用于膜均匀性的旋转温控基板底座的制作方法

专利名称：用于膜均匀性的旋转温控基板底座的制作方法
技术领域：
本申请涉及到包括沉积、图形化和薄膜及涂层处理中使用的装置、工艺和
材料的制造技术解决方案，典型实例包括(但不限于)以下应用半导体和介
电材料和器件，硅基晶片和平板显示器(诸如TFT)。
背景技术：
常规半导体处理系统在其中含有一个或多个处理室的以及用于在其间移 动基板的装置。基板可通过机械臂在室之间传送，该机械臂能延伸以拾取基板、 收縮且之后再次延伸以将基板定位在不同的目的室。每一个室都具有底座或者 支撑基板的某种等效方式以用于处理。
底座可以是被构成为加热基板的处理室中的加热板。在机械臂放下基板和 该臂返回以拾取基板之间通过机械的、压力差的或者静电的装置将该基板保持 到底座。升降销(liftpin)通常用于在机械操作期间升高晶片。
在室中进行一个或多个半导体制造工艺步骤，诸如退火基板或沉积或蚀刻 基板上的膜。横跨基板的处理均匀性总是考虑因素并且在某些处理中已经成为 主要挑战。以下实例将有助于示出不足。在一些处理步骤中介电膜必须沉积到 复杂拓扑(topologies)上。已经开发出很多技术将电介质沉积到狭窄间隙中，
4包括有时采用等离子体技术的化学气相沉积技术的变形。
由于引入反应物垂直的碰撞轨道以及同时的溅射活性，已经将高密度等离
子体(HDP) -CVD用于填充很多几何结构。但是，部分地由于缺少随着最初 撞击的移动性，因此一些非常狭窄的间隙已经延伸从而产生空隙。在沉积之后 回流材料将填充空隙，但是如果电介质主要是例如Si02，则其也会消耗晶片 不可忽略的一部分热平衡(thermal budget)。
借助于其高表面移动性，可流动材料诸如旋涂玻璃(SOG)已经用于填充 没有完全被HDP-CVD填充的一些沟槽。SOG作为液体施加且施加之后被烘 焙以去除溶剂，从而将材料转换成固态玻璃膜。当粘稠度低时对于SOG增强 了间隙填充和平坦化能力，但是这也是其中固化期间膜收縮率高的情况。明显 的膜收縮导致高的膜应力和层离问题，对于厚膜尤其是这样。
对于一些化学物质，在于基板表面上实施的处理期间，分离氧化前体和有 机硅垸前体的传递路径能产生可流动膜。由于在表面上生长而非倾泻该膜，因 此在参与目前任选的烘焙步骤的降低收縮率的处理期间允许蒸发降低粘稠度 所需的有机成分。分离的低侧(downside)是沉积膜在基板表面上仅自由流动 一段时间。前体的有机成分必须受到控制，以使在该段时间期间，过孔和其他 高纵横比几何结构被填充而没有流限空隙(yield-limiting voids)。如果生长膜 的粘稠度升高过快，则膜均匀度也会受到影响。


图1示出了在氧化和由于硅垸前体之间分离的非常简单的实施例。该图示 出了在处理期间存在的几种元素。氧化前体(例如氧(o2)、臭氧(o3)、) 可通过等离子体120 "远程"激励，意思是其不直接激励从其它路径(在此示 出为两个管子110)到达的气体。图1的管子能运载有机硅烷前体(例如TEOS、 OMCTS、…)，防止两种前体之间的化学反应直到其至少在处理区域130内部 和可能在基板表面107附近或上。示出了通过底座组件101、 105支撑的基板。
注意，自垂直管的氧的路径能受到导流片(baffle) 124的影响，目的是 阻止在基板表面上方不均匀的反应，其明显地影响所沉积膜的特性和厚度的均 匀性。已经对调整管110的位置和数量以及更加明显的改变传送硬件进行了尝 试，但没有完全成功。
正列举的启发性实例决不仅是缺乏均匀性的基板处理技术。甚至在电介质 沉积的技术中，常规PECVD和HDP-CVD处理中的气体供给方法也会导致缺少沉积均匀性。在各种基板处理步骤中，现有技术中仍需要进一步地改善均匀 性。

发明内容
所公开的实施例包括基板处理系统，其具有处理室和至少部分地设置在室 中的基板支撑组件。基板支撑组件可通过马达旋转。尽管这种旋转，在实施例 中，该系统仍允许电流、冷却流体、气体和真空在处理室外部的非旋转源和处 理室内部的可旋转基板支撑组件之间传送。在电流的情况下，旋转导体电连接 到静止导体。对于流体(包括气体，液体和真空)，旋转通道流体连接到静止 通道。冷却流体和电连接可用于改变由基板支撑组件支撑的基板温度。电连接
也能用于静电夹持晶片到支撑组件。 一个或多个旋转密封(其可是低摩擦o
型环)用于保持真空同时仍允许基板组件旋转。真空泵能连接到用于夹持晶片 的端口或者用于差动抽吸旋转密封的其他端口 。
在一些实施例中， 一个或多个加热元件可被定位在基板支撑部件内或周 围。在一些实施例中，冷却元件可被设置在基板支撑部件内或周围以降低支撑 部件和基板的温度。冷却元件也可被构成为冷却旋转密封以延长其使用期限。
支撑组件可进一步包括连接到轴的提升机械用于升高和降低基板支撑组件。
所公开的实施例还进一步包括半导体处理系统，其具有偏心旋转基板支撑 组件，其至少部分设置在膜沉积室内部。基板支撑组件可包括基板支撑部件，
连接到基板支撑部件的轴和连接到轴以旋转基板支撑部件的马达。轴被定位成 偏离基板支撑组件中心以产生支撑组件相对于轴旋转的偏心旋转。
所公开的另外的实施例包括半导体处理系统，其具有至少部分被设置在膜 沉积室内部的能倾斜的基板支撑组件。基板支撑组件可包括基板支撑部件、连 接到基板支撑部件的轴和连接到轴以旋转基板支撑部件的马达。基板支撑部件 支撑基板，其相对于轴倾斜从而当基板支架旋转时产生摇摆。
更多实施例和特征部分地在以下的说明书中列出，和一旦査看了说明书， 部分地对于本领域技术人员就是显而易见的，且通过实施所公开的实施例可学 习到更多实施例。所公开实施例的特征和优点可借助于说明书中公开的手段、 组合和方法实现和获得。可通过参考说明书的剩余部分和附图了解所公开实施例的本质和优点的 进一步理解，附图中贯穿几个附图使用相似参考数字表示相似部件。在一些例
子中，子标(sublabd)与参考数字相关且之后连字符表示多个相似部件中的 一个。当对参考数字作参考而没有对存在的子标的说明时，旨在表示所有这种 多个相似部件。
图1示出了用于通过分离的氧化和有机硅垸前体生长膜的沉积室内现有
技术处理区域和远程等离子体区域的示意图2示出了根据所公开实施例的基板支撑组件的侧视图； 图3示出了在轴外壳内部基板支撑轴(部分的基板支撑组件)的截面图； 图4示出根据所公开实施例的具有流过旋转液压联轴节的温控流体、轴和
基板支撑部件的基板支撑组件 ，
图5示出了根据所公开实施例的具有流过旋转液压联轴节且冷却基板支 撑轴的旋转密封区域的冷却流体的基板支撑组件；
图6示出了根据所公开实施例在沉积氧化物膜期间不具有或具有10RPM 基板旋转的49个点的测量图7示出了根据所公开实施例的基板处理系统；
图8示出了根据所公开的实施例的基板处理室。
具体实施例方式
所公开实施例的实施方案包括基板支撑组件，将其改进成在于处理室内部 进行处理期间允许基板旋转。由于旋转能实施更加均匀的处理，因此事实上在 所有处理步骤中都希望该旋转。在沉积处理的情况下，基板旋转能改善所沉积 膜的厚度均匀性。当包括在沉积处理中的反应物具有低的或者瞬时的表面移动 性时，旋转晶片将特别有助于产生更加均匀的膜。结果，所公开的实施例将有 助于降低基板回流步骤和沉积的温度，由此允许在其他位置消耗热平衡 (thermal budget)。所公开的实施例适合于沉积所有材料(例如金属、半导体 和绝缘层)。
通过设置在室内部的马达提供在处理室中旋转基板的能力需要结合旋转密封。使用一个或优选多个O型环的旋转密封组件商业上可被特别被设计或 获得且可由各种材料制成。必须向O型环密封施加压力以允许处理室保持明 显不同于外部压力的内部压力。提供机械力以按压O型环和O型环的弹性确 保产生密封。机械力能通过重力、可调整的固定机械装置(如螺栓)或者通过
各种其他实质上等同的装置提供。也可使用通常不称作o型环的可压縮密封。 一种其他方法包括在两个同心环工件中设计一个或多个o型环沟槽，和
确保选择内部和外部直径以施加制造商推荐压力从而按压O型环。图2示出 了一个这种环形工件。几个(来从Performance Seasling公司的)全氟代弹性 体O型环示出了限制于旋转基板支撑轴上的沟槽中的210。重要的是选择对于 旋转应用推荐的密封产品。这种O型环可具有Teflon⑧外壳、Teflon⑧涂层、 嵌入的润滑剂或减少摩擦(替换方式包括来自Ferrotec的Ferrofluidic⑧)的一 些其他方式。在组件处理期间，外部圆柱被设置在限制O型环上方以在该实 施例中实现处理密封。在另一实施例中，O型环可被限制在外部圆柱(未示出) 中。
图2中，旋转密封是O型环，其与基板支撑底座一起旋转。在一些实施 例中，所示出的基板支撑组件能沿着基板支撑轴的轴往返移动(例如向上和向 下)。这在一些处理中和机械控制中是有用的参数。还应当注意，旋转密封可 被设置在静止的匹配工件(未示出)中。尽管在这种实施例中O型环是静止 的，但是其也可被称作旋转密封。
再次参考图2中的图，两个相邻的O型环标记为210。顶部那个上方的区 域与处理室内部相邻或者是其一部分，同时在底部O型环下方的区域可以处 于大气压下。不管室内部的压力与室外部的压力相比不同还是相同，对两个相 邻的O型环之间的区域施加真空都是有益的以降低污染物进入到处理室中的 机会。因此，泵送端口贴装到两个O型环密封之间以抽空该区域。该技术被 称作差动泵送，且在最佳条件下或者如果第一 O型环密封存在问题时，能有 助于保护处理区域不受自室外部的空气泄漏的影响。可在多于一个位置(例如 每对三组的O型环之间)实施差动泵送。如果该处理与一些物理气相沉积 (PVD)处理相同受益于特别低的泄漏率(这种室将通常具有低的基本压力， 例如<10—5乇)，则特别希望是这样的。此处和贯穿全文，术语真空用于描述 各种被抽空的区域。真空明显不缺乏所有的气体或流体，但是真空能保持在一个大气压(760乇)之下的压力以提供各种益处。
组装的实施例于图3中示出且示出了密封在可旋转基板支撑轴340和静止 旋转密封外壳350之间的受压的O型环310。在图3中描述了三个真空连接， 其中两个321、 324是用于否则将进入到处理室中的空气或气体的排空区域 (voiding region)。真空连接324用于抽空空气的任何泄漏或俘获体积的静止 旋转密封外壳的顶部凸缘之间的密封。真空连接321是之前结合图2描述的差 动泵送端口，其提供了抵挡空气从下部360进入到处理区域的第二条线路。一 些替换结构受益于使用这些端口作为净化端口，这里，惰性气体(诸如N2) 通过区域(例如324)流动以取代反应种类。
图3中剩余的真空连接327存在于一些实施例中且在之后通过轴(实质上 不论可旋转位置如何)中的孔的可旋转基板支撑轴340周边附近提供真空从而 甚至在旋转期间也允许真空用于"夹持"或保持基板至底座。这种类型的连接 称作旋转流体接合器或旋转液压联轴节且能用于真空，如所示出的，但是也传 导气流或液体流。对于图3的真空应用，如果在处理室中的压力高于真空泵在 底座附近产生的压力，则发生基板夹持。虽然真空夹持在低压处理诸如PVD 中不是非常有用，但是采用0.5乇以上处理压力的很多处理(诸如Aletrona) 能使用保持基板的这种方法。示出了所有三个真空连接都具有90。配合(fittings) 和收縮配合(compression fitting)联接，但是替换方法构造也是可以的。
更加完整的基板支撑组件于图4中示出且表示所公开的实施例。再次标记 差动泵送端口 421和真空夹持端口 427以提供透视图。在该实施例中，增加另 外的端口和部件以允许调整基板温度。为了能进行这种调整，该实施例包括商 业上可获得(例如从Deublin公司)且装配有静止流体连接404的旋转流体接 合器(imion)。冷却流体在通过替换的通道返回且通过旋转接合器408排出之 前向上流过旋转接合器，通过基板支撑轴和部件(或该实施例中的底座)412。 该基板处理中典型的应用是降低基板温度但是"冷却流体"也可用于温暖底座。 贯穿该文件使用术语流体的标准定义；流体可以是液体、气体或其组合。因此， 例如，旋转液压联轴节能用于耦合冷却流体但是也可以是气体或真空。
冷却流体可以广泛地是多种流体，且实施例中可以是单独的水或者例如与 乙二醇相组合。希望冷却流体通路的内壁是兼容的，而不管使用何种冷却流体 来最大化装置的使用寿命。在不同实施例中，基板温度可保持在5。C和120°C或20。C和60。C之间的所需温度。通过(来自例如Thermo Scientific的)再循 环冷却器控制冷却流体温度。尽管再循环的流体将通常在再循环冷却器中冷 却，但是也能将其加热并之后用于升高基板温度。
在相同或其他实施例中，旋转流体接合器用于运载冷却流体以冷却密封机 械装置，从而降低摩擦和热组合以减弱旋转密封的机会。在图5中描述了示出 该功能的实施例。这种情况下，旋转流体接合器508被设置成紧密靠近旋转密 封外壳550。用于导向冷却流体的通路被设计成基板支撑轴以允许旋转密封区 域中的循环。示出了两个静止流体连接504。也示出了差动泵送端口且标记为 521。
在一些实施例中，旋转电引线用于各种目的，包括加热、冷却、基板温度 测量、基板电势偏置和静电夹持基板至基板支撑部件。这各种应用对结合到基 板支撑组件的旋转电引线(rotary electrical feed-through)的选择构成了限制。 这些应用中的一些需要高电流(例如电阻样品加热)、高电压(例如静电夹持) 和/或低噪音(例如热耦合输出)。例如，在一个所公开的实施例中，电阻加 热器被设置在基板支撑底座中或附近以加热基板至IO(TC和90(TC之间的温 度。旋转电引线的替换名称包括旋转电耦合或接合器。
旋转电引线于图5中示出。静止电接触531提供了至相应旋转电接触533 的电连接。合适旋转电传导的机械装置包括金属电刷(brush)、金属刷子 (brushing)、滚珠轴承、滚圈和液体水银。可使用滑动金属电刷，每一个都 与分离的金属环接触且传导明显的电信号和/或提供明显的电源。其他类型的 电接触也以相似方式提供多个信号。在另一实施例中，通过"滚圈"提供旋转 电接触，其中传导盘(conducting disk)在传导管内部旋转，其内径大于盘直 径。在移动接触点附近制作实质上恒定的接触。另一实施例通过经由受限的 Mercury槽旋转两个固态传导工件提供了一种旋转电接触，这种情况下，电功 率和信号通过液体传导。
所有列出的机械装置都能设计成提供所列应用所需要的电压和电流。但 是，使用液体水银接合器降低了电阻的不均匀性，其能实现从处理系统以较低 退化输出的小热偶信号。最小化旋转期间热电阻的不均匀性也降低了能縮短旋 转电接合器部件有效寿命的放电(sparking)的机会。在旋转密封的大气一侧 整体取代旋转电接合器在多个实施例中发生且消除了对在多个实施例中真空兼容的旋转电接合器的需要。因此，当用于描述旋转电接合器时的术语旁路
(feed-through)不限于描述能保持一侧真空和另 一侧大气压的连接。
不管是连接机械装置还是取代物,在单个旋转接合器中都可制作多于一个 电连接。四个连接接合器可用于以电阻输出加热基板和通过监控热偶读取温 度。只要满足电气特性，就希望具有尽可能多的电连接以获得尽可能大的适应
性。 .
电动机能用于旋转处理室外部的基板组件，其引起基板底座和基板(当存 在时)在室内旋转。马达共轴地贴装到基板组件的轴但是也可与齿轮、皮带、 链条或等同连接物中的一个或几个耦合。如果底座以公知的角度位置停止移 动，则最容易的是将基板传送到室内和外部。这种考虑的结果是，在旋转之后 马达具有到达特定角度的能力(也称作导航能力(homing capabiiity))。 一些 马达商业上可获得，在完成一个周期的旋转时其将自动导航。马达在每一种方 法或方法中的步骤之后导航。实施例中，马达是中空轴马达(hollow shaft motor)或者是中空齿轮马达(例如从Oriental马达或Sanyo Denki马达获得)。 中空尺寸马达以低的外型轮廓建立高转矩且导致良好的角度控制。示出的这种 马达与图4 (418)和图5 (518)的基板支撑组件结合。当马达旋转时，能写 入软件以控制其旋转速度和加速度。
使用所公开实施例的典型结果于图6中示出。示出的是示出玻璃厚度关于 其平均值的偏移的49个点的圆形基板(即晶片)图。这些特定膜是通过被设 计以填充狭窄间隙的工艺(Applied Materials的Aletrona⑧工艺)生长的氧化 硅膜。两个物理上相差别的路径用于进入氧化和由于硅垸前体的供给，避免反 应直到在基板表面附近或上。氧化前体通过远程等离子体系统预处理以产生氧 基。实线625表示每个氧化膜具有相似于所有49个点平均值的平均厚度的大 致位置。对于较厚和较薄的读出数据示出了一致厚度的其他线，该较厚和较薄 读出数据分别在加和减标志附近作出。在这些测量期间的边缘排除约为3mm。 不旋转的情况下(于图6中左侧示出的)，所沉积膜是除了大量的紧密间 隔的线，表示膜厚度快速的且大的变化。引入近10RPM的非常适度的旋转提 供了非常不同的结果(见图6的右侧)。等厚度线的数量降低了且增加了间隔 (separation^很多条线形成了基本圆形的图形，表示所期望的沉积的旋转对 称。样品统计对比例(以下在图6中示出两个晶片图)也示出了完全的改进。在左栏中的百分比是关于所测量值的平均值统计的偏移。对于在沉积期间不旋
转的晶片的晶片图具有标准偏移39.6%，同时对于旋转的晶片的晶片图具有实 质上3.0%的较低测量偏移。
所公开的实施例可通过构造基板支撑部件以支持基板从而使基板中心步 骤基板支撑轴的轴上来进一步限定。当轴旋转时，基板将旋转，但是基板中心 也将关于轴的中心旋转。在另一公开的实施例中，基板的轴(垂直于基板表面 平面的中心线)关于基板支撑轴的轴倾斜，导致基板支撑组件旋转时的摇摆现 象。两种改进都降低了基板上处理的对称性，其能均匀化处理步骤的实际结果 诸如所沉积膜的厚度。在实施例中，基板轴相对于基板支撑轴的轴的倾^M、于 约0.1。。
在实施例中，可调整该倾斜作为方法步骤的一部分。希望在沉积之前使得 基板在非倾斜位置处下降并进入到倾斜位置。 一旦完成处理，基板就能返回到 非倾斜位置。能通过使用旋转流体接合器中的一个将其设计成典型的底座，以 提供气体的驱动压力到一个或多个锁位(captured)的柱塞(plunger)中，其 升高基板支撑部件的一侧。 一旦除去驱动压力，底座就返回到非倾斜位置。
示范性基板处理系统
沉积系统的实施例可结合到用于制造集成电路芯片的较大制造系统中。图 7示出了根据所公开实施例的沉积、烘焙和固化室的一个这种系统700。在图 中， 一对FOUP 702提供一个(多个)基板(例如300mm直径晶片)，其通过 机械臂704接收并在被设置到晶片处理室708a-f中的一个之前被设置到低压 保持区域706。第二机械臂710用于将基板晶片从保持区域706传送到处理室 708a-f和返回。
处理室708a-f可包括用于沉积、退火、固化和/或蚀刻基板晶片上可流 动介电膜的一个或多个系统部件。在一种结构中，两对处理室(例如708c-d 和708e-f)可用于在基板上沉积可流动介电材料，和第三对处理室(例如 708a-b)可用于退火所沉积的电介质。在另一结构中，相同的两对处理室(例 如708c-d和708e-f)可被构成为沉积和退火基板上的可流动介电膜，同时第 三对室(例如708a-b)可用于UV或E束固化所沉积膜。在再一结构中，所 有三对室(例如708a-f)都被构成为在基板上沉积和固化介电膜。在再一结构
12中，两对处理室(例如708c-d和708e-f)可用于沉积和UV或E束固化可流 动电介质，同时第三对处理室(例如708a-b)可用于退火介电膜。将理解， 通过系统700可预期用于可流动介电膜的沉积、退火和固化室的其他结构。
此外，将处理室708a-f中的一个或多个构造为湿法处理室。这些处理室 包括在包括湿气的大气中加热可流动介电膜。由此，系统700的实施例可包括 湿法处理室708a-b和退火处理室708c-d，以对所沉积的介电膜进行湿法和干 法退火。
图8示出了示范性处理系统850的另一实施例，这里设置在侧面管子853 上方的多孔板852从顶部入口 854分配前体。多孔板852分配通过穿过板厚 度的多个开口分配前体。该板可取代图1中的导流片124或者与其结合使用。 板852例如可具有从约10至2000个开口 (例如200个开口)。中所示出的实 施例中，多孔板可分配氧化气体，诸如原子氧和/或其他含氧气体诸如TEOS 或OMCTS。中所示出的结构中，氧化气体被引入到在含硅前体上方的沉积室 中，其也可被引入到沉积基板上方(从侧面的管子853)。
通过上述几个实施例，本领域技术人员将理解可使用各种改进、替换构造 和等同物而不脱离所公开实施例的精神。此外，非常公知的处理和元件的数量 已经公开以避免不必要的模糊本发明。因此,上述描述不应限制本发明的范围。
提供数值范围的地方，应理解，也特别公开了该范围的上限和下限之间的 每个中间值至下限值单位的十分之一，除非上下文中另外清楚地指出。也包括 所述范围任意所述值或中间值与该所述范围内任何其他所述的或中间值之间 的每个较小范围。这些较小范围的上限和下限可单独包括或排除在该范围内， 且在所述范围内任意特别排除的界限的条件下，两个界限中的任一个、任一个 都不或两个都包括在较小范围内的每个范围也包括在本发明中。在所述范围包 括一个或两个界限的情况下，也包括排除了这些所包括界限中的任一个或两个 的范围。
如在此以及在所附的权利要求中所使用的，单数形式的"一个"和"那个" 包括复数参考，除非上下文清楚另外说明。由此，例如，参考"一个工艺"包 括多个这种工艺且参考"那个马达"包括参考一种或多种马达以及本领域技术 人员公知的其等价物，等等。
而且，词语"包括"、"包括有"、"含有"、"具有"和"包含"，当用在该说明书以及附属的权利要求中时旨在指定存在所述特征、整体、部件或步骤， 但是其不排除存在或附加一个或多个其他部件、整体、部件、步骤、动作或组
权利要求
1.一种半导体处理系统，包括处理室，具有能保持不同于外部室压力的内部室压力的内部；泵送系统，连接到所述处理室且适合于从所述处理室移走材料；基板支撑组件，包括适合于在所述处理室内部支撑基板的基板支撑部件和以旋转固定方式连接到所述基板支撑部件的基板支撑轴，所述基板支撑轴能相对于所述处理室旋转；马达，连接到所述基板支撑轴且以1RPM和2000RPM之间的旋转速度旋转所述基板支撑组件；至少一个旋转密封，连接在所述基板支撑轴和所述处理室之间，即使在所述基板支撑组件旋转时，所述旋转密封也允许系统保持不同于外部室压力的内部室压力；至少一个旋转液压联轴节，其被构造成在处理室中的至少一个静止通道和至少一个旋转通道之间传导流体；和旋转电引线，其被构成为允许电流在处理室外部的至少一个静止导体和处理室内部的至少一个可旋转导体之间传递。
2. 如权利要求1的半导体处理系统，其中至少一个旋转密封包括至少两个 旋转密封和差动泵送端口被构成为提供用于从至少两个旋转密封之间去除气 体的通路。
3. 如权利要求1的半导体处理系统，其中旋转电引线用于提供功率给基板 支撑部件附近的加热器，其提供热源以增加基板支撑部件和基板的温度。
4. 如权利要求1的半导体处理系统，其中旋转电引线用于提供电压给基板 支撑部件的静电夹持机械装置。
5. 如权利要求1的半导体处理系统，其中旋转速度在约10RPM和约 120RPM之间。
6. 如权利要求1的半导体处理系统，其中马达被构造为以顺时针和逆时针 方向旋转轴。
7. 如权利要求1的半导体处理系统，其中至少一个旋转流体耦合终端两个 用于循环温控流体通过旋转基板支撑组件。
8. 如权利要求7的半导体处理系统，其中温控流体通过基板支撑轴中的通路以降低基板支撑部件和基板的温度。
9. 如权利要求7的半导体处理系统，其中温控流体通过基板支撑轴中的通 路以冷却至少一个旋转密封。
10. 如权利要求1的半导体处理系统，其中至少一个旋转流体耦合中的一 个用于向上传导真空通过基板支撑轴至基板支撑部件以将基板夹持在基板支 撑部件上。
11. 如权利要求1的半导体处理系统，其中旋转电引线利用由液体水银、 金属电刷和金属刷子、滚珠轴承和滚圈构成的组中的至少一个制作旋转电连 接。
12. 如权利要求1的半导体处理系统，其中基板是圆形的且基板中心在基 板支撑轴的轴上以使当基板旋转时基板中心不明显旋转。
13. 如权利要求1的半导体处理系统，其中基板是圆形的且基板中心不在 基板支撑轴的轴上以使基板支撑轴旋转时基板中心旋转。
14. 如权利要求1的半导体处理系统，其中基板是圆形的且基板的轴相对 于基板支撑轴的轴倾斜以当基板支撑轴旋转时产生摇摆。
15. 如权利要求14的半导体处理系统，其中基板的轴自基板支撑轴的轴的 倾斜为约0.1。以下。
16. 如权利要求14的半导体处理系统，其中在膜沉积期间可调整基板的轴 的倾斜。
17. 如权利要求14的半导体处理系统，其中在膜沉积期间从非倾斜位置调 整基板倾斜位置。
18. 如权利要求1的半导体处理系统，其中系统包括连接到基板支撑轴的 升降机械装置用于升高和降低基板支撑部件。
全文摘要
描述了一种基板处理系统。该系统包括处理室和至少部分地设置在室内的基板支撑组件。该基板支撑组件可通过马达旋转，也允许电、冷却流体、气体和真空从处理室外部的非旋转源传送到处理室内部的旋转基板支撑组件。冷却流体和电连接用于升高或降低由基板支撑组件支撑的基板温度。电连接也能用于静电夹持晶片至支撑组件。一个或多个旋转密封(其可以是低摩擦O型环)可用于保持处理压力同时仍允许基板组件旋转。真空泵可连接到用于夹持晶片的端口。该泵也可用于当存在两对以上旋转密封时差动泵送一对旋转密封之间的区域。
文档编号H01L21/00GK101527254SQ20081017528
公开日2009年9月9日 申请日期2008年11月10日 优先权日2007年11月8日
发明者柯比·H·弗洛伊德, 迪米特里·卢伯米尔斯基 申请人:应用材料股份有限公司