专利名称：Method for manufacturing radiation detector, radiation detector, and ...的制作方法
技术领域：
本发明涉及工业用或医用的放射线检测器制造方法、放射线检测器以及放射线摄 像装置，尤其涉及对放射线进行检测的半导体层的构造及制造方法。
背景技术：
以往，作为放射线检测器，可以举出在对放射线起感应的转换层中使用了 CdTe、 CdZnTe的单晶的检测器。由于这些单晶是宽带隙且由重元素构成，所以可以获得能够在室 温下动作、灵敏度高的特性。但是，使二维摄像用的大面积的单晶生长，在钢锭(ingot)的 制作上极其困难。并且，由于除了单晶的材料费高昂至不现实之外，即便是在单晶的一部分 存在结晶缺陷，也不能得到该部位的像素，所以无法制作二维图像检测器。另一方面，在通过CVD法或PVD法等成膜的CdTe、CdZnTe的多晶半导体膜中，含有 很多晶界，电气及放射线检测特性比单晶的情况差。而且，在作为X射线区域的放射线检测 器被使用的情况下，作为检测层的厚度，为了吸收χ射线，需要几百μπι的厚度。即使想要 对如此厚的多晶膜的检测层施加偏置电压，收集因X射线照射而产生的信号电荷，所产生 的电荷被多晶膜中的晶界等捕捉等，由此使得灵敏度/响应性显著下降。因此，通过对CdTe、CdZnTe多晶半导体膜掺杂Cl等卤素，来改善载流子行进性，实 现多晶半导体膜针对光或放射线的检测特性的提高。例如，如专利文献1所公开的那样，将含有CdTe、ZnTe, CdZnTe的至少一个的第1 材料、与含有CdCl2、或ZnCl2的至少一个的第2材料的混合体作为原材料(source)，通过蒸 镀或升华法形成多晶半导体膜或多晶的半导体层叠膜。由此，可以向由CdTe、ZnTe、CdZnTe 的至少一个构成的多晶半导体膜中掺杂Cl，通过Cl来保护晶界的缺陷等级，从而提高放射 线的检测特性。而且，在该方法中，还能够保护位于多晶半导体膜的内部的晶界的缺陷等 级。专利文献1 日本特开2004-172377号公报但是，即便采用专利文献1公开的技术，与由单晶制作的半导体膜相比，针对光或 放射线的检测特性也变差。仅利用现有技术通过Cl保护晶界的缺陷等级，无法获得必要的 充分的放射线检测特性。
发明内容
本发明鉴于这样的情况而提出，其目的在于，提供一种对多晶半导体膜中的结晶 的缺陷等级进行保护、放射线的灵敏度及响应性更高的放射线检测器制造方法、放射线检 测器及放射线摄像装置。发明人通过专心研究得出了下述的见解。即，除了多晶半导体膜中的晶界之外，如 果在晶粒内也能够掺杂Cl原子，则晶粒内的点缺陷及线缺陷等缺陷等级都能够被保护。鉴 于此，通过其他方法将Cl原子掺杂到多晶半导体膜中，能够实现由以往的多晶半导体膜无
4法获得的针对光或放射线的检测特性。本发明为了达到这样的目的，采用了如下所述的构成。即，本发明的放射线检测器的制造方法具备将掺杂了 Cl的CdTe结晶或掺杂了 Cl的CdZnTe结晶粉碎，制作第1粉末的第1粉末制作步骤；和将所述第1粉末作为原材料， 通过蒸镀或升华法形成由Cl掺杂CdTe或Cl掺杂CdZnTe中至少任意一个形成的多晶半导 体膜，将所述多晶半导体膜作为放射线转换层的多晶半导体膜形成步骤。根据本发明的放射线检测器，将在CdTe结晶或CdZnTe结晶内已经掺杂了 Cl的结 晶粉碎，形成粉末，将其作为形成多晶半导体膜的原料。这样，将已经掺杂了 Cl的结晶粉 碎，再次形成多晶半导体膜，由此能够有效地补偿晶粒内的缺陷等级，实现放射线的灵敏度 /响应性出色的制品。在如此形成多晶半导体膜的方法中，还可以在制作第1粉末的步骤中，以成为Cl 掺杂的第1副原料的CdCl2或ZnCl2的任意一个作为第2粉末而进一步添加，使由此得到的 混合体成为原材料，通过蒸镀或升华法形成由Cl掺杂CdTe或Cl掺杂CdZnTe的至少任意 一个形成的多晶半导体膜。由此，由于除了放射线灵敏度/响应性出色之外，还有效地补偿 了晶界的缺陷等级，所以能够使噪声低、S/N出色。并且，可以使下述混合体成为原材料，通过蒸镀或升华法形成Cl掺杂CdZnTe多晶 半导体膜，所述混合体有第1粉末与第2粉末的混合体；或只对第1粉末进一步添加成为 Zn掺杂的第2副原料的Zn、ZnTe, ZnCl2中任意一个来作为第3粉末而得到的混合体。由 此，不仅能够使S/N出色，而且可以进一步降低暗电流。另外，可以通过对由上述方法制作的多晶半导体膜，供给含有Cl原子的蒸气，向 多晶半导体膜中进一步掺杂Cl。由此，在形成多晶半导体膜之后进一步向多晶半导体膜中 掺杂气相状态的Cl原子，所以多晶半导体膜中的晶界被Cl进一步保护。即使在多晶半导 体膜的膜厚较厚的情况下，也能有效地进行晶界的缺陷等级的补偿，进一步降低噪声。与上述放射线检测器的制造方法相关的发明的一例是，将0沉12或211(12的粉末或 其烧结体与多晶半导体膜对置配置，在任意的气氛下实施热处理。除此之外，实施热处理的 任意气氛是由稀有气体、或N2、02、H2的任意一个或至少两个以上构成的混合气氛。在利用 稀有气体的情况下，一般使用He、Ne、Ar。而且，本发明的放射线检测器的特征在于，具备由Cl掺杂CdTe或Cl掺杂CdZnTe 中的至少任意一个形成的多晶半导体膜作为放射线转换层，所述Cl掺杂CdTe或Cl掺杂 CdZnTe是将掺杂了 Cl的CdTe结晶或掺杂了 Cl的CdZnTe结晶粉碎，来制作粉末，并将所述 粉末作为原材料，利用蒸镀或升华法形成的。根据本发明的放射线检测器，将掺杂有Cl的CdTe结晶或CdZnTe结晶粉碎，形成 为粉末，并将该粉末作为原材料而再次形成多晶半导体膜，使多晶半导体膜成为放射线转 换层。由此，能够有效补偿晶粒内的缺陷等级，使放射线的灵敏度/响应性出色。另外，本发明的放射线摄像装置具备具有上述特征的放射线检测器、对由放射线 检测器的所述放射线转换层生成的电荷进行蓄积的电荷蓄积电容元件、与电荷蓄积电容元 件电连接的开关元件、借助与开关元件连接的布线而起开关控制作用的驱动电路、和借助 与开关元件连接的布线来读出电荷蓄积电容元件中蓄积的电荷的读出电路；电荷蓄积电容 元件和开关元件被排列成二维阵列状。
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根据本发明的放射线摄像装置，能够取得放射线的灵敏度/响应性出色且画质高 的放射线图像。根据本发明涉及的放射线检测器制造方法、放射线检测器以及放射线摄像装置， 通过将Cl掺杂CdTe结晶或Cl掺杂CdZnTe结晶粉碎而形成的粉末作为原材料，形成多晶 半导体膜，能够通过Cl有效地保护在多晶半导体膜中存在的晶粒内的缺陷等级。进而，通 过利用向形成多晶半导体膜的原材料中混合含有Cl原子的副原料、或向形成的多晶半导 体膜中掺杂气相状态的Cl原子等不同的方法进一步掺杂Cl，也能够有效地保护晶界的缺 陷等级。由此，可以得到放射线的灵敏度/响应性、噪声、S/N出色的放射线检测器及高画 质的放射线摄像装置。
图1是表示实施例涉及的放射线检测器的构成的纵剖面图。图2是表示有源矩阵基板及外围电路的构成的电路图。图3是表示二维图像检测器的简要构成的侧视图。图4是表示制作放射线转换层的流程的流程图。图5是以往例中的X射线响应波形的特性图。图6是本实施例中的X射线响应波形的特性图。图7是X射线灵敏度的转换层施加电场依赖性的特性图。图中1_放射线检测器；3-支承基板；5-公共电极；7-电子或空穴阻止层；8-转 换层；9-像素电极。
具体实施例方式实施例
下面，参照附图对本发明的实施例进行说明。图1是表示实施例涉及的放射线检测器的构成的纵剖面图，图2是表示与放射线 检测器电连接的包含有源矩阵基板及外围电路的放射线摄像装置的构成的电路图，图3是 表示二维图像检测器的纵剖面的示意图，图4是表示制作放射线转换层的流程的流程图， 图5 图7是放射线检测器的放射线转换层的特性图。放射线检测器1在相对放射线具有透过性的支承基板3的下面，层叠有偏置电压 施加用的公共电极5，进而在其下面层叠有电子或空穴阻止层7，进而在其下面层叠有对入 射的放射线起感应而生成电子_空穴对载流子的转换层8，进而在其下面层叠形成有收集 载流子用的像素电极9。作为上述的支承基板3，优选采用放射线的吸收系数小的材料，例如，可以采用玻 璃、陶瓷(A1203、A1N)、石墨、硅等材料。而且，如果是如石墨及硅那样放射线的吸收系数小、 具有导电性的物质，则也可以省略公共电极5。在本实施例中，如图1所示，成为放射线从支 承基板3侧入射的构成，为了将通过放射线照射而产生的电荷高效地收集到像素电极9，以 对公共电极5施加了偏置电压的状态使其动作。转换层8优选如后所述那样制造，由CdTe、CdZnTe的任意一个所形成的多晶半导 体膜或包含它们的至少一个的多晶半导体层叠膜构成，并且被掺杂了 Cl。
公共电极5、像素电极9例如由ΙΤ0、Au、Pt等导电材料构成。作为电子或空穴注 入阻止层7，在ρ型层的情况下，可举出Sb2Te3、Sb2S3、ZnTe膜等，在η型层的情况下，可举出 CdS、ZnS 膜等。上述那样的构成的放射线检测器1，如图2及图3所示，与有源矩阵基板11 一体构 成，作为二维图像检测器发挥功能。由此，在放射线检测器1的转换层8中生成的载流子被 有源矩阵基板11按不同像素元件收集，蓄积到每个像素元件中，作为电信号被读出。有源矩阵基板11如图2所示，由读出在转换层8中产生的电荷并以周期的期间进 行蓄积的电荷蓄积电容元件10 ；和作为被蓄积的电荷的读出开关元件的薄膜晶体管13形 成。这些电荷蓄积电容元件10和薄膜晶体管13按每个方形的像素配置。其中，为了便于 说明，在图2中构成了 3X3像素量的矩阵，但实际上使用了与放射线检测器1的像素数匹 配的尺寸的有源矩阵基板。薄膜晶体管13相当于本发明中的开关元件。并且，有源矩阵基板11具备读出电路15和栅极驱动电路19。读出电路15与连接 相同列的薄膜晶体管19的漏电极13c(图3)的纵向数据布线17连接。栅极驱动电路19 与连接相同行的薄膜晶体管19的栅电极13a(图3)的横向栅极布线21连接。栅极布线21 与数据布线17分别向像素的行方向和列方向延伸，相互正交。另外，虽然省略了图示，但在 读出电路15内，对各数据布线17连接有前置放大器。数据布线17及栅极布线21相当于 本发明中的电极布线。栅极驱动电路19相当于本发明中的驱动电路。另外，也可以与上述不同，采用将读出电路15及栅极驱动电路19 一体集成到有源 矩阵基板11中的构成。有源矩阵基板11的详细构造如图3所示。S卩，在绝缘性基板29的上面层叠有电 荷蓄积电容元件10的接地侧电极IOa和薄膜晶体管13的栅电极13a。进而，在其上隔着绝 缘膜25，层叠形成有电荷蓄积电容元件10的电容电极10b、和薄膜晶体管13的源电极13b 及漏电极13c。进而，在其上面，除了与像素电极9的连接部之外，都被保护用的绝缘膜28覆盖。而且，电荷蓄积电容元件10的接地侧电极IOa被接地，电容电极IOb与源电极13b 同时形成并导通。作为绝缘膜25及28，例如能够采用等离子SiN膜。将放射线检测器1与 有源矩阵基板11对位，在使像素电极9与电荷蓄积电容的电容电极IOb的位置一致，隔着 由丝网印刷法形成的碳焊盘电极27的状态下，通过加压粘接，来进行贴合连接。由此，放射 线检测器1与有源矩阵基板11被贴合成一体。此时，像素电极9与电容电极IOb通过碳焊 盘电极27而导通。接着，参照图4，对上述放射线检测器1的制造方法的详细步骤进行说明。放射线检测器1的公共电极5例如通过溅射/蒸镀等方法层叠形成在支承基板3 的面上。同样，将电子或空穴阻止层7层叠形成在公共电极5的面上。然后，通过升华法在 电子或空穴阻止层7的面上形成转换层8。首先，对用于通过升华法形成转换层8的原材料 的制作方法进行详细说明。步骤Sl (制作Cl掺杂CdTe单晶)以往，作为单晶的制作方法，有切克劳斯基单晶生长法(CZ法)、移动加热法(THM 法)、布里奇曼法等，利用这些结晶制作方法使以1 IOOppm的浓度掺杂了 Cl的CdTe结 晶生长。此时，在通过生长而制作的Cl掺杂CdTe结晶中可以含有点缺陷、面缺陷等结晶缺陷。步骤S2 (粉碎成一定粒径)接着，将Cl掺杂CdTe结晶粉碎成一定的粒径分布，来制作Cl掺杂CdTe结晶的粉 末体。该粉末体是本实施例中的主原料。步骤S2相当于本发明中的第1粉末制作步骤。而且，与此不同，进而作为Cl掺杂的副原料，以CdCl2或ZnCl2为主原料粉碎成相 同的粒径分布，来制作粉末体。将该粉末体作为第1副原料。并且，作为Zn掺杂的副原料，以Zn或ZnTe或ZnCl2为主原料粉碎成相同的粒径， 来制作粉末体。将该粉末体作为第2副原料。 步骤S3 (对主原料混合第1副原料和第2副原料)将上述的主原料与第1副原料及第2副原料以一定的比率均勻混合，制作混合体。 步骤S3相当于本发明中的第2混合体制作步骤。步骤S4 (制作混合烧结体)通过在控制了压力的腔室内对上述混合体进行热处理，来制作混合烧结体，将该 混合烧结体作为成膜材料的原材料。步骤S5 (形成多晶半导体膜)接着，通过接近升华法形成300 600 μ m的厚膜，作为放射线转换层。接近升华 法是在通过物理蒸镀法的一种手法形成CdTe膜作为太阳电池用的光电转换膜中所采用的 方法。通过与形成成膜材料的原材料(烧结体)的基板接近/对置配置并加热，在基板上 形成由原材料的升华物构成的半导体。由于在该接近升华法中，原材料接近于基板，所以能 够比较容易地形成大面积的半导体。将成膜用的支承基板3的成膜面与原材料接近对置配置，通过在控制了压力的腔 室内独立地对原材料和支承基板3进行加热控制，形成Cl掺杂CdZnTe多晶半导体膜。步 骤S5相当于本发明中的多晶半导体膜形成步骤。另外，通过改变上述接近升华法的作为原材料的主原料与副原料1、及副原料2的 粉末材料的混合比，能够改变CdZnTe多晶半导体膜中的Cl浓度及Zn的构成比率，可以根 据需要的特性而最佳化。步骤S6 (以气相进一步掺杂Cl)通过一边对如上所述而制作的Cl掺杂CdZnTe多晶半导体膜供给含有Cl原子的 蒸气，一边进行加热，来进一步掺杂Cl。具体而言，通过将含有0(1(12或211(12的至少一个的粉末或其烧结体在与多晶膜表 面对置接近配置的状态下，以480°C实施1小时的热处理，来对CdZnTe多晶半导体膜掺杂 Cl。此时的热处理气氛优选是被保持为1个气压的含有N2、02、H2、稀有气体(He、Ne、 Ar)的至少一个的气氛。更优选此时的热处理气氛是被保持为1.3X 10_4 0.5个大气压 的含有N2、O2、H2、稀有气体(He、Ne、Ar)的至少一个的气氛。由于通过成为这样的气氛能够以低温进行处理，所以可以进一步降低暗电流。另 外，如果使温度相同，则能够供给更多的Cl，可以在短时间内完成处理。如上所述，由于在形成CdZnTe多晶半导体膜时掺杂了 Cl之后，进一步掺杂Cl，所 以能够更好地进行晶界的保护。由此，可以在降低暗电流的同时进一步提高放射线检测器1的特性。步骤S6相当于本发明中的气相Cl掺杂步骤。步骤S7 (使膜表面平坦化的处理)然后，为了能够与有源矩阵基板11贴合，通过研磨等对CdZnTe多晶半导体膜表面 进行平坦化处理。接着，在通过溅射、蒸镀等层叠形成了像素电极9用的金属膜之后，进行图形形 成，形成像素电极9。通过以上的过程形成了放射线检测器1。然后，如上所述那样将有源 矩阵基板11与放射线检测器1 一体化，完成了放射线摄像装置。如上所述那样制成的Cl掺杂CdZnTe多晶半导体膜，与通过以往的制作方法制成 的Cl掺杂CdZnTe多晶半导体膜相比，针对放射线的灵敏度及响应性更出色。图5 图7 是表示通过以往的制作方法制成的Cl掺杂CdTe多晶半导体膜、和在本实施例中制作的Cl 掺杂CdTe多晶半导体膜相对X射线的灵敏度及响应性的图。图5示出通过以往的制作方法制成的Cl掺杂CdTe多晶半导体膜相对X射线的灵 敏度。主原料是CdTe的粉末体，副原料采用了 CdCl2的粉末体。所层叠的转换层8的Cl掺 杂浓度为2ppm，没有实施基于气相的Cl掺杂。是对公共电极5施加负偏压，向具备上述Cl 掺杂CdTe多晶半导体膜的放射线检测器1照射1秒钟X射线时的灵敏度响应波形。黑圆 圈的曲线是从有源矩阵基板侧照射X射线时的灵敏度响应，主要反映了电子的行进性。黑 菱形的曲线是从转换层8侧照射X射线时的灵敏度响应，主要反映了空穴的行进性。图6示出通过本实施例制作的Cl掺杂CdTe多晶半导体膜相对X射线的灵敏度。 主原料是掺杂了 Cl的CdTe的粉末体，没有添加副原料，只由主原料制成Cl掺杂CdTe多晶 半导体膜。Cl掺杂的浓度为2ppm，没有实施基于气相的Cl掺杂。测定条件与以往例(图
5)相同。若对图5及图6进行比较，则本实施例中制作的Cl掺杂CdTe多晶半导体膜(图
6)，与以往例(图5)中制作的相比，针对X射线照射的灵敏度较高。而且可知由于X射线 照射方向引起的灵敏度之差少，所以不仅电子行进性良好，空穴的行进性也良好，有助于灵 敏度的提高。图7示出Cl掺杂CdTe多晶半导体膜的X射线灵敏度的施加电场依赖性。本实施 例的Cl掺杂CdTe多晶半导体膜与以往例相比，以低电场启动。即，表示了针对X射线的灵 敏度高、且电荷输送特性(载流子行进性)良好。综上所述，由本实施例制作的Cl掺杂CdTe多晶半导体膜与以往例相比，不仅针对 X射线的灵敏度高，而且即使对公共电极5施加的电压降低，X射线灵敏度也出色。这表示 了 不论Cl掺杂的浓度是否相同，与对CdTe多晶半导体膜掺杂Cl而制作的Cl掺杂CdTe 多晶半导体膜相比，将掺杂Cl而制作的Cl掺杂CdTe结晶粉碎，由该粉末体再次制作多晶 膜的Cl掺杂CdTe多晶半导体膜，针对X射线的灵敏度及响应性更出色。根据该实验结果可以认为在以往例与本实施例中，Cl保护CdTe多晶半导体膜的 缺陷等级的机制不同。即，可以认为现有的对CdTe多晶半导体掺杂Cl而制作的Cl掺杂 CdTe多晶半导体膜，是由Cl保护晶界的缺陷等级。与之相对，本实施例中的、将掺杂Cl而 制作的Cl掺杂CdTe结晶粉碎，由该粉末体再次制作Cl掺杂CdTe多晶半导体膜的Cl掺杂 CdTe多晶半导体膜，晶粒内的缺陷等级得到保护。这样，本申请发现了以往不存在的新的多 晶半导体膜的基于Cl对缺陷等级进行保护的机制。
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如上所述那样构成的放射线检测器1，通过将粉碎Cl掺杂CdTe单晶而成的粉末作 为原材料，形成多晶半导体膜，能够通过Cl有效地保护在多晶半导体膜中存在的晶粒内的 缺陷等级。由此，能够使载流子行进性阻碍因素消失或缓和，有效地提高多晶半导体膜相对 放射线的检测特性(灵敏度/响应性等)。进而，通过利用向形成多晶半导体膜的原材料中 混合含有Cl原子的副原料、或向已形成的多晶半导体膜掺杂气相状态的Cl原子等不同的 方法进一步掺杂Cl，也能有效保护晶界的缺陷等级。另外，通过向形成多晶半导体膜的原材 料中混合含有Zn原子的副原料，能够改变多晶半导体膜的电阻率。由此，能够获得放射线 的灵敏度/响应性、噪声、暗电流特性、S/N出色的放射线检测器及检测效率出色的高画质 放射线摄像装置。而且，通过本实施例，还能够制造难以由单晶制作的10厘米见方以上、尤其是20 厘米见方以上的大面积放射线检测器。本发明不限定于上述实施方式，还能够如下述那样进行变形实施。(1)在上述实施例中，作为主原料，采用了 Cl掺杂CdTe单晶的粉末，但也可以利用 Cl掺杂CdZnTe单晶的粉末、Cl掺杂CdTe多晶的粉末、及Cl掺杂CdZnTe多晶的粉末。另 外，作为主原料，还可以采用将钢锭的结晶或切片的结晶中任意一个形成为粉末得到的原 料。由此，由于能够使用制造工序中从制品脱落的结晶，所以能够实现制品成本的降低。(2)在上述实施例中，作为放射线变更层，是Cl掺杂CdTe多晶半导体膜或Cl掺杂 CdZnTe多晶半导体膜的一层构造，但也可以是它们的二层构造膜。另外，第一层可以是Cl 掺杂CdTe多晶半导体膜，第二层是Cl掺杂ZnTe多晶半导体膜。(3)在上述实施例中，作为多晶半导体膜的原材料，对主原料使用了第1副原料与 第2副原料的混合体，但也可以只将主原料作为原材料，还可以将主原料与第1副原料的混 合体、或主原料与第2副原料的混合体作为原材料。(4)在上述实施例中，将多晶半导体膜构成为放射线检测器，但不限于放射线，也 可以构成为可见光线、紫外线、Y线等光检测器。(5)在上述实施例中，作为物理蒸镀，以采用接近升华法为例进行了说明，但只要 是通过蒸镀形成半导体的方法即可，可以采用溅射、CVD、升华法、化学堆积法等，没有特别 的限定。
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权利要求
一种放射线检测器的制造方法，其特征在于，具备第1粉末制作步骤，其将掺杂了Cl的CdTe结晶或掺杂了Cl的CdZnTe结晶粉碎，制作第1粉末；和多晶半导体膜形成步骤，其将所述第1粉末作为原材料，通过蒸镀或升华法形成由Cl掺杂CdTe或Cl掺杂CdZnTe的至少一个形成的多晶半导体膜，将所述多晶半导体膜作为放射线转换层。
2.根据权利要求1所述的放射线检测器的制造方法，其特征在于，在所述第1粉末制作步骤之后具备第1混合体制作步骤，所述第1混合体制作步骤，将 Cl掺杂的第1副原料即CdCl2或ZnCl2的任意一个作为第2粉末向所述第1粉末中添加， 制作所述第1粉末及所述第2粉末的第1混合体；在所述多晶半导体膜形成步骤中，将所述第1混合体作为原材料，通过蒸镀或升华法 形成多晶半导体膜。
3.根据权利要求2所述的放射线检测器的制造方法，其特征在于，在所述第1混合体制作步骤之后具备第2混合体制作步骤，所述第2混合体制作步骤 是进一步添加Zn掺杂的第2副原料即Zn、ZnTe、ZnCl2的任意一个作为第3粉末，来制作所 述第1粉末、所述第2粉末及所述第3粉末的第2混合体；在所述多晶半导体膜形成步骤中，将所述第2混合体作为原材料，通过蒸镀或升华法 形成多晶半导体膜。
4.根据权利要求1所述的放射线检测器的制造方法，其特征在于，在所述第1粉末制作步骤之后具备第3混合体制作步骤，所述第3混合体制作步骤向 所述第1粉末添加Zn掺杂的第2副原料即Zn、ZnTe、ZnCl2的任意一个作为第3粉末，来制 作所述第1粉末及所述第3粉末的第3混合体；在所述多晶半导体膜形成步骤中，将所述第3混合体作为原材料，通过蒸镀或升华法 形成多晶半导体膜。
5.根据权利要求1 4中任意一所述的放射线检测器的制造方法，其特征在于，在所述多晶半导体膜形成步骤之后，具备通过供给含有Cl原子的蒸气而向所述多晶半导体膜中进一步掺杂Cl的气相Cl掺杂步骤。
6.根据权利要求5所述的放射线检测器的制造方法，其特征在于，所述气相Cl掺杂步骤是将CdCl2或ZnCl2的粉末或其烧结体与多晶半导体膜对置配 置，在任意气氛下实施热处理的步骤。
7.根据权利要求6所述的放射线检测器的制造方法，其特征在于，实施热处理的任意气氛是由稀有气体、N2, 02、H2的任意一个或至少两个以上构成的混 合气氛。
8.根据权利要求7所述的放射线检测器的制造方法，其特征在于，稀有气体是He、Ne、Ar中的任意一个。
9.一种放射线检测器，其特征在于，具备由Cl掺杂CdTe或Cl掺杂CdZnTe中的至少任意一个形成的多晶半导体膜作为放 射线转换层，所述Cl掺杂CdTe或Cl掺杂CdZnTe是将掺杂了 Cl的CdTe结晶或掺杂了 Cl 的CdZnTe结晶粉碎，来制作第1粉末，并将所述第1粉末作为原材料，利用蒸镀或升华法形成的。
10. 一种放射线摄像装置，用于进行放射线摄像，其特征在于，具备 放射线检测器，其具备由Cl掺杂CdTe或Cl掺杂CdZnTe中的至少任意一个形成的多 晶半导体膜作为放射线转换层，所述Cl掺杂CdTe或Cl掺杂CdZnTe是将掺杂了 Cl的CdTe 结晶或掺杂了 Cl的CdZnTe结晶粉碎，来制作粉末，并将所述粉末作为原材料，利用蒸镀或 升华法形成的；电荷蓄积电容元件，其对由所述放射线转换层生成的电荷进行蓄积； 开关元件，其与所述电荷蓄积电容元件电连接； 驱动电路，其借助与所述开关元件连接的电极布线使开关发挥作用；和 读出电路，其借助与所述开关元件连接的电极布线来读出所述电荷蓄积电容元件中蓄 积的电荷；所述电荷蓄积电容元件与所述开关元件被排列成二维阵列状。
全文摘要
文档编号H01L31/09GK101952966SQ20088012658
公开日2011年1月19日 申请日期2008年2月12日 优先权日2008年2月12日
发明者Tokuda Satoshi, Kishihara Hiroyuki, Kaino Masatomo, Okamoto Tamotsu 申请人:Shimadzu Corp, Inst Nat Colleges Tech Japan