专利名称：具电磁波相容镀层的电子元件封装体的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种电子元件封装体，尤其涉及一种具电磁波相容(EMC)镀 层的图像感测元件封装体。
背景技术：
抗电磁波干扰(anti-electromagnetic interference,简称anti-EMI)或电磁波 相容(electromagnetic compatibility,简称EMC)对釆用高解析度电子图像传感 器的数字照相机而言是必需的技术手段。在传统上，使用金属盒做为电磁波 相容的物件，以避免数字相机系统中其他构件所造成的电磁波干扰效应。虽 然使用金属盒在机械性方面有许多优点，然而其占去过多的系统空间。再者， 在组装时发生错误或之后测试时发现失效，其返工或重制的工序将非常困 难，因而导致高制造成本及低工艺合格率。
美国专利早期公开案号US Pub. No. 2003/0223008揭示一相机模块，由 一图像感测模块所构成，并且其与一图像信号处理单元封装于一基材上。一 EMC层设置在该基材的背面。
图1显示传统上使用金属盒组装于一图像传感器模块上。请参阅图1， 一光电元件封装体10包括一金属盒9组装于一图像传感器模块上。此图像 传感器模块是由一图像传感器芯片级封装体(CSP)3， 一玻璃顶盖5设置于该 CSP上，以及一组具有光圈6的光学透镜7。应注意的是，欲使上述金属盒 9顺应该图像传感器模块是非常困难的。实际上，具有金属盒的组装体将进 一步焊接并封装于一印刷电路板(未示出)上，再借助印刷电路板的电路延伸 接地。因此需要额外的封装工艺，以达电磁波相容(EMC)的效果，然而此组 装步骤也将造成额外的制造成本。再者，此搭配金属盒的光电元件封装体10 仅能在组装于印刷电路板及延伸接地的后段工艺完成之后，方能进行电性测 试。因此，当抗电磁波干扰(anti-EMI)能力测试发生失效时，此光电元件封装 体的返工或重制的工序将是非常困难。有鉴于此，业界急需一种具电磁波相容遮蔽效果的光电元件封装体，能避免返工时的且避免电磁波散射干扰的效 应。
发明内容
本发明的目的在于提供一种具电磁波相容(EMC)遮蔽效果的电子元件封 装体，以改善上述公知技术的不足。
有鉴于此，本发明的实施例提供一种具电磁波相容(EMC)遮蔽效果的电 子元件封装体。此电子元件封装体进一步配置一抗电磁波干涉镀层的光圈， 以避免内部电磁波散射干扰的效应。
本发明的一技术方案在于提供一种具电磁波相容(EMC)镀层的电子元件 封装体，其包括 一芯片级封装体具有一图像传感器阵列芯片以及一组光学 构件； 一封胶层定义该芯片级封装体的外框；以及一电磁波相容(EMC)镀层 设置于封胶层上，以避免电磁波干扰效应。
本发明的另一技术方案在于提供一种具电磁波相容(EMC)镀层的电子元 件封装体，其包括 一芯片级封装体具有一CMOS图像传感器阵列芯片以及 一组光学构件； 一封胶层定义该芯片级封装体的外框； 一遮蔽件设置于该封 胶层的顶层上； 一框架将该组光学构件固定于该封胶层上；以及一电磁波相 容镀层设置于封胶层上，以避免电磁波干扰效应。
本发明上述各实施例的优点在于形成不具导电性的电磁波相容镀层于 电子元件封装体上，使得源自外界所产生的电磁波EM会被此电磁波相容镀 层吸收或减弱，以避免电磁波干扰效应。再者，部分电磁波反射层可形成于 一顶遮蔽件上、或透镜的框架上，及/或于该封胶层的一内表面上，以避免或 吸收该电子元件封装体的内部反(散)射光的影响。
为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举优选实施 例，并配合附图，作详细说明如下
图1显示传统上使用金属盒组装于一图像传感器模块上； 图2A显示根据本发明第一实施例的具电磁波相容(EMC)镀层的电子元 件封装体的剖面示意图；图2B显示在图2A中吸收层140的局部区域2B的放大图； 图3A显示根据本发明第二实施例的具电磁波相容镀层的电子元件封装 体的剖面示意图3B显示在图3A中混层吸收层140和150的局部区域3B的放大图； 图4显示根据本发明第三实施例的具电磁波相容镀层的电子元件封装体 的剖面示意图5显示根据本发明第四实施例的具电磁波相容镀层的电子元件封装体 的剖面示意图；以及
图6显示根据本发明第五实施例的具电磁波相容镀层的电子元件封装体 的剖面示意图。
其中，附图标记说明如下
公知部分(图1)
3 图像传感器芯片级封装体(CSP);
5-玻璃顶盖；
6~光圈；
7 光学透镜组；
9 金属盒；
10 光电元件封装体。 本发明部分(图2A 图6) 1 OOa-100e~电子元件封装体；
110 图像传感器阵列芯片； 111 CM0S图像感测芯片； 112 感测阵列面； 113 间隙子(dam)结构；
114 电极垫； 115~间隙； 116 保护层； 117 透明基板；
118 球栅阵列(ba11 grids);
120 顶盖玻璃；125 封胶层； 130 光学构件；
130a和130b 光学透镜组；
135~光圈；
140、 140a、 140， 电磁波相容(EMC)镀层;
145 遮蔽件；
150 部分电磁波反射层；
155 部分电磁波反射层；
160a和160b 部分电磁波反射层； 165~框架。
具体实施例方式
以下以各实施例详细说明并伴随着
的范例，做为本发明的参考 依据。且在附图中，实施例的形状或是厚度可扩大，并以简化或是方便标示。 再者，附图中各元件的部分将以分别描述说明之，另外，特定的实施例仅为 揭示本发明使用的特定方式，其并非用以限定本发明。
图2A显示根据本发明第一实施例的具电磁波相容(EMC)镀层的电子元 件封装体的剖面示意图。图2B显示在图2A中吸收层140的局部区域2B的 放大图。请参阅图2A， 一电子元件封装体100a包括一芯片级封装体具有一 图像传感器阵列芯片110以及一组光学构件130。 一封胶层125模铸于该芯 片级封装体之上。 一顶盖玻璃120设置于该图像传感器阵列芯片110与该组 光学构件130之间。 一电磁波相容(EMC)镀层140设置于封胶层上，以避免 电磁波干扰效应。
该芯片级封装体可为一互补式金属氧化半导体(CMOS)图像感测芯片。 配置一透明基板117以做为该封装体的支撑基材。一 CMOS图像感测芯片 111具有一感测阵列面112及多个电极垫114，贴附于该透明基板117上。 一间隙子(dam)结构113夹置于该图像感测芯片111和该透明基板117，并形 成一间隙115于感测阵列面112上方。一保护层116形成于该CMOS图像感 测芯片111上方。多条电性连线(未示出)自所述多个电极垫114延伸至封装 体背面的保护层116上的球栅阵列(ba11 grids) 118。根据本发明的一实施例，此电磁波相容镀层140设置于该封胶层125的 一外表面上。该电磁波相容镀层140可为一电磁波吸收层，其包括一铁磁性 (ferromagnetic)材料、 一 亚铁磁性(ferrite magnetic)材料及 一 反亚铁磁性 (anti-ferritemagnetic)材料。该电磁波相容镀层140应为非导电性材料，或不 良导体。再者，该电磁波相容镀层140可由喷涂法(spraying)、旋转涂布法(spin coating)、浸置法(dipping)、贴附法(tapping)或溅镀法(sputtering)形成。于元 件运行时，源自外界所产生的电磁波EM会被此电磁波相容镀层140吸收或 减弱，以避免电磁波干扰效应，如图2B所示。
更有甚者，该组光学构件130包括一组具有光圈的光学透镜130a和 130b。并且，该图像传感器阵列芯片lll包括一内部线路延伸接地。
图3A显示根据本发明第二实施例的具电磁波相容镀层的电子元件封装 体的剖面示意图。图3B显示在图3A中混层吸收层140和150的局部区域 3B的放大图。请参阅图3A， 一电子元件封装体100b包括一芯片级封装体具 有一图像传感器阵列芯片110以及一组光学构件130。 一封胶层125模铸于 该芯片级封装体之上。 一顶盖玻璃120设置于该图像传感器阵列芯片110与 该组光学构件130之间。 一混层的电磁波相容镀层，其包括一电磁波吸收层 140a和一部分电磁波反射层150，且设置于封胶层上，以避免电磁波干扰效 应。
根据本发明另一实施例，此电磁波相容镀层140a设置于该封胶层125 的一外表面上。该电磁波相容镀层140a可为一电磁波吸收层，其包括一铁 磁性(ferromagnetic)材料、 一亚铁磁性(ferrite magnetic)材料及一反亚铁磁性 (anti-ferritemagnetic)材料。该电磁波相容镀层140a应为非导电性材料，或不 良导体。该部分电磁波反射层150为一导电金属，其包括银、铜、镍及上述 金属的任意组合。该部分电磁波反射层150可反射光谱上某一特定波长频宽 的电磁波，并穿透其他频段的电磁波。再者，该电磁波相容镀层140a和部 分电磁波反射层150二者皆可由喷涂法(spraying)、旋转涂布法(spin coating)、 浸置法(dipping)、贴附法(tapping)或溅镀法(sputtering)形成。于元件运行时， 源自外界所产生的电磁波EM会被部分电磁波反射层150部分反射R且部分 穿透，再借助电磁波相容镀层140a吸收或减弱，以避免电磁波干扰效应， 如图3B所示。图4显示根据本发明第三实施例的具电磁波相容镀层的电子元件封装体 的剖面示意图。本发明第三实施例的电子元件封装体100c实质上与第一实 施例的电子元件封装体100a等同或近似，为求简明之故，在此省略相同的 叙述。然而不同之处在于，第三实施例的电子元件封装体100c的该组光学 构件130包括具有一光圈135的光学透镜组130a和130b。 一遮蔽件145设 置于该封胶层的顶层上，其中部分电磁波反射层155设置于该遮蔽件145的 一内表面上，以吸收该电子元件封装体100c的内部反(散)射光。
图5显示根据本发明第四实施例的具电磁波相容镀层的电子元件封装体 的剖面示意图。本发明第四实施例的电子元件封装体100d实质上与第一实 施例的电子元件封装体100a等同或近似，为求简明之故，在此省略相同的 叙述。然而不同之处在于，第四实施例的电子元件封装体100d包括一框架 165固定于该封胶层125，其中部分电磁波反射层160a设置于该框架165上。 另一部分电磁波反射层160b可设置于该封胶层125的一内表面上。因此， 可吸收或避免该电子元件封装体100c的内部反(散)射光的影响。
图6显示根据本发明第五实施例的具电磁波相容镀层的电子元件封装体 的剖面示意图。本发明第六实施例的电子元件封装体100e实质上与第一实 施例的电子元件封装体100a等同或近似，为求简明之故，在此省略相同的 叙述。然而不同之处在于，第六实施例的电子元件封装体100e的该组光学 构件130的面积小于或等于该图像传感器阵列芯片110的面积。再者，该电 磁波相容镀层140'可顺应性地沉积在该组光学构件130和该图像传感器阵列 芯片上110。
虽然本发明上述诸实施例是以CMOS图像传感器元件封装体为例，以说 明本发明的技术特点，然而其并非用以限定本发明的范围，应了解的是光电 元件封装体，也可借助上述本发明的技术特点实施。
本发明上述各实施例的优点在于形成不具导电性的电磁波相容镀层于 电子元件封装体上，使得源自外界所产生的电磁波EM会被此电磁波相容镀 层吸收或减弱，以避免电磁波干扰效应。再者，部分电磁波反射层可形成于 一顶遮蔽件上、或透镜的框架上，及/或于该封胶层的一内表面上，以避免或 吸收该电子元件封装体的内部反(散)射光的影响。
本发明虽以优选实施例揭示如上，然而其并非用以限定本发明的范围，任何本领域普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可做些许的 更动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的权利要求书所界定的范围为 准。
权利要求
1.一种具电磁波相容(EMC)镀层的电子元件封装体，包括一芯片级封装体具有一图像传感器阵列芯片以及一组光学构件；一封胶层定义该芯片级封装体的外框；以及一电磁波相容(EMC)镀层设置于封胶层上，以避免电磁波干扰效应。
2. 如权利要求1所述的具电磁波相容镀层的电子元件封装体，其中该电 磁波相容镀层设置于该封胶层的一外表面上。
3. 如权利要求1所述的具电磁波相容镀层的电子元件封装体，其中该电 磁波相容镀层包括一 电磁波吸收层。
4. 如权利要求3所述的具电磁波相容镀层的电子元件封装体，其中该电 磁波吸收层包括一铁磁性材料、 一亚铁磁性材料及一反亚铁磁性材料。
5. 如权利要求1所述的具电磁波相容镀层的电子元件封装体，其中该电 磁波相容镀层为一混层结构，其包括一电磁波吸收层和一部分电磁波反射 层。
6. 如权利要求5所述的具电磁波相容镀层的电子元件封装体，其中该部 分电磁波反射层为一导电金属，其包括银、铜、镍及上述金属的任意组合。
7. 如权利要求5所述的具电磁波相容镀层的电子元件封装体，其中该部 分电磁波反射层设置于该封胶层的一内表面上。
8. 如权利要求1所述的具电磁波相容镀层的电子元件封装体，其中该组 光学构件包括一组具有光圈的光学透镜。
9. 如权利要求5所述的具电磁波相容镀层的电子元件封装体，还包括一 遮蔽件设置于该封胶层的顶层上，其中该部分电磁波反射层设置于该遮蔽件 的一内表面上。
10. 如权利要求5所述的具电磁波相容镀层的电子元件封装体，还包括 一框架固定于该封胶层，其中该部分电磁波反射层设置于该框架上。
11. 如权利要求1所述的具电磁波相容镀层的电子元件封装体，其中该 图像传感器阵列芯片包括一接地的内部线路。
12. 如权利要求8所述的具电磁波相容镀层的电子元件封装体，其中该组光学构件的面积小于或等于该图像传感器阵列芯片的面积。
13. 如权利要求12所述的具电磁波相容镀层的电子元件封装体，其中该电磁波相容镀层顺应性地沉积在该组光学构件和该图像传感器阵列芯片上。
14.如权利要求1所述的具电磁波相容镀层的电子元件封装体，其中该 电磁波相容镀层是由喷涂法、旋转涂布法、浸置法、贴附法或溅镀法形成。
全文摘要
本发明提供一种具电磁波相容(EMC)镀层的电子元件封装体。一电子元件封装体包括一芯片级封装体具有一CMOS图像传感器阵列芯片以及一组光学构件。一封胶层定义该芯片级封装体的外框，一遮蔽件设置于该封胶层的顶层上，一框架将该组光学构件固定于该封胶层上，以及一电磁波相容镀层设置于封胶层上，以避免电磁波干扰效应。本发明形成不具导电性的电磁波相容镀层于电子元件封装体上，使得源自外界所产生的电磁波EM会被此电磁波相容镀层吸收或减弱，以避免电磁波干扰效应。
文档编号H01L27/146GK101626027SQ20081017008
公开日2010年1月13日 申请日期2008年10月22日 优先权日2008年7月10日
发明者曾立鑫, 林孜翰, 熊信昌, 郑杰元 申请人:采钰科技股份有限公司