专利名称：液晶装置、其制造方法及电子设备的制作方法
技术领域：
本发明，涉及液晶装置，尤其涉及合适地应用于在由所谓的边缘场开关(以下，称为FFS (Fringe Field Switching))模式的液晶装置所代表的 元件基板具备像素电极与共用电极的双方的液晶装置的技术。并且，涉及 该液晶装置的制造方法及应用有液晶装置的电子设备。
背景技术：
各种液晶装置之中的FFS模式的液晶装置，在元件M及对向M之 中的元件^L将像素电极、电极间绝缘膜以及形成有间隙部的共用电极进 行叠层，通过施加于像素电极与共用电极的电场对液晶进行驱动(参照专 利文献1 )。专利文献1特开2001—235763号〃>才艮在如此的FFS模式的液晶装置中，作为像素开关元件，利用采用了非 晶硅膜的底栅结构的薄膜晶体管，若直接重叠于该薄膜晶体管的漏电极地 形成像素电极，则因为像素电极形成于与数据线同一层间，所以必须偵L像 素电极从数据线离开，存在像素电极的形成区域窄的问题点。于是，本申请的申请人，提出下述技术如示于图7(a).地，覆盖作 为像素开关元件的薄膜晶体管30地形成层间绝缘膜6，并通过该层间绝缘 膜6的接触孔6a及漏电极5b，使像素电极7a电连接于薄膜晶体管30的 漏区域ld。示于图7(a)的例，是本申请发明人为了与本申请发明进行 对比而提出的，在像素电极7a的上层，按顺序形成电极间绝缘膜8、形成 有缝隙状的间隙部9b的共用电极9a、及取向膜16。像素电极7a及共用 电极9a，全都通过膜厚度为100nm 200nm的同 一厚度的ITO( Indium TinOxide,氧化铟锡)膜所构成。若依照于如此的构成，则能够直至接近于 数据线5a的位置为止地形成像素电极7a，有能够扩展像素电极7a的形成 区域的优点。为了采用如此的构成的元件I4110而制造液晶装置，如示于图7(b) 地，在共用电极9a的表面侧形成由聚酰亚胺树脂等构成的取向膜16之后， 采用摩擦辊40等进行摩擦取向膜16的表面的摩擦处理，对未施加电场的 状态下的液晶分子的取向进行控制。为了在取向膜16的表面整体均匀地进 行如此的摩擦处理，因为优选取向膜16的表面为平坦，所以优选关于层间 绝缘膜6采用有机平坦化膜。可是，若以示于图7 (a)、图7 (b)的构成进行摩擦处理，则存在下 迷问题在共用电极9a的间隙部9b的内侧，相对于共用电极9a在摩擦 辊的行进方向侧，起因于共用电极9a的厚度的大的台阶差导致在较广范围 产生摩擦不良16a，如此的摩擦不良16a，成为对比度的降低等的使显示图 像的质量下降的原因。但是若使共用电极9a及像素电极7a的膜厚度薄， 则共用电极9a的电阻增大，该电阻的增大，成为在图像内使辉度不匀等发 生的原因。除了上述的摩擦不良之外，若共用电极9a的厚度厚，则起因于台阶差 本身而也有可能发生取向不良，或起因于像素内的形成共用电极9a的区 域、与缝隙状间隙部9b中的液晶层的厚度变化而也有可能使显示的对比 度下降。上述问题，并不限于在电极间绝缘膜8上形成共用电极9a的情况，在 电极间绝缘膜8上形成像素电极7a的情况下也同样发生。发明内容鉴于以上的问题点，本发明的目的，在于提供不使电极层的电阻增大、 能够对起因于形成于电极间绝缘膜8上的电极的厚度的显示不良的发生进 行抑制的液晶装置。为了解决上述问题，在本发明中的液晶装置中，具备多个像素、对应于各前述像素而设置开关元件，特征为，具备形成有前述开关元件的元 件基板，形成于前述开关元件上的层间绝缘膜，形成于前述层间绝缘膜上 的第1电极层，和形成于前述元件141、通过电极间绝缘膜与前述第1电 极层俯^W目重叠的第2电极层；各前述像素，包括前述第1电极层与前 述第2电极层俯^!^目重叠的第1区域，和仅形成前述第1电极层及前述第 2电极层之中的前述第1电极层的第2区域；前述第2电极层的膜厚度比 前述第1电极层的膜厚度薄。而且，特征为前述元件a被实施取向处理。作为取向处理的一例， 在第2电极层上形成由聚酰亚胺树脂等构成的取向膜之后，采用摩擦辊等 进行摩擦取向膜的表面的摩擦处理。若依照于本发明，则虽然在第l区域 与第2区域的边界处，在前述取向膜形成台阶差，但是因为比第l电极层 薄地设定第2电极层的膜厚度，所以起因于第2电极层的厚度的台阶低， 所以能够防止摩擦不良的发生，即使在发生了摩擦不良的情况下，其区域 也非常窄。因此，能够防止起因于摩擦不良的对比度降低等。本发明的效果，虽然在进行上述的摩擦处理的情况下最为显著，但是 在其他的取向处理方法、例如使光从倾斜方向照射于感光性的高分子膜的 方法、通过斜向蒸镀膜进行的取向处理方法等中，通过将形成于元件g 上的台阶差抑制为较低，也能够减少液晶的取向不良。本发明，对第1电极层与第2电极层的膜厚度均衡进行了优化，因为 并非简单地使第1电极层及第2电极层的双方的膜厚度变薄，所以并不会 使第1电极层及第2电极层合起来的整体的电阻增大。从而，也不会在图 像内使辉度不匀等发生。因此，若依照于本发明，则能够显示质量高的图 像。在本发明中，能够采用下述构成第1电极层及第2电极层的任何一 方为连接于开关元件的像素电极，另一方为跨前述多个像素所形成的共用 电极。尤其优选第1电极层为前述共用电极，第2电极层为像素电极。 其理由为通过使共用电极的膜厚度较厚，能够使电阻的增大容易作为辉 度不匀等表现出的共用电极的电阻较低，所以不会在图像内使辉度不匀等发生。在本发明中，特征为第2区域，通过设置于第2电极层的开口或缝 隙所构成。在本发明中，特征为层间绝缘膜是包括有机物质的平坦化膜。若如 此地进行构成，则因为取向膜的表面变得平坦，所以能够在整面均匀地进 行摩擦处理。在本发明中，特征为构成第1电极层及第2电极层的材料的比电阻 率基本相等。在本发明中，通过使第2电极层较薄、使第l电极层的膜厚 度较厚，使起因于第2电极的厚度的台阶差较低，并防止作为电极层整体 的电阻的增大。从而，在第1电极层的比电阻率与第2电极层的比电阻率 相近似的情况下，本发明的效果变得显著。最优选使第1电极层与第2 电极层都以相同的材料形成。即使在以不同的材料形成第1电极层与第2 电极层的情况下，只要笫1电极层的比电阻率与第2电极层的比电阻率之 差为5xlOE-4Q .cm以下，则由本发明的构成实现的、电极膜厚度及电 阻的调整就有效。作为第1电极层或第2电极层的具体的组合，例如可考 虑ITO、 IZO、 ZnO、 In20:rZnO等。本发明的液晶装置的制造方法中，液晶装置具备多个像素、对应于各 前述像素而设置开关元件，该方法的特征为，包括以下工序在前述元件 M形成前述开关元件的工序，在前述开关元件上形成层间绝缘膜的工序， 在前述层间绝缘膜上形成第1电极层的工序，和在前述元件基板、形成通 过电极间绝缘膜与前述第1电极层俯视相重叠的第2电极层的工序；在形 成前述第2电极层的工序中，在前述第2电极层形成开口或缝隙，并使得 前述第2电极层的膜厚度比前述第1电极层的膜厚度薄地形成前述第2电 极层。在上述的液晶装置的制造方法中，优选还包括以下工序在前述第2 电极层上形成取向膜的工序，和对前述取向膜进行摩擦处理的工序。应用有本发明的液晶装置，可用作便携电话机或者便携电子计算机等 的电子设备的显示部等。
图1 (a)、 (b)分别是从对向M侧看应用了本发明的液晶装置与形 成于其上的各构成要件的俯视图、及其的H—H，剖面图。图2是表示用于应用了本发明的液晶装置的元件基板的图像显示区域 的电构成的等效电路图。图3 (a)、 (b)分别是本发明的实施方式l中的液晶装置的l像素的 量的剖面图、及在元件基板中相邻的像素的俯视图。图4是模式性地表示制造应用了本发明的液晶装置时的摩擦处理的状 况的说明图。图5 U)、 (b)分别是本发明的实施方式2中的液晶装置的l像素的 量的剖面图、及在元件基板中相邻的像素的俯视图。图6是采用了本发明中的液晶装置的电子设备的说明图。图7是现有的液晶装置的1像素的量的剖面图，及模式性地表示制造 该液晶装置时的摩擦处理的状况的说明图。符号说明la…半导体膜，3a…扫描线，4…层间绝缘膜，6…作为有机平坦化膜 的层间绝缘膜，6a…接触孔，5a…数据线，5b…漏电极，7a…像素电极， 7b…像素电极的缝隙状的间隙部，8…电极间绝缘膜，9a…共用电极，9b… 缝隙状的间隙部，10…元件;i^L， 20…对向141， 30…作为像素开关元件 的薄膜晶体管，50…液晶，60…保持电容，100…液晶装置，100a…像素具体实施方式
以下，对本发明的实施方式进行说明。还有，在以下的说明中，为了 4吏得与示于图7的构成的对应容易理解，关于具有相同的功能的部分附加 同一符号而进行i兌明。并且，在以下的说明进行参照的图中，为了使各层、 各构件在附图中成为可以辨认的程度的大小，按各层、各构件使比例尺不 同。并且，对滤色器等的图示进行省略。实施方式1(整体构成)图1 (a)、 (b)分别是从对向M侧看应用了本发明的液晶装置与形 成于其上的各构成要件的俯视图、及其的H—H，剖面图。在图1 (a)、图1 (b)中，本方式的液晶装置100，是透射型的有源 矩阵型的液晶装置，在元件MlO之上，密封材料107沿对向基板20的 边缘所设置。在元件14110，在密封材料107的外侧的区域，沿元件^L 10的一边设置数据线驱动电路101及安装端子102，沿相邻于排列有安装 端子102的边的2边，形成扫描线驱动电路104。进而，有时也利用框缘 108之下等，设置预充电电路、检查电路等的周边电路。对向基板20，具 备与密封材料107基本相同的轮廓，通过该密封材料107，对向基板20粘 接固定于元件基板IO。而且，在元件基板10与对向基板20之间保持有液 晶50。详情后述，在元件;i4110，像素电极7a形成为矩阵状。相对于此， 在对向14120，在密封材料107的内侧区域形成由遮光性材料构成的框缘 108，其内侧成为图像显示区域10a。在对向基板20，有时在与元件J4！ 10的像素电极7a的纵向横向的边界区域相对向的区域，形成被称为黑矩 阵、或者黑条带等的遮光膜23。本方式的液晶装置100，对液晶50以FFS模式进行驱动。因此，在 元件基板10之上，除了像素电极7a，还形成后述的共用电极(未图示于 图1 (b))，在对向a20并不形成对向电极。 (液晶装置100的详细的构成)参照图2，对应用了本发明的液晶装置100及用于其的元件基板的构 成进行说明。图2，是表示用于应用了本发明的液晶装置100的元件^L 10的图像显示区域10a的电构成的等效电路图。如示于图2地，在液晶装置100的图像显示区域10a矩阵状地形成多 个像素100a。在多个像素100a的各自中，形成像素电极7a、及用于对像 素电极7a进行控制的像素开关用的薄膜晶体管30，将数据信号(图像信 号)以线顺序进行供给的数据线5a电连接于薄膜晶体管30的源。对薄膜 晶体管30的栅电'连接扫描线3a，以预定的定时，对扫描线3a将扫描信号以线顺序进行施加地构成。像素电极7a，电连接于薄膜晶体管30的漏， 通过使薄膜晶体管30仅一定期间成为其导通状态，将从数据线5a所供给 的数据信号以预定的定时写入各像素100a。如此一来通过《象素电极7a、写 入示于图1 (b)的液晶50的预定电平的像素信号，在与形成于元件M 10的共用电极9a之间保持一定期间。在此，在像素电极7a与共用电极9a 之间形成保持电容60,像素电极7a的电压，例如，仅保持比施加源电压 的时间长3位的时间。由此，能够实现改善电荷的保持特性、能够进行高 对比度比的显示的液晶装置100。在图2中，共用电极9a表示为如从扫描线驱动电路104延伸的布线， 其形成于元件基板10的图像显示区域10a的基本整面，被保持为预定的电 位。(各像素的具体构成)图3(a)、 (b)，分别是应用了本发明的液晶装置100的l像素的量的 剖面图、及在元件MlO中相邻的像素的俯视图；图3(a),相当于在相 当于图3(b)的A—A，线的位置剖切了液晶装置100时的剖面图。并且， 在图3(b)中，像素电极7a以长的虛线表示，数据线5a及与其同时所形 成的薄膜以单点划线表示，扫描线3a以双点划线表示，在共用电极9a中 部分去除的部分以实线表示。还有，在图3U)中，关于对向^i4120，将 遮光膜23及滤色器的图示进行省略。如示于图3(a)、图3(b)地，在元件基板10上，多个透明的l象素 电极7a (以长的虚线所包围的区域)按各像素100a形成为矩阵状，沿像 素电极7a的纵向横向的边界区域而形成数据线5a (以单点划线表示)、及 扫描线3a (以双点划线表示)。并且，在元件^ 10的图l象显示区域10a 的基本整面形成由ITO膜构成的共用电极9a。在本方式中，共用电极9a 形成为整面状；另一方面在像素电极7a，形成多个缝隙状的间隙部7b(以 长的虚线表示)，在间隙部7b处，共用电极9a并不重叠于像素电极7a。 在本方式中，多个间隙部7b，倾斜地形成于扫描线3a的延伸设置方向， 多个间隙部7b彼此平行地延伸。示于图3(a)的元件J4！ 10的基体，由石英基&、耐热性的玻璃基板等的透明;S^10b构成；对向J^L20的基体，由石英M、耐热性的 玻璃基板等的透明基板20b构成。在本方式中，关于透明基板10b、 20b 的任一个都采用玻璃基板。在对向基板20中，虽然在其整面形成取向膜 26,但是与TN模式的液晶装置不同，并不形成对向电极。再在图3(a)、图3(b)中，在元件基板IO，在透明基板10b的表面 形成由氧化硅膜等构成的基底保护膜(未图示)，并在其表面侧，在相邻于 各像素电极7a的位置形成顶栅结构的薄膜晶体管30。如示于图3(a)、图 3 (b)地，薄膜晶体管30，具备相对于岛状的半导体膜la、形成有沟道 形成区域lb、源区域lc、漏区域ld的结构，有时也形成为具有在沟道 形成区域lb的两侧具备低浓度区域的LDD (Lightly Doped Drain,轻掺 杂漏)结构。在本方式中，半导体膜la，是在相对于元件基板10形成有 非晶硅膜之后，通过激光退火、灯退火等所多晶化了的多晶珪膜。在半导体膜la的上层，形成由氧化硅膜、氮化硅膜、或者它们的叠层 膜构成的栅绝缘膜2,在栅绝缘膜2的上层，扫描线3a的一部分作为栅电 极而重叠。在本方式中，半导体膜la弯曲成3状，栅电极具有形成于沟道 方向中的2处的双栅结构。在栅电极(扫描线3a)的上层形成由氧化硅膜、氮化硅膜、或者它们 的叠层膜构成的层间绝缘膜4。在层间绝缘膜4的表面形成数据线5a,该 数据线5a，通过形成于层间绝缘膜4的接触孔4a电连接于最靠近数据线 5a侧的源区域。并且，在层间绝缘膜4的表面形成漏电极5b，漏电极5b， 是与数据线5a所同时形成的导电膜。漏电极5b,通过形成于层间绝缘膜 4的接触孔4b电连接于漏区域ld。在数据线5a及漏电极5b的上层侧，形成层间绝缘膜6。在本方式中， 层间绝缘膜6，作为由膜厚度为1.5 M m~2.0 jli m的厚的感光性树脂构成的 平坦化膜(有机平坦化膜)所形成。在层间绝缘膜6的表面，在其整面的范围内通过整面状的ITO膜形成 作为下层侧电极层的共用电极9a。在共用电极9a的表面形成电极间绝缘 膜8。在本方式中，电极间绝缘膜8，由膜厚度为400nm以下的氧化珪膜 或者氮化硅膜构成。在电极间绝缘膜8的上层，通过ITO膜形成作为上层侧电极层的像素 电极7a。在像素电极7a的表面侧形成取向膜16。在像素电极7a，形成前 述的缝隙状的间隙部7b。在如此地进行了构成的状态下，共用电极9a与 像素电极7a通过电极间绝缘膜8而相对向，形成以电极间绝缘膜8作为电 介质膜的保持电容60。在此，像素电极7a，通过形成于层间绝缘膜6的接触孔6a电连接于 漏电极5b。因此，在共用电极9a，在形成有接触孔6a的部分形成矩形的 缺口 9d。在如此地构成的液晶装置1中，通过形成于像素电极7a与共用电极 9a之间的横向电场，能够在缝隙状的间隙部7b及其周边对液晶50进行驱 动，能够对图像进行显示。(电极层的构成，及本方式的主要效果)为了采用如此的构成的元件14110而制造液晶装置1 ，如示于图4地， 在像素电极7a的表面侧形成由聚酰亚胺树脂等构成的取向膜16之后，采 用摩擦辊40等进行摩擦取向膜16的表面的摩擦处理，对尚未施加电场的 状态下的液晶分子的取向进行控制。为了在取向膜16的表面整体均匀地进 行如此的摩擦处理，优选取向膜16的表面为平坦，所以关于层间绝缘膜6采用有机平坦化膜。在此，作为下层侧电极层的共用电极9a，通过膜厚度为50nm 200nm 的ITO膜而形成为整面的电极层，作为上层侧电极层的像素电极7a，通 过膜厚度为30nm 100nm的ITO膜，作为具有缝隙状的间隙部7b的电极 层所构成，共用电极9a的膜厚度与像素电极7a的膜厚度，具有以下的关 系像素电极7a (上层侧电极层) 公共用电极9a (下层侧电极层)。即， 与整面地所形成的共用电极9a相比较，形成有缝隙状的间隙部7b的像素 电极7a的膜厚度薄。从而，当进了摩擦处理时，在像素电极7a的间隙部7b的内侧，相 对于像素电极7a在摩擦辊的行进方向侧，虽然由于起因于像素电极7a的 厚度的台阶差而有可能在成为阴影的部分发生摩擦不良16a，但是，在本 方式中，形成有缝隙状的间隙部7b的像素电极7a的膜厚度薄。因此，即使在发生了摩擦不良16a的情况下，也仅发生于非常窄的区域。因此，不 会发生对比度的降低等，能够使显示图像的质量提高。并且，在本方式中，共用电极9a的膜厚度加厚使像素电极7a的膜 厚度变薄的量。因此，作为像素电极7a及共用电极9a的整体的电阻维持 低的水平。尤其是，虽然因为共用电极9a在多个像素的范围内所形成，所 以电阻容易成为问题，但是在本方式中，因为使共用电极9a的膜厚度,， 所以共用电极9a的电阻比现有低。因此，能够可靠地防止在图像内发生辉 度不匀等。在本实施方式中，为了防止起因于使像素电极7a变薄的图像的辉度不 匀，使共用电极的厚度变厚，像素电极7a、与共用电极9a的合计的电阻 变大。在本实施方式中，虽然像素电极7a、共用电极9a都采用了 ITO膜， 但是代替ITO膜，也可以使用IZO等的透明导电膜作为像素电极7a、共 用电极9a。并且，也能够采用由按像素电极7a、共用电极9a分别不同的 材料构成的导电膜。在该情况下，通过选择分别用于像素电极7a及共用电 极9a的材料的比电阻率之差的绝对值为5x 10E-4Q ■ cm以下的材料， 在理想性地调整了电阻的合计值的基础上，实现"像素电极7a的膜厚度< 共用电极9a"的构成。实施方式2图5 (a)、 (b)分别是本发明的实施方式2中的液晶装置100的l像 素的量的剖面图、及在元件基&10相邻的像素的俯视图；图5(a)，相当 于在相当于图3 (b)的B—B，线的位置剖切了液晶装置100时的剖面图。 还有，本方式的基本的构成，因为与实施方式l同样，所以对相同的部分 附加同一符号而将它们的说明进行省略。如示于图5(b)地，在元件基板10上，多个透明的l象素电极7a (以 长的虛线所包围的区域)按各像素100a形成为矩阵状，沿像素电极7a的 纵向横向的边界区域而形成数据线5a(以单点划线表示)、及扫描线3a(以 双点划线表示)。并且，在元件基板10的图像显示区域10a的基本整面形 成由ITO膜构成的共用电极9a。在本方式中，像素电极7a整面地所形成； 另一方面在共用电极9a，缝隙状的间隙部9b，倾斜地形成于扫描线3a的延伸设置方向，多个缝隙状的间隙部9b彼此平行地延伸。如示于图5(a)、图5(b)地，在元件基板IO,薄膜晶体管30的上 层侧以由有机平坦化膜构成的层间绝缘膜6所覆盖，在层间绝缘膜6的表 面，通过ITO膜整面地形成作为下层侧电极层的像素电极7a。并且，在 像素电极7 a的表面形成电极间绝缘膜8。在电极间绝缘膜8的上层，通过ITO膜形成作为上层侧电极层的共用 电极9a，在共用电极9a，形成前述的缝隙状的间隙部9b。在缝隙状的间 隙部9b处，像素电极7a并不重叠于共用电极9a。在像素内，缝隙状的间 隙部9b占的比例，为20%~60%。为了采用如此的构成的元件基板IO而制造液晶装置1,与参照图4而 进行了说明的构成基本同样地,在共用电极9a的表面侧形成由聚酰亚胺树 脂等构成的取向膜16之后，采用摩擦辊40等进行摩擦取向膜16的表面的 摩擦处理，对尚未施加电场的状态下的液晶分子的取向进行控制。为了在 取向膜16的表面整体均匀地进行如此的摩擦处理，优选取向膜16的表面 为平坦，所以关于层间绝缘膜6采用有机平坦化膜。在此，作为下层侧电极层的像素电极7a，通过膜厚度为50nm 200nm 的ITO膜而形成为整面的电极层，作为上层侧电极层的共用电极9a，通 过膜厚度为30nm 100nm的ITO膜，作为具有缝隙状的间隙部9b的电极 层所构成，共用电极9a的膜厚度与像素电极7a的膜厚度，具有以下的关 系共用电极9a (上层侧电极层)〈像素电极7a (下层侧电极层)。即， 与整面地所形成的像素电极7a相比较，形成有缝隙状的间隙部9b的共用 电极9a的膜厚度薄。从而，当进行了摩擦处理时，在共用电极9a的缝隙状的间隙部9b的 内侧，相对于共用电极9a在摩擦辊40的行进方向侧，虽然由于起因于共 用电极9a的厚度的台阶差而有可能发生摩擦不良16a，但是，在本方式中， 形成有缝隙状的间隙部9b的共用电极9a的膜厚度薄。因此，即使在发生 了摩擦不良16a的情况下，也仅发生于非常窄的区域。因此，不会发生对 比度的降低等，能够使显示图像的质量提高。并且，在本方式中，按使共用电极9a的膜厚度变薄的量，使像素电极7a的膜厚度加厚。因此，作为像素电极7a及共用电极9a的整体的电阻维 持低的水平。在本实施方式中，为了防止起因于使像素电极7a变薄的图像的辉度不 匀，使共用电极的厚度变厚，像素电极7a与共用电极9a的合计的电阻变 大。在本实施方式中，虽然像素电极7a、共用电极9a都采用了 ITO膜， 但是代替ITO膜，也可以使用IZO等的透明导电膜作为像素电极7a、共 用电极9a。并且，也能够采用由按像素电极7a、共用电极9a分别不同的 材料构成的导电膜。在该情况下，通过选择分别用于像素电极7a及共用电 极9a的材料的比电阻率之差的绝对值为5xlOE-4D cm以下的材料， 在理想性地调整了电阻的合计值的基础上，实现"像素电极7a的膜厚度< 共用电极9a"的构成。 (其他的实施方式)还有，虽然在实施方式l、实施方式2中，当形成间隙部时，形成了 缝隙状的开口部，但是也可以在使像素电极为梳齿形状、或者鱼骨形状而 设置有间隙部的液晶装置中应用本发明。并且，虽然在实施方式l、实施方式2中，为作为半导体膜而采用了 多晶硅膜的例，但是也可以在采用了非晶硅膜、单晶硅层的元件基板10 应用本发明。并且，也可以在作为像素开关元件采用了薄膜二极管元件(非 线性元件)的液晶装置中应用本发明。 (向电子i殳备的搭载例)接下来，关于应用了上述的实施方式中的液晶装置100的电子i殳备而 进行说明。在图6 (a)，表示具备有液晶装置100的便携型的个人计算机 的构成。个人计算机2000,具备作为显示单元的液晶装置100与主体部 2010。在主体部2010，设置电源开关2001及键盘2002。在图6(b)，表 示具备有液晶装置100的便携电话机的构成。便携电话机3000,具备多个 操作掩键3001及滚动键3002、以及作为显示单元的液晶装置100。通it^t 滚动键3002进行操作，由液晶装置100所显示的画面滚动。在图6(c)， 表示应用了液晶装置100的信息l更携终端(PDA: Personal Digital Assistants,个人数字助理)的构成。信息便携终端4000，具备多个操作掩睫4001及电源开关4002、以及作为显示单元的液晶装置100。若对电源 开关4002进行操作，则住址簿、日程表等各种的信息由液晶装置100所显 示。还有，作为应用液晶装置100的电子设备，除了示于图6的设备之外， 还可举出数字静止相机，液晶电视机，取景器型、监视器直视型的磁带录#4/1*,汽车导航装置，寻呼机，电子笔记本，台式电子计算器，文字处理机，工作站，电视电话机，POS终端，具有触摸面板的设备等。而且，作 为这些各种电子设备的显示部，前述的液晶装置IOO可以进行应用。
权利要求
1.一种液晶装置，其具备多个像素、对应于各前述像素设置有开关元件，其特征在于，具备形成有前述开关元件的元件基板，形成于前述开关元件上的层间绝缘膜，形成于前述层间绝缘膜上的第1电极层，和形成于前述元件基板、通过电极间绝缘膜与前述第1电极层俯视相重叠的第2电极层；各前述像素，包括前述第1电极层与前述第2电极层俯视相重叠的第1区域，和仅形成有前述第1电极层及前述第2电极层之中的前述第1电极层的第2区域；前述第2电极层的膜厚度比前述第1电极层的膜厚度薄。
2. 按照权利要求l所述的液晶装置，其特征在于 前述元件基板被实施取向处理。
3. 按照权利要求2所述的液晶装置，其特征在于在前述第2电极层上形成有取向膜，在前述第1区域与前述第2区域 的边界处，在前述取向膜形成有台阶差。
4. 按照权利要求l所述的液晶装置，其特征在于前述第1电极层及前述第2电极层的任何一方为连接于前述开关元件 的像素电极，另一方为跨前述多个像素所形成的共用电极。
5. 按照权利要求4所述的液晶装置，其特征在于前述第1电极层为前述共用电极，前述第2电极层为前述像素电极。
6. 按照权利要求l所述的液晶装置，其特征在于 前述第2区域，通过设置于前述第2电极层的开口或缝隙所构成。
7. 按照权利要求l所述的液晶装置，其特征在于 前述层间绝缘膜是包括有机物质的平坦化膜。
8. 按照权利要求l所述的液晶装置，其特征在于构成前述第1电极层及前述第2电极层的材料的比电阻率之差为5x 10E-4Q cm以下。
9. 一种液晶装置的制造方法，该液晶装置具备多个像素、对应于各前 述像素设置有开关元件，该制造方法的特征在于，包括以下工序在前述元件M形成前述开关元件的工序，在前述开关元件上形成层间绝缘膜的工序，在前述层间绝缘膜上形成第1电极层的工序，和在前述元件基板，形成通过电极间绝缘膜与前述第1电极层俯^目重 叠的第2电极层的工序；在形成前述第2电极层的工序中，在前述第2电极层形成开口或缝隙， 并使得前述第2电极层的膜厚度比前述第1电极层的膜厚度薄地形成前述 第2电极层。
10. 按照权利要求9所述的液晶装置的制造方法，其特征在于，还包 括以下工序在前述第2电极层上形成取向膜的工序，和 对前述取向膜进行摩擦处理的工序。
11. 一种电子设备，其特征在于 具备权利要求1所述的液晶装置。
全文摘要
本发明涉及液晶装置、液晶装置的制造方法及电子设备。提供不使电极层的电阻增大地，能够抑制摩擦不良的发生的FFS模式的液晶装置。在液晶装置(100)的元件基板(10)上，薄膜晶体管(30)的上层侧以由有机平坦化膜构成的层间绝缘膜(6)所覆盖，在层间绝缘膜(6)的上层，共用电极(9a)作为整面的电极层所形成。在共用电极(9a)的上层形成电极间绝缘膜(8)，在其上，形成具有缝隙状的间隙部(7b)的像素电极(7a)。与整面地所形成的共用电极(9a)相比较，因为形成缝隙状的间隙部(7b)的像素电极(7a)的膜厚度薄，所以能够合适地进行摩擦处理。
文档编号H01L21/84GK101276103SQ20081008851
公开日2008年10月1日 申请日期2008年3月27日 优先权日2007年3月28日
发明者藤田伸 申请人:爱普生映像元器件有限公司