专利名称：有机发光显示器及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种有机发光显示器及其制造方法，更具体地讲，涉及一种
能够保护驱动电路免受静电放电(ESD)损坏的有机发光显示器及其制造方法。
背景技术：
有机发光显示器是一种自发光显示器，与液晶显示器(LCD)相比，有机 发光显示器的视角较宽、对比度较高、响应速度较快且功耗较低。由于不需 要背光，所以可将有机发光显示器制造得轻薄。
有机发光显示器包括第一基底，具有像素(或显示)区和非像素(或非显 示)区；容器(或第二基底)，为了密封设置成面对第一基底，并且通过诸如环 氧树脂的密封剂附着到第 一基底。
在像素区中，多个有机发光二极管(OLED)以矩阵形式结合在扫描线和数 据线之间以形成像素。每个OLED包括阳极、阴极和形成在阳极和阴极之间 的有机薄层，其中，有机薄层包括空穴传输层、有机发光层和电子传输层。
在非像素区中，扫描线从像素区的扫描线延伸，数据线从像素区的数据 线延伸，设置电源供应线以操作OLED,设置扫描驱动器和数据驱动器以处 理从外部源通过输入焊盘供应的信号，以将经过处理的信号供应到扫描线和 数据线。扫描驱动器和数据驱动器包括用于将从外部源供应的信号转化为扫 描信号和数据信号以选择性地驱动像素的驱动电路。扫描驱动器和数据驱动 器可在制造OLED的过程中形成，或者可以被制造为另外的集成电路芯片以 被安装到有机发光显示器的基底上。由于有机发光显示器的基底由玻璃形成， 所以会在制造过程中或在有机发光显示器正被使用时产生大的静电放电 (ESD)。具体地讲，因为驱动电路由薄膜晶体管(TFT)组成并且被高速操作， 所以在有机发光显示器的外围部分中形成低电压，>^人而导致驱动电路直接接 收ESD。当接收ESD时，会损坏TFT的沟道和栅绝缘层，会由于栅电极和 布线之间的短路而产生错误操作，和/或会由于电性影响(electric influence)而 损坏驱动电路。当驱动电路高度集成(或被最小化)时，驱动电路被ESD损坏
得更加严重'
加能够释放高压的另外的保护元件或保护电路。然而，该元件或保护电路被
设计为释放制造工艺过程中产生的ESD,它在防止(或减少)使用有机发光显
示器的过程中产生的损坏的效果受到限制。
发明内容
本发明的方面旨在提供一种能够保护驱动电路免受静电放电(ESD)损坏 的有机发光显示器及其制造方法。
本发明的其他方面旨在提供一种不需要增加另外的保护元件(或ESD保 护电路)就能够防止(或减小)由ESD引起的损坏的有机发光显示器及其制造方 法。
本发明的实施例提供一种有机发光显示器，该有机发光显示器包括基 底，具有像素区和非像素区；有机发光二极管(OLED)，形成在像素区中并包 括第一电极、有机薄层和第二电极；驱动电路单元，形成在非像素区中以驱 动OLED;屏蔽层，形成在非像素区中并且形成在驱动电路单元上以电结合 到地电源；绝缘层，插入到驱动电路单元和屏蔽层之间。
本发明的另一个实施例提供一种有机发光显示器，该有机发光显示器包 括基底，具有像素区和非像素区；有机发光二极管(OLED),在像素区中并 包括第一电极、有机薄层和第二电极；驱动电路单元，在非像素区中并用于 驱动OLED;屏蔽层，在非像素区中并且在驱动电路单元上，屏蔽层电结合 到地电源；绝缘层，插入到驱动电路单元和屏蔽层之间。这里，有机发光显 示器还可以包括护圈，护圈形成在非像素区的边缘部分处以浮皮电结合到屏蔽 层。
本发明的另 一个实施例提供一种制造有机发光显示器的方法。该方法包 括以下步骤设置具有像素区和非像素区的基底；在像素区中的基底上形成 包括栅电极、源电极和漏电极的第一薄膜晶体管(TFT),在非像素区中的基底 上形成第二TFT;在像素区和非像素区中并且在第一TFT和第二TFT上形成 绝缘层；在绝缘层中形成通孔以暴露像素区中的第一 TFT的源电极或漏电极； 形成通过在像素区中的通孔结合到源电极或漏电极的第一电极；在非像素区 中形成屏蔽层；在像素区中形成像素限定层；在像素限定层中形成开口，从
而暴露第一电极的一部分；在开口中的第一电极上形成有机薄层；在像素区 中形成第二电极。
'
附图与说明书一起示出了本发明的示例性实施例，并且与描述一起用于 解释本发明的原理。
图1是示意性地示出根据本发明实施例的有机发光显示器的平面图； 图2是示意性地示出图1中示出的有机发光二极管(OLED)的剖视图； 图3A和图3B是示意性地示出根据本发明实施例的有机发光显示器的剖
视图4是示意性地示出根据本发明第一实施例的有机发光显示器的剖视
图5是示意性地示出根据本发明第二实施例的有机发光显示器的剖视
图6是示意性地示出根据本发明第三实施例的有机发光显示器的剖视
图7A、图7B、图7C和图7D是示意性地示出根据本发明实施例的有机 发光显示器的制造方法的剖视图。
具体实施例方式
在以下详细的描述中，以示出的方式仅示出并描述了本发明的特定示例 性实施例。本领域技术人员应该意识到，本发明可以以许多不同的形式实施， 并且不应理解为限制于在此阐述的实施例。此外，当第一元件被称作在第二 元件"上，，时，它可以直接在第二元件上，或者间接地在第二元件上，其中在 第一元件和第二元件之间设置有一个或多个中间元件。此外，当第一元件被 描述为"结合到"第二元件时，第一元件不仅可以直接地结合到第二元件，也 可以通过一个或多个中间元件间接地结合到第二元件。此外，为了清楚，可 以省略对于完整地理解本发明不必要的元件。在整个说明书中，相同的标号 表示相同的元件。
图1是示意性地示出根据本发明实施例的有机发光显示器的平面图。 如图1所示，基底100包括像素区140和非像素区160。非像素区160
可以是围绕像素区140的区域和/或除了像素区140以外的剩余的区域。在像 素区140中，在基底100上，多个有机发光二极管(OLED) 180以矩阵形式结 合在扫描线104b和数据线106c之间。参照图2,每个OLED 180包括阳极 108a、阴极111和形成在阳极108a和阴极111之间的有机薄层110。有机薄 层110包括这样的结构，即，在该结构中，空穴传输层、有机发光层和电子 传输层彼此层叠，并且还可包括空穴注入层和电子注入层。
在无源矩阵型中，具有上述结构的OLED 180以矩阵形式结合在扫描线 104b和数据线106b之间。
在有源矩阵型中，OLED 180以矩阵形式结合在扫描线104b和数据线 106c之间。这里，还包括用于控制OLED 180的操作的TFT和用于保持信号 的电容器。每个TFT包括源极、漏极和栅极。在图2中，半导体层102提供 源区、漏区和沟道区。源电极106a结合到源区，漏电极106b结合到漏区， 在沟道区上形成栅电极104a，栅电极104a通过栅绝缘层103与半导体层102 绝缘。
在图1中所示的非像素区160中，扫描线104b从像素区140中的扫描线 104b延伸，数据线106c从像素区140中的数据线106c延伸，设置电源供应 线106d和106e以操作OLED 180，在基底100上形成扫描驱动器220和数据 驱动器240，其中，扫描驱动器220和数据驱动器240被设置为用于处理从 外部源通过焊盘120供应的信号，以将经处理的信号供应到扫描线104b和数 据线106c。
扫描驱动器220和数据驱动器240包括用于将从外部源通过焊盘120供 应的信号转化为扫描信号和数据信号以选择性地驱动像素的驱动电路。扫措 驱动器220和数据驱动器240可在制造OLED的工艺中形成，或者可被制造 为另外的集成电路芯片以被安装到基底100上。在图1中，仅示出扫描驱动 器220和数据驱动器240。然而，根据驱动类型还可以包括诸如发射驱动器 和DC多路分解器的驱动电路单元，或者可以改变电路的结构以及扫描驱动 器220和数据驱动器240的位置。
此外，在基底100的边缘(或边缘部分)(以及在非j象素区160中)形成护圈 106f以围绕驱动电路(或驱动电路单元)。在非像素区160中以及在驱动电路 上形成屏蔽层108c,屏蔽层108c通过绝缘层与驱动电路绝缘。这里，屏蔽层 108c可以通过电源供应线106d或106e结合到地电源(例如，ELVSS)。参照图3A,在一个实施例中，在基底100上设置密封基底400(其中， OLED 180形成为面对密封基底400)，通过设置在基底100和密封基底400 之间的密封材料300将像素区140密封起来。参照图3B，在另一个实施例中， 在基底100上形成具有有机层420a和无机层420b的多层结构的密封层420。
膜形柔性印刷电路(FPC)电结合到具有上述结构的有机发光显示器的焊 盘120,通过FPC 乂人外部源输入信号，例如电源电压ELVDD和ELVSS以及 数据。当信号通过焊盘120被输入到电源供应线106d和106e、扫描驱动器 220和数据驱动器240时，扫描驱动器220向扫描线104b供应扫描信号，数 据驱动器240向数据线106c供应数据信号。因此，由扫描信号选择的像素的 OLED 180发射与数据信号对应的光分量。在根据本发明实施例的有机发光显 示器中，屏蔽层180c覆盖其中驱动电路单元(例如，扫描驱动器220、数据驱 动器240、发射驱动器和DC多路分解器)由TFT形成的非像素区160。由于 屏蔽层108c通过电源供应线106d或106e结合到地电源，所以可以有效地保 护驱动电路单元免受通过外围部分接收的ESD的损坏。
图4是示意性地示出根据本发明第一实施例的有机发光显示器的剖视 图，并且图4是沿着图1中的线11-12截取的剖视图。
緩冲层101形成在像素区140和非像素区160中的基底100上。提供有 源层的半导体层102形成在緩冲层101上。形成在像素区140中的半导体层 102提供用于驱动OLED 180的TFT的有源层，形成在非像素区160中的半 导体层102提供构成驱动电路单元的TFT的有源层。
栅绝缘层103形成在像素区140和非像素区160中并且形成在半导体层 102上，栅电极104a形成在半导体层102上的栅绝缘层103上。这里，结合 到栅电极104a的扫描线104b形成在像素区140中，(从像素区140的扫描线 104b延伸的)扫描线104b和用于从外部源接收信号的焊盘120形成在非像素 区160中。
层间绝缘层105形成在像素区140中并且形成在栅电极104a上，还形成 在非像素区160中。接触孔形成在层间绝缘层105和4册绝缘层103中以暴露 半导体层102的部分(或预定部分)。源电极106a和漏电极106b形成为通过接 触孔结合到半导体层102。这里，结合到源电极106a和漏电极106b的数据线 106c形成在^象素区140中。从像素区140的数据线106c延伸的数据线106c、 电源供应线106d和106e、护圈106f、用于接收来自外部的信号的焊盘120
均形成在非像素区160中。
保护层107a和平坦化层107b形成在像素区140和非像素区160中。通 孔形成在像素区140的平坦化层107b和保护层107a中以暴露源电极106a或 漏电极106b的一部分(或预定部分)。此外，在非像素区160的平坦化层107b 和保护层107a中形成通孔，从而暴露电源供应线106d或106e的一部分(或 预定部分)以及护圈106f的一部分(或预定部分)。然后，通过像素区140中的 通孔结合到源电极106a或漏电极106b的阳极108a形成在像素区140中，屏 蔽层108c形成在非像素区160中。这里，屏蔽层108c形成在非像素区160 中并且形成在驱动电路单元上，以通过非像素区160中的通孔结合到电源供 应线106d或106e以及护圈106f。在图4中，结合到电源供应线106e的图案 108b增加了电源供应线106e的表面积，使得电阻降低并且图案108b可以与 阳极108a —起形成。
像素限定层109形成在像素区140中，在像素限定层109中形成开口以 暴露阳极108a的部分区域(发射区)。有机薄层110形成在^皮暴露的阳极108a 上，阴极111形成在像素区140中并且形成在有机薄层110上以被结合到电 源供应线106d或106e。
图5是示意性地示出根据本发明第二实施例的有机发光显示器的剖视 图，并且图5是沿着图1中的线I1-I2截取的剖视图。
根据本发明第二实施例的有机发光显示器具有与根据第 一 实施例的有机 发光显示器的结构基本相同的结构。然而，非像素区160的屏蔽层108c被由 有机层形成的保护层109覆盖。
如在第一实施例中所述，当在由丙烯酰(acryl)形成的平坦化层107b上形 成屏蔽层108c时，平坦化层107b和屏蔽层108c之间的附着状态会由于丙烯 酰的弱的层结构而劣化。因此，屏蔽层108c由保护层109覆盖，使得可以保 持平坦化层107b和屏蔽层108c之间的附着状态，从而可以保护屏蔽层108c。 因此，根据第一实施例，像素限定层109仅形成在像素区140中。然而， 根据第二实施例，像素限定层109作为保护层109形成在像素区140和非像 素区160上。此外，在像素区140的像素限定层109中形成开口来暴露阳极 108a的部分区域(发射区)，在非像素区160的像素限定层109中形成开口来 暴露电源供应线106d或106e的一部分(或预定部分)。有才几薄层110形成在被 暴露的阳极108a上，通过开口结合到电源供应线106d或106e的阴极111形 成在像素区140中并且形成在有才几薄层110上。
图6是示意性地示出根据本发明第三实施例的有机发光显示器的剖视 图，并且图6是沿着图1中的线11-12截取的剖视图。
根据本发明第三实施例的有机发光显示器具有与根据第 一 实施例的有机 发光显示器的结构基本相同的结构。然而，阴极111延伸到屏蔽层108c的顶 部(或延伸以位于屏蔽层108c上)。这里，像素限定层109可以位于阴极111 和除了阴极111和屏蔽层108c之间的接触部分之外的剩余部分中的屏蔽层 108c之间。
阴极111延伸到屏蔽层108c的顶部(或延伸以位于屏蔽层108c上)以在阴 极111和屏蔽层108c之间的叠置部分中形成电接触，来减小阴极111和电源 供应线106d或106e之间的接触部分(开口)的大小。结果，可以有效地减少基 底100的无效空间(dead space)。
将参照图7A至图7D更详细地描述根据本发明实施例的具有上述结构的 有机发光显示器的制造方法。
参照图7A，首先，提供其中限定有像素区140和非像素区160的基底 100。在像素区140和非像素区160中的基底100上用Si02和SiNx形成緩冲 层101，在緩冲层101上形成半导体层102。半导体层102是用于提供TFT 的源区、漏区和沟道区的有源层。形成在像素区140中的半导体层102提供 用于驱动OLED 180的TFT的有源层，形成在非像素区160中的半导体层102 提供构成驱动电路(或驱动电路单元)的TFT的有源层。因此，在像素区140 和非像素区160中形成的半导体层102的数量对应于构成像素电路和驱动电 路所需要的TFT的数量。参照图7B,在像素区140和非像素区160中并且在 半导体层102上形成栅绝缘层103,在半导体层102上的栅绝缘层103上形 成栅电极104a。这里，在像素区140中形成结合到栅电极104a的扫描线104b， 在非像素区160中形成从像素区140的扫描线104b延伸的扫描线104b和用 于接收来自外部的信号的焊盘。栅电极104a、扫描线104b和焊盘120由金属 (例如Mo、 W、 Ti和Al)、上述金属的合金或层叠结构(例如，上述金属的层 叠结构)形成。
在像素区140和非像素区160中并且在栅电极104a上形成层间绝缘层 105。层间绝缘层105和栅绝缘层103被图案化以形成接触孔，使得半导体层 102的部分(或预定部分^皮暴露，并将源电极106a和漏电极106b形成为通过
接触孔结合到半导体层102。这里，在像素区140中，形成了结合到源电极 106a和漏电极106b的数据线106c。此外，在非-泉素区160中，形成了从像 素区140的数据线106c延伸的数据线106c、电源供应线106d和106e、护圈 106f和用于接收来自外部源的信号的焊盘120。源电极106a和漏电极106b、 数据线106c、电源供应线106d和106e、护圈106f和焊盘120由金属(例如 Mo、 W、 Ti和Al)、上述金属的合金或层叠结构(例如，上述金属的层叠结构) 形成。
参照图7C,用SiN在像素区140和非像素区160中形成保护层107a后， 用丙烯酰在保护层107a上形成平坦化层107b以使表面平坦化。将平坦化层 107b和保护层107a图案化以在像素区140中形成通孔，以暴露源电极106a 或漏电极106b的一部分(或预定部分)。此外，将平坦化层107b和保护层107a 图案化以在非像素区160中形成通孔，从而暴露了电源供应线106d或106e 的一部分(或预定部分)和护圈106f的一部分(或预定部分)。
根据该实施例，顺序地形成保护层107a和平坦化层107b,然后将平坦 化层107b和保护层107a图案化。然而，本发明不限于此。即，例如，在形 成保护层107a并将其图案化后，然后可以形成平坦化层107b并将其图案化。
然后，在像素区140中形成通过像素区140中的通孔结合到源电极106a 或漏电极106b的阳极108a,在非像素区160中形成屏蔽层108c。屏蔽层108c 形成在非像素区160中并且形成在驱动电路单元上，以通过非像素区160中 的通孔结合到电源供应线106d或106e以及护圈106f。
这里，外围电^各单元和屏蔽层108c通过由保护层107a和平坦化层107b 形成的绝缘层彼此电绝缘。这里，为了最小化(或减小)外围电路单元和屏蔽层 108c之间的寄生电容，将保护层107a和平坦化层107b形成得相对厚。
此外，根据本实施例，为了不增加另外的工艺和掩模，在形成阳极108a 的工艺中形成屏蔽层108c。然而，本发明不限于此，可以通过分开的(或各自 的)工艺形成阳极108a和屏蔽层108c。在一个实施例中，当用相同的阳极材 料在相同的工艺中形成阳极108a和屏蔽层108c时，阳极108a和屏蔽层108c 4皮此电分离。
在前发射型的情况下，阳极材料可以由不透明的无机材料或无机材料的
合金形成。在后发射方法的情况下，阳极材料可以由透明的无机材料或无机
材料的合金形成。不透明的无机材料或无机材料的合金可以是ACX(—种Al
合金)、Ag或Au。透明的无机材料或无机材料的合金可以是ITO、IZO或ITZO。 参照图7D，在像素区140中形成像素限定层109,将像素限定层109图 案化以具有开口，从而暴露阳极108a的部分区域(发射区)。然后，在通过开 口被暴露的阳极109a上形成有机薄层110，在像素区140中并且在有机薄层 IIO上形成阴极lll，以使阴极111结合到电源供应线106d或106e(参照图4)。 根据另一个实施例，在像素区140和非像素区160中形成像素限定层 109,将像素限定层109图案化以在像素区140中形成开口，从而暴露阳极 108a的部分区域(发射区)。此外，像素限定层109还被图案化以在非像素区 160中形成开口，从而暴露电源供应线106d或106e的一部分(或预定部分)。 然后，在通过开口被暴露的阳极108a上形成有机薄层110,在像素区140中 并且在有机薄层110上形成阴才及111,阴极111通过开口结合到电源供应线 106d或106e(参照图5)。
根据另一个实施例，在形成阴极111的工艺中，阴极lll延伸到屏蔽层 108c的顶部(或延伸以位于屏蔽层108c上)，并在阴极111和屏蔽层108c的叠 置部分中彼此电结合(参照图6)。
参照图3A,在基底100上设置密封基底400(其中，OLED180被形成为 面对密封基底400),通过形成在基底100和密封基底400的边缘部分处的密 封材料300将基底100和密封基底400彼此附着，以密封像素区140。在另 一个实施例中，参照图3B，在基底100上形成由有机层420a和无机层420b 的多层结构形成的密封基底420，以密封像素区140。
如前所述，在本发明的实施例中，在非像素区中并且在驱动电路上形成 结合到地电源的屏蔽层，使得有效地保护驱动电路免受ESD的损坏。根据传 统的有机发光显示器，驱动电路被2kV的ESD损坏。然而，根据本发明实施 例的有机发光显示器，可以保护驱动电路免受大约15kV的ESD的损坏。
此外，根据本发明的实施例，在形成阳极的工艺中形成屏蔽层，使得可 以在不增加另外的掩模工艺、另外的掩模、另外的保护元件和/或另外的ESD 保护电路的情况下也可以防止有机发光显示器被损坏(或保护有机发光显示 器不被损坏)，从而降低制造成本。
虽然已经结合特定示例性实施例描述了本发明，但是应该理解的是，本 发明不限于已公开的实施例，而是相反地，本发明意图覆盖包括在本发明的 权利要求及其等同物的精神和范围内的各种改变和等同布置。
权利要求
1、一种有机发光显示器，所述有机发光显示器包括基底，具有像素区和非像素区；有机发光二极管，在像素区中并且包括第一电极、有机薄层和第二电极；驱动电路单元，在非像素区中并且用于驱动有机发光二极管；屏蔽层，在非像素区中并且在驱动电路单元上，屏蔽层电结合到地电源；绝缘层，插入到驱动电路单元和屏蔽层之间。
2、 如权利要求1所述的有机发光显示器，还包括在非像素区的边缘部分 并且电结合到屏蔽层的护圈。
3、 如权利要求1所述的有机发光显示器，还包括在屏蔽层上的保护层。
4、 如权利要求3所述的有机发光显示器，其中，保护层包含有机材料。
5、 如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，屏蔽层和第一电极包含 相同的电才及材料。
6、 如权利要求1所述的有机发光显示器，还包括电源供应线，其中，第 二电极和屏蔽层通过电源供应线结合到地电源。
7、 如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，第二电极延伸以位于屏 蔽层上。
8、 如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，驱动电路单元包括扫描 驱动器和数据驱动器。
9、 如权利要求1所述的有机发光显示器，还包括密封基底，密封基底在 所述基底上并且通过密封材料附着到所述基底以密封像素区。
10、 如权利要求1所述的有机发光显示器，还包括密封层，密封基底在 基底上具有有机层和无机层的多层结构，以密封像素区。
11、 一种制造有机发光显示器的方法，所述方法包括以下步骤 设置具有像素区和非像素区的基底；在像素区中的基底上形成包括栅电极、源电极和漏电极的第 一薄膜晶体 管，在非像素区中的基底上形成第二薄膜晶体管；在像素区和非像素区中并且在第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管上形成 绝缘层；在绝缘层中形成通孔以暴露像素区中的第 一薄膜晶体管的源电极或漏电 极；形成通过在像素区中的通孔结合到源电极或漏电极的第 一 电极；在非像素区中形成屏蔽层；在像素区中形成像素限定层；在像素限定层中形成开口，从而暴露第一电极的一部分； 在开口中的第一电极上形成有机薄层； 在像素区中形成第二电极。
12、 如权利要求11所述的方法，其中，形成第一薄膜晶体管的步骤包括 在像素区中形成第 一薄膜晶体管的源电极和漏电极以及在非像素区中的基底 上形成电源供应线和护圈。
13、 如权利要求12所述的方法，其中，护圈形成在非像素区的边缘部分处。
14、 如权利要求12所述的方法，其中，在绝缘层中形成通孔的步骤包括 在绝缘层中形成第 一通孔以暴露像素区中的第 一薄膜晶体管的源电极或漏电 极，以及在绝缘层中形成第二通孔以暴露在非像素区中的电源供应线和护圈。
15、 如权利要求14所述的方法，其中，屏蔽层电结合到被暴露的电源供 应线和护圈。
16、 如权利要求12所述的方法，其中，像素限定层形成在像素区和非像素区中，其中，在像素限定层中形成开口，从而暴露第一电极和电源供应线。
17、 如权利要求16所述的方法，其中，第二电极结合到被暴露的电源供 应线。
18、 如权利要求11所述的方法，其中，第二电极形成为延伸到屏蔽层上。
19、 如权利要求ll所述的方法，还包括在所述基底上设置密封基底，并 利用密封材料将密封基底附着到所述基底以密封像素区。
20、 如权利要求11所述的方法，还包括在所述基底上形成具有有机层和 无机层的多层结构的密封层以密封像素区。
全文摘要
本发明公开了一种有机发光显示器及其制造方法。该有机发光显示器包括基底，具有像素区和非像素区；有机发光二极管(OLED)，在像素区中，并包括第一电极、有机薄层和第二电极；驱动电路单元，在非像素区中，用于驱动OLED；屏蔽层，在非像素区中并且在驱动电路单元上，屏蔽层电结合到地电源；绝缘层，插入到驱动电路单元和屏蔽层之间。屏蔽层有效地保护在非像素区中的驱动电路单元免受静电放电(ESD)的损坏。此外，该有机发光显示器可以包括在非像素区的边缘部分并电结合到屏蔽层的护圈，以进一步保护驱动电路免受ESD的损坏。
文档编号H01L27/32GK101355096SQ20081009657
公开日2009年1月28日 申请日期2008年5月16日 优先权日2007年7月23日
发明者千海珍, 郭源奎 申请人:三星Sdi株式会社