量信息被传送给控制部件60,借此可以识别实际上已经在晶片W上形成的图案的形状和间距以及粘附到晶片W上的杂质和微粒的状况。由传送臂c将已经以上述方式经受了第二次光刻处理(处理)的晶片W传送到放置在承载块Sl上的空承载器20中。这样就完成了第二次光刻处理。容纳有已经经受第二次光刻处理的晶片W的承载器20被传送给刻蚀设备，通过使用由第二次光刻处理形成的抗蚀膜来执行刻蚀处理。因为在已经由第一次光刻处理形成的具有间距P的图案的间隙中额外形成图案，所以能够普遍地形成具有间距P/2的图案。在第二次刻蚀处理中，通过使用在第一次刻蚀处理中所使用的刻蚀单元(例如ET-4)可以在笫一和第二次刻蚀处理中得到相同的刻蚀量。已经经受第二次刻蚀处理的晶片W被传送到承载器20中，并结束一系列处理。在上述实施例中，在晶片W上不形成抗反射膜。然而在在抗蚀膜的下侧和/或上侧形成抗反射膜的情况下，也可以实现根据本发明的衬底处理方法(系统)。权利要求1.一种衬底处理方法，包括光刻处理和刻蚀处理，每个所述处理对一个衬底执行至少两次，其中，光刻处理包括用于在所述衬底上形成具有预定图案的掩模的多个步骤，其中所述刻蚀处理通过使用由所述光刻处理形成的掩模来刻蚀所述衬底，并且其中通过使用具有多个处理单元组的衬底处理系统来执行所述衬底处理方法，所述多个处理单元组分别被分配给所述多个处理步骤，并且每个处理单元组包括多个同一类型的处理单元，所述方法进一步包括下述步骤判断从现在开始将对衬底执行的光刻处理是对衬底的第一次光刻处理，还是对衬底的第二次或更多次的光刻处理；如果所述判断步骤判断出从现在开始将要对所述衬底执行的光刻处理是第二次或更多次的对所述衬底的光刻处理的话，则通过按照下述方式从每个处理单元组中选择一个处理单元来决定在从现在开始将要执行的光刻处理中将使用的处理单元，所述方式为在从现在开始将要对衬底执行的光刻处理中将使用的至少一个处理单元与在最近对衬底执行的光刻处理中所使用的处理单元相同。2.根据权利要求1的衬底处理方法，其中所述衬底处理系统具有用于执行所述刻蚀处理的多个刻蚀单元；在所述判断步骤中，还判断从现在开始将对衬底执行的刻蚀处理是对所述衬底的第一次刻蚀处理，还是对所述衬底的第二次或更多次刻蚀处理；以及如果所述判断步骤判断出从现在开始将对所迷衬底执行的所述刻蚀处理是对所述衬底的第二次或更多次刻蚀处理的话，则所述决定步骤选择在最近对所述衬底执行的刻蚀处理中所使用的刻蚀单元，作为从现在开始将对所述衬底执行的刻蚀处理中将使用的刻蚀单元。3.根据权利要求1的衬底处理方法，其中所述多个处理步骤包括抗蚀剂涂覆步骤、后曝光烘焙步骤和显影步骤；并且如果所述判断步骤判断出从现在开始将对所述衬底执行的所述光刻处理是对所述衬底的第二次或更多次光刻处理的话，则所述决定步骤理单元、用于执行所述后曝光烘焙步骤的处理单元以及用于执行所述显影步骤的处理单元中的至少一个与在最近对所述衬底执行的光刻处理中所使用的处理单元相同。4.根据权利要求3的衬底处理方法，其中如果所述判断步骤判断出从现在开始将对所述衬底执行的所述光刻处理是对所述衬底的第二次或更多次光刻处理的话，则所述决定步骤按照下述方式选择在从现在开始将要对所述衬底执行的所述光刻处理中将使用的处理单元，所述方式为用于执行所述抗蚀剂涂覆步骤的处理单元、用于执行所述后曝光烘焙步骤的处理单元以及用于执行所述显影步骤的处理单元与在最近对所述衬底执行的光刻处理中使用的那些处理单元相同。5.根据权利要求1的衬底处理方法，其中所述第二或更多次光刻处理在在最近执行的光刻处理中形成的图案的间隙中形成图案。6.根据权利要求2的衬底处理方法，其中所述多个处理步骤包括抗蚀剂涂覆步骤、后曝光烘焙步骤和显影步骤；并且如果所述判断步骤判断出从现在开始将对所述衬底执行的所述光刻处理是对所述衬底的第二次或更多次光刻处理的话，则所述决定步骤按照下述方式选择在从现在开始将要对所述衬底执行的所述光刻处理中将使用的处理单元，所述方式为用于执行所迷抗蚀剂涂覆步骤的处理单元、用于执行所述后曝光烘焙步骤的处理单元以及用于执行所述显影步骤的处理单元中的至少一个与在最近对所述衬底执行的光刻处理中所使用的处理单元相同。7.根据权利要求6的衬底处理方法，其中刻处理是对所述衬底的第二次或更多次光刻处理的话，则所述决定步骤按照下述方式选择在从现在开始将要对所述衬底执行的所述光刻处理中将使用的处理单元，所述方式为用于执行所述抗蚀剂涂覆步骤的处理单元、用于执行后曝光烘焙步骤的处理单元以及用于执行所述显影步骤的处理单元与在最近对所述衬底执行的光刻处理中使用的那些处理单元相同。8.根据权利要求2的衬底处理方法，其中所述第二或更多次光刻处理在在最近执行的光刻处理中形成的图案的间隙中形成图案。9.一种衬底处理系统，其包括衬底装载和卸载部件，在该部件处，衬底被装载到所述衬底处理系统中并从所述村底处理系统中卸载；涂覆及显影部件，其包含由多个抗蚀剂涂覆单元组成的处理单元组，每个抗蚀剂涂覆单元具有基本相同的结构；由多个后曝光烘焙单元組成的处理单元組，每个后曝光烘焙单元具有基本相同的结构；以及由多个显影单元组成的处理单元组，每个显影单元具有基本相同的结构，该处理单元组因此被配置为能够执行除了曝光步骤之外的光刻处理的多个步骤；接口部件，其被提供以在曝光设备和涂覆及显影部件之间传送衬底；衬底传送装置，其纟皮提供以在衬底装载和卸载部件、涂覆及显影部件以及接口部件之间传送衬底，并将衬底传送到涂覆及显影部件中；以及控制部件，其^i配置以至少控制所述多个处理单元和所迷村底传送装置；其中所迷控制部件包括用于判断从现在开始将对衬底执行的光刻处理是对衬底的第一次光刻处理还是对衬底的第二次或更多次光刻处理的装置；以及如果所述判断装置判断出从现在开始将要对衬底执行的光刻处理是第二次或更多次的对衬底的光刻处理的话，则用于通过按下述方式从每个处理单元组中选择一个处理单元来决定在从现在开始将要执行的光刻处理中将使用的处理单元的装置，所述方式为在从现在开始将要对衬底执行的光刻处理中将使用的至少一个处理单元与在最近对衬底执行的光刻处理中使用的处理单元相同。10.根据权利要求9的衬底处理系统，进一步包括具有刻蚀设备的刻蚀处理部件，其包含由多个刻蚀单元组成的处理单元组，并且其^皮配置为通过把由所述光刻处理形成的图案用作掩模来执行刻蚀处理，上述每个刻蚀单元具有基本上相同的结构；其中所述衬底传送装置还被配置为将衬底传送给所述刻蚀处理部件，并/人所述刻蚀处理部件传送衬底；所述判断装置还具有判断从现在开始将对衬底执行的刻蚀处理是对所述衬底的第一次刻蚀处理，还是对所述衬底的第二次或更多次刻蚀处理的功能；并且如果所述判断装置判断出从现在开始将对所述衬底执行的所述刻蚀处理是对所述衬底的笫二次或更多次刻蚀处理的话，则所述决定装置被配置为选择在最近对所述衬底执行的刻蚀处理中所使用的刻蚀单元，作为从现在开始将对所述衬底执行的所述刻蚀处理中将使用的刻蚀单元。11.根据权利要求9的村底处理系统，其中所述决定装置^L配置以使，如果所述判断装置判断出从现在开始将对所述衬底执行的所述光刻处理是对所述衬底的第二次或更多次光刻处理的话，则决定装置按照下述方式选择在从现在开始将要对所述衬底执行的所述光刻处理中将使用的处理单元，所迷方式为被选择用于执行所述抗蚀剂涂覆步骤的处理单元、被选择用于执行所述后曝光烘焙步骤的处理单元以及被选择用于执行所述显影步骤的处理单元中的至少一个与在最近对所述衬底执-f亍的光刻处理中所4吏用的处理单元相同。12.根据权利要求IO的衬底处理系统，其中所述决定装置被配置，以使，如果所述判断装置判断出从现在开始将要对所述衬底执行的所述光刻处理是对所述衬底的第二次或更多次光刻处理的话，则所述决定装置按照下述方式选择在从现在开始将要对所述衬底执行的所述光刻处理中将使用的处理单元，所述方式为被选择用于执行所述抗蚀剂涂覆步骤的处理单元、被选择用于执行所述后曝光烘焙步骤的处理单元以及被选择用于执行所迷显影步骤的处理单元中的至少一个与在最近对所述衬底执行的光刻处理中所使用的处理单元相同。全文摘要提供的是采用对一个衬底至少两次执行光刻和刻蚀的多图案化技术的衬底处理方法。通过使用衬底处理系统来执行该衬底处理方法，在该衬底处理系统中准备有用于执行光刻的每一步骤的多个处理单元。在对衬底执行第二次光刻时，为了使用与第一次光刻所使用的处理单元相同的处理单元，来执行第二次光刻的一个或多个步骤，将基于第一次光刻的处理历史来自动选择将将用于第二次处理的处理单元。文档编号H01L21/027GK101536151SQ20078004231公开日2009年9月16日申请日期2007年11月14日优先权日2006年11月14日发明者山本雄一申请人:东京毅力科创株式会社