专利名称：：从组合的单体和聚合体发射白光的有机光发射装置的制作方法
技术领域：
：本发明涉及高效有机光发射装置(OLED)。更具体地说，本发明涉及发射白光的OLED,或称WOLED。本发明的装置在单个发射区中采用两个发射体，以充分覆盖可见光光镨。白光发射是通过在发射中心之一形成的聚合体，从单个发射区中的两个发射体获得的。
背景技术：
：有机光发射装置(OLED)，它使用受电流激发时发光的薄膜材料，有望日益成为平面显示技术的大众化的形式。这是因为OLED具有广泛应用前景的各种形式，包括蜂窝电话、个人数字助手(PDA)、计算机显示器、在运输工具中的信息显示器、电视监视器、和一般的照明光源。由于它们明亮的彩色、宽的视角、与全运动视频的兼容性、宽的温度范围、薄及可形变的形状因素、低功率要求、和潜在的低成本制作工艺，OLED被看成未来取代阴极射线管(CRT)及液晶显示器(LCD)的产品，阴极射线管及液晶显示器目前以年增长$400亿统领电子显示器市场。电致磷光OLED由于它们高的发光效率，被看成有希望在某些应用方面，取代白炽灯，甚或荧光灯。基于使用有机光电子材料层的结构的装置，一般依赖于导致光发射的共同机制。通常，该机制根据被捕获电荷的辐射再结合。具体说，OLED在阳极和阴极之间至少包括两层薄有机层。这些层之一的材料，专门根据材料输运空穴的能力选择，是"空穴输运层，，(HTL)，另一层的材料则专门按照输运电子的能力选择，是"电子输运层"(ETL)。借助这样的结构，该装置当加在阳极的电势高于加在阴极的电势时，可以看作具有前向偏置的二极管。在这些偏置条件下，阳极把空穴(正电荷载流子)注入HTL，同时阴极把电子注入ETL。因而与阳极相邻的发光介质部分，形成空穴注入和输运区，同时，与阴极相邻的发光介质部分，形成电子注入和输运区。注入的空穴和电子各向带相反电荷的电极迁移。当电子与空穴聚集在同一分子上时，形成Frenkel激子。这些激子在有最低HOMO-LUMO禁带宽度的材料中被捕获。短寿命的激子的重新结合，可看作在某些条件下，随着弛豫的出现，优先通过光发射机理，电子从最低的空分子轨道(LUMO)落到最高的有分子轨道(HOMO)。可用作OLED的ETL或HTL的材料，也可用作产生激子形成和电致发光发射的介质。这种OLED被称为具有"单异质结构"(SH)。另外，电致发光材料也可以存在于HTL和ETL之间的分开的发射层中，被称为"双异质结构，，(DH)。在单异质结构的OLED中，或者是空穴从HTL注入ETL,在ETL中与电子结合，形成激子，或者是电子从ETL注入HTL，在HTL中与空穴结合，形成激子。因为激子在有最低禁带宽度的材料中被捕获，而通常使用的ETL材料，一般比通常使用的HTL材料有更小禁带宽度，所以单异质结构装置的发射层，通常是ETL。在这样的OLED中，用作ETL和HTL的材料，应当选择空穴能有效地从HTL注入ETL的材料。还有，相信最好的OLED，在HTL与ETL材料的HOMO能级之间，应有良好的能级对准。在双异质结构的OLED中，空穴从HTL及电子从ETL注入分开的发射层，在发射层，空穴和电子结合，形成激子。从OLED的光发射，通常都通过荧光，但是，近来发现OLED通过磷光发射。在本文中，"磷光，，指从有机分子的三重激发态的发射，而"荧光，，指从有机分子的单重激发态的发射。发光则指荧光发射或磷光发射。磷光的成功利用，很有希望用于有机电致发光装置。例如，磷光的优点在于，空穴和电子的重新结合形成的潜在的所有激子，不论是作为单重或三重激发态，都可能参与发光。这是因为有机分子最低的单重激发态，通常比最低的三重激发态有略高的能量。例如，在典型的磷光有机金属化合物中，最低的单重激发态可以迅速衰变到最低的三重激发态，由此产生磷光。相反，在荧光装置中，只有小百分比(约25%)激子能够产生从单重激发态获得的荧光发光。在荧光装置中，最低三重激发态中产生的其余的激子，通常不能转换为更高能量的由此产生荧光的单重激发态。因此，这部分能量成为加热装置的衰变过程的损耗，而不是发射可见光。通常，有机分子的磷光发射不如荧光发射普遍。但是，在适当的一组条件下，能够观察到来自有机分子的磷光。有机分子与镧系元素配价时，常常从定域在镧系金属上的激发态发射。这种辐射发射不是来自三重激发态。此外，没有证据表明，这种发射产生的效率，高得足以在预见的OLED应用有实际价值。铕二酮盐络合物，是这些类型物质的一组。有机磷光，可以在包含未共享电子对的杂原子的分子中观察到，但通常只在极低温度下观察到。二苯酮[Benzophenone]和联吡啶[2，2'-bipyridinel是这种分子。在室温下，通过把有机分子，最好是通过成键，限定在高原子量的原子紧邻，能够使磷光增强，超过荧光。这一现象，被称为重原子效应，是由于熟知的自旋轨道耦合机制产生的。一种有关的磷光跃迁，是金属到配位电荷转移(MLCT)，它是在例如三(2-苯基吡咬)铱(III)[tris(2-phenylpyridine)iridium(in)中观察到的。高效率的蓝、绿、和红的电致磷光的实现，是对低功耗全色显示应用的要求。近来，已经展示了高效率的绿和红的有机电致磷光装置，它充分使用单重态和三重态激子两种激子，得到的内量子效率(T!int)接近100%。1:Baldo,M.A.,O'Brien,D.F.，You,Y.,Shoustikov，A.，Silbey，S.,Thompson,M.E"andForrest,S.R.,7V^"re(London),395，151-154(1998);Baldo,M.A.，Lamansky，S.，Burrows,P.E.，Thompson,M.E.，andForrest,S.R.，尸一.丄e汰，75，4-6(1999);Adachi，C.，Baldo，M.A.，andForrest,S.R.，J//;/.丄e汰，77，904-卯6(2000);Adachi，C.，Lamansky,S.，Baldo,M.A.，Kwong，R.C.，Thompson,M.E,，andForrest,S.R.，/Vy;s.丄e汰，78，1622-1624(2001);和Adachi，C.，Baido,M.A.，Thompson,M.E.，andForrest,S.R.，5〃.爿附.尸/y^.Soc.，46，863(2001)。4吏用绿色磷光材料，/"c三(2-苯基吡啶)铱(III)(简称Ir(ppy)3)[/"ctris(2-phenylpyridine)iridium(Ir(ppr)3)，具体说，使用宽禁带宽度的主体材料，3-苯基-4-(l'-萘基)-5-苯基-l，2，4-三唑(简称TAZ)[3-phenyl-4-(l'陽naphthyl)-5-phenyl-l，2，4画triazole(TAZ)，可以实现(17.6±0.5)%的外量子效率(Tie")，相当于>80%的内量子效率，Adachi，C"Baldo,M.A"Thompson,M.E.，andForrest,S.R.，5w〃.爿附.i%s,紋，46，863(2001)。最近，展示了高效率(11^=7.0±0.5)%的红色电致磷光，它采用联(2-(2'-苯并[4，5-a噻吩基)吡啶化物-N，C3)铱(乙酰丙酮化物)(简称Btp2Ir(acac))[(2-(2'-benzo[4，5-athienyl)pyridinato-N，C3)iridium(acetylacetonate)[Btp2Ir(acac)。1:Adachi，C.，Lamansky,S.，Baldo,M.A.，Kwong，R.C.，Thompson,M.E.，andForrest,S.R.，J//;/.iVi;;s.丄e汰，78，1622-1624(2001)。在每一种后面的情形中，借助从主体的单重态和三重态，到磷光物质三重态的能量传递，或通过直接捕获磷光材料上的电荷，能够荻得高的效率，从而收获高达100%的激发态。与在小分子或聚合物有机光发射装置(OLED)中使用荧光的期望相比，这是显著的改进。1:Baldo,M.A.，O'Brien,D,F.，Thompson,M.E.,andForrest,S.R.，Phys.Rev.，B60,14422-14428(1999);Friend,R.H.，Gymer，R.W.，Holmes,A,B.，Buuoughes,J.H.，Marks,R,N.，Taliani，C.，Bradley,D.D.C.，DosSantos,D.A.，Bredas，J.L.，Logdlund，M.，Salaneck，W.R.，;V"^re(London)，397，121-128(1999);和Cao，Y，Parker,I.D.，Yu，G.，Zhang，C.，andHeeger,A.J.，胸一London),397，414-417(1999)。在两种情形之一中，这些传递必然引起共振的、放热过程。随着磚光材料三重态能量的增加，很难找到有适当高能量的三重态主体。i:Baldo,M.A.，和Forrest,S.R.，Phys.Rev.B62，10958-10966(2000)。对主体要求非常大的激子能量也指出，主体材料可能没有合适能级与OLED结构中j吏用的其他材料对准，从而导致效率的进一步降1'氐。为消除主体导电性质与能量传递性质之间的竟争，提高蓝色电致磷光效率的方法，可能涉及从接近主体共振激发态到磷光材料更高的三重态能量的吸热能量传递。Baldo，M.A.，和Forrest,S.R.，Phys.Rev.B62，10958-10966(2000);Ford，W.E.，Rodgers，M.A.J.，J.Phys.Chem.，96.2917-2920(1992);和Harriman，A.;Hissler，M.;Khatyr，A.;Ziessel，R.C7^附.O附附w".，735-736(1999)。只要传递中要求的能量不显著高于热能，这一过程可以是非常高效率的。白光照明光源的质量，可用一组简单的参数说明。光源的彩色由它的CIE色坐标x和y给出。CIE坐标通常在两维的图上表示。单色性彩色，落在马蹄形曲线的周边，马蹄形曲线从左下角的蓝色开始，通过光谦的彩色，沿顺时针方向走到右下角的红色。给定能量和光谱形状的光源的CIE坐标，将落在曲线区域之内。所有波长的光均匀地加起来，给出白色或非彩色点，位于图的中心(CIEx，y坐标是0.33，0.33)。从两个或多个光源混合的光，给出的光的彩色，由各独立光源CIE坐标的强度加权平均表示。因此，可以用两个或多个光源的混合光，产生白光。虽然该两组分和三组分的白光光源，对观察者来说似乎相同(CIE坐标0.32，0.32)，但它们不是等效的照明光源。当考虑用这些白光光源照明时，除光源的CIE坐标外，还必须考虑CIE的彩色再现指数(CRI)。CRI给出光源施予它照明的物体的彩色有多好的指示。给定光源与标准照明完美的匹配，给出的CRI为IOO。虽然至少70的CRI值，对某些应用是可以接受的，但优秀的白光光源，应有约80的CRI或更高。前述用于产生白光的OLED的最成功办法，涉及把三个不同的发射体(发光掺杂物)分成分离的层。需要三个发射中心来获得良好的彩色再现指数(CRI)值，因为用少于三个发射体，语线通常不够宽，不足以覆盖整个可见光光镨。设计WOLED的一种办法，涉及把各种掺杂物分门别类放进分离的层中。于是在这样的装置中，发射区包含不同的发射层。Kido，J.W."A5Wewce，267，1332-1334(1995)。这样的装置的设计，可能很复杂，因为要获得良好的色平衡，每一层的厚度和成分的精心控制，都是关键的。把发射体分成各层，基本上避免能量在红色、绿色、和蓝色发射体之间的传递。问题在于，最高的能量发射体(蓝色)有效地把它的激子传递到绿色和红色发射体。这一能量传递过程的效率，由Forster能量传递方程式描述。如果蓝色发射体与绿色或红色发射体的吸收i普有良好的光镨重叠，且振子强度对所有的跃迁是高的，那么能量传递过程将是有效的。这些能量的传递，能够在30A或更大的距离上发生。同样，绿色发射体会快速地把它的激子传递给红色发射体。最后的结果是，如果三者按相等的浓度掺杂进薄膜中，则红色发射体将支配光谱成分。用荧光染料，激子迁移的长度比较短，且能够通过改变掺杂物之比，控制该三种发射体颜色之间的平衡(蓝色必须比绿色多，绿色又比红色多，以便使所有三种颜色达到相等的强度)。如果掺杂物保持低的浓度，则能使掺杂物之间的平均距离保持在Forster能量传递距离以下，从而使能量传递效应最小。把所有三种染料放在单一层内，涉及四成分的薄膜，每种掺杂物<1%。这样的薄膜的制备，难以可靠地实施。掺杂物比值的任何变化，都将严重影响装置的彩色质量。用磷光发射体，情况有些不同。虽然磷光掺杂物的Forster半径，比荧光掺杂物低，但激子扩散长度可以>1000A。为了使电致磷光装置获得高的效率，磷光材料一般必须以比荧光掺杂物高得多的浓度存在(通常>6%)。最终的结果是，在单一层中把磷光材料混合在一起，导致严重的能量传递问题，正如对荧光发射体观察到的一样。已经成功地使用的办法，是把磷光材料分门别类放进分开的层中，消除能量的传递问题。
发明内容—本发明针对高效的有机光发射装置(OLED)。更具体地说，本发明针对发射白光的OLED，或叫WOLED。本发明的装置，在单个发射区中采用两层发光发射体，或叫发光体(lumophore)，以充分覆盖可见光光镨。该发光体可以通过萸光发射(从单重激发态)，或通过磷光发射(从三重激发态)。白光发射是通过发光体之一形成的聚合体，从单个发射区中的两个发光发射体获得的。该两个发射中心(聚合体发射体和单体发射体)被掺杂成单一的发射层。这样能使呈现高彩色再现指数的WOLED结构简单、高亮度、和高效。因此，本发明的一个目的，是提供发射白光的OLED，它呈现高的外发射效率(next)和亮度。本发明的另一个目的，是产生发射白光的OLED，它呈现高的彩色再现指数。本发明还有一个目的，是产生发射白光的有机光发射装置，它产生的白光发射的CIEx，y色坐标接近(0.33,0.33)。本发明还有一个目的，是提供可在漫射照明应用中使用的大面积、高效光源，例如目前到处可见的常规荧光灯。例如，本发明的一个目的，是产生发射白光的OLED，它包括发射区，其中该发射区包括聚合体发射体和单体发射体，其中从聚合体发射体的发射，在能量上低于从单体发射体的发射，且其中聚合体发射体和单体发射体的发射光谱，充分覆盖可见光光谱，给出白光的发射。为说明本发明，在附图中举出有代表性的实施例，但应指出，本发明不受画出的精确排列和手段的限制。图1画出TAZ中FPt(激态复合物)的电致发光光谱，和CBP中FIrpic(只画出摻杂物)的电致发光光镨，以及两种光语的和。合成的光镨不是单个装置的，而是在计算上把两个装置的输出组合一起，说明使用单体和激态复合物发射体，获得真正白光发射的潜在可能性。图2画出以<1%和>6%FPt掺杂的CBP薄膜的光致发光光i昝。在1%装填时，光镨由单体发射支配。在6%装填时，单体信号仍然存在，但主要成分相对地发黄，是准分子的发射。图3对ITO/PEDOT(400)/NPD(300)/CBP:Firpic6。/。(300)/Firpic(500)/LiF(5)/Al(1000)装置，画出在若干不同电流电平下的EL光语。对每一光i普，在图例中给出CIE坐标。在所有电流密度上，装置呈现白色，CRI值高达70。图4对ITO/PEDOT(400)/NPD(300)/CBP:Firpic60/0(300)/Firpic(500)/LiF(5)/Al(1000)装置，画出量子效率(空心圓)和功率效率(空心方框)曲线。电流密度电压曲线画在插入的图中。该装置表明准分子的发射能够在单个OLED中与单体的发射耦合，获得白光的发射。图5画出薄膜1-4的光致发光发射(实线)和激发光谱(空心圆)。各薄膜厚1000A,在石英衬底上生长。薄膜1表明CBPPL光谱在X-390nm有峰，而对应的PLE则在人=220-和370nm之间。CBP的PLE在nm有肩，且主峰在人=350nm。该CBPPLE峰对应于在人-300-和350nm上的吸收峰(箭头，图6的插图)。这两个CBP特征出现在所有把CBP用作主体的薄膜的PLE光谱中；因此，这是所有薄膜的主要吸收物质，且能量必须有效地从CBP传递到FPt(acac)和Fir(pic)两者，以便发生从这些分子的发射。图6画出装置ITO/PEDOT國PSS/NPD(30nm)/CBP:Firpic6。/。:FPt6%(30nm)/BCP(50nm)/LiF(5)在若干电流密度下的归一化电致发光光语，为了看得清楚，光镨在竖直方向错开。左上角的插图，表明石英上1000A厚CBP薄膜的吸收对波长曲线。下方插图画出装置的结构。图7对装置ITO/PEDOT画PSS/NPD(30nm)/CBP:Firpic6%:FPt6%(30nm)/BCP(50nm)/LiF，画出外量子效率和功率效率对电流密度的曲线。发射层由CBP中掺杂6wt。/o的Fir(pic)和6wt°/。的FPt(acac)组成。左侧的插图表明该装置的电流密度对电压特性。右侧的插图画出能级图，以实线表示CBP的能级，CBP中掺杂Fir(pic)和FPt(acac)(虛线)。图中HOMO表示最高有分子轨道的位置，而LUMO表示最低空分子轨道的位置。图8画出以变化浓度FPt掺杂的CBP薄膜的光致发光光i普。图9画出以变化浓度FPt2掺杂的CBP薄膜的光致发光光语。图10画出以变化浓度FPt3掺杂的CBP薄膜的光致发光光镨。图11画出以变化浓度FPt4掺杂的CBP薄膜的光致发光光谱。图12对以各种FPt3浓度掺杂的OLED:ITO/NPD(400A)/Ir(ppz)3(200A)/CBP画Fpt3(300A)/BCP(150A)/Alq3(200A)/Mg-Ag，画出其电流密度对电压的曲线。图13画出图12各种FPt3浓度掺杂的OLED的电致发光光谱。图14画出图12各种FPt3浓度掺杂的OLED的CIE坐标。图15画出图12各种FPt3浓度掺杂的OLED的亮度对电压曲线。图16画出图12各种FPt3浓度掺杂的OLED的量子效率对电流密度曲线。图17对图12各种FPt3浓度掺杂的OLED,画出作为电流密度函数的功率效率和亮度。图18画出如下化合物的结构铂(II)(2-(4'，6'-二氟苯基)吡啶化物-N,C2)(2，4-戊二醇化物)(简称FPt，FPt(acac))[platinum(II)(2-(4',6'-difluorophenyl)pyridinato-N，C2)(2，4-pentanedionato)(FPt，FPt(acac))；铂(11)(2誦(4'，6'-二氟苯基)吡咬化物-N，C2)(2，2，6，6-四甲基-3,5-庚二醇化物)(简称FPt2)[platinum(II)(2-(4'，6'-difluorophenyl)pyridinato-N，C2)(2，2，6，6-tetramethyl-3，5-heptanedionato)(FPt2)j;铂(II)(2-(4'，6'-二氟苯基)吡啶化物-N，C2)(6-甲基-2,4-庚二醇化物)(简称FPt3)[platinum(II)(2-(4'，6'-difluorophenyl)pyridinato-N，C2)(6-methyl-2，4-heptanedionato)(FPt3)j;铂(II)(2-(4',6'-二氟苯基)吡啶化物-N，c2)(3國乙基-2，4-庚二醇化物)(简称FPt4)[platinum(II)(2-(4'，6'-difluorophenyl)pyridinato-N，C2)(3-ethyl-2，4-pentanedionato)(FPt4)j;铱-双(4，6，^2-苯基-吡啶化物-1\，(:2)-甲基吡啶化物(简称FIrpic)\'-双(3-曱基苯基)-民1^'-联苯-[1，1''-联苯4，4''-联氨(简称TPD)、4，4'-双[N-(2-萘基)-N-苯基-氨基联苯(简称P-NPD)、4，4'-双[N，N'-(3-甲苯基)氨基-3，3'-二甲基联苯(简称M14)、4,4'，4〃-三(30曱基苯基苯基氨基)三苯胺(简称MTDATA)、4，4'-双[N，N'-(3-甲苯基)氨基-3，3'-二甲基联苯(简称HMTPD)、3，3'-二甲苯-7V4，7V4，iV4'，7V4'-四-对-甲苯基-联苯-4，4'-联氡(简称R854)、N，N'，N〃-l，3，5-三咔唑基苯(简称tCP)、和4，4'-N，N'-联吵唑-联苯(简称CBP)。另外适合空穴输运的材料，本领域是熟知的，适合用作空穴输运层的材料例子，可以在如下专利申请中找到:U.S.PatentNo.5，707，745，本文收入该申请，供参考。除上面讨论的小分子外，基体可以包括聚合物或聚合物的掺合物。在一个实施例中，发射材料是作为自由分子添加的，即没有与聚合物键合，而是在聚合物"溶剂"中分解。推荐用作基体材料的一种聚合物是，聚(9-乙烯咔唑)(简称PVK)[poly(9-vinylcalbazole)(PVK)I。在另外的一个实施例中，发射体是聚合物重复单元的一部分，例如是Dow的聚芴材料。荧光发射体和磷光发射体两者都可以附着在聚合物链上，并可用来制作OLED。包括聚合物基体的装置中的层，通常是用旋转涂布淀积的。推荐用于发射层的主体基体材料，包括咔唑联苯(简称CBP)及其衍生物、N，N'-联咔唑苯及其衍生物、N，N'，N〃-l，3，5-三咔唑基苯及其衍生物。衍生物包括上述化合物被下面的一种或多种基团取代烷基、链烯基、炔基、芳基、CN、CF3、C02aikyl、C(O)alkyl、N(alkyl)2、N02、O-alkyl、和卣。特别推荐的用于发射层的主体基体材料，包括4，4'-N，N'-联呻唑-联苯(简称CBP)、N，N'-w""-联咔唑基苯(简称mCP)、和N，N'，N〃-l，3，5-三呼唑基苯(简称tCP)。CBP有许多作为基体材料的重要性质，如高的2.56eV(484nm)的三重态能级，和双极性电荷输运性质，这使它成为磷光掺杂物的优良主体。良好的CBP薄膜结晶迅速。把小分子掺杂进CBP中(如发射掺杂)，使薄膜稳定在非晶态或玻璃态，能稳定相当长的时间。另一方面，mCP即使在未掺杂时也形成稳定的玻璃态。在装置操作时发生结晶，可能导致装置失效，所以是应当避免的。有了即使在未掺杂时也形成稳定玻璃态的材料，是有利的，因为结晶过程更不易发生。用来评价给定材料的玻璃态形成能力的一种尺度，是它的玻璃态转变温度Tg。该温度表征玻璃质材料的热稳定性，因此对OLED材料，希望有高的Tg。在Tg上，通常发生显著的热膨胀，导致装置失效。mCP的Tg值是65°C。虽然该值对装置的制备是可接受的，但对制作有最长可能寿命的装置，最好有更高的Tg。通过向分子添加大的、坚固的基团，如苯基及聚苯基基团和类似的芳基基团，增加Tg是容易实现的。但是，该苯基添加物/取代物，应当按不降低三重态能量，或按主体材料不适合用作蓝色或白光发射装置的方式实施。例如，向咔唑单元本身(如化合物I的4'位置)添加苯基基团，通常将降低三重态的能量，使mCP衍生物更不适合用于蓝色或白光发射装置。用苯基或聚苯基基团在化合物I的2，4，5,或6位置取代，最可能不会导致三重态能量的显著移动。这些取代物一般将增加材料的Tg，使它们成为长寿命的OLED的更好的材料。该种化合物的例子包括，但不限于及其衍生物。适合的电极(即阳极和阴极)材料，包括导电材料，如金属、金属的合金、或导电的氧化物如ITO，这些材料与电的接点连接。电接点的淀积，可以通过汽相淀积或其他适当的金属淀积:技术实施。这些电接点可以由，例如铟、镁、铂、金、银或其組合，如Ti/Pt/Au、Cr/Au、或Mg/Ag等制成。当淀积上电极层(即阳极或阴极，通常是阳极)，就是说，在OLED离衬底最远的一侧的电极时，应当避免损坏有机层。例如，有机层不应加热到它们的玻璃态转变温度之上。上电极最好从与衬底基本上垂直的方向淀积。用作阳极的电极，最好用高逸出功(24.5eV)的金属，或透明的导电氧化物，如铟锡氧化物(ITO)、锌锡氧化物、等等。在各优选实施例中，阴极最好是低逸出功的电子注入的材料，如金属层。最好是，阴极材料的逸出功小于约4电子伏特。如果阴极层是不透明的，那么，金属的阴极层可以由基本上较厚的金属层构成。如果要求阴极层是透明的，则可以用薄的低逸出功的金属，结合透明的导电氧化物，如ITO。透明的阴极可以有厚度为50-400A的金属层，最好约100A。也可以用如LiF/Al的透明阴极。对顶发射的装置，可以用公开在下面专利申请的透明阴极U.S.PatentNo.5，703，436，或待决专利申请U.S.SerialNos.08/964,863和09/054,707，本文收入这些申请，供参考。透明阴极的光透射特性，要能使OLED的光透射至少约50%。最好是，透明阴极的光透射特性，能使OLED至少有70%的光透射，更为可取的是至少约85%。本发明的装置可以有附加的层，例如激子阻挡层(EBL)、空穴阻挡层(HBL)、或空穴注入层(HIL)。本发明的一个实施例，使用阻挡激子扩散的激子阻挡层，从而改进整个装置的效率，激子阻挡层例如公开在下面的专利申请中U.S.PatentNo.6,096,147，本文收入该申请全文，供参考。为防止激子的电子从发光层泄漏进空穴输运层，特别是在有高能(蓝色)磷光发射体的装置中，可以在发光层与HTL之间包括电子/激子阻挡层。高能磷光掺杂物趋于具有高能的LUMO能级，接近输运材料和主体材料的能级。如果掺杂物的LUMO能级，接近HTL材料的LUMO能级，那么，电子可能泄漏进HTL。同样，如果掺杂物的发射能量接近HTL材料的吸收能量，可以发生激子泄漏进HTL层。因此，在HTL与发光层之间引进电子/激子阻挡层，可以改进装置的特性。有效的电子/激子阻挡层材料，要有防止激子泄漏进HTL的宽的禁带宽度、阻挡电子的高的LUMO能级、和高于HTL的HOMO能级。用于电子/激子阻挡层的优选材料，是/"c-三(1-苯基吡啶化物-N，C2')铱(III)(简称Irppz)。在本发明又一个实施例中，空穴注入层在阳极层与空穴输运层之间。作为本发明的空穴注入材料的材料特征，要能使阳极表面成为平滑的或把阳极表面浸润，以便提供足够的空穴，从阳极注入空穴注入材料。本发明的空穴注入材料，还有如下特征由它们的相对IP能量定义的HOMO能级，有助于与相邻的在HIL层一侧的阳极层、及发射体掺杂的在HIL层另一侧的电子输运层匹配。从每一种材料获得的最高有分子轨道(HOMO)，与它的电离电势(IP)对应。最低的空分子轨道(LUMO),等于IP加上由吸收光谱确定的光学禁带宽度。在整个组装了的装置中，能量的相对对准，可能与预测有某些差别，例如与从吸收光镨预测的有差别。HIL材料，虽然依旧是空穴输运材料，但与常规的、通常用于OLED空穴输运层的空穴输运材料不同，其不同点，在于该种HIL材料的空穴迁移率，基本上小于常规空穴输运材料的空穴迁移率。例如，已经发现，m-MTDATA对促进空穴从ITO注入包含例如a-NPD或TPD的HTL，是有效的。原因可能是，HIL有效地注入空穴是由于HILHOMO能级/ITO偏移能量的降低，或ITO表面的浸润。相信HIL材料m-MTDATA的空穴迁移率约3xl(T5cm2/Vsec，可分别与a-NPD和TPD的空穴迁移率约5x10—4cm2/Vsec和9x10—4cm2/Vsec比较。由此，m-MTDATA材料的空穴迁移率比通常用作HTL材料的a-NPD和TPD，小一个数量级还多。其他HIL材料包括酞青化合物，如铜酞青，还有其他材料，包括聚合物材料如，聚3，4-亚乙二氧基噻吩(简称PEDOT),或聚(乙基-二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸)(简称PEDOT:PSS)，这些材料对促进空穴从阳极注入HIL材料，继而进入HTL，是有效的。本发明的HIL厚度，必需足够厚，有助于使阳极层表面平滑或浸润。例如，对十分光滑的阳极表面，HIL的厚度可以小到10nm。但是，因为阳极表面大都非常粗糙，在某些情形下，可能要求HIL的厚度高达50腿。按照本发明的衬底，可以是不透明的或基本上透明的、坚固的或柔性的、和/或塑料的、金属的、或玻璃的。虽然本文对厚度范围不加限制，但如果作为柔性塑料或金属膜衬底，可以薄到10mm,如果作为坚固的、透明的或不透明的衬底，或衬底由硅制成，则基本上要求更厚。本发明的OLED和OLED的结构，根据需要的作用可以任选地包含另外的材料或层，如保护层(在制作过程中保护某些材料)、绝缘层、沿某些方向引导光波的反射层、和覆盖电极及有机层的防护罩，以免这些层受环境的影响。绝缘层和防护罩的说明，例如包括在U.S.PatentNo.6,013,538中，本文引用该申请，供参考。虽然高的CRI值常常是希望的，但本发明的装置，同样用于产生提供其他颜色的光源。白炽灯泡实际略带黄色，不是纯白色。如本文所说明的，通过改变单体发射体对聚合体发射体之比，可以调整得到的装置的颜色，例如，仿效白炽灯泡发射的光。通过调整掺杂物的浓度、掺杂物的空间堆积、和用于发射层的主体材料，可以构造提供不饱和(非单色)颜色发射的装置。本文给出的层的类型、数量、厚度、和次序，可以有基本的变化，依赖于是否存在OLED层的相反序列，或是否使用还有的其他设计变化。本领域熟练人员应当能识别对本文说明并列举的本发明实施例的各种修改。这些修改应被认为包括在本发明的精神和范围之内。就是说，虽然本发明已经参照某些实施例详细说明，但本领域熟练人员应认识到，本发明在权利要求书的精神和范围之内，还有其他的实施例。举例这里可购买的溶剂和试剂，均购自AldrichChemicalCompany。试剂是最高纯度的，并在收到后立刻使用。配体2-(2，4-二氟苯基)吡啶(F2ppy)，是通过Suzuki耦合2，4-二氟苯基硼酸与2-溴吡啶(Aldrieh)制备的。Pt(II)p-二氯桥连二聚体[(F2ppy)2Pt(p-Cl)2Pt(F2ppy)2j，是通过Lewis法的修改方法制备的(Lohse，O.etal.争/饥1999，7，45-48)。该二聚体用3当量的螯合二酮配体与10当量的Na2C03处理。2，6-二曱基-3，5-庚二酮和6-甲基画2，4-庚二酮，购自TCI。3-乙基-2，4-戊二酮购自Aldrich。溶剂在降低压力下除去，并把化合物用色i脊分析方法提纯。产物从二氯甲烷/甲醇中重新结晶，然后升华。Irppz是通过把Ir(acac)3(3.0g)和1-苯基吡唑(3.1g)，在100ml甘油中溶解，并在惰性气氛中回流12小时。冷却后，产物通过过滤离析，并经过去离子水、曱醇、醚、和己垸几部分清洗，然后真空干燥。然后把粗产物在温度梯度220-250。C中升华，得到灰黄的产物(回收率58%)。mCP是通过芳基卣和芳基胺的钯催化交叉耦合制备的。(T.Yamamoto,M.Nishiyama，Y.Koie7W.丄C"1998，39，2367-2370)。例1电致磷光准分子WOLED，是在预先镀有铟锡氧化物(ITO)层的玻璃衬底上生长的，铟锡氧化物层的薄膜电阻是20-W/sq。在有机层淀积之前，衬底在超声溶刑浴中去油脂，然后在150mTorr下，以20W的氧等离子处理8分钟。用来降低OLED泄漏电流和增加制作出产率的聚(乙基-二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT:PSS),被以4000rpm旋转40s，旋转涂布在ITO上，然后以120°C在真空中烘烤15分钟，获得约40mn的厚度。空穴输运材料和主体材料，以及两种掺杂物，按标准的处理过程制备(见Lamansky，S.etal.，/worg.C7^/w.40，1704-1711,2001)，再通过温度梯度真空升华提纯。随后不必中断真空，通过在基本压力<8xl(T7Torr下的热蒸发，淀积分子有机层。淀积开始于30nm厚的4，4'-双[N-(萘基)-N-苯基-氨基联苯(简称a-NPD)空穴输运层(HTL)，后接30nm厚的发射区，发射区由发射蓝色磷光的Fir(pic)和FPt(acac)构成，两者都按6wt。/。掺杂进4，4'-N，N'-联^唑-联苯(简称CBP)的主体中。淀积的最后有机层，是30nm的浴铜灵(BCP)。该层用作空穴和激子阻挡层，还作为电子输运介质。有机层淀积之后，样品从蒸发室转移进含有S1ppm的H20和02的充N2手套箱。把有1mm直径开孔的掩模固定在样品上之后，把样品送进第二真空室(<10-7Torr)，在第二真空室中，通过掩模淀积阴极金属(包括5A的LiF和接着70nm的铝)。样品只在测试时暴露在空气中。装置结构的横截面示于图6。通过考察装置发射区使用的材料的光致发光(PL)光谱及激发(PLE)光i普，开始WOLED的设计，是方便的。三个掺杂薄膜和一个不掺杂的"控制，，CBP薄膜，各为1000A厚，是通过热蒸发在分开的溶剂清洁石英衬底上生长的。薄膜的PL和PLE光语，是用PhotonTechnologyInternationalQuantaMaster荧光系统测试的。图5歹'J出薄膜的成分和与它们有关的PLCIE坐标。图5画出薄膜1-4的PL(实线)和PLE(空心圆)光语。薄膜l表明，CBPPL镨在i-390nm上有一峰，而相应的PLE则在^=220和370nm之间。CBP的PLE在人=300nm上有肩，主峰在人=350nm上。该CBPPLE峰与入-300和350nm(箭头，图6的插图)的吸收峰对应。这两个CBP特征出现在CBP用作主体的所有薄膜的PLE光谗中；因此，这是所有薄膜中的主要吸收光谱，为了发生从FPt(acac)和Fir(pic)分子的发射，能量必须有效地从CBP传递到FPt(acac)和Fir(pic)两者。薄膜2的PL光镨表明，频带只与CBP和FPt(acac)单体发射一致。CBP在人=390nm发射，而FPt(acac)单体的发射峰在、-470nm和nm(见图5)。观察到CBP中FPt(acac)的光镨，与相同分子在稀释溶液中的十分类似。在〈lwt。/。的情形，随机分布的FPt(acac)分子，平均分开30A，排除有效的准分子的形成。在薄膜2中缺乏宽带的长波长的峰指出，在CBP和FPt(acac)之间不形成激态复合物。就是说，如果激态复合物在这些半分子间形成，则即使在最低的掺杂样品中，也应出现从FPt(acac)-CBP络合产生的激态复合物发射。随着FPt(acac)掺杂浓度增加至7wt%(薄膜3)，伴随人=470nm和入=500nm上的特征单体发射，观察到X=570nm的橘红色的强准分子发射。更高的掺杂浓度导致CBP荧光的完全淬灭。对薄膜3，在入=570隨上测量FPt(acac)发射的寿命是t=7.2ms，与入=470腿上的8.3ms比较，也与FPt(acac)络合物上准分子的形成一致。从1wt。/。到7wt。/。的FPt(acac)掺杂，导致与单体及准分子同时从掺杂物发射一致的光谱。掺杂浓度在3wt%~4wt%时，单体和准分子谱线是平衡的，导致白光发射。虽然该薄膜的成分，原则上可用于制作白光的OLED，但对有合理的效率并提供无CBP荧光的装置而言，掺杂浓度太低。薄膜4由掺杂6wt。/。的FIr(pic)和6wt。/o的FPt(acac)的CBP构成。这里要说明的是，CBP发射没有PL，但PLE光镨依旧表明它是主要的吸收物质，且能量充分传递至FIr(pic)和FPt(acac)两者。双掺杂薄膜的PL发射与图6所示WOLED的电致发光(EL)类似。能量传递过程可以通过参照三种有机成分(图7右下方插图)的最高有分子轨道(HOMO)和最低空分子轨道(LUMO)的能量，按双掺杂系统来理解。三重态能量从CBP到FIr(pic)的传递，是通过吸热过程发生的，吸热过程在Adachi，C.etal.，/4/7/;/.尸/y;s.79，2082-2084(2001)中有说明。假定FIr(pic)和FPt(acac)两者HOMO能级的相同位置为(5.8土0.1eV)，和LUMO能级为(3，2土0.1eV),可以期望CBP和FPt(acac)有相似的吸热三重态能量传递。两种掺杂物之间共振能量的传递同样是可能存在的，因为它们以高浓度存在于CBP基体中。但是，从FIr(pic)到准分子直接的能量传递不能发生，因为准分子有零的基态吸收，阻止了能量从蓝光发射中心到黄光发射中心的能量喷流。这一点基本上把这些分子的激发态消耦合，使要达到需要的色平衡的掺杂优化变得简单。WOLED的光输出功率，是用NewportPowerMeter和校准的硅光二极管测量的，之后，用图7左方的插图所示电流密度-电压特性，计算"ext。假定一Lambertia强度曲线，计算"p(图7)和亮度。图上，在/=lxl0—3mA/cm2和10mA/cm2之间，riext23.0%。在J>300mA/cir^上的滚降，归因于样品受热和三重态-三重态湮没。WOLED有极值"ext=(4.0±0.4)%,与(9.2±0.9)cd/A、在16.6V时亮度(31000±3000)cd/m2、tip=(4.4±0.4)lm/W、和78的CRI对应。对一块好的FPt(acac)薄膜测量的寿命，在nm和人=600nm上分别是t=4.8ms和t=5.2ms。因此，随着电流密度的增加，FPt(acac)的准分子态与单体及FIr(pic)相比，变成饱和，从而导致蓝色发射的增加。光谱的变化反映了在CIE坐标中小的变化，从(0.40，0.44)变到(0.35,0.43)。例2OLED用FPt3以掺杂浓度8、10、和12%制备。装置的结构是ITO/NPD(400A)/Ir(ppz)3(200A)/CBP-FPt3(300A)/BCP(150A)/Alq3(200A)/Mg-Ag。三个装置的电流电压特性类似，在低电压时，泄漏电流随掺杂浓度的增加而逐渐减小。在任何掺杂浓度上，没有观察到CBP的主体发射，表明FPt3掺杂物充分捕获CBP基体中形成的所有激子。虽然CBP中激子的形成，可能导致空穴电子再结合的结果,但它也可能使FPt3分子捕获空穴和电子，出现在掺杂物上的直接再结合。后一过程将导致在掺杂物上形成激子，不要求从基体材料即在本例中的CBP的能量传递。Ir(ppz),即电子阻挡层，必须阻止电子泄漏进NPD层，这样会导致除掺杂物单体-准分子发射外，还有NPD发射。该三个装置全都表明，接通电压在3至4伏之间，获得的最大亮度在4,000到10,000Cd/n^之间。这些装置的光镨，随电压的升高，呈现非常小的变化，就是说，单体对准分子之比不受电压和电流的明显影响。10和12%掺杂的装置，还分别提供8和6，5lm/W(在1Cd/m2)的非常好的功率效率。例4以变化的wt%掺杂FPt的mCP薄膜，是在玻璃上通过共同淀积两种材料制备的。在某一浓度范围上掺杂进mCP的FPt的光谱，示于图20。对掺杂进mCP的FPt的单体态和聚合体态，发射波长的极大与CBP中那些FPt相同。在掺杂浓度约15wt%时，观察到平衡的单体/聚合体发射，该浓度粗略为要求从FPt掺杂的CBP中，获得相等的单体/聚合体发射比的三倍。这一点表明，CBP对FPt是更优良的溶剂，在掺杂的mCP薄膜中导致更小的FPt…FPt互作用。与CBP掺杂薄膜相反，在轻微掺杂的mCP薄膜(<1wt%FPt)的光谱中，没有观察到主体的发射，这表明从mCP到FPt的能量传递，比从CBP到FPt更有效。尽管CBP三重态的能量高(磷光波长Xmax=460nm)，但从CBP到蓝色磷光掺杂物，如这里使用的Pt络合物的能量传递，是吸热的过程。相反，mCP在410nm上有磷光峰，使能量从CBP到Pt络合物掺杂物的传递，成为更为有效的、放热的过程。从主体到掺杂物更有效的能量传递，如同观察到的那样，将影响淬灭发射所必需的掺杂物的量。CBP和mCP两者都有低的偶极矩(大约0.5D)，所以，可以预期掺杂物与主体材料之间的静电互作用与之类似。这是与观察相符的，掺杂的mCP和CBP薄膜的单体及聚合体态光谱是相同的。不必按照理论上的限制，引起不同掺杂物溶解度的CBP和mCP的差别，是与它们的分子结构有关的。平面型分子趋于有高的締合能，它促进结晶和阻碍玻璃态的形成。预期CBP在固体状态中是大的平面。这与我们的观察是一致的，不掺杂的CBP薄膜，当直接淀积在玻璃或ITO衬底上时，迅速结晶。高的CBP締合能有排斥单体掺杂物的趋势，导致在合适掺杂浓度上聚合体的形成。当把mCP淀积在无机或有机衬底上时，mCP快速形成稳定的玻璃，表明它有非平面型基态结构。对mCP，玻璃的转变温度是65。C。相邻,唑基团与苯基环之间的空间互作用，导致CBP和mCP两者应有非平面基态结构的预测，如图21中能量最低结构的几何形状所示。虽然CBP的该最低结构，似乎在某种程度上是非平面的，但重要的是应当指出，在如图所示的结构与平面的构象异构体之间的差，仅为18kJ/mol。对照之下，使mCP平面化的能量代价是35kJ/mo1。阻碍使mCP变平的大的壁垒，主要原因在于相邻^t唑间的H...H排斥力，这种互作用是CBP中没有的。由于该结构上的差别，我们认为，正方平面的Pt掺杂物对mCP的溶解度，与对CBP的溶解度非常不同。这种变化，在给定掺杂浓度下，显著地影响CBP对mCP的单体/聚合体之比。对1摻杂进mCP的光致发光光镨的CIE坐标及彩色再现指数，在表1中给出。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage34</column></row><table>浓度在4-10wt%之间，给出的CIE坐标最接近白色(0.33，0.33)，而最大的CRI在浓度范围15-20wt%之间观察到。最高浓度时，CIE坐标接近白炽灯泡(大约0.41，0.41)。因此，对1掺杂的mCP，选择10-20wt%的浓度范围，用于WOLED是最佳的。例5制作的装置有结构NPD(400A)/Irppz(200A)/mCP:FPt(16%300A)/BCP(150A)/Alq3(200A)/LiF(10A)/A1(1000A)。使用mCP主体取代CBP，显著改进了装置的性能。装置的效率、电流电压特性、和光谱，画在图23、24、和25。较高的掺杂浓度和改进的从mCP到掺杂物的能量传递，给出在低亮度(1cd/m2)下极大的量子效率6.4±0.6%(12，2±1.4lum/W，17.0cd/A)，而在500cd/m2下是4.3±0.5%(8.1±0.6lum/W，11.3cd/A)。这些mCP/FPtWOLED显示的量子效率，是对WOLED报告的最高的量子效率。如同在其他装置观察到的一样，量子效率随电流密度增加而降低，但是，其降低比大多数其他电致发光装置要小。例6OLED的制备，除省去IrppzEBL夕卜(即NPD/mCP-FPt/BCP/Alq3),与例3—样。EL光语有来自NPD的显著贡献，装置的量子效率大致下降一半(见图24)。总之，Irppz电子/激子阻挡层增加OLED的效率，从光谱中消除了NPD的发射，并使光i普与电压无关。mCP和CBP装置的能级图示于图22，图上画出电子从掺杂物/CBPLUMO能级到NPDLUMO的迁移势垒，该势垒可与空穴从NPD注入发射层的势垒相当。消除电子/激子泄漏进HTL,将改进WOLED的效率和色稳定。Irppz络合物专门从磷光激发态发射(在77K时Xmax=414nm，T=15psec)。该络合物的光学禁带宽度作为吸收光语的下能量边缘，是在370nm(3.4eV)。光学禁带宽度的这一估算，代表载流子禁带宽度较低的极限。Irppz表明，在液体溶液中0.38V(对二茂铁/二茂铁総)时一种可逆的氧化作用，但不降低波伸延至DMF的-3.0V，与载流子禁带宽度>3.4eV相符。Irppz的HOMO能量，是用UltravioletPhotoelectronSpectroscopy(UPS)测量的，并发现为5.5eV。使用Irppz光学禁带宽度逼近载流子禁带宽度，我们估计IrppzLUMO是2.1eV，远在CBP和掺杂物的LUMO之上。图22的能量图指出，Irppz可以制成优良的电子/激子阻挡层。虽然本发明已经对特定例子和优选实施例加以说明，但应指出，本发明不限于这些例子和实施例。特别应当指出，本发明可用于广泛的各种电子装置。如权利要求书所要求的，也是本领域熟练人员熟知的，本发明包括本文说明的特定例子和优选实施例的各种变化。权利要求1.一种包含发射层的有机光发射装置，其中的发射层包括准分子发射体，和单体发射体，其中的发射层由单层组成，从准分子发射体的发射，在能量上低于从单体发射体的发射，且其中准分子发射体与单体发射体的组合发射，充分地覆盖可见光光谱，给出白光的发射。2.—种包含发射层的有机光发射装置，其中的发射层包括聚合体发射体，单体发射体，和包括化学式I的化合物的基体材料(i)其中在2、4、5、6、和每一4'位置上的取代基，是独立地选自氢、苯基、或聚苯基；和其中从聚合体发射体的发射，在能量上低于从单体发射体的发射，且其中聚合体发射体与单体发射体的组合发射，充分地覆盖可见光光谦，给出白光的发射。3.按照权利要求2的装置，其中的聚合体发射体是准分子。4.按照权利要求2的装置，其中的聚合体发射体和单体发射体，是通过磷光发射的。5.按照权利要求4的装置，其中的聚合体发射体和单体发射体，包括相同的化学化合物。6.按照权利要求4的装置，其中的单体发射体和聚合体发射体，是磷光有机金属化合物。7.按照权利要求2的装置，其中的组合发射的彩色再现指数，至少约80。8.按照权利要求2的装置，其中的组合的发射的CIEx坐标，约0.30到约0.40,而CIEy坐标，约0.30到约0.45。9.按照权利要求2的装置，其中的发射层包括激态复合物发射体和单体发射体。10.按照权利要求9的装置，其中的激态复合物发射体和单体发射体，是通过磷光发射的。11.按照权利要求10的装置，其中的激态复合物发射体和单体发射体，是磷光有机金属化合物。12.—种有机光发射装置，包括阳极；空穴输运层；发射层，包括聚合体发射体、单体发射体、和包含化学式I的化合物的基体材料其中在2、4、5、6、和每一4'位置上的取代基，是独立地选自氢、苯基、或聚苯基；和电子输运层；和阴极；其中从聚合体发射体的发射，在能量上低于从单体发射体的发射，且其中聚合体发射体与单体发射体的组合发射，充分地覆盖可见光光语，给出白光的发射。13.按照权利要求12的装置，其中的发射层包括准分子发射体和单体发射体。14.按照权利要求12的装置，其中的聚合体发射体和单体发射体，是通过磷光发射的。15.按照权利要求14的装置，其中的聚合体发射体和单体发射体，包括相同的化学化合物。16.按照权利要求14的装置，其中的聚合体发射体和单体发射体，是磷光有机金属化合物。17.按照权利要求12的装置，其中的组合发射的彩色再现指数，至少约80。18.按照权利要求12的装置，其中的组合的发射的CIEx坐标，约0.30到约0.40，而CIEy坐标，约0.30到约0.45。19.按照权利要求12的装置，其中的聚合体发射体，是激态复合物。20.按照权利要求19的装置，其中的激态复合物发射体和单体发射体，是通过磷光发射的。21.按照权利要求20的装置，其中的单体发射体和激态复合物发射体，是磷光有机金属化合物。22.按照权利要求12的装置，其中该装置还包括激子阻挡层。23.按照权利要求22的装置，其中的激子阻挡层位于空穴输运层与发射层之间。24.按照权利要求23的装置，其中的激子阻挡层包括/^铱(III)三(l-苯基吡唑化物-N，C2，)。25.按照权利要求2的装置，其中的基体材料包括化学式<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>的化合物。26.按照权利要求2的装置，其中的基体材料包括mCP。27.按照权利要求12的装置，其中的基体材料包括化学式,或的化合物。28.按照权利要求12的装置，其中基体材料包括mCP。全文摘要本发明涉及高效的有机光发射装置(OLED)。更具体说，本发明涉及发射白光的OLED，或称WOLED。本发明的装置，在单个发射区中采用两种发射体，以便充分覆盖可见光的光谱。白光发射是通过在发射中心之一形成的聚合体，从单个发射区中的两个发射体获得的。这样能使呈现高彩色再现指数的WOLED结构简单、高亮度、和高效。文档编号H01L51/00GK101442107SQ20081017018公开日2009年5月27日申请日期2002年12月26日优先权日2001年12月28日发明者布赖恩·德安德瑞德,斯蒂芬·R.·弗瑞斯特,瓦蒂姆·艾达莫维茨,贾森·布鲁克斯,马克·E.·汤普森申请人:普林斯顿大学理事会;南加利福尼亚大学