发光装置的制作方法

专利名称：发光装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及发光装置。特别是，本发明涉及通过提高光取出效率来提高光 电转换效率的发光装置。
背景技术：
作为以往的发光二极管(Light Emitting Diode: LED),例如，有不将活性 层的发光部分位于光取出侧的电极的正下方的LED。该LED具备GaAs基板、 在GaAs基板的一个面上形成的半导体层叠结构、在该半导体层叠结构的一个 面上形成的具有规定的外径的圓形的上部电极、在GaAs的另一个面上形成的 下部电极，其中，所述半导体层叠结构包含n型包覆层和p型包覆层以及被夹 在这两者之间的活性层，在GaAs基板和半导体层叠结构的界面上形成具有比 上部电才及的外径大的内径和外径的同心环状的电流流入区域，在该电流流入区 域的内外形成电流狭窄层(例如，参照专利文献1。)。
在该LED中，从上部电极注入的电流因电流狭窄层而不通过上部电极的 正下方的活性层的部分，而是经过同心环状的电流流入区域流向下部电极。因 此，上部电极的正下方的活性层的部分的发光被抑制，主要的发光是在上部电 极与同心环状的电流流入区域相结合的活性层部分进行，因此能改善光取出效 率。
另外，作为以往的其他的LED，例如，有不将活性层的发光部分位于光 取出侧的电极的正下方而緩和对于活性层的局部的电流集中，同时抑制半导体 基板的光吸收的LED。该LED的结构是，在作为半导体基板和半导体层叠结 构的界的上部电极的正下方的区域形成电流狭窄层，在该电流狭窄层的外侧矩 阵形地配置多个界面电极，由上述电流狭窄层使该界面电极之间绝缘，另外， 在上述界面电极、电流狭窄层和半导体基板之间形成反射层(例如，参照专利 文献2)。
在该LED中，从上部电极注入的电流经过矩阵形地配置的多个电极流向
下部电极，因此，緩和活性层的局部的电流集中，另外，从活性层向半导体基 板一侧射出的光被反射层反射至上部电极一侧。这样，能够抑制活性层发出的 光被半导体基板吸收。
专利文献1:日本特公平6-82862号公l良 专利文献2:美国专利第6784462号公报

发明内容
但是，根据专利文献1所述的LED,从活性层射出的光的一部分被上部 电极和GaAs基板吸收，因此对光取出效率的改善有限。另外，根据专利文献 2所述的LED，除了上述的上部电极所引起的光的吸收之外，在上部电极和多 个界面电极之间的距离有差别，隔着活性层的两电极之间的多个电流通道的电 阻上产生差別。因此，由于在流经活性层的电流上产生差别，因此在亮度、发 热(温度上升)等上产生差别。其结果为，导致LED的驱动电压和寿命在各 元件中参差不齐的不良情况。
因而，本发明的目的是提供一种发光装置，该发光装置可提高光取出效率、 使活性层的发光区域的亮度和发热(温度上升)均一化、抑制元件间的驱动电 压和寿命的参差不齐。
为了实现上述目的，本发明提供一种发光装置，其具备含有发光层的半 导体层叠结构；在半导体层叠结构的一个表面上形成的上部电极；中心与所述 上部电极的中心对应，形成在所述半导体层叠结构的另一表面上的除了所述上 部电极的正下方区域以外的区域中，至少一部分的形状与所述上部电极的外周 形状相似的界面电极；在除了形成界面电极的区域的半导体层叠结构的另一表 面上的区域上形成的、可透过发光层发出的光的电流阻止层；与界面电极电连 接，使发光层发出的光中的透过电流阻止层的光反射至半导体层叠结构的 一个 表面侧的反射层；在反射层的半导体层叠结构的相反侧，与半导体层叠结构电 连接的导电性的支撑基板。
另外，上述发光装置中，上部电极可以形成圆形，界面电极可以形成环状 (annular shape )。并且，形成环状的界面电极可以被形成为具有环形(ring shape),且环形的界面电极的中心与上部电极的中心相一致。另外，上部电极 可以具有圓形或多角形的焊盘电极(pad electrode )部以及接触电极部，接触
电极部在上部与焊盘电极部电连接，在下部与半导体层叠结构的一个表面电接
合，向发光层供电，并且焊盘电极部在除了与接触电极部连接的区域上，也可 以与半导体层叠结构接触。
另外，上述发光装置中，上部电极可以具有圆形或多角形的块状电极、 接触电极部以及电流阻止部，其中接触电极部在上部与焊盘电极部电连接，在 下部与半导体层叠结构的一个表面电接合，向发光层供电，电流阻止部在除了
块状电极部与接触电极部连接的区域之外的区域中，覆盖半导体层叠结构的一 个表面，透过发光层发出的光。
另外，为了实现上述目的，本发明提供一种发光装置，其具备含有发光 层的半导体层叠结构、在半导体层叠结构的一个表面上形成的环形的上部电 极、在半导体层叠结构的另一表面上设置的导电性支撑基板；在导电性支撑基 板的半导体层叠结构一侧的表面上形成的反射层以及在半导体层叠结构的另 一表面和反射层的界面上与环形的上部电极同心地形成、比环形的上部电极的 直径大的环形的界面电极。
根据本发明的发光装置，能够提高光取出效率、使活性层的发光区域的亮 度和发热(温度上升)均一化、抑制元件之间的驱动电压和寿命的参差不齐。


图1A是第1实施方式所涉及的发光装置的纵向断面图。 图1B的(a)是第1实施方式所涉及的发光装置的俯视图，(b)是沿图 1A的A-A线切割的断面的俯视图。
图1C是沿图1B (a)所示的B-B线切割的发光装置1的部分断面图。 图2A是表示第1实施方式所涉及的发光装置的制造工序的一部分的图。 图2B是表示第1实施方式所涉及的发光装置的制造工序的一部分的图。 图2C是表示第1实施方式所涉及的发光装置的制造工序的一部分的图。 图2D是表示第1实施方式所涉及的发光装置的制造工序的一部分的图。 图2E是表示第1实施方式所涉及的发光装置的制造工序的一部分的图。 图3是表示第1实施方式所涉及的发光装置的发光样子的模式图。 图4是第2实施方式所涉及的发光装置的纵向断面图。 图5是第1变形例所涉及的发光装置的纵向断面图。
图6是第2变形例所涉及的发光装置的纵向断面图。
图7的(a)是第3变形例所涉及的发光装置的俯视图，(b)是第3变形 例所涉及的发光装置的断面的俯视图。
图8的(a)是第4变形例所涉及的发光装置的俯视图，(b)是第4变形 例所涉及的发光装置的断面的俯视图。
图9的(a)是第5变形例所涉及的发光装置的俯视图，(b)是第5变形 例所涉及的发光装置的断面的俯视图。
图10A的(a)是第6变形例所涉及的发光装置的俯视图，(b)是第6变 形例所涉及的发光装置的断面的俯视图。
图10B是表示第6变形例所涉及的发光装置的俯视图的焊盘电极和第2 接触电极的位置关系的图。
图IIA的(a)是第7变形例所涉及的发光装置的俯视图，(b)是第7变 形例所涉及的发光装置的断面的俯视图。
图11B是表示第7变形例所涉及的发光装置的俯视图的焊盘电极和第2 接触电极的位置关系的图。
符号说明
1、 2、 3、 4发光装置
5第1层叠结构体
6第2层叠结构体
7a、 7b、 7c、 7d、 7e贴合基板
la、 20a贴合面
10 n-GaAs基板
20支撑基板
30a、 30b、 30c、 30d光路 40a、 40b距离
100、 100a、 100b、 100d、 100e、 101焊盘电极
100c圆弧部分
101a、 110a、 150a界面
102a、 102b、 102c、 102d枝部
110、 111、 112、 113第1绝缘层
120、 120a、 120b、 121、 122、 123第l接触电极
125、 125a、 125b、 126、 127、 128第2接触电极
129a、 129b、 129c、 129d、 129e第2接触电极
129f、 129g、 129h第2接触电极
130、 130a、 131半导体层叠结构
132第1包覆层
134活性层
134a发光点
136第2包覆层
137蚀刻终止层
138第1电流扩散层
139第2电流扩散层
140、 140a、 140b、 140c、 140d、 140e第2绝缘层 141开口 150反射层 160合金化抑制层 170 、 200贴合层 180反射防止层 210、 215 4姿触电极 220外部电极 300、 301间隔距离
具体实施例方式
第1实施方式
图1A表示本发明的第1实施方式所涉及的发光装置的纵向断面图。另外， 图IB的(a)表示本发明的第1实施方式所涉及的发光装置的俯视图，图IB 的(b)表示沿图1A的A-A线切断发光装置时的发光装置的俯视图。
发光装置1的结构
第1实施方式所涉及的发光装置1具备具有作为发出规定的波长的光的
发光层的活性层134的半导体层叠结构130;作为与半导体层叠结构130的一 个表面的一部分电连接的环形的上部电极的一部分的第1接触电极120;在第 1接触电极120的环内覆盖半导体层叠结构130的一个表面的第1绝缘层110; 在第1接触电极120和第1绝缘层IIO的上面设置的作为上部电极的一部分的 引线键合用的焊盘电极100。
此外，发光装置1具备与半导体层叠结构130的一个表面的相对侧的另 一表面的一部分电连接的环形的第2接触电极125;覆盖除了设置第2接触电 极125的区域的半导体层叠结构130的其他表面的第2绝缘层140;在第2接 触电极125和第2绝缘层140的与半导体层叠结构130的另一面接触的面相对 侧上设置的反射层150。
此外，发光装置1具备在反射层150的与第2接触电极125和第2绝缘 层140接触的面相对侧上设置的合金化抑制层160;合金化抑制层160的与反 射层150接触的面的相对侧上设置的贴合层170。并且，发光装置l具备与 贴合层170电和机械地接合的贴合层200;在贴合层200的与贴合层170接合 的面的相对侧上设置的接触电极210;在接触电极210的与贴合层200接触的 面的相对侧上设置的电气导电性的支撑基板20。
另外，发光装置1具备在支撑基板20的设置接触电极210的面的相对 侧上设置的接触电极215;在接触电极215的与支撑基板20连接的面相对侧 上设置的作为芯片键合用电极的外部电极220。
如图1B (a)所示，本实施方式所涉及的发光装置1在俯视图上大致形成 正方形。作为一个例子，发光装置l的平面尺寸中，外形长度L和外形宽度L 各自大致为250|_im。另外，发光装置1的厚度大致形成为200|im。
本实施方式涉及的半导体层叠结构130具有AlGalnP系的化合物半导体的 双异质结构。具体地，半导体层叠结构130是将活性层134夹在第1包覆层 132和第2包覆层136中构成的，所述活性层134是含有包含量子阱结构的 AlGalnP系的化合物半导体而形成的，所述第1包覆层132是包含第1导电型 的n型AlGalnP而形成的，第2包覆层136是包含与第1导电型不同的第2 导电型的p型AlGalnP而形成的。
这里，当从外部供给电流时，活性层134发出规定的波长的光。作为一个
例子，活性层134以发出波长为630nm的红色光的方式来形成。另外，第1 包覆层132含有规定浓度的Si等n型掺杂剂。此外，第2包覆层136含有规 定浓度的Zn、 C等p型掺杂剂。
作为上部电极一部分的接触电极部的第1接触电极120以环形形成在半导 体层叠结构130上。具体地，第1接触电极120是以第1包覆层132的上部的 大致中央作为环中心来形成的。如图1B (a)所示，作为一个例子，第l接触 电极120是以外径cpl为100|im、宽d为20(im的形式来形成的。第1接触电 极120是由与第1包覆层132欧姆接合的导电性材料形成的，例如，由作为n 型用电极材料的包含Au、 Ge和Ni的金属材料形成的。作为一个例子，第1 接触电极120从第1包覆层132—侧，按AuGe/Ni/Au的顺序层叠来形成的。
作为电流阻止部的第]绝缘层110,形成在由第1接触电极120形成的环 内。即，第1绝缘层110是以覆盖由第1接触电极120形成的环内中露出的第 1包覆层132的表面的方式来形成，俯视图的形状为直径大致是60pm的圓形。 第1绝缘层110对于活性层134发出的波长的光是透明的，由电绝缘性的材料 形成。第1绝缘层110作为一个例子是由Si02形成的。
作为上部电极的一部分的焊盘电极部的焊盘电极100以大致的圆形状形 成在半导体层叠结构130的上方。具体地，如图1B的(a)所示，焊盘电极 IOO形成在第1接触电极120和第1绝缘层110之上。这里，焊盘电极100和 第1接触电极120在焊盘电极100的外周上电连接。焊盘电极IOO也可以形成 多角形。
并且，焊盘电极100的中心与第1包覆层132的大致的中央相对应，在焊 盘电极100的正下方的区域中，形成第1接触电极120和第1绝缘层110。作 为一个例子，焊盘电极100以与第1接触电极120的外径(pl有相同尺寸的直 径100pim的方式来形成。另外，焊盘电极100由以Au为主而形成的金属来构 成。
作为电流阻止层的第2绝缘层140是在第2包覆层136的形成活性层134 的一侧的面的相对侧的整个面上形成的。并且，在第2绝^^层140的一部分的 区域中，设有贯通第2绝缘层140的规定形状的槽。在第2绝缘层140上设置 的槽，作为一个例子，按照与第1接触电极120的形状相似的形状来形成。即，
在第2绝缘层140上设置的槽以大致的环形来形成。另外，第2绝缘层140 对于活性层134发出的光是透明的，由电绝缘性材料形成。例如，第2绝缘层 140由Si02形成。
这里，在第2绝缘层140上形成该槽，使得由第1接触电极120所形成的 环的俯视图的中心，与由在第2绝缘层140上设置的槽所形成的环的俯视图的 中心大致一致。第2绝缘层140具有的槽，作为一个例子，是以外径190)im、 内径150|um以及宽20pm的尺寸来形成的。即，在第2绝缘层140上设置的 环形槽的内径比第1接触电极120的外径大。
作为界面电极的第2接触电极125，是在形成于第2绝缘层140上的环形 的槽内填充规定的金属材料来形成。第2接触电极125是通过具有与圓形的焊 盘电极100的外周或第1接触电极120的外周相似的形状来形成的。即，第2 接触电极125是具有与焊盘电极100的外周或第1接触电极120的外周为相似 形状的圆形部分来形成的。作为一个例子，第2接触电极125，如图1B的(b) 所示，是以外径cp2为190)im、内径cp3为150fxm以及线宽为20(im的环状的 环形来形成的。
第2接触电极125是由与第2包覆层136欧姆接合的导电性材料来形成的， 例如，由作为p型用电极材料的包含Au和Be的金属材料来形成。作为一个 例子，第2接触电极125由AuBe电极形成。环状是大体的环状，未必是完全 封闭的形状。另外，环状的内周和外周的形状可以不是完全的圆形，可以是多 少有些形变的形状。另外，第2接触电极125也能够由AuZn电极形成。
材料形成的。作为一个例子，反射层150是以Au为主所形成的金属层。另外， 反射层150与第2接触电极125电连接。合金化抑制层160是由与反射层150 电连接的导电性材料来形成的。作为一个例子，合金化抑制层160是以Ti为 主所形成的金属层。贴合层170是由具有规定的膜厚的导电性材料来形成的。 贴合层170与合金化抑制层160电连接。作为一个例子，贴合层170是以Au 为主所形成的金属层。
另外，贴合层200是由与贴合层170相同的材料来形成的，与贴合层170 接合。具体地，贴合层170和贴合层200是电、机械地连接。接触电极210
是由与支撑基板20电导通的导电性材料来形成的。作为一个例子，接触电极
210是以Ti为主来形成的，与贴合层200电连接。
支撑基板20具有规定的热传导率，并且是由电气导电性材料所形成的基 板。支撑基板20,作为一个例子，是由厚度为200(im的Si形成的。只要支撑 基板20具有电导电性，导电型就可以是n型或p型中的任一种。接触电极215 在接触电极210接触的支撑基板20的面的相对侧的面上，与支撑基板20电连 接来形成的。作为一个例子，接触电极215是以Al为主来形成的。
作为芯片键合用电极的外部电极220与接触电极215电连接，形成在接触 电极215的与支撑基板20连接的面的相对侧的面上。外部电极220形成在接 触电极215的整个面上。作为一个例子，外部电极220是以Au为主来形成的。
具备以上结构的本实施方式的发光装置1是发出红色区域的波长的光的 LED。例如，发光装置l当正向电压为1.95V、正向电流为20mA时，发出峰 波长为630nm的光的红色LED。
图1C表示沿图1B的(a)所示的B-B线切割的发光装置的部分断面图。
本实施方式所涉及的发光装置1中，第1接触电极120和第2接触电极 125分别形成为环形。并且，第1接触电极120和第2接触电极125的各自的 俯视图的中心是以大致一致的方式形成的。即，在俯^L图中，第1接触电极 120和第2接触电极125是以同心圆的方式来配置的。这样，以第2接触电极 的内径和外径以比第1接触电极120的内径和外径大的方式来形成。
因而，在发光装置l的纵断面，从第1接触电极120至第2接触电极125 的最短的距离大致一定。例如，从第l接触电极120a到与第l接触电极120a 距离最短的第2接触电极125a的最短的距离为距离40a，第1接触电极UOb 到与第2接触电极距离最短的第2接触电极125b的最短的距离为距离40b, 则距离40a与距离40b大致相等。
发光装置1的变形例
本实施方式所涉及的发光装置1发出峰波长为630nm的红色区域的光， 但发光装置1发出的光的峰波长并不限定于该波长。控制半导体层叠结构130 的活性层134的结构，也能够形成发出规定的波长范围的光的发光装置1。另 外，发光装置1具备的半导体层叠结构130也能够由包含发出紫外区域、紫色
区域或蓝色区域的光的活性层134的InAlGaN系的化合物半导体，或包含发 出红外区域的光的活性层134的AlGaAs系的化合物半导体来形成。
另外，发光装置1的平面尺寸不限于上述实施方式。例如，发光装置1
据发光装置1的使用用途，也可以适当地变更纵向尺寸和横向尺寸来形成发光 装置1。
另外，活性层134的量子阱结构可以由单一量子阱结构或多重量子阱结构 中的任一种结构来形成。另外，由带隙小的化合物半导体形成活性层134，这 种化合物半导体的带隙比第1包覆层132的带隙和第2包覆层136的带隙中的 任一种都小，也能够形成具有双异质(DH)结构的半导体层叠结构130。
另外，半导体层叠结构130在第1包覆层132的形成第1接触电极120 的面的一侧上，可以进一步具有第l接触层，该第l接触层具有比第1包覆层 132的杂质浓度高的杂质浓度。作为一个例子，第l接触层是由以比第1包覆 层132的杂质浓度高的浓度含有n型掺杂剂的GaAs层来形成的。通过设置第 1接触层，使得在第1接触电极120和第]接触层之间的接触电阻，比第1接 触电极120和第1包覆层132之间的接触电阻低。
同样，半导体层叠结构130在第2包覆层136的形成第2接触电极125 的面的一侧上，可以进一步具有第2接触层，该第2接触层具有比第2包覆层 136的杂质浓度高的杂质浓度。例如，第2接触层是由以比第2包覆层136的 杂质浓度高的浓度含有p型掺杂剂的GaAs层来形成的。通过设置第2接触层， 使得在第2接触电极125和第2接触层之间的接触电阻，比第2接触电极125 和第2包覆层136之间的接触电阻低。
另外，为了抑制位于焊盘电极100正下方的活性层134的发光，也可以形 成第1包覆层132和第2包覆层136，使得第1包覆层132的电阻值比第2包 覆层136的电阻值低。
另外，为了将活性层134发出的光有效地取出至外部，在第1包覆层132 的与活性层134连接的面的相对侧的面的表面和/或第2包覆层136与第2绝 缘层140的界面上，可以设置凹凸，构成规定的尺寸的凹凸部。此外，在活性 层134中，为了在化合物半导体的层叠结构的层叠方向和垂直方向上扩大电流
来供给，在除了设置第1包覆层132的第1接触电极120和第1绝缘层110的
区域之外的区域上，也可以形成作为电流扩散部的ITO (Indium Tin Oxide:铟 锡氧化物)等透明导电材料的透明导电膜。
另外，在活性层134中，为了在化合物半导体的层叠结构的层叠方向和垂 直方向上扩大电流来供给，可以以枝状形成第1接触电极120的形状，使第1 接触电极120作为电流扩散部发挥功能。此时，将形状与第1接触电极120 的形状相似、尺寸比第1接触电极120的形状大的第2接触电极125，形成在 第2包覆层136的活性层134的相对侧的面上。只要第2接触电极125的形状 至少满足第1接触电极120的外周部分到第2接触电极125的内周部分的距离 大致相同的条件，就可以不必与第1接触电极120的形状严格相似。
另外，支撑基板20可以由金属板或合金板形成，所述金属板由作为电气 导电材料的Cu、 Al等金属材料形成，所述合金板由CuW等合金材料形成。 另外，为了提高耐腐蚀性、或者降低接触电极210、接触电极215与支撑基板 20之间的接触电阻，支撑基板20也可以由具有层叠多个导电性材料的多层结 构的基板来形成，或者作为一个例子，由具有超过200pm的厚膜的结构的基 板来形成。
此外，分别构成第1接触电极120、第2接触电极125、接触电极210、 接触电极215的导电性材料不限于上述实施例，可根据与接触于各电极的材料 的接触电阻值等进行适宜的变更。另夕卜，形成反射层150的导电性材料能够适
发光装置1的制造方法
图2A至图2E表示本发明的第1实施方式所涉及的发光装置的制造工序 的流程。
首先，如图2A( a )所示，例如，通过有机金属化学气相沉积法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition : MOCVD )，在n-GaAs基板10上形成含有多层的 AlGalnP的外延层。
具体地，在n-GaAs基板10上，以如下顺序形成以InGaP为主形成的蚀 刻终止层137、含有n型AlGalnP的第1包覆层132、含有量子阱结构的活性 层134、含有p型AlGalnP的第2包覆层136。这样，在n-GaAs基板10上，
形成含有多个外延生长层的半导体层叠结构131。
n-GaAs基板10上的半导体层叠结构131也可以采用分子束外延法 (Molecular Beam Epitaxy: MBE )或氢化物气相外延法(Halide Vapor Phase Epitaxy: HVPE )等来形成。
接着，在第2包覆层136的与活性层134连接的面的相对侧的面的整个面 上，采用化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition: CVD法)、真空蒸镀法 或賊射法形成作为第2绝缘层140的Si02。并且，采用光刻法和蚀刻法，如 图2A (b)所示，在第2绝缘层140上形成俯视图的形状为环形的开口 141。 这样，从开口 141露出第2包覆层136的表面。
接着，在除了第2绝缘层140的开口 141的区域上，釆用光刻法形成抗蚀 层。并且，采用真空蒸镀法，在抗蚀层上和第2绝缘层140的开口 141上，蒸 镀含有AuBe的金属材料。接着，采用剥离法，只残留被蒸镀在开口 141的金 属材料。这样，如图2A(c)所示，在形成于第2绝缘层140的开口 141内， 填充含有AuBe的金属材料，形成第2接触电极125。
接着，如图2B(d)所示，在第2接触电极125和第2绝缘层140上，釆 用真空蒸镀法或溅射法，按如下顺序连续地形成以Au为主所形成的反射层 150、以Ti为主所形成的合金化抑制层160、以Au为主所形成的贴合层170。 这样，能得到主要由化合物半导体的层叠结构所形成的第l层叠结构体5。
为了提高反射层150相对于第2绝缘层140的密合性，在第2绝缘层140 和反射层150之间，也可以形成提高第2绝缘层140和反射层150的密合性的 密合层。密合层优选具有电传导性，同时，由容易透过活性层134发出的光的 材料来形成，或者以能够提高第2绝缘层140和反射层150的密合性的最低限 度的厚度来形成。
接着，在作为支撑基板20的Si基板表面上，利用真空蒸镀法或溅射法， 形成以具有电气导电性的Ti为主所形成的接触电极210、以Au为主所形成的 贴合层200。这样，能够得到主要由支撑基板20所形成的第2层叠结构体6。 并且，如图2B(e)所示，使第1层叠结构体5的贴合面la和第2层叠结构 体6的贴合面20a相向重合，用规定的夹具保持该状态。
接着，将保持着第l层叠结构体5和第2层叠结构体6重合状态的夹具，
导入在微机械用等中使用的晶片贴合装置内。并且，使晶片贴合装置内为规定 压力的真空状态。并且，向通过夹具互相重合的第l层叠结构体5和第2层叠 结构体6施加规定的均一的压力。接着，用规定的升温速度将夹具加热至规定 的温度。
夹具的温度达到35(TC左右后，将夹具在该温度下保持大约1个小时。然
后，逐渐冷却夹具。使夹具的温度，例如充分降至室温。夹具的温度降低后， 释放施加于夹具的压力。并且，使晶片贴合装置内的压力为大气压，取出夹具。
这样，如图2C (f)所示，形成的贴合基板7a为，第1层叠结构体5和 第2层叠结构体6在贴合层170和贴合层200之间机械和电接合。
在本实施方式中，笫l层叠结构体5具有合金化抑制层160。因而，即使 用贴合面la和贴合面20a接合第1层叠结构体5和第2层叠结构体6时，也 可防止反射层150由于贴合时的压力等所引起的变形。另外，合金化抑制层 160能防止由于贴合时的热所引起的形成贴合层170和贴合层200的材料向反 射层150扩散，并防止反射层150的反射特性劣化。
接着，用规定的贴付用蜡将支撑基板20贴付于规定的研磨板上。并且， 研磨n-GaAs基板10,使n-GaAs基板10的厚度达到大约30jim。接着，从研 磨板上取下研磨后的贴合基板7a，洗净除去附着于支撑基板20的表面的蜡。
并且，如图2C (g)所示，采用GaAs蚀刻用蚀刻剂来蚀刻研磨后的贴合 基板7a。并且，从贴合基板7a选择性地完全除去n-GaAs基板，形成贴合基 板7b。作为GaAs蚀刻用的蚀刻剂，可以例举出如以规定的比例混合氨水和过 氧化氬水的混合液所构成的蚀刻剂。
接着，如图2D (h)所示，采用规定的蚀刻剂，利用蚀刻从贴合基板7b 上除去以InGaP为主所形成的蚀刻终止层137。这样，形成除去蚀刻终止层137 的贴合基板7c。作为规定的蚀刻剂，可以采用含有盐酸的蚀刻剂，作为一个 例子，可以例举出以规定的比例混合盐酸和磷酸的混合液所构成的蚀刻剂。
接着，在第1包覆层132的上面的大致整个面上，采用CVD法形成Si02。 并且，如图2D(i)所示，采用光刻法，在第1包覆层132的上面的大致中央， 形成具有直径约为60jim的大体圆形的第1绝缘层110。这样，形成贴合基板 7d。
接着，如图2E (j)所示，采用真空蒸一渡法和光刻法，在第1绝缘层110
的周围，形成具有宽约为20(am的环形的第1接触电极120。这里，第1接触 电极120是以AuGe/Ni/Au为主形成的。
接着，采用真空蒸镀法和光刻法，在第1绝缘层110和第1接触电极120 的上部，形成焊盘电极100。为了防止焊盘电极100从第1绝缘层IIO上剥离， 优选在第1绝缘层IIO和焊盘电极IOO之间插入密合性材料。这里，该密合性 材料优选由容易透过活性层134发出的光的材料来形成，或者由相对于活性层 134发出的光具有规定的反射率的材料来形成。例如，该密合性材料能够以Ti 为主来形成。
接着，在第1包覆层132的表面中，采用蚀刻技术和/或光刻法，在未形 成第1绝缘层110和第1接触电极120的区域上，形成细^:的凹凸。通过形成 这样的细微的凹凸，活性层134发出的光在第1包覆层132和空气的界面上全 反射，能够抑制返回到活性层134的一侧。
此外，釆用真空蒸镀法，在支撑基板20的下方的面的整个面上，形成以 Al为主所形成的接触电极215和芯片键合用的外部电极220。接着，在规定的 温度、规定的氛围下，对形成有第1绝缘层110、第1接触电极120、焊盘电 极100、接触电极215、外部电极220的贴合基板7e实施合金化处理。
接着，利用蚀刻处理或使用半模(half dice )的台面隔离(mesa isolation) 工艺，将合金化处理完的贴合基板7e分离成多个元件结构。并且，通过对台 面隔离工艺后的合金化处理完的贴合基板7e实施切割处理，形成多个发光装 置1。这样，形成图2E (k)所示的发光装置1。
形成的发光装置l采用Ag糊剂等实装于规定的晶体管管座上。并且，通 过用规定的树脂成型实装了发光装置1的晶体管管座，来用树脂密封发光装置 1。评价树脂密封的发光装置1时，正向电压为1.95V，正向电流为20mA时 的峰波长为630nm,发光输出是25mW至27mW。即，发光装置1的光电转 换效率大约为64%以上。
将发光装置1实装于晶体管管座时，从放热性的角度考虑，优选采用AuSn 等共晶合金进行实装。
在由形成于蓝宝石基板上的InAlGaN系的化合物半导体材料所形成的化
合物半导体层叠结构，形成发光装置l时，通过使用与上述工序同样的工序， 可以形成能够在发光装置的上下方向流通电流的发光装置。图3表示本发明的第1实施方式所涉及的发光装置的发光的模式的样子。 发光装置1的活性层134，在供给电流时发出规定的波长的光。例如，例示了在活性层134中的^L定的点上产生光的情形。活性层134中的发光点134a 发出的光的一部分，如光路30a和光路30c所示，经过第2包覆层136和第2 绝缘层140传播，在反射层150与第2绝缘层140的界面150a上被反射，被 放射到发光装置1的外部。另夕卜，活性层134中的发光点134a发出的光的一部分，如光路30b所示， 经过第1包覆层132传播，直接放射到外部。此外，活性层134中的发光点 134a发出的光的一部分，如光路30d所示，经过第1包覆层132和第1绝缘 层110传播，首先在焊盘电极100和第1绝缘层110的界面110a上被反射至 反射层150的一侧。并且，在焊盘电极IOO上反射的光，在界面150a上被反 射至发光装置1的外部，放射到发光装置1的外部。另外，向本实施方式所涉及的发光装置1供给至多为100mA的电流，测 定电流-光输出特性。其结果为，在发光装置l中，当电流不大于100mA时， 对于电流的光输出的直线性良好。这是缘于以下2个理由。首先，l个理由是 因为，发光装置1具备的支撑基板20,是由与热传导率大约为0.5W/cnrK的 GaAs相比热传导率大约为1.5W/cm.K的Si形成的，因此发光装置1产生的热 容易被放出到外部。另外，第2个理由是因为，在本实施方式所涉及的发光装置1中，第1 接触电极120和第2接触电极125的距离被形成为一定，因此与第2接触电极 125为多个间距的接触电极的情形相比，可提高光电转换效率。因而，在发光 装置1中产生的热与以往的LED相比被降低。第1实施方式的效果本发明的第1实施方式所涉及的发光装置1,通过使第1接触电极120和 第2接触电极125之间的距离大致一定，能够使流向第2接触电极的电流 的电流密度在第2接触电极125的任何位置上都大致相同。这样，能够降低发 光装置1的驱动电压，同时又能抑制活性层134局部性的发光，得到稳定的发
光。
另外，本实施方式所涉及的发光装置1，能够使流向第2接触电极125的
电流的电流密度在第2接触电极125的任何位置上大致相同，因此能够降低从 1片基板分离的多个发光装置1的各自正向电压的参差不齐和多个发光装置1 的各自亮度的参差不齐。
另外，本实施方式所涉及的发光装置1，通过使第1接触电极120和第2 接触电极125之间的距离大致一定，能够使流向第2接触电极125的电流的电 流密度在第2接触电极125的任何位置上都大致相同。这样，即使向发光装置 l供给大电流时，在第2接触电极125的一部分上不会有局部的电流集中，因 此能够抑制在活性层134上的局部电流集中，降低发光装置1的发热。
另外，在本实施方式所涉及的发光装置1中，第1接触电极120的形状和 第2接触电极125的形状都是环形，不需要形成具有细微形状的多个第2接触 电极，因此，发光装置1的制造工序比以往的发光装置的制造工序容易，也能 提高制造发光装置1的成品率。
另夕卜，在本实施方式所涉及的发光装置1中，除了焊盘电极100的外周部 分，在焊盘电极100的正下方并不形成第2接触电极125，因此能够抑制焊盘 电极100的正下方的活性层134的发光。这样，能提高发光装置1的光取出效 率。
另外，本实施方式所涉及的发光装置1具备反射层150,同时，隔着在环 形的第1接触电极120的内侧部分的、透过活性层134发出的光的第l绝缘层 110,具备焊盘电极IOO。因而，活性层134发出的光，在焊盘电极100和第1 绝缘层110的界面上被反射到反射层150—侧，由反射层150反射向发光装置 1的外部。这样，发光装置1的光取出效率大幅提高。
此外，在本实施方式所涉及的发光装置1中，光电转换效率高，发光所需 要的电力少，因此将发光部件用于像手机等移动通信终端这样的希望能抑制电 池的消耗的设备时，使用本实施方式所涉及的发光装置l是有效的。
另外，在本实施方式所涉及的发光装置1中，由于光电转换效率高、发光 所需要的电力少，因此能够降低由于注入电流所产生的热。这样，即使在供给 大电流的时候，发光装置l也能降低发热所引起的光量低下等不良情况，能够
延长发光装置1的寿命。另外，发光装置1中产生的热被减少，因此能够减小 由于发热而变化的光输出特性等特性变化的系数。因而，发光装置l，作为一 个例子，在用于供给大电流来发光的灯的用途中是有效的。 第2实施方式
图4表示本发明的第2实施方式所涉及的发光装置的纵向断面图。
第2实施方式所涉及的发光装置2与第1实施方式所涉及的发光装置1
相比，除了焊盘电极101的形状和不具有第1绝缘层110之外，具有大致相同
的结构，因此，除了不同点之外，省略详细的说明。
发光装置2在第1包覆层132上具备环形的第1接触电极120。并且，在
第1接触电极120的环内和第1接触电极120上，形成焊盘电才及101。焊盘电
极101，作为一个例子，以Au为主形成。并且，焊盘电极101与第1接触电
极120电连接。
焊盘电极101与第1包覆层132在界面101a上连接，但焊盘电极101和 第1包覆层132不需要电连接。即，所谓的悍盘电极101和第1包覆层132 不需要至少是欧姆接触。另外，焊盘电极101优选由对活性层134发出的光具 有规定的反射率的导电性材料来形成。
第1变形例
图5表示本发明的第1变形例所涉及的发光装置的纵向断面图。
第1变形例所涉及的发光装置3与第1实施方式所涉及的发光装置l相比， 除了进一步具有反射防止膜180之外，具有大致相同的结构，因此，除了不同 点之外，省略详细的i兌明。
反射防止膜180由相对于活性层134发出的光透明的材料形成。不具备反 射防止膜180的发光装置1中，活性层134发出的光的一部分，在第1包覆层 132与发光装置1的外部的空气的界面上，被反射至活性层134的一侧。但是， 通过在第1包覆层132的表面上形成反射防止膜180,能够防止活性层134发 出的光在第1包覆层132的表面被反射至活性层134的一侧。
第2变形例
图6表示本发明的第2变形例所涉及的发光装置的纵向断面图。
第2变形例所涉及的发光装置4与第1实施方式所涉及的发光装置1相比，
除了进一步具备第1电流扩散层138和第2电流扩散层139之外，具有大致相同的结构，因此，除了不同点之外，省略详细的说明。发光装置4具备的半导体层叠结构130a，具有将第1实施方式所涉及的 半导体层叠结构130夹入第1电流扩散层138和第2电流扩散层139之间的结 构。即，半导体层叠结构130a,在设置第1接触电极120的一侧，具有电阻 率比第1包覆层132的电阻率小的第1导电型的第1电流扩散层138。作为一 个例子，第1电流扩散层138可以由n型的AlGaAs形成。另外，半导体层叠结构130a，在设置第2包覆层136的第2接触电极125 的一侧上，具有电阻率比第2包覆层136的电阻率小的第2导电型的第2电流 扩散层139。例如，第2电流扩散层139可以由p型AlGaAs形成。各半导体 层的电阻率可利用掺杂的掺杂剂浓度来调节。这样，从第2接触电极125向半导体层叠结构130供给的电流，与不具有 第1电流扩散层138和第2电流扩散层139的情况相比，被扩散供给于活性层 134,因此在发光效率4是高的同时，还降低发光装置4的驱动电压。半导体层叠结构130a可以只具有第1电流扩散层138和第2电流扩散层 139的任一种来形成。第3变形例图7 (a)表示第3变形例所涉及的发光装置的俯视图，(b)表示第3变 形例所涉及的发光装置的断面的俯视图。第3变形例所涉及的发光装置与第1实施方式所涉及的发光装置1相比， 除了作为上部电极的焊盘电极和第1接触电极的形状、以及第2接触电极的形 状不同之外，具有大致相同的结构，因此，除了不同点之外，省略详细的说明。第3变形例所涉及的发光装置所具备的焊盘电极100a,具有含有规定的 直径cp4的圓形部分和含有规定的线宽的多个枝状部分。多个枝状部分是以分 别从圓形部分向第1包覆层132的顶角方向延伸的方式来形成的。具体地，如 图7的(a)所示，焊盘电极100a形成在第1接触电极121和第1绝缘层111 上。这里，焊盘电极100和第1接触电极121，在焊盘电极100a的外周上电 连接。并且，焊盘电极100a的中心是以与第1包覆层132的大致的中央相对应
的方式来形成的，同时，在焊盘电极100a的正下方的区域上，形成第l接触 电极121和第1绝缘层111。作为一个例子，焊盘电极100a的圆形部分的直 径q>4形成为lOO)am，第1接触电极121的圓形部分的外周的直径也形成为 lOO(im。另夕卜，焊盘电极100a的枝状部分的宽，作为一个例子大约形成为20|im宽。
第3变形例中的第2绝缘层140a上所设置的槽，是以具有与焊盘电极100a 的外周或第1接触电极121的外周相似形状的方式来形成的。具体地，是与第 1接触电极121为相似形状、形状比第1接触电极121的大小大的槽，形成在 第2绝缘层140a上。并且，第2接触电极126是通过在形成于第2绝缘层140a 上的槽内填充规定的金属材料来形成的。第2接触电极126的圆形部分之中， 内径cp5是以比焊盘电极100a的圆形部分的直径cp4大的方式来形成的。
第4变形例
图8 U)表示第4变形例所涉及的发光装置的俯视图，(b)表示第4变 形例所涉及的发光装置的断面的俯视图。
第4变形例所涉及的发光装置与第1实施方式所涉及的发光装置1相比， 除了作为上部电极的焊盘电极和第1接触电极的形状、以及第2接触电极的形 状不同之外，具有大致相同的结构，因此除了不同点之外，省略详细的说明。
第4变形例所涉及的发光装置所具备的焊盘电极100b，具有包含一边的 长度为规定的长度L1的部分和规定的曲率的圆弧部分100c。具体地，如图8 的(a)所示，焊盘电极100b形成在第1接触电极122和第1绝缘层112之上。 即，焊盘电极100b以大概的正方形来形成的同时，各顶角以规定的圆弧状来 形成。这里，焊盘电极100b和第1接触电极122在焊盘电极100b的外周上电 连接。并且，焊盘电极100b的中心是以与第1包覆层132的大致的中央相对 应的方式来形成的，同时，在焊盘电极100b的正下方的区域中，形成第l接 触电极122和第1绝缘层112。
第4变形例中的第2绝缘层140b上所设置的槽，是以具有与焊盘电极100b 的外周或第1接触电极122的外周相似形状的方式来形成的。具体地，与第1 接触电极122为相似形状、形状比第1接触电极122的大小大的槽形成在第2 绝缘层140b上。并且，第2接触电极127是通过在形成于第2绝缘层140b
上的槽内填充规定的金属材料来形成的。第2接触电极127的内侧的边长L2 是以比焊盘电极100b的边长L1大的形式来形成的。 第5变形例
图9 (a)表示第5变形例所涉及的发光装置的俯视图，(b)表示第5变 形例所涉及的发光装置的断面的俯视图。
第5变形例所涉及的发光装置与第1实施方式所涉及的发光装置1相比， 除了作为上部电极的焊盘电极和第1接触电极的形状以及第2接触电极的形状 不同之外，具有大致相同的结构，因此除了不同点之外，省略详细的说明。
第5变形例所涉及的发光装置具备的焊盘电极100d包含具有规定的直径 (p6的圓形部分和具有规定的线宽的多个枝状部分。多个枝状部分分别从圆形 部分向着第i包覆层132的顶角方向和第1包覆层132的各边方向来形成。具 体地，如图9的(a)所示，焊盘电极100d形成在第1接触电极123和第1绝 缘层113之上。这里，焊盘电极100d和第l接触电极123在焊盘电极100d的 外周上电连接。
并且，焊盘电极100d的中心是以与第1包覆层132的大致的中央相对应 的方式来形成的，同时，在焊盘电极100d的正下方的区域上，形成第l接触 电极123和第1绝缘层113。作为一个例子，焊盘电极100d的圆形部分的直 径cp6形成为100(im，第1接触电极123的圓形部分的外周的直径也形成为 100(am。另夕卜，焊盘电极100a的枝状部分的宽，作为一个例子大约形成为20jim 宽。
第5变形例中的第2绝缘层140c上设置的槽是以具有与焊盘电极100d的 外周或第1接触电极123的外周相似形状的方式来形成的。具体地，是与焊盘 电极100d的外周或第1接触电极123的外周相似的形状，从第2绝缘层140c 中除去形状比第1接触电极123的外周大小大的规定区域。并且，第2接触电 极128是在除去第2绝缘层140c的区域上蒸镀规定的金属材料来形成。
即，在第5变形例中，第2接触电极128和第2绝缘层140c的接触部分 的形状是以与第1接触电极123的外周或焊盘电极100d的外周为相似形状的 方式来形成的。另外，第2接触电极128的内周的圆形部分的直径cp7是以比 焊盘电极100d的圆形部分的直径cp6大的方式来形成的。
第6变形例图10A (a)表示第6变形例所涉及的发光装置的俯视图，图10A (b)表 示第6变形例所涉及的发光装置的断面的俯视图。另外，图10B表示第6变 形例所涉及的发光装置的俯视图的焊盘电极和第2接触电极的位置关系。第6变形例所涉及的发光装置与第1实施方式所涉及的发光装置1相比， 除了作为上部电极的焊盘电极的形状以及第2接触电极的形状不同之外，具有 大致相同的结构，因此除了不同点之外，省略详细的说明。作为第6变形例所涉及的发光装置具备的上部电极的焊盘电极100e,包 含具有规定的直径的圆形部分和具有规定的线宽的多个枝部(例如，枝部102a， 枝部102b，枝部102c等)。如图10A(a)所示，多个枝部分别从圆形部分向 着第1包覆层132的顶角方向和第1包覆层132的各边方向来形成。并且，焊 盘电极100e的中心是以与第1包覆层132的大致的中央相对应的方式来形成 的。作为一个例子，焊盘电极100e的圓形部分的直径形成为大约为100pm, 作为一个例子，多个枝部分别是以大约0.5iim的宽来形成的。圆形部分的直径 和枝部的宽并不限于上述例子。例如，枝部的宽可以形成为0.5jim以上20(im 以下，优选形成为0.5(im以上5jim以下。第6变形例中的第2绝缘层140d上设置的槽具有与焊盘电极100e的外周 的至少一部分为相似形状的部分，形成为线状。并且，第2绝缘层140d上设 置的线状的槽，如图IOA的(b)所示，从俯视图看，分别形成在没有与焊盘 电极100e重合的位置上。例如，从上面观察第6变形例所涉及的发光装置时， 在第2绝缘层140d上形成多个槽，使得在枝部102a和枝部102b之间配置有 第2接触电极129a和第2接触电极129b。第2绝缘层140d上设置的槽是以具有规定的宽来形成的，所述宽度能够 形成具有希望的宽的第2接触电极。第2绝缘层140d上设置的槽，作为一个 例子是以0.5)im的宽来形成的。并且，第2接触电极129 (例如，第2接触电 极129a、 129b、 129c、 129d、 129e等)，是在除去第2绝缘层140d而形成的 多个槽的区域上分别蒸镀规定的金属材料来形成的。通过变窄第2接触电极 129的线宽，使与第1包覆层132的俯视图的面积相对的多个第2接触电极129 的合计的面积的比例减少，使得能够减少活性层134发出的光被第2接触电极
129吸收的量。
具体地，在图10B中，表示焊盘电极100e和第2接触电极的位置关系。 例如，从上面》见察发光装置时，在枝部102a和枝部102b之间配置线状的第2 接触电极129a和线状的第2接触电极129b。即，从俯视图来看，第2接触电 极129a形成为与枝部102a大致平行的样子。同样，从俯一见图来看，第2接触 电极129b形成为与枝部102b大致平行。
此时，作为第2接触电极129a的外周、并且从俯视图来看与枝部102a的 外周相近一侧的外周的一部分，成为具有与枝部102a的外周的一部分相似的 形状的相似部分310a。同样，作为第2接触电极129b的外周、并且从俯视图 来看与枝部102b的外周相近一侧的外周的一部分，成为具有与枝部102b的外 周的一部分相似的形状的相似部分310b。并且，在第2接触电极129a和第2 接触电极129b的连接部分的外周中，与焊盘电极100e相近一侧的外周，成为 具有与焊盘电才及100e的外周的一部分相似的形状的相似部分310c。
另外，在第6变形例所涉及的发光装置中，第2接触电极和枝部之间的俯 视图中的间隔，分别以大致一定的间隔(间隔距离300)来形成。例如，第2 接触电极129a和枝部102a之间的俯视图中的间隔，与第2接触电极129e和 枝部102a之间的俯视图中的间隔分别大致相等。同样，第2接触电极129b和 枝部102b之间的俯视图中的间隔，与第2接触电极129c和枝部102b之间的 俯视图中的间隔分别大致相等。其他的第2接触电极和枝部的关系也一样，因 此省略详细的"i兌明。
第7变形例
图11A (a)表示第7变形例所涉及的发光装置的俯视图，图11A (b)表 示第7变形例所涉及的发光装置的断面的俯视图。另外，图11B表示第7变 形例所涉及的发光装置的俯视图的焊盘电极和第2接触电极的位置关系。
第7变形例所涉及的发光装置与第1实施方式所涉及的发光装置1相比， 除了作为上部电极的焊盘电极的形状和第2接触电极的形状不同之外，具有大 致相同的结构，因此，除了不同点，省略详细的说明。另外，作为第7变形例 所涉及的发光装置具备的上部电极的焊盘电极100e,具有与第6变形例所涉 及的发光装置具备的焊盘电极100e大致相同的结构，因此省略详细的说明。
第7变形例中的第2绝缘层140e上设置的槽，从距焊盘电极100e的外周 的至少一部分的俯视图中的距离大致相同的位置，向着规定方向线状地形成。 并且，第2绝缘层140e上设置的线状的槽，如图11A的(b)所示，从俯视 图来看，分别形成在不与焊盘电极100e重合的位置上。
例如，从上面观察第7变形例所涉及的发光装置的时候，在第2绝缘层 140e上形成槽，使得枝部102a和枝部102b之间配置第2接触电极129f。同 样，从俯一见图来看，在第2绝缘层140e上形成槽，^吏得在枝部102b和枝部 102c之间配置第2接触电极129g。在第2绝缘层140e中，分别形成多个槽， 使得在多个枝部之间分别配置第2接触电极，由于与第2接触电极129f同样 地配置，因此省略详细的说明。
在第2绝缘层140e上设置的槽，作为一个例子，以0.5pm的宽来形成。 并且，第2接触电极129 (例如，第2接触电极129f、 129g、 129h等)是在除 去第2绝缘层140e而形成的多个槽的区域中分别蒸镀规定的金属材料来形成的。
具体地，在图11B中，表示焊盘电极100e和第2接触电极的位置关系。 例如，从上面观察发光装置时，在枝部102a和枝部102b之间配置线状的第2 接触电极129f。同样地，在枝部102b和枝部102c之间配置线状的第2接触电 极129g,在枝部102c和枝部102d之间配置线状的第2接触电极129h。由于 其他的第2接触电极也同样地配置，因此省略详细的说明。
此时，从俯视图来看，夹着第2接触电极的第1枝部以及第2枝部与到该 第2接触电极的焊盘电极100e侧的端部的距离(间隔距离301 )，和从第2接 触电极的焊盘电极100e侧的端部到焊盘电极100e的圆形部分的外周的距离 (间隔距离301 )大致相等，以此方式分别形成第2接触电极。例如，第2接 触电极129h的端部X与到焊盘电极100e的外周的俯视图中的间隔距离301、 从端部X到枝部102c的俯视图中的间隔距离301和从端部X到枝部102d的 俯视图的间隔距离301分别大致相等。其他的第2接触电极和枝部的位置关系 也相同，因此省略详细的说明。
以上，说明了本发明的实施方式和变形例，但上述所述的实施方式和变形 例并不限定专利的权利要求所涉及的发明。另外，应该注意的是，在实施方式
必需的。
权利要求
1. 一种发光装置，其具备含有发光层的半导体层叠结构；在所述半导体层叠结构的一个表面上形成的上部电极；中心与所述上部电极的中心对应，形成在所述半导体层叠结构的另一表面上的除了所述上部电极的正下方区域以外的区域中，至少一部分的形状与所述上部电极的外周形状相似的界面电极；在所述半导体层叠结构的所述另一表面上的除了形成所述界面电极的区域之外的区域上形成的、可透过所述发光层发出的光的电流阻止层；与所述界面电极电连接，使所述发光层发出的光中的透过所述电流阻止层的光反射至所述半导体层叠结构的所述一个表面侧的反射层；在所述反射层的所述半导体层叠结构的相反侧，与所述半导体层叠结构电连接的导电性的支撑基板。
2. 根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述上部电极形成为圆形， 所述界面电极形成为环状。
3. 根据权利要求2所述的发光装置，其中，形成环状的所述界面电极被 形成为具有环形，且所述环形的界面电极的中心与所述上部电极的中心相一 致。
4. 根据权利要求3所述的发光装置，其中，所述上部电极具有圆形或多角形的焊盘电极部，以及在上部与所述焊盘电 极部电连接，在下部与所述半导体层叠结构的所述一个表面电接合，向所述发 光层供电的接触电极部，所述焊盘电极部在除了与所述接触电极部连接的区域之外的区域上，与所 述半导体层叠结构接触。
5. 根据权利要求3所述的发光装置，其中， 所述上部电极具有圆形或多角形的焊盘电极部；在上部与所述焊盘电极部电连接，在下部与所述半导体层叠结构的所述一 个表面电接合，向所述发光层供电的接触电极部；所述半导体层叠结构的所述一个表面，所述发光层发出的光可透过的电流阻止 部。
6. —种发光装置，其具备 含有发光层的半导体层叠结构；在所述半导体层叠结构的一个表面上形成的环形的上部电极； 在所述半导体层叠结构的另一表面上设置的导电性支撑基板； 在所述导电性支撑基板的所述半导体层叠结构一侧的表面上形成的反射层；在所述半导体层叠结构的所述另一表面和所述反射层的界面上、与所述环 形的所述上部电极同心地形成、直径大于所述环形的所述上部电极的环形的界 面电极。
全文摘要
本发明提供一种发光装置，其可以提高光取出效率、使活性层发光区域的亮度和发热均一、抑制元件间驱动电压和寿命的参差不齐。本发明的发光装置具备含有发光层的半导体层叠结构；在半导体层叠结构的一个表面上形成的上部电极；在中心与上部电极的中心对应、除了上部电极正下方区域的半导体层叠结构的另一表面的区域上，形成至少一部分具有与上部电极的外周相似形状的部分的界面电极；在除了形成界面电极的半导体层叠结构的其他表面上的区域上形成的、可透过发光层发出的光的电流阻止层；与界面电极电连接，使透过电流阻止层的光反射至半导体层叠结构的一个表面侧的反射层；在反射层的半导体层叠结构的相反侧，与半导体层叠结构电连接的导电性支撑基板。
文档编号H01L33/38GK101393956SQ20081012724
公开日2009年3月25日 申请日期2008年6月30日 优先权日2007年9月18日
发明者新井优洋, 海野恒弘 申请人:日立电线株式会社