单元集合中的单元及其制造方法

专利名称：单元集合中的单元及其制造方法
技术领域：
本发明涉及集成电路封装，更具体地说，涉及防止裂纹蔓延造成集成电路 封装损坏。
背景技术：
在制造集成电路(IC)封装过程中，通常多个单元(例如基片、IC芯片等)
同时制造。然后在切割分离工序中将每一个单元从单元集合中分离出来。然而， 在这种切割分离工序中，当压力施加到单元区域上时，常常会损坏单元。具体
地，施加压力所产生的裂纹可能引起电路迹线、电路连接器、电子器件、ic
部件和其它要件失去功效。
随着产量不断增大，防止裂纹损坏条带上的一个或更多单元显得更加重 要。此外，由于单元尺寸变小，单元集合的密度增大，使得裂纹严重损坏一个 或更多单元的可能性增加。
因此，需要一种防止裂纹蔓延造成单元损坏的方法和系统。

发明内容
本发明介绍一种使用防护结构来防止单元损坏的系统和方法。在一个实施 例中，单元集合中的单元包括功能区域和防护结构，该防护结构用于防止裂纹 蔓延至所述功能区域中。
根据本发明的一方面，提供一种单元集合中的单元，包括
功能区域；及
防止裂纹蔓延至所述功能区域的防护结构。
作为优选，所述防护结构用于防止切割分离工序中造成的裂纹蔓延至所述 功能区域。
作为优选，所述防护结构形成在所述单元在切割分离工序中的受压区域。 作为优选，所述防护结构沿所述单元集合的单元之间的边界形成。 作为优选，所述防护结构包括在所述单元表面形成的图案。 作为优选，所述防护结构包括从以下形式中选择的图案网格、多根线条
和多个剖切面(plane)。(参见第8页，第12行) 作为优选，所述防护结构包括金属材料。
作为优选，所述单元包括多层，其中所述表面是第一层的表面，所述防护 结构还包括在第二层的表面形成的第二图案。
作为优选，所述防护结构还包括导通孔(via)，所述导通孔将所述第一层 表面形成的图案与所述第二层表面形成的图案相连接。
作为优选，所述功能区域包括电路迹线(circuit trace),其中所述图案 包括与所述电路线迹相同的成分(element ，但后面的实施例中提及 composition)。
作为优选，所述防护结构包括多条导通孔。
作为优选，所述多条导通孔中的导通孔至少是电镀导通孔或填充导通孔中 的一种。
作为优选，所述多条导通孔中的导通孔包括金属。
作为优选，所述功能区域包括导通孔，其中戶万述多根导通孔中的导通孔与 所述功能区域的导通孔相同。
作为优选，所述多根导通孔中的导通孔位于所述单元集合的单元之间的一 个或多个边界处。
作为优选，设置所述多根导通孔是用于吸收或反射裂纹能量。
作为优选，所述防护结构还包括多个水平板层(slab)。
作为优选，所述防护结构包括暴露电镀区域。
作为优选，所述暴露电镀区域用于防止所述单元的焊接掩模(soldermask) 撕裂(tear)。
作为优选，所述暴露电镀区域包括金属。 作为优选，所述暴露电镀区域包括耐腐蚀材料。
作为优选，所述暴露电镀区域包括矩形区域或三角形区域中的一种。 作为优选，所述防护结构包括所述单元的焊接掩模中的缝隙。 作为优选，所述缝隙用于将剥落或撕裂限制在远离功能区域的区域。 作为优选，所述缝隙形成在所述单元的边角部分。 作为优选，所述单元为基片。
作为优选，所述防护结构用于增强所述单元的一部分。 作为优选，所述防护结构用于反射或吸收裂纹能量。 作为优选，所这防护结构用于削弱所述单元的一部分。 作为优选，所述防护结构用于限制裂纹。 作为优选，所述防护结构包括缝隙。
作为优选，所述缝隙靠近所述单元集合的单元之间的边界。 作为优选，所述单元是集成电路芯片且所述单元集合是晶圆。
作为优选，所述防护结构包括晶圆密封圈(seal ring)。 作为优选，所述晶圆密封圈包括多根导通孔。 作为优选，所述晶圆密封圈还包括多个水平层板。
根据本发明的一方面，提供一种制造单元条带(strip)中的单元的方法， 包括-
形成功能区域；及
形成用于防止裂纹蔓延至所述功能区域中的防护结构。
作为优选，所述方法还包括布图所述单元，其中所述布图所述单元包括
布图所述功能区域；及
布图所述防护结构。
作为优选，形成所述防护结构包括
在所述单元的表面形成从以下形式中选择的图案网格、多根线条和多个
剖切面。
作为优选，形成所述防护结构包括 形成导通孔。
作为优选，形成所述防护结构包括 在所述单元的表面形成电镀区域。 作为优选，形成所述防护结构包括 在所述单元的焊接掩模上形成缝隙。
作为优选，形成所述防护结构包括增强或削弱所述单元的一部分。
作为选择，形成所述防护结构包括
在所述单元中形成缝隙。
作为优选，所述形成功能区域和形成防护结构的步骤在同一个制造工序的 步骤中进行。
从以下的描述和附图中，可以得到对本发明的各种优点、各个方面、创新 特征、及其实施例细节的更深入的理解。


下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中 图l是单元集合条带的示意图2是示例性单元的截面图3A和3B分别是根据本发明实施例的单元集合条带的俯视图和仰视图4A-4C是根据本发明实施例的包括防护结构的基片的示意图5A-5C是根据本发明实施例的包括多个导通孔(via)的基片的示意图6A-6C是根据本发明实施例的包括暴露区域的基片的示意图7是根据本发明实施例的包括焊接掩模缝隙(solder mask slot)的基片
的示意图8A和8B是根据本发明实施例的晶圆细节示意图9是根据本发明实施例制造单元的示例性步骤的流程图。
下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中相似的标号表示
相同或功能相似的部件。此外，图中标号最左边的数字表示该标号第一次出现
的附图序号。
具体实施例方式
本申请文件公开了结合有本发明特征的一个或多个实施例。所公开的实施 例仅仅是对本发明的举例，本发明的范围不局限于所公开的实施例，而由本申 请的权利要求来定义。此外，根据本申请文件的教导，本领域技术人员可以显 而易见地得出其它结构和操作实施例，包括修改/替换。
图1所示为包括多个单元102的单元条带100的示意图。多个单元102 可以包括基片、集成电路(IC)封装和/或其它类型的电子器件。在其它实施例 中，条带100可以是包括IC半导体芯片集合的晶圆或晶圆的一部分。为使多 个单元102的单元102a能够用于其预定目的，必须在切割分离工序中将其从 条带IOO上分离下来。例如，单元102a可以是用于塑胶球栅阵列(BGA)封装或 其它电路封装的基片。当单元102a从条带IOO上分离下来后，单元102a可与 IC芯片、焊球和其它合适的要件一起组成所需的PBGA封装。
可以使用各种方法来切割分离单元102a。例如，切割分离单元的方法包 括锯、冲孔、研磨颗粒切割(abrasive particle cutting)和聚焦激光束切除。 上述所有方法都会在单元102a和/或相邻单元102b上施加压力。在一个实施 例中，切割分离工序中产生的压力沿边界104和106分布。例如，可以沿边 界104和106锯、或在冲孔动作中在单元102a的顶部施加压力来将单元102a 切割分离下来。
如图1所示，单元102a有一个功能区域103。功能区域103可包括电路 迹线、连接器、电路元件、IC要件(IC feature)禾Q/或其它对于单元102a 的操作必须的要件。因此，需要保护功能区域103不遭遇开裂。
由于单元102a被切割分离，单元102a的区域以及条带100的其它区域遭 受压力。这一压力通常以裂纹的形式释放能量。例如，边界104和106可以刻 划上刻痕。在这一实施例中，紧邻边界104和106的区域被削弱(weakened) 以便为切割分离工序作准备。刻划包括沿边界104禾B/或边界106去除部分材 料和/或部分地切割。作为选择，边界104和106也可以用激光束刻上刻痕。 在这一实施例中，边界104和106被激光束熔化，之后重新凝结成较平坦的切
面，从而减小了沿边界104和106的压力集中区域，促使(contribute)切割 分离工序中出现开裂和碎裂。
图2是示例性单元200的截面图。所示的单元200仅是举例说明，并非对 本发明的限制。单元200可包含于类似参考图1所描述的条带100的单元条带 中。单元200包括信号层202和供电层204，接地面206夹在其中。信号层202 布置有导电迹丝和连接器。使用绝缘材料(pr印reg)层208将接地面206与信 号层202隔离。绝缘材料(pr印reg)层208包括具有高介电常数和韧性的纤维 或环氧材料。使用BT环氧或FR-4层210将接地面206与供电层204绝缘。层 210还可由其它合适的印刷电路板(PCB)复合物构成。PCB复合物具有恒定的高 介电常数，几乎无损耗，即使在较高的频率下也如此。
IC封装堆叠信号层202用焊接掩模(solder mask)212密封以防止暴露。 焊接掩模212被刻蚀以允许与信号层202功能部件(例如电路迹线、连接器等) 的连接。
示范性实施例
在此处描述的实施例中，提供了限制因裂纹蔓延而造成损坏的技术。如本 领域技术人员所知悉，在压力作用下裂纹一般都是沿最薄弱的环节蔓延。如果 没有任何防护结构来防止或减轻裂纹的蔓延，裂纹将蔓延到单元的功能区域， 并可能穿透导电迹线、切断导通孔(sever via)，或使基片层开裂、碎裂、剥 落或分层。使用此处介绍的技术和实施方式可以减少切割分离工序中出现的单 元损坏。
防护结构可以在单元上形成，以防止裂纹蔓延到单元的功能区域。防护结 构可以在当单元被切割分离时承受压力的单元区域中形成。
通过使用防护结构可以增强单元区域。增强部分吸收和/或反射裂纹能量 使得裂纹不会蔓延到单元的功能区域。作为选择，可以削弱单元区域。如上所 述，裂纹趋向于向薄弱区域蔓延。通过削弱远离单元功能区域的区域，可将裂 纹限制在该区域避免其蔓延到单元的功能区域。防护结构可以削弱单元的指定 区域且同时增强单元的其它区域。图3A和3B分别是根据本发明实施例的单元集合条带300的俯视图和仰视 图。条带300包括单元302。单元302包括功能区域303和缝隙304和306。 与以上参考图1描述的功能区域103相同，功能区域303包括单元302的功能 元件和要件。例如，功能区域303包括用于附着IC芯片或接触悍盘(诸如焊球、 引脚等)的区域。
缝隙304和306是防护结构，用于防止裂纹向功能区域303蔓延。在一个 实施例中，缝隙304和306削弱了单元302中在切割分离工序中承受压力的区 域(例如沿单元302与相邻单元的边界〉。因切割分离不断扩张的裂纹被限制在 缝隙304和306处，被阻止向功能区域303蔓延。
缝隙304通常比缝隙306的宽度大，这是因为缝隙306是沿条带300的边 缘部分(即不与任何其它单元相邻)设置，受此处空间的限制。在另一个实施例 中，缝隙306与缝隙304具有基本相同的宽度，或缝隙306的宽度大于缝隙 304的宽度。
形成的缝隙304和306可以部分或全部穿透单元302。换句话说，缝隙304
图3A所示的单元302还具有一个塑封盖(mold top) 308。在一个实施例中， 塑封盖308用于成型塑封或密封材料，这些材料将包括单元302的封装体(例 如PBGS封装)密封起来。
如图3A和图3B所示，缝隙304和306并没有沿隔离条带300中单元的边
界全部延伸。这是因为沿边界全部延伸的缝隙会减小条带的结构整体性。在以
下的实施例中，提供了其它形式的防护结构，用以防止裂纹向功能区域中蔓延。 这些结构可以与上述的缝隙结合使用。
图4A-4C分别是根据本发明实施例的包括防护结构的基片400、420和440 的示意图。在一个实施例中，基片400、 420和440中的每一个是与参考图1 描述的单元条带100相同的单元条带中的单元。基片400、 420和440中的每 一个包括缝隙402a和402b和功能区域404。缝隙402a和402b分别沿边界406 和408形成，边界406和408将基片与其它单元隔离开。缝隙402a和402b 与参考图3所描述的缝隙304和/或306相似。基片400、 420和440中的每一
个配置有用于防止裂纹向功能区域404中蔓延的图案。虽然图4A-4C所示的图 案是形成在基片上的，但本领域技术人员知悉，所示的图案也可以用于其它类 型的单元中。
基片400上形成有网格410用于沿边界406和408增强基片410。网格410 可以将裂纹限制在网格401内部区域，从而保护功能区域404。例如，如果因 压力作用沿边界406出现裂纹，该裂纹将被缝隙402a和402b和/或网格410 限制住，从而保护了功能区域404。具体地说，网格410可用于吸收裂纹能量， 进而防止裂纹形成和/或蔓延。
同理，如图4B和4C所示，基片420上形成有线条412，基片440上形成 有剖切面(plane)414，用于防止裂纹蔓延到功能区域404中。如图4B所示， 线条412包括在基片420上形成的多根水平和垂直的线条。如图4C所示，剖 切面414包括在基片440上形成的多个剖切面。在图4A和4C中示出的网格 410和剖切面414图中看起来是相同的。但是，网格410是由在交叉点断开的 线段构成，而剖切面414是由在交叉点延展的线条构成。
如前面所提及，单元常常有多层。单元的切割分离工序中可能不止一个层 上遭受到压力。在进一步的实施例中，不同层上所形成的图案可以通过导通孔 (via)连接到一起。作为选择，这些结构也可以各自孤立。
在一个实施例中，在基片的不同层上可以形成不同的图案。例如， 一个四 层的基片可以是在第一层上形成网格、第二层和第三层上形成线条、第四层上 形成剖切面。 网格410、线条412和剖切面414中的一个或多个可以由金属材料(例如 铜、铜合金、金等)构成。在功能区域404包括电路迹线或其它类似要件的一 个实施例中，网格410、线条412和剖切面414可以采用相同的材料构成，且 线条的宽度与功能区域404中的要件尺寸相近似。在这一实施例中，网格410、 线条412和/或剖切面414包含在相应基片的布图设计中，并且在基片上形成 图案和在基片上形成功能区域404中的要件可以在同一个制造工序中进行。
图5A是根据本发明实施例的包括防护结构的基片500的示意图。基片500 包括缝隙502a和502b、功能区域504和多个导通孔(via)510。缝隙502a和
502b通常与之前参考图4A-4C所述的缝隙402a和402b相同。功能区域504 可包括电路迹线、电路连接器、导电部件等，与参考图4A-4C所述的功能区域 404相同。
基片500包括多个沿边界506和508形成的导通孔510。与参考图4A-4C 所述的边界406和408相似，边界506和508可将基片500与单元条带或集合 中的其它单元隔离开，其也是切割分离工序中承受压力的区域。如图5A所示， 多个导通孔510可以有效地形成防护，保护功能区域504不受裂纹的影响。在 一个实施例中，多个导通孔510可以吸收和/或反射裂纹能量，从而防止裂纹 向功能区域504中蔓延。
在一个实施例中，基片500可包括多层。在这一实施例中，多个导通孔 510中的导通孔可以延伸到基片的部分或全部层中。多个导通孔510中的导通 孔可以进行电镀和/或填充、可以是金属的。例如，多个导通孔510中的导通 孔可以包括铜、铜合金、铝等。
在一个实施例中，功能区域504包括导通孔。在这一实施例中，多个导通 孔510中的导通孔可以与功能区域504中的导通孔在材料成分、尺寸等方面相 同。在这一实施例中，多个导通孔510中的导通孔可以包含在基片500的布图 设计中，并在与制造功能区域404中的要件相同的工序中制造或形成多个导通 孔510中的导通孔。
如图5A所示，多个导通孔510沿边界506和508排成两行。然而，在另 外的实施例中，在不脱离本发明精神和实质的情况下，多个导通孔510也可以 排列成其它形状。
图5B-5C是根据本发明实施例的包括多个导通孔(via)的防护结构的其它 实施方式的示意图。图5B所示的基片520与基片500 —般相同。但是，基片 520包括一个焊接掩模(solder mask)522和多个导通孔524。如图5B所示， 多个导通孔524中的导通孔未穿透焊接掩模522。在另一个实施例中，多个导 通孔524中的一个或更多的导通孔可以部分或全部穿透焊接掩模522。在一个 实施例中，多个导通孔524中的导通孔沿基片520的边缘(例如基片520与单 元条带或集合中的其它单元之间的边界)形成。与参考图5A所述的多个导通
孔510相同，多个导通孔524用于吸收和/或反射裂纹能量，从而使裂纹不会
蔓延到功能区域中。
图5C所示的基片540包括多个导通孔542、多个板层(slab)544、金属焊 盘546、钝化层(passivation)548和焊接开口区(bond opening) 550。如图5C 所示，基片540包括由多个导通孔542和多个板层544形成的网格。在一个实 施例中，多个板层544中的板层可由金属材料(例如铜、铜合金、铝等)构成， 其可与多个导通孔542的材料成分相同。这样，多个导通孔542和多个板层 544构成网状防护结构，用于吸收和/或反射裂纹能量。图5C中所示的网格与 图4A中所示的网格410是不同的。图5C中的由多个导通孔542和多个板层 544构成的网格是在基片540中形成的三维结构。纯化层548可用于将基片540 的元件(例如金属焊盘546)与基片540的其它元件隔离开。
图6A-6C是根据本发明实施例的分别包括暴露电镀区域606、 610和614 的基片600、 620和630的示意图。基片600包括的功能区域604与之前参考 图4所述的功能区域404相同，暴露区域606沿基片600的边缘部分形成。在 一个实施例中，基片600被焊接掩模覆盖。焊接掩模可用于确定基片600上将 沉积焊料的区域。在另一个实施例中，焊接掩模是基本刚性的。在这样的实施 例中，因切割分离工序中承受压力产生的裂纹可能会剥落或撕裂焊接掩模。这 样的剥落或撕裂可能造成功能区域604中的要件损坏。因此，除了防止裂纹向 功能区域604中蔓延，暴露区域606还可用于防止撕裂或剥落向功能区域604 中蔓延。
暴露电镀区域606、 610和614可以是不存在焊接掩模的区域。作为替代， 暴露电镀区域606、 610和614可以是基片600上被金属覆盖的区域。
暴露电镀区域606、 610和614可由金属材料构成，诸如铜、铜合金、铝 等。在另一个实施例中，暴露区域可以由耐腐蚀金属(诸如金、银等)覆盖。
如图6A所示，暴露区域604在基片600的边角部位形成，为三角形形状。 然而，暴露电镀区域可以为其它形状。例如，图6B和6C示出了分别沿边缘部 分608和610形成的暴露电镀区域610和614。暴露电镀区域610基本为矩形， 其中包含一个凹口。暴露电镀区域614包括带有多个线条的矩形。如本领域技
术人员所知悉，在不脱离本发明精神和实质的情况下，暴露电镀区域可以是其
它形状。虽然在图6A-6C未示出，但是暴露电镀区域还可结合缝隙(如上所述) 以防止损坏功能区域604上的要件。
图7是根据本发明实施例的包括缝隙702a和702b、功能区域704和焊接 掩模缝隙(solder mask slot)710的基片700的示意图。在一个实施例中，沿 边界706和708形成的缝隙702a和702b分别与之前参考图4A-4C描述的缝隙 402a和402b相同。功能区域704可包括与之前参考图4所述的功能区域404 相同的要件(feature)。
在一个实施例中，焊接掩模缝隙710用于防止裂纹向功能区域704中蔓延。 在另一个实施例中，焊接掩模缝隙710仅在基片700的焊接掩模中形成。在这 样的实施例中，焊接掩模缝隙710还可用于防止焊接掩模剥落和/或撕裂。
焊接掩模缝隙710将焊接掩模在切割分离工序中可能承受压力的部分区 域削弱。以这样的方式，裂纹能量可以被焊接掩模缝隙710限制住，从而防止 引起功能区域704中的焊接掩模撕裂或剥落。当剥落或裂纹达到焊接掩模缝隙 710时会沿焊接掩模缝隙710移动，因为此处的阻力比焊接掩模其它区域中的 阻力小。因此，剥落或裂纹被限制在远离功能区域704的区域。
如图7所示，焊接掩模缝隙710沿基片700的边缘形成。然而，如本领域 技术人员所知悉，在不脱离本发明精神和实质的情况下，焊接掩模缝隙710 可以不同的形状形成。
图8A和8B是根据本发明实施例的晶圆的俯视图和截面图。如图8A所示， IC芯片800 (其包括功能区域804)至少部分地由密封圈802包围。功能区域804 可包括集成电路晶体管、电阻和/或包括在IC芯片或其它半导体器件中的其它 类型的电子或逻辑部件。密封圈802用于防止裂纹向功能区域804中蔓延。
图8B示出了 IC芯片800的密封圈802的截面图。密封圈802的包括线形 导通孔(line via) 804和方形导通孔(square vis) 806。线形导通孔804和方 形导通孔806用于吸收和/或反射裂纹能量，从而使裂纹不会蔓延到功能区域 804中。此外，密封圈802还包括层板808。层板808以水平方式形成(而导通 孔以垂直方式形成)，从而形成三维网格。层板808在材料成分上与线形导通
孔804和/或方形导通孔806相同。在另一实施例中，密封圈802可包括线形 导通孔804、方形导通孔806和层板808的任意组合。
图9是根据本发明实施例制造单元的示例性步骤的流程900的示意图。基 于以下的讨论，对于本领域技术人员来说其它结构和操作实施例是显而易见 的。图9中所示的步骤不一定非要按照所示的顺序执行。以下描述图9中的步 骤。
流程900开始于步骤902。在步骤902，确定(define)单元的布图设计。 例如，在单元为基片的实施例中，布图设计包括确定电路迹线和电路连接器。 作为替代，在单元为IC芯片的实施例中，可以确定IC元件诸如电阻和晶体管。
在一个实施例中，在用于防止裂纹向单元的功能区域中蔓延的防护结构的 布图设计也可与功能要件的布图设计一起确定。在这样的实施例中，步骤902 可包括布图功能要件和布图防护结构。
在步骤904，形成功能要件。例如，功能要件诸如电路迹线、IC元件或其 它要件可以在单元的功能区域中形成。
在步骤906，形成防护结构。例如可以在单元上形成如前所述的缝隙、线 条、网格、剖切面、密封圈或其它结构中的一种或多种。在一个实施例中，步 骤904和906可以在制造工序的同一个步骤中完成。在同一个步骤中制作功能 要件和防护结构可以降低形成防护结构的成本。
结论
尽管以上介绍了本发明的各种实施例，但是可以理解的是，以上仅仅是示 例，并非对本发明的限制。本领域的技术人员显然知道，可以对本发明进行各 种形式和细节上的改变而不脱离本发明的精神实质和范围。因此，本发明的保 护范围不限于任何上述的实施例，而是由权利要求及其等效替代来定义。
权利要求
1.一种单元集合中的单元，其特征在于，包括功能区域；及防止裂纹蔓延至所述功能区域的防护结构。
2、 根据权利要求1所述的单元，其特征在于，所述防护结构用于防止切 割分离工序中造成的裂纹蔓延至所述功能区域。
3、 根据权利要求1所述的单元，其特征在于，所述防护结构形成在所述 单元在切割分离工序中的受压区域。
4、 根据权利要求1所述的单元，其特征在于，所述防护结构沿所述单元 集合的单元之间的边界形成。
5、 根据权利要求1所述的单元，其特征在于，所述防护结构包括在所述 单元表面形成的图案。
6、 根据权利要求5所述的单元，其特征在于，所述防护结构包括从以下 形式中选择的图案网格、多根线条和多个剖切面(plane)。
7、 根据权利要求6所述的单元，其特征在于，所述防护结构包括金属材料。
8、 根据权利要求5所述的单元，其特征在于，所述单元包括多层，其中 所述表面是第一层的表面，所述防护结构还包括在第二层的表面形成的第二图
9、 一种制造单元条带(strip)中的单元的方法，其特征在于，包括 形成功能区域；及形成用于防止裂纹蔓延至所述功能区域中的防护结构。
10、 根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括布图所述单元，其中所述布图所述单元包括 布图所述功能区域；及 布图所述防护结构。
全文摘要
本发明涉及一种单元集合中的单元及其制造方法。其中介绍了一种使用防护结构来防止单元损坏的系统和方法。在一个实施例中，单元集合中的单元包括功能区域和防护结构，该防护结构用于防止裂纹蔓延至所述功能区域中。
文档编号H01L23/00GK101373743SQ200810213690
公开日2009年2月25日 申请日期2008年8月21日 优先权日2007年8月21日
发明者萨姆·齐昆·赵, 钟重华, 雷泽厄·拉曼·卡恩 申请人:美国博通公司