电光装置及电子设备的制作方法

专利名称：电光装置及电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及如液晶装置等的电光装置及具备该电光装置的如液晶投影 机等电子设备的技术领域。
背景技术：
在这种电光装置中，在由多个像素构成的显示区域按纵横所排列的多 条扫描线及数据线以及对应于它们的各交叉处的多个像素电极，设置于
TFT ^i4l上。这种电光装置普遍采用例如利用TFT( Thin Film Transistor, 薄膜晶体管)驱动的有源矩阵驱动方式，对应于各像素设置像素开关用 TFT。对数据线所供给的图像信号，相应于在各像素所形成的像素开关用 TFT的开关工作，被供给像素电极，在显示区域显示图像。除此之外，在 形成有TFT的TFT阵列基tl上，在位于显示区域周边的周边区域，形成 用来控制多个像素的各种周边电路。这种周边电路例如包括TFT等的晶体 管来构成。
例如，在专利文献l中，公示出一种通过调整遮光膜和晶体管的栅电 极、漏电极之间的耦合电容来抑制晶体管特性的劣化、不一致的技术。 专利文献1: 特开平10-70277号>^净艮
在这种电光装置作为投影机的光阀来使用时，因为透射周边区域的周 边电路后的透射光一部分对于显示区域斜向行进，所以在显示区域的边缘 附近有可能产生来自周边区域的光泄漏。再者，还有可能产生a周边 区域后的折返光在周边电路进行再反射，最后混入从显示区域出射的光的 状况。其结果为，有可能与周边电路处的反射、透射相应的明暗图形(例 如，与构成周边电路的多个晶体管的排列图形相应的明暗图形)在显示图
像的边缘附近被反映出。
因此，有时在^上的下述晶体管下层侧(或者出射光的出射侧)设 置遮光膜，该晶体管构成周边区域的、在显示区域的边缘附近所设置的周 边电路。据此，可以抑制上述因来自周边区域的光泄漏、周边电路的光反 射导致的对显示图像的不良影响。
但是，存在下述技术上的问题所在，即，有可能因为在构成周边电路 的晶体管下层侧所配置的遮光膜，使晶体管的特性劣化。

发明内容
本发明是例如鉴于上述问题所在而做出的，其目的为提供一种电光装 置及具备这种电光装置的电子设备，其不使例如构成周边电路的晶体管的 特性劣化，可以防止因周边区域的光泄漏、光反射导致的对显示图像的不 良影响，能够显示高品质的图像。
本发明所涉及的第1电光装置为了解决上述问题，其特征为，在M
上具备多个像素电极；晶体管，设置于周边区域，该周边区域位于排列 有该多个像素电极的像素区域的周边；以及遮光膜，配置于比该晶体管靠 下层侧，在上述M上俯视时，与上述晶体管的至少一部分重合，并且形 成有沿上述晶体管的沟道长度方向的长条状开口部。
根据本发明所涉及的第1电光装置，多个像素电极分别例如由ITO (Indium Tin Oxide，氧化铟锡)等的透明材料构成，在基板上的像素区 域或像素阵列区域(或者，也称为"图像显示区域")，例如对应于多条数 据线与多条扫描线的交叉处例如排列为矩阵状。晶体管设置在位于像素区 域周边的周边区域，例如构成采样电路、数据线驱动电路等周边电路的至 少一部分。晶体管典型的是，沿着像素区域的一边设置多个。在电光装置 的工作时，例如根据图像信号等，控制像素电极的电位，在排列有多个像 素电极的像素区域进行图像显示。电光装置相应于例如从光源入射的入射 光，在像素区域例如透射显示光来使之出射。电光装置例如作为投影型显 示装置中的光阀来安装。
在本发明中特别是，遮光膜配置于比晶体管靠下层侧，在基板上俯视 时，与晶体管的至少一部分重合。再者，遮光膜具有沿晶体管沟道长度方 向的长条状或缝隙状的开口部。
典型的是，遮光膜设置于比晶体管靠下层侧，使之和构成晶体管的半 导体层重合。遮光膜例如通过相对于沿着像素区域的一边所设置的多个晶 体管的各自分别^^殳置1个，来沿着该一边设置多个。开口部在遮光膜例
如以小于等于lnm的宽度来形成为沿着晶体管的沟道长度方向(换言之， 为晶体管中载流子流动的方向)延伸。再者，开口部沿着晶体管的沟道宽 度方向(也就是，与沟道长度方向相交的方向)隔开预定间隔形成多个。
因而，可以利用遮光膜，抑制或者防止来自周边区域的光泄漏、由晶 体管而产生的折返光的再反射。这里，所谓的"折返光"指的是，基板的内 面反射、在多片式投影机等中从其他电光装置发出并穿透合成光学系统而 来的光等的从该电光装置的出射显示光的一侧朝向入射入射光的一侧的 光。从而，可以抑制或者防止例如与多个晶体管的排列图形相应的明暗 图形等、与周边区域的光反射、透射相应的明暗图形，在显示图像的边缘 附近被反映出的情况。也就是说，可以抑制或者防止因周边区域的光泄 漏、光反射引起的对显示图像的不良影响。
再者，由于遮光膜具有沿晶体管沟道长度方向的长条状开口部，因而 基本或者完全不发生当遮光膜不具有开口部而形成为整面状时、当其形 成为只具有沿晶体管沟道宽度方向的长条状开口部时，可能因该遮光膜而 产生的晶体管的特性劣化。还有，这种晶体管特性的劣化被认为是，例如 因为遮光膜和晶体管之间的电容耦合、起因于遮光膜的相对半导体层的杂 质掺入或者相对半导体层的应力变化等，而产生的。
上面的结果为，根据本发明所涉及的第1电光装置，基本或者完全不 使例如构成周边电路的晶体管特性劣化，能防止因周边区域的光泄漏、光 反射引起的对显示图像的不良影响，能够显示高品质的图像。
在本发明所涉及的第1电光装置的一个方式中，上述开口部沿上述晶 体管的沟道宽度方向隔开预定间隔形成多个。
才艮据该方式，开口部例如从遮光膜的与晶体管的沟道宽度方向的 一端 重合的部分到与晶体管的沟道宽度方向的另一端重合的部分为止，例如隔
开lnm等的预定间隔形成多个。从而，可以进一步可靠地抑制或者防止因 遮光膜而可能产生的晶体管特性的劣化。
在本发明所涉及的第1电光装置其他方式中，上述开口部在上述M 上俯视时，与上述晶体管的沟道区域至少部分重合。
根据该方式，遮光膜与晶体管的沟道区域至少部分不重合。因而，可 以抑制或者防止遮光膜可能给晶体管的沟道区域带来的不良影响。从而， 可以进一步可靠地抑制或者防止因遮光膜而可能产生的晶体管特性的劣 化。
在本发明所涉及的第1电光装置其他方式中，上述开口部的宽度小于 等于l拜。
才艮据该方式，可以利用遮光膜基本或者实际上完全遮蔽光。因而，可 以进一步可靠抑制或者防止来自周边区域的光泄漏、因晶体管而产生的 折返光的再反射。
在本发明所涉及的第1电光装置的其他方式中，上述遮光膜具备第 1遮光部分，具有上述开口部；和第2遮光部分，沿着上述晶体管的沟道 宽度方向，在与上述第1遮光部分相比、离上述像素区域远的一侧，与上 述第1遮光部分相邻来形成，并且具有和上述第1遮光部分相互不同的平 面图形。
根据该方式，可以利用具有开口部的第1遮光部分，抑制周边区域之 中的离像素区域比较近的区域的光泄漏、光反射。再者，例如通过以具有 与晶体管重合的部分比第1遮光部分的该部分小的平面图形的方式形成第 2遮光部分，就可以进一步可靠地抑制或者防止因遮光膜而可能产生的晶 体管特性的劣化。也就是说，在周边区域之中的离像素区域较远而达到基 本或实际上完全不发生因光泄漏、光反射引起的对显示图像的不良影响之 程度的区域，通过以使遮光膜和晶体管重合的部分变小的方式形成第2遮 光部分，就可以进一步可靠地抑制或者防止晶体管特性的劣化。
在上述遮光膜具备第1及第2遮光部分的方式中，上述第2遮光部分 也可以形成为，在上述基板上俯视时，和上述晶体管至少部分不重合。
这种情况下，可以进一步可靠地抑制或者防止因遮光膜而可能产生的 晶体管特性的劣化。
在本发明所涉及的第1电光装置其他方式中，上述晶体管的沟道宽度 大于等于5拜。
根据该方式，可以进一步有效抑制或者防止因遮光膜而可能产生的晶 体管特性的劣化。
在本发明所涉及的第1电光装置的其他方式中，上述晶体管的沟道宽 度比上述晶体管的沟道长度长。
根据该方式，可以进一步有效抑制或者防止因遮光膜而可能产生的晶 体管特性的劣化。
在本发明所涉及的第1电光装置的其他方式中，具备多条扫描线及 多条数据线，布线于上述像素区域；和图像信号线，设置于上述周边区域， 供给图像信号；上述晶体管作为多个采样用晶体管来形成，该采样用晶体 管将由上述图像信号线供给的图像信号相应于采样信号分别供给上述多条 数据线，并且对应于上述多条数据线来排列。
根据该方式，晶体管作为构成采样电路的多个采样用晶体管，例如在 像素区域的旁边以沿着多条数据线的排列方向(也就是，多条扫描线延伸 的方向)来排列的方式形成多个。因而，形成有长条状开口部的遮光膜例 如也在^^素区域的旁边、以沿着多条数据线的排列方向来排列的方式形成 多个。因而，可以进一步有效抑制或者防止因周边区域的光泄漏、光反射 引起的对显示图像的不良影响。
本发明所涉及的第2电光装置为了解决上述问题，在基板上具备多 个像素电极；互补型晶体管，设置于周边区域，该周边区域位于排列有该 多个像素电极的^^素区域的周边；以及遮光膜，配置于该互补型晶体管和 上述基板之间，在上述基板上俯视时，与上述互补型晶体管的至少一方晶 体管重合，并且形成有沿该晶体管的沟道长度方向的长条状的开口部。
根据本发明所涉及的第2电光装置，可以达到和上述本发明所涉及的 第1电光装置达到的效果相同的效果。
还有，在本发明所涉及的第2电光装置中，也能够采取和上述本发明 所涉及的第1电光装置中的各种方式相同的各种方式。
本发明的电子设备为了解决上述问题，具备上述本发明的电光装置(其 中，也包括其的各种方式)。
根据本发明的电子设备，由于具备上述本发明的电光装置，因而能够 实现可进行高品质图像显示的投影型显示装置、电视机、便携电话机、电 子记事本、文字处理机、取景器式或者监视器直观式的磁带录#4^、工作 站、电视电话机、POS终端及接触式面板等各种电子设备。另外，作为本 发明的电子设备，例如还能够实现电子纸张等的电泳装置、电子发射装置 (Field Emission Display (场致发射显示器)及Conduction Electron-Emitter Display (传导型电子发射显示器))以及使用这些电泳 装置、电子发射装置的显示装置。
本发明的作用及其他优点将通过下面说明的用来实施的最佳方式得以 明确。


图1是表示第1实施方式所涉及的液晶装置整体构成的俯视图。
图2是图1的n-ir线剖面图。
图3是表示第1实施方式所涉及的液晶装置电构成的框图。 图4是表示采样用TFT构成的俯视图。 图5是图4的V-V'线剖面图。
图6是表示对应于采样用TFT所设置的遮光膜的构成的俯视图。
图7是第2实施方式中和图6相同内容的俯视图。
图8是第2实施方式的变形例中和图6相同内容的俯视图。
图9是表示扫描线驱动电路的电构成的电路图。
图IO是表示输出緩冲器的具体构成的电路图。
图11是表示构成输出緩冲器的多级反相器之中的位于向扫描线的输 出侧的最末级的反相器的具体构成的俯视图。
图12是表示与构成输出緩冲器的多级反相器之中的位于向扫描线的 输出侧的最末级的反相器对应所设置的遮光膜的构成的俯视图。
图13是概略表示第4实施方式所涉及的液晶装置的构成的框图。
图14是表示相位差校正电路的电构成的电路图。
图15是表示作为使用电光装置的电子设备一例的投影机的构成的俯 视图。
符号说明
6a…数据线，7"'采样电路，9a…像素电极，10…TFT阵列綠，10a…图 像显示区域，11a…扫描线，20…对向J4SL， 21…对向电极，50*"液晶层，71"*釆 样用TFT， 101…数据线驱动电路，102…外部电路连接端子，104-扫描线 驱动电路，510…遮光膜，510s…缝隙
具体实施例方式
下面，对于本发明的实施方式， 一面参照附图一面进行说明。在下面 的实施方式中，将采取作为本发明的电光装置一例的驱动电路内置型TFT 有源矩阵驱动方式的液晶装置为例。
<第1实施方式>
对于本发明的第1实施方式所涉及的液晶装置，参照图1到图6进行 说明。
首先，对于本实施方式所涉及的液晶装置整体构成，参照图l及图2进 行说明。这里，图1是表示本实施方式所涉及的液晶装置的整体构成的俯
视图，图2是图i的n-ir线剖面图。
在图1及图2中，在本实施方式所涉及的液晶装置中，TFT阵列g 10和对向^i^20对向配置。在TFT阵列基板10和对向基板20之间封入 液晶层50， TFT阵列基板10和对向基板20通过设置于密封区域的密封件
52被相互粘接，该密封区域位于作为本发明所涉及的"像素区域，，一例的图 像显示区域10a的周围。
在图1中，与配置有密封件52的密封区域的内侧并行地，限定图像显 示区域10a的边框区域的遮光性边框遮光膜53设置到对向基板20侧。还 有，在本实施方式中，周边区域从TFT阵列基板10的中心看上去，作为 比由边框遮光膜53限定的边框区域远的区域进行了限定，包括边框区域。 也就是说，周边区域是TFT阵列基板10上的除图像显示区域10a之外的 区域，作为不出射光的区域来设定。
在周边区域之中的位于配置有密封材料52的密封区域外侧的区域，数 据线驱动电路101及外部电路连接端子102沿着TFT阵列基板10的一边 进行设置。在沿该一边的比密封区域靠内侧，利用边框遮光膜53履盖地来 设置采样电路7。扫描线驱动电路104，在沿与该一边相邻的2条边的密封 区域内侧，由边框遮光膜53覆盖地来设置。另夕卜，在TFT阵列M 10上， 在与对向H120的4个边角部相对向的区域配置上下导通端子106，用来 通过上下导通部件107连接两个141之间。利用它们，可以在TFT阵列基 板10和对向基板20之间取得电导通。
在TFT阵列基板10上形成引绕布线90，用来对外部电路连接端子102 和数据线驱动电路101、扫描线驱动电路104及上下导通端子106等进行 电连接。
在图2中，在TFT阵列H110上形成下述叠层结构，该叠层结构中 装入了像素开关用TFT和扫描线、数据线等的布线。在图像显示区域10a， 在像素开关用TFT和扫描线、数据线等布线的上层，由ITO等透明材料 构成的像素电极9a设置成矩阵状。在像素电极9a上形成取向膜。另一方 面，在对向I4120的、和TFT阵列J4110对向的对向面上，形成遮光膜 23。遮光膜23例如采用遮光性金属膜等来形成，在对向基板20上的图4象 显示区域10a内例如按格子状等进行了图形形成。在遮光膜23上，由ITO 等透明材料构成的对向电极21与多个像素电极9a相对向地形成为整面状。 在对向电极21上形成取向膜。液晶层50例如由一种或者混合了数种向列
型液晶的液晶来构成，在这一对取向膜间取得预定的取向状态。
还有，在本实施方式中其前提为，对图像显示区域10a的液晶层50从 对向基板20侧入射的入射光从TFT阵列基板10侧作为显示光出射。
还有，这里未图示，在TFT阵列14110上，除了数据线驱动电路IOI、 扫描线驱动电路104之外，还可以形成用来对制造过程中、出厂时的该液 晶装置品质、缺陷等进行检查的检查电路及检查用图形等。
下面，对于本实施方式所涉及的液晶装置的电构成，参照图3进行说 明。这里，图3是表示本实施方式所涉及的液晶装置的电构成的框图。
如图3所示，在本实施方式所涉及的液晶装置中，在其TFT阵列M 10上的周边区域设置包括扫描线驱动电路104、数据线驱动电路101和采 样电路7的周边电路以及图像信号线6。
对扫描线驱动电路104，供给Y时钟信号CLY、反相Y时钟信号 CLYinv及Y起始脉冲DY。扫描线驱动电路104若被输入了 Y起始脉冲 DY，则按基于Y时钟信号CLY及反相Y时钟信号CLYinv的定时，依次 生成扫描信号Gi (其中，i=l、 " 、 m),进行输出。
对数据线驱动电路101，供给X时钟信号CLX、反相X时钟信号 CLXinv及X起始脉冲DX。数据线驱动电路101若被输入了 X起始脉冲 DX，则按基于X时钟信号CLX及反相X时钟信号XCLXiiw的定时，依 次生成采样信号Si (其中，i-l、 2、…、n),进行输出。
采样电路7具备M条数据线6a所设置的多个采样用TFT71。采样用 TFT71是本发明所涉及的"晶体管"一例，例如由P沟道型或者N沟道型的 单沟道型TFT构成。还有，采样用TFT71也可以采用互补型的TFT来构
成o
采样用TFT71的源布线71S电连接到图像信号线6，采样用TFT71 的栅布线71G电连接到采样信号线97,采样用TFT71的漏布线71D电连 接到数据线6a。各采样用TFT71构成为，若通过图像信号线6被输入了 图像信号VID，并且通过采样信号线97从数据线驱动电路101被输入了采 样信号Si(其中，i-l、 2、 ".、 n)，则对图像信号VID进行采样，作为数 据信号Di (其中，i=l、 2、…、n)施加给各数据线6a。
如图3所示，在构成TFT阵列1^L 10的图4象显示区域10a且形成为 矩阵状的多个像素中，分别形成像素电极9a和用来对该像素电极9a进行 开关控制的像素开关用TFT30，并且被供给数据信号Di的数据线6a电连 接到该像素开关用TFT30的源。向数据线6a写入的数据信号Di既可以按 该次序依线顺序来供给，又可以对相邻的多条数据线6a彼此按每组来供 给。另外，在像素开关用TFT30的栅电连接扫描线lla。对扫描线lla， 从扫描线驱动电路104以预定的定时按扫描信号Gl、 G2、、 Gm的这种 次序依线顺序施加扫描信号。还有，在本实施方式中虽然为了说明的简单， 其构成为按扫描信号G1、 G2、…、Gm的该次序依线顺序将它们施加给扫 描线lla，但是扫描信号Gi (其中，i=l、 2、…、m)施加给扫描线lla 的顺序也可以是任意的顺序。像素电极9a电连接到^象素开关用TFT30的 漏，通过使作为开关元件的像素开关用TFT30只按一定期间闭合其开关， 按预定的定时写入从数据线6a供给的数据信号Di。
通过像素电极9a写入液晶的预定电平的数据信号Di(其中，i=l、 2、、 n)在像素电极9a和形成于对向基板20 (参见图2)的对向电极21 (参见 图2)之间被保持一定期间。液晶按照所施加的电压电平，分子集合的取 向、^进行变化，由此可以对光进行调制，实现灰度等级显示。如果是 常时亮态^^式，则相应于以各像素为单位所施加的电压，减少对入射光的 透射率，如果是常时暗态模式，则相应于以各像素为单位所施加的电压， 增加对入射光的透射率，并且整体上从液晶装置出射具有与图像信号相应 的对比度的光。
为了防止这里所保持的图像信号出现漏泄，与形成于像素电极9a和对 向电极21之间的液晶电容并联，附加了存储电容70。存储电容70的一方 电极和像素电极9a并联，电连接到像素开关用TFT30的漏，另一方电极 电连接到电位固定的电容布线400，使之成为定电位。
下面，对于本实施方式所涉及的采样用TFT具体构成，和对应于该采 样用TFT所设置的遮光膜的构成，参照图4到图6进行说明。这里，图4
是表示采样用TFT构成的俯视图。图5是图4的V-V'线剖面图。图6是 表示对应于采样用TFT所设置的遮光膜构成的俯视图。还有，在图5中， 因为将各层、各部件设为可在附图上辨认程度的大小，所以对该各层、各 部件的每个都使比例尺不同。
在图4及图5中，各采样用TFT71形成于在TFT阵列14110上所设 置的基底绝缘膜12上。釆样用TFT71具备半导体层74、源布线71S、漏 布线71D、栅布线71G及栅绝缘膜75。
半导体层74具有通过来自栅布线71G的电场形成沟道的沟道区域 74C、源区域74S和漏区域74D。还有，也可以将与沟道区域74C相邻的 区域作为LDD (Lightly Doped Drain,轻掺杂漏)区域。
在本实施方式中，采样用TFT71形成为，沟道长度(也就是，源区域 74S及漏区域74D间的距离，或者沟道区域74C沿X方向的长度)L例如 为3 5nm范围内的预定长度，且沟道宽度(沟道区域沿Y方向的长度) W例如为50 |u m ~ 600nm范围内的预定长度。因而，采样用TFT71的沟 道宽度W比采样用TFT71的沟道长度L长。
源布线71S，通过层间绝缘膜41及42，在比半导体层74靠上层侧， 例如由铝等的金属膜形成。源布线71S通过穿通层间绝缘膜41及42所开 出的接触孔8S，电连接到源区域74S。源布线71S形成为，沿着数据线6a 延伸的方向(也就是，Y方向)延伸。源布线71S通过未图示的接触孔及 中继布线等，和图像信号线6进行电连接(参见图3)。
漏布线71D由和源布线71S为同一膜的膜形成，也就是说，通过层间 绝缘膜41及42，在比半导体层74靠上层侧，例如由铝等的金属膜形成。 这里，所谓的同一膜指的是，同时图形形成由同一导电材料形成的薄膜。 漏布线71D通过穿通层间绝缘膜41及42所开出的接触孔8D电连接到漏 区域74D。漏布线71D形成为，沿着数据线6a延伸的方向(也就是，Y 方向)延伸。漏布线71D通过未图示的接触孔及中继布线等，和数据线6a 进行电连接(参见图3)。
栅布线71G，通过栅绝缘膜75，在比半导体层74靠上层侧，例如由
导电性多晶硅膜等形成。栅布线71G包括与半导体层74的沟道区域74通 过栅绝缘膜75重合的栅电极，并且其形成为沿着数据线6a延伸的方向(也 就是，Y方向)延伸。栅布线71G通过未图示的接触孔及中继布线等，和 采样信号线97进行电连接(参见图3 )。
在源布线71S及漏布线71D的上层侧，按顺序叠层层间绝缘膜43及44。
在图4及图5中，在本实施方式中特别是，具备按每个采样用TFT71 所设置的遮光膜510。遮光膜510与采样用TFT71相比，通过基底绝缘膜 12配置于下层侧，其形成为在TFT阵列^i^ 10上俯^L时，与采样用TFT71 重合。遮光膜510通过对多个采样用TFT71的各自分别各设置1个，而在 图像显示区域10a的旁边沿着X方向设置多个。遮光膜510例如采用含有 钛(Ti)、铬(Cr)、钨(W)、钽(Ta)及钼(Mo)等高熔点金属之 中的至少一种的金属单质、合金、金属硅化物、多晶硅化物或它们的叠层 体等遮光性导电材料，来形成。
如图6所示，遮光膜510形成为，与形成采样用TFT71的区域71a重 合，并且在遮光膜510形成多条缝隙510s。缝隙510s是本发明所涉及的"开 口部，，一例，在遮光膜510以沿着采样用TFT71的沟道长度方向(也就是， X方向)延伸的方式进行开口。
多条缝隙510s的各自在遮光膜510例如以作为小于等于lfim的预定 宽度dl、沿着采样用TFT71的沟道长度方向(也就是，X方向)延伸地 来形成。再者，多条缝隙510s形成为，沿着采样用TF171的沟道宽度方 向(也就是，Y方向)例如隔开作为lfim的预定间隔d2来排列。还有， 在图6中，因为将缝隙510s设为可在附图上辨认程度的大小，所以对遮光 膜510使比例尺不同。
因而，可以利用遮光膜510，抑制来自位于图像显示区域10a周边的 周边区域的光泄漏、因采样用TFT71而产生的折返光的再反射。也就是说， 可以利用多个遮光膜510，抑制在图像显示区域10a的形成采样用TFT71 一侧的边缘附近、发生来自周边区域的光泄漏的情况，并且可以抑制TFT
阵列J4！ io的内面反射、在多片式投影机等中从其他液晶装置发出并穿透
合成光学系统而来的光等的折返光(图5中，从下侧朝向上侧的光)由采 样用TFT71进行反射的情况。从而，可以抑制与多个采样用TFT71的 排列图形相应的明暗图形等、与周边区域的光《Jt和透射相应的明暗图形， 在图像显示区域10a的边缘附近^L良映出的情况。也就是说，可以抑制因 周边区域的光泄漏、光反射引起的对显示图像的不良影响。
在图6中，在本实施方式中特别是，缝隙510s的宽度dl小于等于ljim。 因而，可以利用遮光膜510基本或者实际上完全遮蔽光。因而，可以进一 步可靠抑制或者防止来自周边区域的光泄漏、因晶体管而产生的折返光 的再反射。
再者，由于遮光膜510具有沿采样用TFT71的沟道长度方向(也就是， X方向)的缝隙510s，因而基本或者完全不发生在遮光膜510不具有缝 隙而形成为整面状时、其形成为只具有沿采样用TFT71的沟道宽度方向 (也就是，Y方向)的缝隙时可能产生的采样用TFT71的特性劣化，也就 是说，基本或者完全不发生例如因该遮光膜510和采样用TFT71之间的 电容耦合、形成遮光膜510所导致的对半导体层74的杂质掺入等而可能产 生的采样用TFT71的特性劣化。
除此之外，在本实施方式中特别是，缝隙510s形成为，与采样用TFT71 的沟道区域74C重合。因而，遮光膜510在形成有缝隙510s的区域，与 采样用TFT71的沟道区域74C不重合。因而，可以抑制遮光膜510可能 给采样用TFT71的沟道区域74C带来的不良影响。从而，可以进一步可 靠抑制因遮光膜510而可能产生的采样用TFT71的特性劣化。
再者除此之外，在本实施方式中特别是，多个缝隙510s形成为，从遮 光膜510的、与采样用TFT71的沟道宽度方向(也就是，Y方向) 一端重 合的部分到与采样用TFT71的沟道宽度方向的另一端重合的部分，隔开预 定间隔d2来排列。从而，可以进一步可靠抑制因遮光膜510而可能产生的 采样用TFT71的特性劣化。
在图4中，在本实施方式中特别是，由于采样用TFT71的沟道宽度W 例如是50nm ~ 600fim范围内的预定长度，例如比作为3 ~ 5jim范围内的 预定长度的采样用TFT71的沟道长度L长，因而可以进一步有效抑制因 遮光膜510而可能产生的采样用TFT71的特性劣化。
上面的结果为，根据本实施方式所涉及的液晶装置，基本或者完全不 会使构成采样电路7的采样用TFT71的特性劣化，可以防止因周边区域的 光泄漏、光反射引起的对显示图像的不良影响，能够显示高品质的图像。 (第2实施方式)
对于第2实施方式所涉及的液晶装置，参照图7进行说明。这里，图 7是第2实施方式中和图6相同内容的俯视图。还有，在图7中对和图1 到图6所示的第1实施方式所涉及的构成要件相同的构成要件附上相同的 参照符号，对它们的说明予以适当省略。
在图7中，第2实施方式所涉及的液晶装置和上述第1实施方式所涉 及的液晶装置的不同之处为，取代上述第1实施方式中的遮光膜510而具 备遮光膜520，对于其他方面则和上述第1实施方式所涉及的液晶装置大 致相同来构成。
如图7所示，在本实施方式中特别是，遮光膜520具备第l遮光部 分521，具有多条缝隙520s;和第2遮光部分522，沿着采样用TFT71的 沟道宽度方向(也就是，Y方向)，在与第1遮光部分521相比、离图像 显示区域10a远的一侧，与第1遮光部分521相邻来形成。
形成于第1遮光部分521的多条缝隙520s的各自和上述第1实施方式 中的缝隙510s相同，在遮光膜520进行了开口。多条缝隙520s的各自在 遮光膜520，例如以小于等于lnm的预定宽度dl，沿着采样用TFT71的 沟道长度方向延伸来形成。再者，多条缝隙520s沿着采样用TFT71的沟 道宽度方向例如隔开作为lnm的预定间隔d2而形成多条。
第2遮光部分522具有和第1遮光部分521相互不同的平面图形，更 为具体而言，该平面图形与采样用TFT71的源区域74S及漏区域74D重 合，并且不与采样用TFT71的沟道区域74C重合。换言之，第2遮光部 分522按其和采样用TFT71重合的部分比第1遮光部分521的该部分小的
那种平面图形来形成。
因而，可以进一步可靠抑制因遮光膜520而可能产生的采样用TFT71 的特性劣化。
也就是说，在本实施方式中特别是，由于在形成采样用TFT71的区域 71a之中的接近图像显示区域10a而达到有可能产生因光泄漏、光反射引 起的对显示图像的不良影响之程度的区域，形成具有缝隙520s的第1遮光 部分521，因而可以抑制因周边区域的光泄漏、光反射引起的图像显示区 域10a的边缘附近的对显示图像的不良影响，并且可以抑制采样用TFT71 的特性劣化，且由于在形成采样用TFT71的区域71a之中的离图像显示区 域10a较远而达到基本或者实际上完全不发生因光泄漏、光反射引起的对 显示图像的不良影响之程度的区域，形成具有下述那种平面图形的第2遮 光部分522，因而可以进一步可靠抑制采样用TFT71的特性劣化，该平面 图形和采样用TFT71重合的部分与第1遮光部521和采样用TFT71重合 的部分相比较小。
图8是第2实施方式变形例的和图6相同内容的俯视图。
如图8中作为变形例所示的那样，遮光膜520也可以只由上述第1遮 光部分521构成，不具备上述第2遮光部分522。换言之，在周边区域之 中的离图像显示区域10a较远而达到基本或者实际上完全不发生因光泄 漏、光反射引起的对显示图像的不良影响之程度的区域，遮光膜520也可 以形成为不和采样用TFT71重合。
这种情况下，可以进一步可靠抑制因遮光膜520引起的采样用TFT71 的特性劣化。
<第3实施方式>
对于第3实施方式所涉及的液晶装置，参照图9到图12进行说明。 第3实施方式所涉及的液晶装置和上述第1实施方式所涉及的液晶装 置的不同之处为，在TFT阵列基板10上的形成有扫描线驱动电路104的 区域内具备遮光膜530 (参见图11及图12)，对于其他的方面则和上述第 1实施方式所涉及的液晶装置大致相同来构成。首先，对于本实施方式所涉及的液晶装置的扫描线驱动电路的电构成，
参照图9及图10进行详细说明。
图9是表示扫描线驱动电路的电构成的电路图。图IO是表示输出緩沖 器的具体构成的电路图。还有，在图9及图10以及下述的图11及图12 中，对和图1到图6所示的第1实施方式所涉及的构成要件相同的构成要 件附上相同的参照符号，对它们的说明予以适当省略。
在图9中，扫描线驱动电路104由移位寄存器240和输出緩冲器230 构成。
移位寄存器240由多个反相器241及NAND电路242构成，根据Y时 钟信号CLY及反相Y时钟信号CLYinv，按应向各像素的像素电极9a供 给图像信号的定时依次输出传送信号，传送给输出緩沖器230。
输出緩沖器230串联电连接反相器231、 232及233。输出緩冲器230 的输入端子电连接到移位寄存器240的输出端子，对输出緩冲器230的输 入端子输入来自移位寄存器240的传送信号。输出緩冲器230使从移位寄 存器240所传送的传送信号具有驱动能力。获得驱动能力(换言之，为电 流供给能力)后的传送信号最终从扫描线驱动电路104作为扫描信号通过 扫描线lla被供给像素开关用TFT30。
这样，输出緩冲器230通过由多级反相器231、 232及233构成，具有 将传送信号在驱动能力增大、波形整形及定时调整之后作为扫描信号进行 输出的功能。
如图10详细所示，反相器231作为互补型晶体管来构成，由作为N 沟道型TFT的TFT231a和作为P沟道型TFT的TFT231b构成。同样， 反相器232由作为N沟道型TFT的TFT232a和作为P沟道型TFT的 TFT232b构成，反相器233由作为N沟道型TFT的TFT233a和作为P沟 道型TFT的TFT233b构成。输出緩沖器230的输入端子电连接到TFT231a 及TFT231b的栅。输出緩冲器230的输出端子电连接到TFT233a及 TFT233b的漏。
反相器231、 232及233通过扫描驱动电路用高电位电源VDDY及低
电位电源VSSY来驱动。因而，传送信号的电压在扫描驱动电路用高电位 电源VDDY的电位及扫描驱动电路用低电位电源VSSY的电位间进行跃 迁，逐渐提高驱动能力，作为扫描信号G1、、 Gm进行输出。
下面，对于上述构成输出緩冲器的多级反相器之中的位于向扫描线的 输出侧的最末级的反相器的具体构成，参照图11及图12进行说明。
图11是表示构成输出緩冲器的多级反相器之中的位于向扫描线的输 出侧的最末级的反相器的具体构成的俯视图。图12是表示与构成输出緩冲 器的多级反相器之中的位于向扫描线的输出侧的最末级的反相器对应所设 置的遮光膜的构成的俯视图。
在图11中，反相器233作为互补型晶体管来构成，该互补型晶体管包 括作为N沟道型TFT的TFT233a及作为P沟道型TFT的TFT233b。
TFT233a具有半导体层310。半导体层310和参照图4及图5所述的 半导体层74相同，形成在基底绝缘膜12上。半导体层310具有沟道区 域，通过来自下述栅布线350的电场形成沟道，该栅布线350对TFT233a 及TFT233b共同设置；源区域，通过接触孔81电连接到源布线311;以 及漏区域，通过接触孔84电连接到对TFT233a及233b所共同设置的漏布 线330。
TFT233b具有半导体层320。半导体层320和参照图4及图5所述的 半导体层74相同，形成在基底绝缘膜12上。半导体层320具有沟道区 域，通过来自栅布线350的电场形成沟道；源区域，通过接触孔82电连接 到源布线321;以及漏区域，通过接触孔83电连接到漏布线330。
栅布线350由和参照图4及图5所述的栅布线71G为同一膜的膜来形 成，也就是说，其在通过栅绝缘膜、比半导体层310及320靠上层侧，例 如由导电性多晶硅膜等形成。还有，栅布线350电连接到反相器232的输
TFT233b的源布线311由和参照图4及图5所述的源布线71S为同一 膜的膜形成，也就是说，其在通过层间绝缘膜41及42、比半导体层310 靠上层侧，例如由铝等的金属膜形成。还有，源布线311电连接到供给扫
描线驱动电路用低电位电源VSSY的扫描线驱动电路用低电位电源布线。 TFT233a的源布线321由和源布线311为同一膜的膜形成，也就是说，
其在通过层间绝缘膜41及42、比半导体层320靠上层侧，例如由铝等的
金属膜形成。还有，源布线321电连接到供给扫描线驱动电路用高电位电
源VDDY的扫描线驱动电路用高电位电源布线。
漏布线330由和源布线321及322为同一膜的膜形成，也就是说，其
在通过层间绝缘膜41及42、比半导体层310及320靠上层侧，例如由铝
等的金属膜形成。漏布线330通过未图示的接触孔及中继布线等，电连接
到扫描线lla。
在图11及图12中，在本实施方式中特别是，具备按每个反相器233 所设置的遮光膜530。遮光膜530与构成反相器233的TFT233a及233b 相比，通过基底绝缘膜12配置于下层侧，并且其形成为，在TFT阵列基 板10上俯视时，与TFT233a及233b重合。遮光膜530通过对多个反相器 233的各自分别各设置1个，而在图像显示区域10a的旁边沿着Y方向设 置多个。遮光膜530和参照图4到图6所述的遮光膜510相同，例如采用 含有钛(Ti)、铬(Cr)、鴒(W)、钽(Ta)及钼(Mo )等高熔点金 属之中的至少一种的金属单质、合金、金属硅化物、多晶珪化物或它们的 叠层体等遮光性导电材料，来形成。
如图12所示，遮光膜530形成为，与形成反相器233的区域233S重 合，在遮光膜530形成多条缝隙530s。缝隙530s是本发明所涉及的"开口 部，，一例，在遮光膜530以沿着构成反相器233的TFT233a及233b的沟道 长度方向(也就是，Y方向)延伸的方式进行了开口。
多条缝隙530s的各自在遮光膜530，例如以作为小于等于lnm的预定 宽度沿着TFT233a及233b的沟道长度方向(也就是，X方向)延伸来形 成。再者，多条缝隙530s形成为，沿着TFT233a及233b的沟道宽度方向 (也就是，X方向)例如隔开作为lpm的预定间隔来排列。还有，在图 12中，因为将缝隙530s设为可在附图上辨认程度的大小，所以对遮光膜 530使比例尺不同。
因而，可以利用遮光膜530，抑制来自位于图像显示区域10a周边 的周边区域的光泄漏、因构成反相器233的TFT233a及233b而产生的折 返光的再反射。也就是说，可以利用多个遮光膜530，抑制在图像显示 区域10a的形成有扫描线驱动电路104 —侧的边缘附iOC生来自周边区域 的光泄漏的情况，并且可以抑制TFT阵列J4！ 10的内面反射、在多片 式投影机等中从其他液晶装置发出并穿透合成光学系统而来的光等的折返 光由TFT233a及233b进行反射的情况。从而，可以抑制与多个反相器 233 (换言之，是TFT233a及233b)的排列图形相应的明暗图形等、与周 边区域的光反射、透射相应的明暗图形在图像显示区域10a的边缘附近被 反映出的情况。
<第4实施方式>
对于第4实施方式所涉及的液晶装置，参照图13及图14进行说明。
图13是概略表示第4实施方式所涉及的液晶装置的构成的框图。还有， 在图13中，对和图1到图6所示的第1实施方式所涉及的构成要件相同的 构成要件附上相同的参照符号，对它们的说明予以适当省略。
在图13中，第4实施方式所涉及的液晶装置和上述第1实施方式所涉 及的液晶装置的不同之处为，在TFT阵列a 10上的位于图像显示区域 10a的周边的周边区域具备相位差校正电路600，对应于构成该相位差校正 电路600的多个晶体管之中的至少一个晶体管，设置作为本发明所涉及的 "遮光膜"一例的遮光膜，对于其他的方面则和上述第1实施方式所涉及的 液晶装置大致相同来构成。
相位差校正电路600设置在图像显示区域10a的旁边(例如，从图像 显示区域10a边缘开始的距离为几百nm (例如400 ~ 800jtm左右)的范围 内的区域)。更为具体而言，相位差校正电路600配置在位于图像显示区 域10a周边的周边区域之中的、与釆样电路7或数据线驱动电路101夹着 图像显示区域10a而相对向的位置且设置于将图像显示区域10a的X方向 宽度二等分的中心线上。而且，对相位差校正电路600，供给Y时钟信号 CLY及反相Y时钟信号CLYinv。
还有，Y时钟信号CLY从多个外部电路连接端子102 (参见图1)之 中的Y时钟信号端子，通过Y时钟信号线供给相位差校正电路600，该Y 时钟信号线在周边区域沿着TFT阵列M 10的外周地进行布线。反相Y 时钟信号CLYinv从多个外部电路连接端子102之中的反相Y时钟信号端 子，通过反相Y时钟信号线供给相位差校正电路600，该反相Y时钟信号 线在周边区域沿着TFT阵列基板10的外周地进行布线。
相位差校正电路600构成为，校正从外部通过布线于周边区域的Y时 钟信号线M相Y时钟信号线分别供给的Y时钟信号CLY及反相Y时钟 信号CLYinv的相位，然后将其供给扫描线驱动电路104 (也就是，夹着 图像显示区域10a相对向所配置的2个扫描线驱动电路部分104L及104R 的各自)。从而，能够在不发生误工作的状况下，正常或者以高准确度使 扫描线驱动电路104驱动。
图14是表示本实施方式所涉及的液晶装置的相位差校正电路的电构 成的电路图。
在图14中，相位差校正电路600由第1緩沖电路601、双稳态电路602 及第2緩冲电路603构成。第1緩冲电路601具备作为互补型晶体管分别 构成的反相器601a及601b。第2緩沖电路602具备作为互补型晶体管分 别构成的反相器602a及602b。第3緩冲电路603具备作为互补型晶体管 分别构成的反相器603a及603b。
在相位差校正电路600中其状态为，在由反相器601a及601b构成的 緩沖电路601中，补偿供给Y时钟信号CLY和反相Y时钟信号CLYinv 的电路的驱动能力，并且将双稳态电路602的一方的反相器602a的输出提 供给另一方的反相器602b的输入，另外将另一方的反相器602b的输出提 供给一方的反相器602a的输入，由此来对各个反相器602a及602b的输入 信号施加正反馈，消除相位差。另外，在相位差校正电路600中，在双稳 态电路602之后设置第2緩冲电路603，通过该第2緩沖电路603的工作， 防止双稳态电路602的驱动能力下降。
还是在图13中，相位差校正电路600通过Y时钟信号线691R ;S^相
Y时钟信号线692R,电连接到扫描线驱动电路104之中的在图13右侧所 配置的扫描线驱动电路部分104R，另一方面，通过Y时钟信号线691L及 反相Y时钟信号线692L，电连接到扫描线驱动电路104之中的在图13左 侧所配置的扫描线驱动电路部分104L。
通过按上述方法来构成，通过相位差校正电路600的如上的工作，将 相互校正相位差后的Y时钟信号CLY及反相Y时钟信号CLYinv输入扫 描线驱动电路104 (也就是，扫描线驱动电路部分104R及104L)。再者， 通过按上述方法来构成，从相位差校正电路600到扫描线驱动电路部分 104R的布线距离和从相位差校正电路600到扫描线驱动电路部分104L的 布线距离相等，双方的布线时间常数相等。因而，例如即便在从相位差校 正电路600到扫描线驱动电路部分104R及104L之间产生达到不能忽视的 程度的信号延迟时，由于到左右扫描线驱动电路部分的各个信号延迟量相 等，因而能够防止因信号延迟而在左右扫描线驱动电路部分之间发生驱动 定时存在偏差等的不佳状况。
在本实施方式中特别是，具备按构成相位差校正电路600的多个反相 器的每个(也就是说，对反相器601a、 601b、 602a、 602b、 603a及603b 的各自分别各设置1个)所设置的遮光膜。该遮光膜配置于构成相位差校 正电路600的反相器和TFT阵列基板10之间(也就是，TFT阵列基板10 上的、比构成该反相器的互补型TFT靠下层侧)，在TFT阵列基板10上 俯视时，与构成该反相器的TFT重合，并且形成有多条沿该TFT的沟道 长度方向的长条状缝隙。该遮光膜具有和参照图6所述的第1实施方式中 的遮光膜510大致相同的平面形状。
因而，可以利用按相位差校正电路600的每个反相器所设置的遮光膜， 抑制来自位于图像显示区域10a周边的周边区域的光泄漏、因构成相位 差校正电路600的反相器的TFT而产生的折返光的再反射。也就是说，可 以利用这种遮光膜，抑制在图像显示区域10a的形成有相位差校正电路 600的一侧的边缘附iOL生来自周边区域的光泄漏的情况，并且可以抑制 TFT阵列g 10的内面反射、在多片式投影机等中从其他液晶装置发出
并穿透合成光学系统而来的光等的折返光由构成相位差校正电路600的反 相器的TFT进行反射的情况。从而，可以抑制与相位差校正电路600的 多个反相器的排列图形相应的明暗图形等、与周边区域的光反射、透射相 应的明暗图形，在图像显示区域10a的边缘附近^L^映出的情况。 <电子i殳备〉
下面，对于将作为上述电光装置的液晶装置使用于各种电子设备中的 情形，参照图15进行说明。在下面，将对于把该液晶装置作为光阀来使用 的投影机，进行说明。这里，图15是表示投影机构成例的俯视图。
如图15所示，在投影机1100内部，设置由面素灯等白色光源构成的 灯组件1102。从该灯组件1102所射出的投影光通过配置于光导向器件1104 内的4片反射镜1106及2片分色镜1108，分离成RGB的3原色，入射到 作为与各原色对应的光阀的液晶面板1110R、 1110B及1110G。
液晶面板1110R、 1110B及1110G的构成和上述液晶装置相同，由从 图像信号处理电路所供给的R、 G、 B原色信号分别进行驱动。而且，由 这些液晶面板调制后的光从3个方向入射到分色棱镜1112。在该分色棱镜 1112中，R及B的光按90度折射，另一方面，G的光直行。因而，各色 的图像被合成，合成结果通过投影透镜1114，向屏幕等投影彩色图像。
在此，着眼于由各液晶面板1110R、 1110B及1110G得到的显示像， 得知由液晶面板1110G得到的显示像需要相对由液晶面板1110R、 1110B 得到的显示像进行左右翻转。
还有，在液晶面板1110R、 1110B及1110G，由于通过分色镜1108， 入射与R、 G、 B的各原色对应的光，因而不需要设置滤色器。
还有，除了参照图15所说明的电子设备之外，还能举出便携式个人计 算机、便携电话机、液晶电视机、取景器式、监视直观式的磁带录傳水、 汽车导航装置、寻呼机、电子记事本、台式电子计算器、文字处理机、工 作站、电视电话机、POS终端及具备触摸式面板的装置等。而且，不言而 喻，可以用于这些各种电子设备中。
本发明并不限于上述实施方式，而可以在不违反从技术方案的范围及
说明书总体领会的发明宗旨或构思的范围内适当进行变更，并且伴随那种 变更的电光装置及具备该电光装置的电子设备也仍然包括在本发明的技术 范围内。
权利要求
1.一种电光装置，其特征为，在基板上，具备多个像素电极；晶体管，其设置于周边区域，该周边区域位于排列有该多个像素电极的像素区域的周边；以及遮光膜，其配置于比该晶体管靠下层侧，在上述基板上俯视时，与上述晶体管的至少一部分重合，并且形成有沿上述晶体管的沟道长度方向的长条状的开口部。
2. 根据权利要求1所述的电光装置，其特征为， 上述开口部沿上述晶体管的沟道宽度方向，隔开预定间隔形成有多个。
3. 根据权利要求1或2所述的电光装置，其特征为，上述开口部在上述^上俯视时，与上述晶体管的沟道区域至少部分重合。
4. 根据权利要求1到3中任一项所述的电光装置，其特征为， 上述开口部的宽度为ljim以下。
5. 根据权利要求1到4中任一项所述的电光装置，其特征为， 上述遮光膜，具备第l遮光部分，其具有上述开口部；和第2遮光部分，其沿着上述晶体管的沟道宽度方向，在与上述第l遮 光部分相比、离上述像素区域较远的一侧，与上述第1遮光部分相邻来形 成，并且具有与上述第1遮光部分相互不同的平面图形。
6. 根据权利要求5所述的电光装置，其特征为， 上述第2遮光部分形成为，在上述^L上俯视时，与上述晶体管至少部分不重合。
7. 根据权利要求1到6中任一项所述的电光装置，其特征为， 上述晶体管的沟道宽度为5nm以上。
8. 根据权利要求1到7中任一项所述的电光装置，其特征为， 上述晶体管的沟道宽度比上述晶体管的沟道长度长。
9. 根据权利要求1到8中任一项所述的电光装置，其特征为， 具备多条扫描线及多条数据线，它们布线于上述像素区域；和 图像信号线，其设置于上述周边区域，供给图像信号； 上述晶体管作为多个采样用晶体管来形成，该多个采样用晶体管将由上述图像信号线所供给的图像信号，相应于采样信号分别供给上述多条数据线，并且对应于上述多条数据线来排列。
10. —种电光装置，其特征为， 在基板上，具备 多个像素电极；互补型晶体管，其设置于周边区域，该周边区域位于排列有该多个像 素电极的像素区域的周边；以及遮光膜，其配置于该互补型晶体管和上述基板之间，在上述基板上俯 视时，与上述互补型晶体管的至少一方的晶体管重合，并且形成有沿该晶 体管的沟道长度方向的长条状的开口部。
11. 一种电子设备，其特征为， 具备;^利要求1到10中任一项所述的电光装置。
全文摘要
本发明提供电光装置及电子设备。在液晶装置等的电光装置中，不使晶体管特性劣化地抑制因周边区域的光泄漏、光反射引起的对显示图像的不良影响。电光装置在基板(10)上，具备多个像素电极(9a)；晶体管(71)，设置于周边区域，该周边区域位于排列有多个像素电极的像素区域(10a)的周边；以及遮光膜(510)，配置于比晶体管靠下层侧，在基板上俯视时，与晶体管的至少一部分重合，并且形成有沿晶体管的沟道长度方向的长条状的开口部(510s)。
文档编号H01L27/12GK101359140SQ20081013131
公开日2009年2月4日 申请日期2008年8月1日 优先权日2007年8月2日
发明者中川雅嗣 申请人:精工爱普生株式会社